JP2016207683A - 貫通電極基板および半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
20・・・半導体パッケージ、
11,21・・・シリコンベース、
12,22・・・貫通リード、
13,23・・・封止ガラス、
24・・・半導体素子、
25・・・配線手段、
25−1・・・ワイヤーボンディング、
25−2・・・パッド電極、
26・・・ガラス蓋体、
26−1・・・天板
26−2・・・リフレクター。
Claims (8)
- シリコンベースと、このシリコンベースに設けた通孔に挿通した高密度電導体からなる貫通リードと、この貫通リードと前記シリコンベースとを気密に封着した封止ガラスとを備えたことを特徴とする貫通電極基板。
- 前記高密度電導体は、タングステン材、モリブデン材、コバール合金材、高ドープシリコン材の群から選ばれたことを特徴とする請求項1に記載の貫通電極基板。
- 前記封止ガラスは、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、硼酸ガラス、アルミノ硼珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、アルミノ硼酸ガラスの群から選定されたガラス材からなる請求項1または請求項2に記載の貫通電極基板。
- シリコンベースと、このシリコンベースに設けた通孔に挿通した高密度電導体からなる貫通リードと、この貫通リードと前記シリコンベースとを気密に封着した封止ガラスとを備え、さらに前記シリコンベースに固着した半導体素子と、この半導体素子と前記貫通リードとを導通する配線手段と、前記半導体素子の周辺を気密に覆って前記シリコンベースと固着したガラス蓋体とを設けたことを特徴とする半導体パッケージ。
- 前記高密度電導体は、タングステン材、モリブデン材、コバール合金材、高ドープシリコン材の群から選ばれたことを特徴とする請求項4に記載の貫通電極基板。
- 前記封止ガラスおよび前記ガラス蓋体は、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、硼酸ガラス、アルミノ硼珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、アルミノ硼酸ガラスの群から選定されたガラス材からなる請求項4または請求項5に記載の半導体パッケージ。
- 前記ガラス蓋体は、深紫外光透過性の透明ガラス材からなる請求項4ないし請求項6の何れか1つに記載の深紫外LEDデバイス用半導体パッケージ。
- 前記シリコンベースは、LED素子の電流安定化のためのツェナーダイオード素子を形成させたことを特徴とする請求項4ないし請求項7の何れか1つに記載の深紫外LEDデバイス用半導体パッケージ。
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