JP2016119492A - ハウジング - Google Patents
ハウジング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016119492A JP2016119492A JP2016044118A JP2016044118A JP2016119492A JP 2016119492 A JP2016119492 A JP 2016119492A JP 2016044118 A JP2016044118 A JP 2016044118A JP 2016044118 A JP2016044118 A JP 2016044118A JP 2016119492 A JP2016119492 A JP 2016119492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- substrate
- glass
- base body
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 201
- GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] Chemical compound [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 221
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 136
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 40
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004534 enameling Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 copper Chemical class 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/02—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing by fusing glass directly to metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C29/00—Joining metals with the aid of glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48235—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
Description
基体であって、少なくとも1つの電子機能素子用の実装領域を少なくとも部分的に画定する上面を有し、それにより、少なくとも1つの電子機能素子用のヒートシンクを形成し、下面及び側面を更に有する基体と、
少なくとも1つの電子機能素子用の少なくとも1つの接続体であって、少なくとも、1つのガラス層によって前記基体に接合されている少なくとも1つの接続体と、
を具備し、
前記結合するガラス層は、アルカリチタンケイ酸塩ガラスによって提供される、ハウジングである。
少なくとも1つの基体であって、少なくとも1つの電子機能素子用の実装領域を少なくとも部分的に画定する上面を有し、それにより少なくとも1つの電子機能素子用のヒートシンクを形成する、少なくとも1つの基体を準備するステップと、
少なくとも1つの電子機能素子用の少なくとも1つの接続体と、特に前記基体と前記接続体との間に接続体を前記基体に接合する少なくとも1つのガラスとを設けるステップと、
前記ガラスを、該ガラスが付着することにより前記基体及び前記接続体から複合物を形成することができる粘度を該ガラスが有し、及び/又は該粘度に該ガラスが達するまで、加熱するステップと、
前記ガラス20を冷却するステップであって、それにより、前記基体及び前記少なくとも1つの接続体が材料結合を形成する、冷却するステップと、
を含む。
基体であって、少なくとも1つの光電子機能素子用の実装領域を少なくとも部分的に画定する上面を有し、それにより、少なくとも1つの光電子機能素子用のヒートシンクを形成し、下面及び側面をさらに有する基体と、
特に材料結合によって前記基体に結合される、少なくとも1つの光電子機能素子用の少なくとも1つの接続体と、
を具備し、
前記基体は、少なくとも1つのチャネルを有し、該チャネル内に、前記少なくとも1つの接続体、少なくともその一部が配置され、該チャネルは、前記基体を前記接続体に接合するために少なくとも部分的にガラスによって充填されている、ハウジングである。
少なくとも1つのチャネルを備える少なくとも1つの基体であって、少なくとも1つの光電子機能素子用の実装領域を少なくとも部分的に画定する上面を有し、それにより少なくとも1つの光電子機能素子用のヒートシンクを形成する、少なくとも1つの基体を準備するステップと、
前記少なくとも1つのチャネル内に、少なくとも1つの光電子機能素子用の少なくとも1つの接続体と、前記少なくとも1つの接続体を前記基体に接合する少なくとも1つのガラスとを設けるステップと、
前記少なくとも1つのチャネル内の前記ガラスを、該ガラスが付着することにより前記基体及び前記接続体から複合構造体を形成することができる粘度を該ガラスが有し、及び/又は該粘度に該ガラスが達するまで、加熱するステップと、
前記ガラスを冷却するステップであって、それにより、前記基体及び前記少なくとも1つの接続体が材料結合を形成し、前記少なくとも1つの接続体は、前記ガラスに、少なくともその一部が埋め込まれる、冷却するステップと、
を含む方法がある。
10a 基体の上面
10b 基体の下面
13 基体の側面又は周面
14 機能素子の実装領域
15 絶縁体又は絶縁層
16 スリーブ又はシース
20 ガラス層又は接続及び絶縁のためのガラス
23 絶縁体又は更なるガラス層
30 接続体
40 電子機能素子、又はLED又はFET
50 接続方法、又はワイヤ又はボンディングワイヤ
60 端部要素、又は光学部品又はレンズ
61 端部要素のホルダ
70 頭部
71 頭部の開口
100 ハウジング
10’ 基体又はチャネルを内部に形成され接続体を内部に実装されたハウジング
10a’ 基体の上面
10b’ 基体の下面
10c’ 基体の側面
10d’ 基体中心軸
11’ 基体内の又は基体におけるチャネル
11−1’ チャネルの第1の部分又は脚
11−2’ チャネルの第2の部分又は脚
12’ 基体内の側方チャネル若しくはチャネル部、又は基体内の側方凹部
13’ 基体内の非側方チャネル若しくはチャネル部、又は基体内の非側方凹部
14’ 機能素子の実装領域
15’ 基体内の凹部又は反射体
16’ 端部要素用の収容領域
17’ 絶縁体又は絶縁層
20’ ガラス又は接続及び絶縁のためのガラス層
30’ 接続体又はコンタクトピン
30a’ 接続体の第1の端面
30b’ 接続体の第2の端面
30c’ 接続体の側面
30−1’ 接続体の第1の部分
30−2’ 接続体の第2の部分
35’ 絶縁又はガラス層
36’ スリーブ又はシース
40’ 光電子機能素子又はLED
50’ ボンディングワイヤ又はワイヤ
60’ 端部要素、レンズ、又はガラスレンズ
61’ 端部要素のホルダ
Claims (28)
- 電子機能素子(40)、特にLED及び/又はFETを収容するハウジング(100)であって、
金属製の基体(10)であって、少なくとも1つの電子機能素子(40)用の実装領域(14)を少なくとも部分的に画定する上面(10a)を有し、それにより、少なくとも1つの電子機能素子(40)用のヒートシンクを形成し、下面(10b)及び側面(13)を更に有する基体(10)と、
少なくとも1つの電子機能素子(40)用の金属製の少なくとも1つの接続体(30)であって、少なくとも、1つのガラス層(20)によって前記基体(10)に接合されている少なくとも1つの接続体(30)と、
を具備し、
前記結合するガラス層(20)は、アルカリチタンケイ酸塩ガラスによって形成されている、ハウジング。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のハウジング(100)であって、
前記ガラス層(20)は、厚さが、少なくとも前記基体(10)と前記少なくとも1つの接続体(30)との間の幾つかの部分において、30μmを超え、好ましくは30μmから2000μmの範囲である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のハウジング。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のハウジング(100)であって、
前記ガラス層(20)は、
前記基体(10)の前記側面(13)と前記接続体(30)との間に少なくとも部分的に配置され、及び/又は
前記基体(10)の前記上面(10a)と前記接続体(30)との間に配置され、及び/又は
前記基体(10)の前記下面(10b)と前記接続体(30)との間に配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のハウジング。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載のハウジング(100)であって、
前記少なくとも1つの接続体(30)が、前記基体(10)の前記上面(10a)に及び/又は前記下面(10b)に、少なくともその一部が配置され、
前記接続体(30)は、少なくとも部分的に前記基体(10)を越えて延在し、かつ少なくとも1つの接続タブを形成し、
前記少なくとも1つの接続体(30)は、前記基体(10)の側部に、少なくともその一部が配置され、かつ少なくとも部分的に前記基体(10)の前記側面に沿って延在している、請求項1〜6のいずれか一項に記載のハウジング。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載のハウジング(100)であって、
絶縁体(15)が、少なくとも前記ハウジング(100)の前記下面に施され、
スリーブ(16)が、前記基体(10)の側部に配置され、かつ少なくとも部分的に前記基体(10)の周面の回りに延在している、請求項1〜7のいずれか一項に記載のハウジング。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載のハウジング(100)と、該ハウジング(100)内に配置される、少なくとも1つの放射線放出及び/又は放射線受光光電子機能素子(40)、特にLED、及び/又は少なくとも1つのパワーエレクトロニクスデバイス、特にFETとを具備する電子部品。
- 電子機能素子(40)、特にLED及び/又はFETを収容するハウジング(100)を製造する、アルカリチタンケイ酸塩ガラスの使用方法。
- ハウジング、特に光電子機能素子(40’)、特にLED(40’)を収容する、請求項1〜8のいずれか1項に記載のハウジングであって、
金属製の基体(10’)であって、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用の実装領域(14’)を少なくとも部分的に画定する上面(10a’)を有し、それにより、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用のヒートシンクを形成し、下面(10b’)及び側面(10c’)をさらに有する基体(10’)と、
前記基体(10’)に接合される、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用の少なくとも1つの接続体(30’、30−1’、30−2’)と、
を具備し、
前記基体(10’)は、少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)を有し、該チャネル内に、前記少なくとも1つの接続体(30’、30−1’、30−2’)、少なくともその一部が配置され、該チャネルは、前記基体(10’)を前記接続体(30’、30−1’、30−2’)に接合するために少なくとも部分的にガラス(20’)によって充填されている、ハウジング。 - 前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)は、前記基体(10’)の側部に及び/又は前記基体(10’)の内部に設けられ、及び/又は
前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)は、前記基体(10’)の側方凹部(12’)として、及び/又は前記基体(10’)の非側方凹部(13’)として形成されている、請求項11に記載のハウジング。 - 前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)は、前記基体(10’)の前記上面(10a’)に及び/又は前記下面(10b’)に及び/又は前記側面(10c’)に通じており、
前記少なくとも1つのチャネル(11’)は、前記基体(10’)の中心軸(10d’)に沿って、好ましくは該中心軸に対して実質的に平行に延在する、好ましくは実質的に直線の第1の部分(11−1’)を備え、
前記チャネル(11’)の前記第1の部分(11−1’)は、前記基体(10’)の開口部として設けられている、請求項11または12のいずれか一項に記載のハウジング。 - 前記チャネル(11’)は、該チャネル(11’)の前記第1の部分(11−1’)に対して実質的に横切る方向に、好ましくは該第1の部分に対して垂直に延在する、好ましくは実質的に直線の第2の部分(11−2’)を備え、
特に前記チャネル(11’)の前記第1の部分(11−1’)は、該チャネル(11’)の前記第2の部分(11−2’)内に融合している、請求項13に記載のハウジング。 - 前記チャネル(11’)の前記第2の部分(11−2’)は、前記基体(10’)の前記上面(10a’)の凹部として及び/又は前記基体(10’)の前記下面(10b’)の凹部として設けられている、請求項14に記載のハウジング。
- 前記チャネル(11’)の前記第2の部分(11−2’)は、前記基体(10’)の前記中心軸(10d’)から、該基体(10’)の前記側面(10c’)に向かって、好ましくは半径方向に延在している、請求項13又は14に記載のハウジング。
- 前記接続体(30’)は、前記基体(10’)の前記上面(10a’)において及び/又は下面(10b’)において及び/又は側面(10c’)において実質的に終端し、及び/又は前記基体(10’)の前記上面(10a’)及び/又は前記下面(10b’)及び/又は前記側面(10c’)を越えて延在している、請求項11〜16のいずれか一項に記載のハウジング。
- 前記接続体(30’)はコンタクトピン(30’)であり、及び/又は、
前記ガラスはアルカリチタンケイ酸塩ガラスであり、及び/又は
前記基体(10’)の少なくとも前記上面(10a’)は底部がある窪み(15’)を有し、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用の前記実装領域(14’)は、前記窪み(15’)の前記底部によって提供される、請求項11〜17のいずれか一項に記載のハウジング。 - 前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)は、前記少なくとも1つの窪み(15’)に、特に前記窪み(15’)の側面に通じている、請求項18に記載のハウジング。
- 複数のチャネル(11’、11−1’、11−2’)及び/又は複数の窪み(15’)が、前記基体(10’)内に設けられ、及び/又は前記基体(10’)に、複数の接続体(30’、30−1’、30−2’)が備えられている、請求項11〜19のいずれか一項に記載のハウジング。
- 前記複数のチャネル(11’、11−1’、11−2’)のうちの少なくとも幾つか及び/又は前記複数の窪み(15’)のうちの少なくとも幾つか、少なくともその一部は、前記実装領域(14’)の回りに、好ましくは円に分散されており、及び/又は
互いに隣接している、前記チャネル(11’、11−1’、11−2’)及び/又は前記窪み(15’)は、互いに実質的に等間隔な関係で配置されている、請求項11〜20のいずれか一項に記載のハウジング。 - 前記複数のチャネル(11’、11−1’、11−2’)のうちの1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)及び/又は前記複数の窪み(15’)のうちの1つの窪み(15’)は、前記基体(10’)の前記中心軸(10d’)に実質的に配置され、前記複数のチャネル(11’、11−1’、11−2’)のうちの残りのチャネル(11’、11−1’、11−2’)及び/又は前記複数の窪み(15’)のうちの残りの窪み(15’)は、前記基体(10’)の前記中心軸(10d’)の回りに分散されている、請求項11〜21のいずれか一項に記載のハウジング。
- 前記複数のチャネル(11’、11−1’、11−2’)のうちの前記チャネル(11’、11−1’、11−2’)は、少なくとも部分的に対で配置され、及び/又は前記複数の窪み(15’)の各窪み(15’)には、少なくとも一対のチャネル(11’、11−1’、11−2’)が関連付けられている、請求項11〜22のいずれか一項に記載のハウジング。
- 前記基体(10’)の前記下面(10b’)は、絶縁体(17’)によって少なくとも部分的に覆われており、及び/又は
スリーブ(36’)が、前記基体(10’)の前記側部に配置され、少なくとも部分的に前記基体(10’)の周面の回りに延在している、請求項11〜23のいずれか一項に記載のハウジング。 - 請求項11〜24のいずれか一項に記載のハウジングと、該ハウジング内に配置された、少なくとも1つの放射線放出及び/又は放射線受光光電子機能素子(40’)、特にLED(40’)とを具備する光電子部品。
- 請求項11〜24のいずれか一項に記載の少なくとも1つのハウジング、又は請求項25に記載の少なくとも1つの光電子部品を具備する照明装置。
- 請求項11〜24のいずれか一項に記載の複数のハウジングを具備するアレイ。
- 特にLED(40’)用の、好ましくは請求項11〜24のいずれか一項に記載の光電子機能素子ハウジングを製造する方法であって、
少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)を備える少なくとも1つの基体(10’)であって、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用の実装領域(14’)を少なくとも部分的に画定する上面(10a’)を有し、それにより少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用のヒートシンクを形成する、少なくとも1つの基体(10’)を準備することと、
前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)内に、少なくとも1つの光電子機能素子(40’)用の少なくとも1つの接続体(30’、30−1’、30−2’)と、前記少なくとも1つの接続体(30’、30−1’、30−2’)を前記基体(10’)に接合する少なくとも1つのガラス(20’)とを設けることと、
前記少なくとも1つのチャネル(11’、11−1’、11−2’)内の前記ガラス(20’)を、該ガラス(20’)が付着することにより前記基体(10’)及び前記接続体(30’、30−1’、30−2’)から複合物を形成することができる粘度を該ガラス(20’)が有し、及び/又は該粘度に該ガラス(20’)が達するまで、加熱することと、
前記ガラス(20)を冷却することであって、それにより、前記基体(10’)及び前記少なくとも1つの接続体(11’、11−1’、11−2’)が材料結合を形成し、前記少なくとも1つの接続体(11’、11−1’、11−2’)は、前記ガラス(20’)に、少なくともその一部が埋め込まれる、冷却することと、
を含む方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201110013276 DE102011013276A1 (de) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | Glassystem zum hermetischen Verbund von Cu Bauteilen |
DE102011013276.7 | 2011-03-07 | ||
DE102011013278.3 | 2011-03-07 | ||
DE102011013278.3A DE102011013278B4 (de) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | Gehäuse für Hochleistungsleuchtdioden - "1-Lagen-System" |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557002A Division JP5992933B2 (ja) | 2011-03-07 | 2012-03-05 | Cu部品を気密接続するガラスシステム及び電子部品用のハウジング |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016119492A true JP2016119492A (ja) | 2016-06-30 |
JP6203884B2 JP6203884B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=45928795
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557002A Active JP5992933B2 (ja) | 2011-03-07 | 2012-03-05 | Cu部品を気密接続するガラスシステム及び電子部品用のハウジング |
JP2016044118A Active JP6203884B2 (ja) | 2011-03-07 | 2016-03-08 | ハウジング |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557002A Active JP5992933B2 (ja) | 2011-03-07 | 2012-03-05 | Cu部品を気密接続するガラスシステム及び電子部品用のハウジング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9807897B2 (ja) |
EP (2) | EP2683667B1 (ja) |
JP (2) | JP5992933B2 (ja) |
KR (1) | KR101534760B1 (ja) |
CN (2) | CN103415479B (ja) |
WO (1) | WO2012119750A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013006463B4 (de) | 2013-04-15 | 2017-01-19 | Schott Ag | Durchführung |
CN103833217B (zh) * | 2014-01-21 | 2015-12-02 | 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 | 一种透光耐热的玻璃材料及其制备方法 |
FR3036396B1 (fr) | 2015-05-22 | 2020-02-28 | Axon Cable | Composition de verre pour le scellement de connecteur micro-d |
EP3355369B1 (en) * | 2015-10-29 | 2019-10-02 | Kyocera Corporation | Light emitting element-mounting substrate and light emitting apparatus |
RU2738636C1 (ru) * | 2020-03-23 | 2020-12-15 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления герметичных металлостеклянных электросоединителей |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58501767A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-10-20 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 低温ガラスおよび気密シ−ル装置および方法 |
JPH10163355A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2008204808A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用気密端子 |
WO2010013692A1 (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | 日本山村硝子株式会社 | 無鉛ガラス組成物 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1408256A (en) * | 1974-02-08 | 1975-10-01 | Du Pont | Dielectric compositions and glass frits for use as components thereof |
US4417913A (en) * | 1981-10-26 | 1983-11-29 | Motorola, Inc. | Lower temperature glass and hermetic seal means and method |
FR2574616B1 (fr) | 1984-12-07 | 1987-01-23 | Radiotechnique Compelec | Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication |
JPH05129461A (ja) | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | 半導体装置用ステム |
US5177034A (en) | 1991-11-04 | 1993-01-05 | Aluminum Company Of America | Gallium crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition |
EP0664585B1 (de) | 1993-12-22 | 1998-03-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Sende- und Empfangsmodul für eine bidirektionale optische Nachrichten- und Signalübertragung |
US6391809B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-05-21 | Corning Incorporated | Copper alumino-silicate glasses |
DE10150239A1 (de) | 2001-10-11 | 2003-04-30 | Schott Glas | Bleifreie Glasrohre, deren Verwendung und Dioden |
US7740899B2 (en) * | 2002-05-15 | 2010-06-22 | Ferro Corporation | Electronic device having lead and cadmium free electronic overglaze applied thereto |
JP3988533B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2007-10-10 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック、およびセラミック多層基板 |
JP2004059366A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Asahi Techno Glass Corp | 無鉛低融点ガラスおよび封着材料 |
US6897486B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Ban P. Loh | LED package die having a small footprint |
CN100509994C (zh) * | 2003-03-13 | 2009-07-08 | 日亚化学工业株式会社 | 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法 |
DE102004026433A1 (de) * | 2004-05-29 | 2005-12-22 | Schott Ag | Nanoglaspulver und deren Verwendung |
KR100631901B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지 |
EP1878812B1 (en) * | 2005-03-11 | 2012-08-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Copper surface treatment method and thereby surface treated copper |
US7425083B2 (en) * | 2005-05-02 | 2008-09-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting device package |
CN100521269C (zh) * | 2006-08-03 | 2009-07-29 | 丰田合成株式会社 | 固态器件 |
JP5307364B2 (ja) | 2006-08-03 | 2013-10-02 | 豊田合成株式会社 | 蛍光体含有ガラスの製造方法及び固体素子デバイスの製造方法 |
US7999398B2 (en) * | 2006-08-03 | 2011-08-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Solid state device |
US7547369B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-16 | Ferro Corporation | Method of making multilayer structures using tapes on non-densifying substrates |
US7619283B2 (en) * | 2007-04-20 | 2009-11-17 | Corning Incorporated | Methods of fabricating glass-based substrates and apparatus employing same |
KR101371511B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2014-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 수직형 발광 소자 |
DE102008021435A1 (de) | 2008-04-29 | 2009-11-19 | Schott Ag | Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung |
DE102008002446A1 (de) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement |
US20100032702A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Light-Emitting Diode Housing Comprising Fluoropolymer |
EP2371775A1 (en) * | 2008-12-25 | 2011-10-05 | Asahi Glass Company Limited | Glass substrate and process for producing same |
TWM371964U (en) * | 2009-01-05 | 2010-01-01 | Hon-Wen Chen | Light emitting diode lamp without soldering point and substrate structure |
CN101475312B (zh) * | 2009-02-05 | 2012-01-11 | 东华大学 | 一种铜封玻璃粉及其制备和应用 |
DE102009038827B4 (de) * | 2009-08-25 | 2012-10-25 | Heine Optotechnik Gmbh & Co Kg | LED-Lampe |
-
2012
- 2012-03-05 EP EP12711757.0A patent/EP2683667B1/de not_active Not-in-force
- 2012-03-05 EP EP16160919.3A patent/EP3053887B1/de active Active
- 2012-03-05 JP JP2013557002A patent/JP5992933B2/ja active Active
- 2012-03-05 US US14/004,063 patent/US9807897B2/en active Active
- 2012-03-05 WO PCT/EP2012/000975 patent/WO2012119750A1/de active Application Filing
- 2012-03-05 CN CN201280012176.8A patent/CN103415479B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-05 KR KR1020137022659A patent/KR101534760B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-05 CN CN201610560227.0A patent/CN106449934B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-08 JP JP2016044118A patent/JP6203884B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58501767A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-10-20 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 低温ガラスおよび気密シ−ル装置および方法 |
JPH10163355A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2008204808A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用気密端子 |
WO2010013692A1 (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | 日本山村硝子株式会社 | 無鉛ガラス組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101534760B1 (ko) | 2015-07-09 |
CN103415479B (zh) | 2016-08-31 |
JP6203884B2 (ja) | 2017-09-27 |
JP5992933B2 (ja) | 2016-09-14 |
EP2683667A1 (de) | 2014-01-15 |
WO2012119750A1 (de) | 2012-09-13 |
CN106449934A (zh) | 2017-02-22 |
US9807897B2 (en) | 2017-10-31 |
CN106449934B (zh) | 2020-03-27 |
JP2014514731A (ja) | 2014-06-19 |
CN103415479A (zh) | 2013-11-27 |
US20140153165A1 (en) | 2014-06-05 |
EP2683667B1 (de) | 2016-06-29 |
KR20140017566A (ko) | 2014-02-11 |
EP3053887A1 (de) | 2016-08-10 |
EP3053887B1 (de) | 2021-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6203884B2 (ja) | ハウジング | |
US10062812B2 (en) | Substrate for can package-type optical device and optical device using same | |
CN100423304C (zh) | 半导体发光元件的封装和半导体发光器件 | |
KR101114305B1 (ko) | 발광 장치 및 조명 장치 | |
US7391153B2 (en) | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation | |
CN100452458C (zh) | 发光器件及其封装结构以及该封装结构的制造方法 | |
JP5763742B2 (ja) | 高出力led用のハウジング | |
JP3872490B2 (ja) | 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置 | |
JP2004259901A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
KR101329194B1 (ko) | 광 모듈 및 그 제조 방법 | |
US7897991B2 (en) | Light emitting diode and LED chip thereof | |
JP2017098549A (ja) | 発光装置 | |
US20120199862A1 (en) | Light emitting diode package structure | |
KR101363980B1 (ko) | 광 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP4797621B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5773630B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびその製造方法 | |
JP2004228239A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP5784154B2 (ja) | 高出力発光ダイオード用のハウジング | |
JP4720943B1 (ja) | 半導体素子用パッケージ及びそれを用いた発光素子 | |
JP4480736B2 (ja) | 発光装置 | |
KR200389502Y1 (ko) | 베이스 프레임과 이를 이용한 발광소자 | |
JP2005159058A (ja) | 発光装置 | |
JP2011228410A (ja) | 発光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6203884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |