JP4954838B2 - 炭化ケイ素セラミックス材の接合方法 - Google Patents
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Description
このような炭化ケイ素セラミックス部材は、用途によっては、各部材同士を接合して用いられる場合もある。
上記接合方法によれば、細孔や溝等を有する複雑な形状の炭化ケイ素セラミックス材であっても、非接合面を酸化膜で被覆する工程を経るのみで、前記細孔や溝等をロウ材による接合材により閉塞することのない接合体を簡便に得ることができる。
あるいはまた、熱酸化法、CVD法またはプラズマ酸化法により、炭化ケイ素セラミックス材全体に酸化膜を形成した後、接合面の酸化膜のみ、研削またはエッチングにより除去して形成してもよい。
したがって、本発明に係る接合方法は、細孔や溝等を有するような接合面形状が複雑な定盤やエッチャー用チャンバ、真空チャック、ラッププレート等の半導体製造装置用部材の製造にも好適に適用することができる。
本発明に係る炭化ケイ素セラミックス材の接合方法は、炭化ケイ素セラミックス材同士を、シリコンを含むロウ材を用いて接合させる際、前記炭化ケイ素セラミックス材の非接合面にのみ、予め、酸化膜を形成しておくことを特徴とするものである。
すなわち、本発明に係る接合方法においては、炭化ケイ素セラミックス材の表面のうち、ロウ材を付着させたくない面を、予め、酸化膜で被膜された状態としておく。
酸化膜で被覆された面と、被覆されていない、炭化ケイ素セラミックスの露出面とでは、ロウ材のぬれ性が異なり、そのぬれ性は、炭化ケイ素よりも、酸化ケイ素の方が低い。
このため、酸化膜表面はロウ材が付着しにくくなり、接合させようとする面にのみロウ材を介在させて、接合させることができる。
具体的には、前記酸化膜は、熱酸化法、CVD法、プラズマ酸化法等により形成することが好ましい。また、前記酸化膜の厚さは、10nm以上250nm以下であることが好ましい。
あるいはまた、熱酸化法、CVD法またはプラズマ酸化法等により、炭化ケイ素セラミックス材全体に酸化膜を形成した後、平面研削盤やサンドブラストによる機械的加工、または、アルカリ薬液等によるエッチング等の化学的処理により、接合面の酸化膜のみを除去する方法も用いることができる。
上記のようなロウ材を、炭化ケイ素セラミックス材の接合面間に挟み込み、所定温度で熱処理することにより、前記ロウ材が溶融して流れ込み、接合面同士が接合される。
[実施例1]
50mm×50mm×厚さ10mmの常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、幅2mm、深さ2.5mmの溝1を3本形成し、図1に示すような形状の試料片を作製した。
この試料片を熱酸化処理し、全面に厚さ200〜250nmの酸化膜を形成した。
そして、接合面2(図1の試料片の上面)を、平面研削盤で表面から厚さ0.5mm研削した。
この試料片2枚を、接合面間に、ペースト状のシリコン(純度99%以上)を介在させて、0.01Torrの真空雰囲気中、1500℃で0.5時間熱処理し、図2に示すような接合体を作製した。
上記のような接合体を50個作製し、それぞれについて、超音波画像装置により、シリコン(ロウ材)による溝の閉塞の有無を調べた結果、接合体50個のうち、溝がシリコンにより閉塞しているものは認めらなかった。
酸化処理を施さず、それ以外については、実施例1と同様にして、接合体を作製し、シリコンによる溝の閉塞の有無を調べた。
その結果、接合体50個のうち18個について、溝がシリコンにより閉塞していることが確認された。
50mm×50mm×厚さ10mmの常圧焼結炭化ケイ素セラミックス材に、直径1mmの貫通孔3を10mm間隔で16個形成し、図3に示すような形状の試料片を作製した。
この試料片を熱酸化処理し、全面に厚さ200〜250nmの酸化膜を形成した。
そして、接合面4(図3の試料片の上面)を、平面研削盤で表面から厚さ0.5mm研削した。
この試料片2枚を、接合面間に、ペースト状のシリコン(純度99%以上)を介在させて、0.01Torrの真空雰囲気中、1500℃で0.5時間熱処理し、図4に示すような接合体を作製した。
上記のような接合体を50個作製し、それぞれについて、超音波画像装置により、シリコン(ロウ材)による孔の閉塞の有無を調べた結果、接合体50個のうち、孔がシリコンにより閉塞しているものは認めらなかった。
酸化処理を施さず、それ以外については、実施例1と同様にして、接合体を作製し、シリコンによる孔の閉塞の有無を調べた。
その結果、接合体50個のうち30個について、孔がシリコンにより閉塞していることが確認された。
2,4 接合面
3 孔
Claims (3)
- 炭化ケイ素セラミックス材同士を、シリコンを含むロウ材を用いて接合される際、前記炭化ケイ素セラミックス材の非接合面にのみ、予め、酸化膜を形成しておくことを特徴とする炭化ケイ素セラミックス材の接合方法。
- 前記酸化膜は、接合面をマスキングし、CVD法により、非接合面にのみ形成することを特徴とする請求項1記載の炭化ケイ素セラミックス材の接合方法。
- 前記酸化膜は、熱酸化法、CVD法またはプラズマ酸化法により、炭化ケイ素セラミックス材全体に酸化膜を形成した後、接合面の酸化膜のみ、研削またはエッチングにより除去して形成することを特徴とする請求項1記載の炭化ケイ素セラミックス材の接合方法。
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