JP2006189777A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第1基板及び第2基板と、ドライバ領域と重畳される第1シーラントと、第1基板及び第2基板間の液晶層を含む。また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第1基板及び第2基板を形成する工程と、第1基板及び第2基板の少なくとも一つの上に、ドライバ領域と重畳される第1シーラントを形成する工程と、第1基板及び第2基板間に液晶層を形成する工程とを含む。
【選択図】図4
Description
図4は、本発明の実施例によるポリシリコンTFT基板の一部分を示す平面図であり、図5は、図4に示すTFT基板のIII−III’、IV−IV’線に沿う断面図である。
Claims (31)
- 画像表示領域とドライバ領域を持つ第1基板及び第2基板と、
前記ドライバ領域と重畳される第1シーラントと、
前記第1基板及び前記第2基板間の液晶層と
を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ドライバ領域の周囲を囲む第2シーラントをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域に含まれた薄膜トランジスタを保護することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域で前記薄膜トランジスタの電極の一部と重畳されることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記画像表示領域に形成され、前記ドライバ領域まで伸張された配向膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜は、前記第1基板の最上部層であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜は、前記第1シーラントから離隔されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜は、前記ドライバ領域で露出された電極の一部と重畳されることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板は、前記画像表示領域及び前記ドライバ領域に形成された薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは、
前記第1基板上のアクティブ層と、
金属層が透明導電層上に形成される二重層構造を持つゲート電極と、
前記アクティブ層及び前記ゲート電極間の第1絶縁膜と、
前記アクティブ層のソース領域とドレーン領域に接続されたソース電極及びドレーン電極と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート電極は、前記アクティブ層と交差することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域に形成された薄膜トランジスタのソース電極及びドレーン電極の少なくとも一つを保護することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板は、
前記薄膜トランジスタのドレーン電極と接続された二重層構造を持つ画素電極と、
前記画素電極上の第2絶縁膜と
をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。 - 前記画素電極の透明導電層は、前記第2絶縁膜と前記金属層を貫通する透過孔を介して露出されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記金属層は、前記透過孔を囲むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 画像表示領域とドライバ領域を持つ第1基板及び第2基板を形成する工程と、
前記第1基板及び第2基板の少なくとも一つの上に、前記ドライバ領域と重畳される第1シーラントを形成する工程と、
前記第1基板及び前記第2基板間に液晶層を形成する工程と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ドライバ領域の周囲を囲む第2シーラントを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域で露出された電極を保護することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域で露出された前記電極の一部と重畳されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画像表示領域に形成され、前記ドライバ領域まで伸張された配向膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記配向膜は、前記第1基板の最上部層であることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記配向膜は、前記第1シーラントから離隔されていることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記配向膜は、前記ドライバ領域で露出された前記電極の一部と重畳されることを特徴とする請求項19に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板を提供する工程は、前記画像表示領域及び前記ドライバ領域に薄膜トランジスタを形成する工程を含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタを形成する工程は、
前記第1基板上にアクティブ層を形成する工程と、
前記アクティブ層上に第1絶縁膜を形成する工程と、
金属層が透明導電層上に形成される二重層構造を持つゲート電極を前記第1絶縁膜上に形成する工程と、
前記アクティブ層のソース領域とドレーン領域に接続されたソース電極及びドレーン電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極は、前記アクティブ層と交差することを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1シーラントは、前記ドライバ領域に形成された薄膜トランジスタのソース電極及びドレーン電極の少なくとも一つを保護することを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの前記ドレーン電極と接続された画素電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、前記画像表示領域に形成された二重層構造を持つことを特徴とする請求項28に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極を形成する工程は、
前記第1絶縁膜上に二重導電層を形成する工程と、
前記二重導電層上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜を貫通する透過孔を形成する工程と、
前記透過孔を介して前記二重導電層の金属層をエッチングすることにより前記透明導電層を露光する工程と
を含むことを特徴とする請求項28に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記金属層は、前記透過孔を囲むことを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置の製造方法。
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