JP2006060119A - ビアが形成されたガラス基板及びビアの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板1の表面1aから裏面1bに至る細孔の内周面にアンカー金属膜3を形成し、アンカー金属膜3の内周側に形成された空洞部にろう材7を充填してビア8を形成する。そして、アンカー金属膜3の熱膨張率をろう材より低くすることにより、ガラス基板の熱膨張率とろう材の熱膨張率との差に起因してガラス基板が破損するのを防止する。
【選択図】図8
Description
1a:表面 1b:裏面
10:細孔
10a:内周面
2:電鋳ドリル
20:回転軸 21:電鋳砥石
3:アンカー金属膜 4:ろう付け介在膜 5:空洞部 6:金属心材
7:ろう材 8、9:ビア
20:ウェーハ
21:デバイス 22:電極
Claims (10)
- デバイスが形成されたウェーハに接合されるガラス基板であって、
表面から裏面に至る細孔の内周面にアンカー金属膜が形成され、該アンカー金属膜の内周側に形成された空洞部にろう材が充填されてビアが形成され、
該アンカー金属膜の熱膨張率は、該ろう材の熱膨張率より低いことを特徴とする
ビアが形成されたガラス基板。 - 前記アンカー金属膜と前記ろう材との間にろう付け介在膜が介在する請求項1に記載のビアが形成されたガラス基板。
- 前記空洞部には、熱膨張率が前記ろう材より低い金属心材が挿入され、該金属心材と前記ろう付け介在膜との間にろう材が充填される
請求項1または2に記載のビアが形成されたガラス基板。 - 前記アンカー金属膜は、クロムまたはチタンにより形成される
請求項1、2または3に記載のビアが形成されたガラス基板。 - 前記金属心材は、鉄・ニッケル・コバルト合金からなる
請求項3または4に記載のビアが形成されたガラス基板。 - 前記ウェーハはシリコンウェーハであり、前記ガラス基板は硼珪酸系ガラスにより構成される
請求項1、2、3、4または5に記載のビアが形成されたガラス基板。 - 前記ろう材は銀ろうである
請求項1、2、3、4、5または6に記載のビアが形成されたガラス基板。 - ガラス基板の表面から裏面に至る細孔を形成し、該細孔に導電性金属を充填して該表面から該裏面に至るビアを形成するビアの形成方法であって、
ガラス基板の表面から裏面に至る細孔を形成する細孔形成工程と、
該細孔の内周面にアンカー金属膜を形成するアンカー金属膜形成工程と、
該アンカー金属膜の内周側に形成された空洞部にろう材を充填するろう材充填工程と
を少なくとも含み、
該アンカー金属膜の熱膨張率は、該ろう材の熱膨張率より低いことを特徴とする
ビアの形成方法。 - 前記アンカー金属膜形成工程の後であって前記ろう材充填工程の前に、前記アンカー金属膜の内周側にろう付け介在膜を形成するろう付け介在膜形成工程が遂行され、
該ろう付け介在膜形成工程においては、ろう付け介在膜として銅膜をめっきにより該アンカー金属膜の内周面に形成し、
該ろう材充填工程においては、前記ろう材として銀ろうを用い、該ろう付け介在膜の内周側に該銀ろうを充填する
請求項8に記載のビアの形成方法。 - 前記細孔形成工程においては、ダイヤモンド砥粒を備えた電鋳ドリルを用いてガラス基板に細孔を形成し、
前記アンカー金属膜形成工程においては、アンカー金属膜としてクロムまたはチタンをスパッタリングにより該細孔の内周面に形成する
請求項8または9に記載のビアの形成方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7863524B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Interposer and method for manufacturing the same |
JP2012015201A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Advantest Corp | 貫通配線基板および製造方法 |
JPWO2011096353A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-10 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
KR20160053715A (ko) * | 2014-11-05 | 2016-05-13 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2016207683A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 貫通電極基板および半導体パッケージ |
JPWO2014188760A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2017-02-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
JP2019054290A (ja) * | 2018-12-25 | 2019-04-04 | 凸版印刷株式会社 | インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法 |
WO2019111966A1 (ja) | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法 |
WO2019117073A1 (ja) | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 凸版印刷株式会社 | ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006049562A1 (de) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Qimonda Ag | Substrat mit Durchführung und Verfahren zur Herstellung desselben |
CN101657882B (zh) * | 2007-04-13 | 2012-05-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件、用于制造显示器件的方法、以及soi衬底 |
US8072079B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-12-06 | Stats Chippac, Ltd. | Through hole vias at saw streets including protrusions or recesses for interconnection |
US8030208B2 (en) * | 2008-06-02 | 2011-10-04 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Bonding method for through-silicon-via based 3D wafer stacking |
CN101542702B (zh) * | 2008-06-05 | 2014-06-04 | 香港应用科技研究院有限公司 | 基于硅通孔的三维晶圆叠层的键合方法 |
US8471156B2 (en) * | 2009-08-28 | 2013-06-25 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method for forming a via in a substrate and substrate with a via |
US8707734B2 (en) * | 2009-10-19 | 2014-04-29 | The Regents Of The University Of Michigan | Method of embedding material in a glass substrate |
US8148824B2 (en) * | 2010-04-16 | 2012-04-03 | Nanya Technology Corp. | Semiconductor device with through substrate via |
US8992610B2 (en) | 2010-07-26 | 2015-03-31 | Elenza, Inc. | Hermetically sealed implantable ophthalmic devices and methods of making same |
US8816505B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-08-26 | Tessera, Inc. | Low stress vias |
EP3128547B1 (en) * | 2014-03-31 | 2019-07-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Interposer and semiconductor device |
JP6311081B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-04-11 | 株式会社メイコー | 基板及び基板の製造方法 |
CN117410260B (zh) * | 2023-12-15 | 2024-03-22 | 苏州熹联光芯微电子科技有限公司 | 封装结构及其制备方法、封装组件 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4312897A (en) * | 1978-09-18 | 1982-01-26 | Hughes Aircraft Company | Buried resist technique for the fabrication of printed wiring |
US4617730A (en) * | 1984-08-13 | 1986-10-21 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a chip interposer |
US4954313A (en) * | 1989-02-03 | 1990-09-04 | Amdahl Corporation | Method and apparatus for filling high density vias |
EP0568313A2 (en) * | 1992-05-01 | 1993-11-03 | Nippon CMK Corp. | A method of manufacturing a multilayer printed wiring board |
TW309654B (ja) * | 1995-03-29 | 1997-07-01 | Olin Corp | |
JP4011695B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2007-11-21 | 株式会社東芝 | マルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法 |
US6286206B1 (en) * | 1997-02-25 | 2001-09-11 | Chou H. Li | Heat-resistant electronic systems and circuit boards |
US6157076A (en) * | 1997-06-30 | 2000-12-05 | Intersil Corporation | Hermetic thin pack semiconductor device |
US5972734A (en) * | 1997-09-17 | 1999-10-26 | Lsi Logic Corporation | Interposer for ball grid array (BGA) package |
JP4590722B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2010-12-01 | 凸版印刷株式会社 | 光部品搭載用基板製造方法 |
CN1630946A (zh) * | 2001-07-12 | 2005-06-22 | 株式会社日立制作所 | 电子电路部件 |
JP3967239B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2007-08-29 | 株式会社フジクラ | 充填金属部付き部材の製造方法及び充填金属部付き部材 |
JP2004356618A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-12-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体、中継基板の製造方法 |
US7024763B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-04-11 | Formfactor, Inc. | Methods for making plated through holes usable as interconnection wire or probe attachments |
US7276787B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Silicon chip carrier with conductive through-vias and method for fabricating same |
-
2004
- 2004-08-23 JP JP2004242168A patent/JP4387269B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-16 EP EP05017786A patent/EP1630864A3/en not_active Withdrawn
- 2005-08-22 CN CNB2005100921799A patent/CN100456455C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-22 US US11/207,715 patent/US7291922B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8479386B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-07-09 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing interposer |
US7863524B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Interposer and method for manufacturing the same |
JPWO2011096353A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-10 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
JP2012015201A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Advantest Corp | 貫通配線基板および製造方法 |
JPWO2014188760A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2017-02-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US9832871B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-11-28 | Murata Manufacturing Co, Ltd. | Module |
KR102281459B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2021-07-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
KR20160053715A (ko) * | 2014-11-05 | 2016-05-13 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2016092402A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 印刷回路基板及びその製造方法 |
JP2016207683A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 貫通電極基板および半導体パッケージ |
WO2019111966A1 (ja) | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法 |
US11006516B2 (en) | 2017-12-06 | 2021-05-11 | Toppan Printing Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and method of manufacturing wiring board |
WO2019117073A1 (ja) | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 凸版印刷株式会社 | ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置 |
US11406025B2 (en) | 2017-12-11 | 2022-08-02 | Toppan Printing Co., Ltd. | Glass wiring board, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
JP2019054290A (ja) * | 2018-12-25 | 2019-04-04 | 凸版印刷株式会社 | インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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