JPS58501767A - 低温ガラスおよび気密シ−ル装置および方法 - Google Patents

低温ガラスおよび気密シ−ル装置および方法

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JPS58501767A
JPS58501767A JP57502910A JP50291082A JPS58501767A JP S58501767 A JPS58501767 A JP S58501767A JP 57502910 A JP57502910 A JP 57502910A JP 50291082 A JP50291082 A JP 50291082A JP S58501767 A JPS58501767 A JP S58501767A
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モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 低温カラスおよび気密シール装置 および方法 発明の背景 発明の分野 本発明は、電子デバイスのカプセル封じに用いるガラス組成および方法に関する ものであシ、更に具体的に云うと半導体デバイスの電気導線を絶縁するためガラ ス圧縮シールに使用できる制御された膨張特性および溶融温度を有する改良され たガラス組成、シールを作るための改良された方法に関し、更にこれらのカラス 組成および方法をオlj用する改良された半導体デバイスに関する。
先行技術の説明 500℃以上の温度で軟化又は溶融する絶縁ガラスに、多数の半導体デバイス畜 封体(enclosure )の壁に絶縁された貫通給電@ t、eiectr lcal feed−through) f提供するのに便利に用いられている 。このカラスは金属体又はデバイス密閉体の底部力・ら電気導線全絶縁させ、同 時に大気汚染物が密閉体の内部に入ってそこで半導体チップに悪影11kk与え るの全防止するのに役立つ。
大気汚染物に影響されなlA(imperviou8) ようにするためにソー ル(5eal :)された電気導線およびデバイス密閉体は“気密性の(her metic)”と云われる。こ\で用いられる”半導体デバイス″という語は、 半導体チップ、シールされた電気導線およびそれを取し囲む密閉体を含むことが 意図されている。
電気的密閉体、特に半導体デバイス密閉体における気密性絶縁フィードスルーを 提供するためのガラスシールは周知である。W 、 Mi 、シンプソンに与え られた米国特許第4.128.697号は典型的な圧縮シール構造を記述してお シ、この構造は比較的高い膨張係数の金属で作られた外側の金属ケーシング部材 、この外側のケージ、゛グ部材に開けられた穴を通っている比較的膨張係数の低 い金属の引込み導線、およびケーシングと金属導線との間の環状開1部を充填す る比較的低い、又は中間の膨張係数をもったガラスシール金倉む。この相対的膨 張係数の選択はガラスを圧縮された状態に保つ傾向があり、故に”圧縮シール” と呼ばれる。
有用な気密圧縮ソールを提供するV、 <っがのカラス組成が先行技術(ておい て開発されてさている。例えば、TO−3型半導体バッグー′、/は広く用いら れている。これらのパッケージは代表的な場合には1010−合金鋼Cベースt OWし、そこにはコーニング型9013ガラスでシールされた2本又はそれ以上 の52−合金引込み線が取や付けられている。コーニング型9o13ガラスは、 米国ニューヨーク州、コーニンクニするコーニングガラス社が製造している。5 2−合金および1010−合金は、ANST (米国規格協会)/ASTM(米 国材料試験協会)の標準仕様F30−77i−よびA 29−79によりそれぞ れ定義されている米国規格による名称である。これらの材料は技術上周知である 。
圧縮カラスシールは代表的な場合には組立てられた部品(ベース、引込み線およ びガラス)’(i:そのカラスの軟化およびシール温度以主に、通常は約100 0℃に加熱して作られる。この高い軟化およびシール温度は先行技術回路の重大 な短所である。その理由に、このような高い温度は融点の低い材料でできている か又はそnら○材料でめっきされているベース部材又は引込み線の使用を不可能 にするで・らでおる。例えは1010一台金鋼ベーク、の耐食性を改良するため にに、保護めっきを使用できることが重要である。しかし、無を解ニッケルなど の一部の望ましい保護めっきは、先行技術カラスのシール温度以下の温(で浴融 する。無電解ニッケルは代表的な場合ン−にに棒なニジケルの九虜より低い融点 を肩するニア・メ・−ルー漬合金である。燐以外の合金材料も有用である。先行 技術カラスの場合には、ニッケル合金めつ′f!に、カラスシール工程の仮に行 わなければならない。めっき工程中に4MRカニ曲カニることかしにしはあるの で、この工程順序は望ましくない。導線が曲っている・・・ノケーシに、それら の導l#會真直ぐにしないと自動化〕・ノド11ング設備を故障させる。導線を 真直ぐにするには時間と金がか\る。更に、導線を曲げたり真直ぐにしたりする と、導線とベース間の気密ガラスシールの保全状態(integrity)を・ 悪くさせる。生産歩どまシは低下し、生産費は上昇する。
シール温度を下げようとした先行技術の試みは、機械的に弱いか又は化学的に不 安定な、又(σその両方の性質ヲ有するカラスをもたらした。従って、よV低い シール温度を有すると同時に、すぐれた電気的1機械的お:び化学的性質、特に 大気腐食、化学的還元および周期的温度変化に対する耐性を示す圧縮シー゛ルカ ラスに1′てZ・必要性が依rとして存在¥Z、。
従って、本発明の巨Br2(、−H1覧気テバイフ、上に圧縮カラン・シールを 形成するための改良されたガラス組成會提併することである。
本発明のもう1つの目的に、他の望1しめ電気的、機械的お:び化牛的注πを犠 牲にぜす(−1これ1でに達成妬れたものより低・・2・−ル調、度を有するシ ールカラク起成を提供すること′″′r″ある。
本発明のもう1つの[臼−(口、1グデバイス用密閉体、特に半導体デバイス用 のゲ密シール引込み駅を備えた密閉体を作るための改良された方法を提供するこ とである。
本発明のもう1つの目的は、気密力ラヌシ−A、引込み線を有する電気デバイス 用密閉体を作ることを目的とし、引込み線のガラスシールを行う前に低温保護め っき含金属部品に行う改良された方法を提供することである。
本発明の更にもう1つの目的は、低生産費を含めて改良された特性の半導体デバ イス密封体を提供することである。
発明の要約 本発明によれば、本質的に量感近い整数に丸められた重量−にて、下記の材料組 成範囲から成る制御された膨張およびシール温度の圧縮シールガラスが提供さ5 iO234−50 Alto、 2−25 BaO1−5 Ti(h 2 6 B、O畠 11 − 21 本発明によれば、最も近い整数に丸められた重量%にて、本質的に下記の材料組 成範囲から成る、よυ精密に制御された特性を有する制御された膨張およびシー ル温度の圧縮シールガラスが更に提供される。
8402 38−47 Na20 5−8 気雀?#!:、趣導紛r体えた改良さfた電気的密閉体Σよひ半導体テ・・イス 〃−こf−のカラス1成を用いて使らflる。
更に、先づ第1に比較的融点の゛低い金属又は合金で密閉体のベース部材および 導mt−めっきし、又はそれらの金属又に合金から密閉体のベース部材および導 線を作シ、次に上記のカラス組成を比軟的低温の圧縮カラスシールとして用い、 それによrン−ルプロセスの間のこれらの温度に敏感な金属又は合金に対する損 傷を避けることによって、改良された電気的密閉体および製造法が提供される。
この応用においては、゛シールガラス″という語は、圧縮シールに用いられるガ ラス、又はカラスとアルミナセラミックとの混合物を云う。゛溶融(melt) ガラス′み線”又は゛引込みビン″という語は、ノールガラスによりパッケージ ベースに付着させられシールされる電気導体を云う。
図面のffPルな説明 第1図は、2本の圧締カラス/−ル絶紛導線が取り付けられたベースを示すTo −3型半導体テバイスハンケージの平面図である。
第2図は、圧部ガラスシールの詳細を示す第1図のデバイスの断面図である2 好ましいψ施例の詳細説明 第1図お↓び第2図に 圧縮カラスシール乏用いで増り付けた絶絣重気導紐を含 も・典型的力叱導体パンケージベースの配置お:び構造の評細全示す。52−合 金の導線20は圧縮シールカラスnによって1010合金鋼のヘ−7,21に取 シ付けられている。ヒー針メブレッタ器に通常に鋼でつくらr、て(・)る力  獲々の金族、セラミックス、又は熱伝導材料の組合せも有用である。半導体グイ 又はチップ(図示されていない)はヒートスプレッダ羽に取シ付けられており、 電気的に導線痘に接続されている。カプセル封じは代表的な場合にはヒートスプ レッダの上のベース21に帽子形ふた(図示されていない)を溶接することによ り、又はデバイス、と−にスプレッダおよび導itプラスチック材料で佳うこと によって達成される。カプセル封じの方法は本発明にとっては重要ではない。
シールガラスは下記の性質、即ち(1)典型的な半導体デバイスにおける組立て 、検査および使用に耐えるのに十分な強度および機械的な耐衝撃性を有し、(2 ・気密圧縮シールが得られるようにするために金属副成デ(サブコンボ坏ント) 全補足する(eomplemenT、 )適当な膨張係数を石し、(3)#造お よび使用の期間中に遭遇する化学的還元お:び腐食性大気に耐性を有し、(4) デバイスハコ・〃−ジの組立てに用いらf、る焼結した(Lin−tered  )カラスフレフオームの調製期間中およびカラス會ハ・7ケー2/ヘーヌオ:ヒ 4#ニ結合すせるシール周期の期間中ガラスがガラス状態(vi treous  )Φで\でいるようにするために失透(devitriiication、>  K耐性を示し、(5)シール、検査および使用期間中にガラスが割れるのを避 は気密性が失われないようにするために周期r温度変化および温度ショックに1 性をが・し、(6)損失の少ない電気絶縁体であるという特性を示すことが望ま しい。
溶融し、粉砕し、所定量(0−151のアルミナ(A/20g)セラミック粉末 と混合すると上記の要件を満たすシールガラス(即ちガラスとセラミックとの混 合物)を提供できるガラス組成が見出されている。第1表は本発明の溶融ガラス (melt glass)およびシー−ノドガラスの有用で好ましい組成範囲を 、最も近因整数に丸められた重量%にて夕1」Lシたものである。
5i02 40 50 34 50 43 47 38 47A120s 2  12 2 25 7−11 7−22に20 2−6 2−6 3−5 3−5 Na20 5 9 4 9 6 F、 5 FILi20 2 6 2 6 3 −5 3−5CaOO−40−41−21−2 ″Zn0 5−12 4−12 7− H+ 6−10Ba0 1−5 1−5  1−3 1−3Ti02 26 26 35 3−5 B、0. 13−21 11−21 15−20 13−20前駆物質である溶 融ガラスの組成および所定量(0−15チンのアルミナ(Al20g )粉末に よるその後の希釈度はいづれも本発明の重要な側面である。本発明のガラス材料 組成は、還元雰囲気内で加熱すると著しい還元をうける酸化鉛および同様な材料 を@まない。溶融ガラスのいくつかの実施例およびその物理的特性に第2表に示 されている。
第 2 表 溶@ガラスの組成(重量隻) Si02 46.0 42.5 43.5 43.5 44.5A!20B、  2.0 −、.0 7.0 ’ 9.5 9.5に20 4.0 3.5 4. 0 4.(+ 4.0Na20 8.0 7.0 7.5 7.0 6.5L+ 20 4.0 4.0 4.o 4.U 3.5CaO1,02,(J 1.0  1.0 1.OT:nO9,00,09,09,09,(IBao 2.U  Th、(゛ 2.0 2AI 20Ti02 4G4.6 4.0 4J 4. 0B20e 2(1,01LJ、O1ε、0 1ti、(・ 160100.0  100yl’ ioo、0 10F;、L 100.U膨張係数X 10’/QC8983918984 、平均25−1うO(1℃。
密度(gm=、’cZ、’、 2,67 2,63 2,65 2,65 2. 63下記に第1表および第2表に示した組成範囲内のガラス材料の調製法の説明 である。典型的な溶融物は第3表に示す粉末材料を用いて調製した。第3表の材 料の重量(g)は第2表の溶融ガラス実施例In製造するのに用いた重量である 。第1表に具体的に述べた範囲内の他のガラス組成を達成するのに必要な出発材 料の重量の計算に当業者には自明であろう。
AI 2(OH)F、 72.7 に2CO829,3 Na2COs 34 、2 NaNOB 4i、l BaC0B 12 、8 Tie; 20.0 H++BOg 142.1 上記の成分バッチを直径3インチ(7,6cm)、高さ3インチ(7,6cm) のプラナするつ11内で溶融した。るつほに約80チまで原料を入れ、そのるつ ぼ’k 1250℃に保っている電気加熱した実験室炉内におろした。るつぼの 初光てん量を15分間溶融した後、るつぼを取υ出し、追加材料を添加して、る つぼ全貌に戻した。材料バッチ全部がるつほに入れられる1で、この方法を約4 回反復しまた。
材料を最後に添加してから加分後に、直径2インチ(5,4cm )のプロペラ 羽根の付いているプラチナ攪拌機を溶融したガラス中に約1インチ 2.5cm )そう人し、@融物會1250℃で1.5時間9tjrpmで攪拌したし、その 後(9)分攪拌を続けながら温度を約1100℃にまで下けた。、次にるつほを 炉から取り出し、少量の溶融カラスを銅鋳型にそそぎ込み、直径1インチ(2, 5em ) +厚さ約7インチ(0,6Cm :jの円板1イ固を作った。この 円板は浴融ガラスの物理的性質を測定するのに用V・た。
この熱いツーラス円板を実験室炉内で20分間500℃で焼な1し、その後炉を 閉じ、円板こ炉をともに放置して冷却した、 浴融ガうスの残りを水中にそそぎ入れ、”フリット“の形状のカラス全作った。
この浴融ガラスフリットl乾燥させ、ホールミル内で粉砕し、この実施例の場合 にセ10チ・重量比ンのアルミ+粉末と混合した。(こノアルミナ粉末は米国バ ージニア州、リッチモンドにあるレイノルズ・アルミニウム社から入手できるR C−122BM型のものであった。)添加するアルミナ粉末の量はそれより多く ても少なくてもよい。アルミナ含有量を増やすと、シール温度が上昇するとと魁 に最終的なガラス強度も強くなる。粉砕した溶融ガラスと混合するアルミナ粉末 の量は、0〜15%の範囲Qてすることができ、5〜15%が便利であり、8〜 12%が好着しい。
添加したAl2O8の童が少量である場合、即ち重量%にて0〜5%の場合には 、ソールガラス中のAl2O,の総量が約5〜7チとなるようにするために、最 初の混合物中にA1203に少なくとも5%有する溶融カラスを用・いることが 望でしい。さもないとガラス強度に望1しくないほどに低下する。
シールガラスを構成する溶融ガラス/′アルミナ粉末混合物を用いて、引込A線 ’1To−3型又にその他の型のハフμmレベースしソールするのに適当なで法 のフレ7−−ムラ作った、このフレフオーム(S ゾールf)ラス粉末t・」\ 型ブレノに入nて圧夫を加えて適当な刑に成形し、次に代表89′fX場合には 600 ℃で空気中で1(1分間焼結させて作った。電気デバイス密閉体を組立 てるためのブレフ万一ム製造技術は技術上周知である。
アバ1スバツケージの金属部品、即ち金属ベースおよび引込与線又にヒンに、技 術上周知の方法によりtラスシールする前にめっきされたニッケル合金であった 。圧縮シールは、部品を適当な位置に置くために黒鉛固定具(fiXturel 内で金属部品およびガラスプレフォームを組立てることによりつくられた。組立 てた部品ヲ最高温度約800℃および化成ガス(−forming gas)雰 囲気を有する標準的なベルト炉(′Delt furnace )を通過させる こと(でよ−で、シールカラスを金属部品にシールした。
溶融ガラスは、溶融後の総軍i%にて決定した場合2へ12 %のアルミナを含 有し、7〜11%のアルミナを含有す2ことが好ましい。溶融物を粉砕後種々の 腎の粉末アー7[ミナを添力1できるカニ、(・〜15チが有用で乏4.5〜1 .+ f: 7’;使第1」でるシ、8〜12%カー好でしV、。こf゛らC・ チに、アルミナを混ぜた粉砕浴融ガラスの重tと添刀[したフルミナ重量とを加 算した総重量によって添加アル、″−ji−iを除算した産〃・ら汗足される。
従って、最〆、的にシーI、≠゛ラヲ犀Cアルミナ濃度(ブ、A12カ粉末をf J3刀]1してない俗峰カラ20丁−叶(2チ〕に対する最促2優1.二ら、A 12す2粉末15ヂ?象加した浴゛融ガラノ工酬(12ck)にjする最窩25 ヂ1で笈イ5すZ0最紺的−・−ルカラスにお灯;、↓ジ・狭い好でしレーア九 ミナ濃度範囲に7〜22チでおと。但し、この濃度會作る添加アノ・フナ耘;+ 1は、低V・方でに径砕した粉砕溶融物l量の(チ〃−忙高い力でi′:12% 1″1′瀝イLする。この範囲では、ガラス特性に対してよりよい制御を与えよ り広い範囲の場合より一般的により良い結果を与える。
5〜15チのアルミナを有用な溶融ガラス組成範囲(第1表参照)に添加すると 、この添加されたアルミナ粉末は最終的なシールガラス中に存在するアルミナの 頷〜90%を表わす。狭い範囲、即ち8〜12%のアルミナを添力0した場合に は、この添加したアルミナは最終的なシールガラス中に存在するアルミナの42 〜87 % ’i表わす。
溶融ガラス2よびその物理的特性のいくつかの実施例を第2表に示した。第2表 に示した重量%組成は、溶融ガラスの組成即ち粉末アルミナ添加前の組成である 。第3表にす\した溶融ガラス原料組成に第2表の実施例りに対応する。第2表 はまた約10チ(重量7)のアルミナ粉末と混合した後の種々のガラス実施例の だいたいのシール温度も含む。第4表は第2表の溶融ガラスを用X/7アルミナ 10チを添加して得られたシー九カラスの!11成〔重量%〕?示す。
第 4 表 添加アルミナ粉末lo、%含金む 5iC)2 41.4 39.2 39.2 39.2 40.lA120B  11.8 16.3 16.3 18.6 18.6に20 3.6 3.2  3.6 3.6 3.6Na20 7.2 6.3 6,15 6.3 5.9 Lig0 3.6 3.6 3−6 3.6 3.2CaOO,90,!1 0 .9 0.9 U、9゜Ti01 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6第 2表の実施fllDの組flyに対えするガラスを製造するため 第3表に示し た原料の量が総溶融物重量50<・gK対して使用された。溶融中に発生した気 体副産物(即ち、CO2,Hto、 02. N2.N20NO,NtOH;4 と、)ニ、溶融物の出発重量(673g)と最終重量(500g)の差とみなさ れる。第2表に示。たガラス組成および第1表の溶融ガラス組成に、融解るつぼ に入れた材料のXtを計シ、これらの気体副産物の重量を差引いて決定された。
第4表に示したガラス組成は、粉砕した溶融ガラスと混合した追加のアルミナ粉 末を考慮に入れて第2表から計算した。第1表のシールガラス組成もまた添加し たアルミナを含む。
完成したガラス圧縮シールは、第2表および第4表に示したガラス材料組成とは や\異った実際の組成含有すると予想される。これは加熱中に揮発性成分、生と してアルカリ類および酸化硼素が失われるからである。揮発性成分損失は、最高 温度に出会う初期溶融期間中に発生し、その損失は総アルカリ類(即ち、K2O −’−,Na2O”、 LiO2,’lの1%にも達し、更に酸化%HCI係も が失われるおそれがある。従って、例えば12表および第4弄のカラスDから作 られる圧縮ガラスシールl(%第2表および第4表のガラスDについて表記した のよりや\少ないアルカリ又に酸化硼素含有量を有する4cと予想てれる。−か し、総アルカリお二ひ酸化硼素損失に、浴融物の魚が犬毛くなるにつf−+て減 少する。第1表に示した組成範囲に、馳、7人カリ類のlヂ、酸化硼素1%もの 損失を考堵に入れてあり、溶融後のガラス組成範囲に対して最善の有効&を与え る。
実施例ガラスA−Eに対し第2衣に列記した膨張係数に、米国特許第4,128 .697号においてシンプソンが報告している#張係数に匹敵するが、lO優( 重重チ)のアルミナで希釈した後でさえシール温度は著しく低い。そのシール温 度は750〜8oo℃の範囲にあシ、これに比べて先行技術の値は約1000℃ である。本発明のシールガラスは適轟な膨張係数を有し、機械的衝撃に対し優れ た強度ヒ耐性を有し、腐食および還元雰囲気に対し優れた耐性を有し、周期的温 度変化に耐性を有し、失透に対しilF!性を肩し、優れた電気的性質含有する ことが測定されている。
温度衝撃および周期的温度変化に耐える半導体パッケージの能力は、本発明のガ ラス組成を用いて圧縮シー四導f#を前もって取り付けておいたパッケージベー ス管用い、それらのベースをベルト炉内で下記の周期的温度変化にさらして検査 したー 1.7分で415℃まで加熱する。
2 次の075分で180℃にまで冷灯する。
λ 次の3分で415℃苔で71Dil!’、する。
4、 4’W、C:4.5分で250℃に子で冷却する。
51clL”Cで炉プl−らル”; :iX−、25℃の人気mに移丁、この周 期的温度変化完了後、パシケージベーノ、は漏れ試#にη・けられ、気密性を万 することが見出された、溶融ガラスはそれ自体でt勺ノールガラスとして有用な ことが見出でれている。例えは、第2表の実施例Eに示されており一般的に第1 表の好ましい浴融ガラス組成範囲にjWする型の六う7ヤンフルを上述したよう に処理したが、粉砕後にアルミナ粉末の添加は行わなかった。気密シールを形成 し検査した。Al2O5の含有量が少なかった結果強度にや\落ちたが、低いシ ール温度、優れた化学的耐性、優れた粘着力、その他の望ましい性質の利点は保 たれた。溶融ガラスを溶融し粉砕した後にアルミナの一部を粉末状にして添加す ることは最高のシールカラス性能にとって好ましいことでFi6るが、この2つ の工程を行わなくて本、比較的弱いが有用なガラスを製造することができる。
従って、圧lガラスシール用の改良されたガラス組成、感温被覆により予めめっ きし、た、又は感温材料で作成した金属部品に適合した低いノール温度を有する ガラス組成、圧縮ガラスシールを製造する改良さtた方法、および気密性を失わ ずに腺食および還元雰囲気および周期的温度変化に耐えることができるガラス圧 縮シールを具えた改良された半導体デバイスパッケージおよび半導ケ=バイスが 本発明により徒俳でrtてV4ることに明白である 更に シール佐でになビア ・−ル前に金属部品をのつ会で宕2こV−5ことに、製造てる上で非常に便オ・ −であり、生産費の節減に役立つ、本発明を上記に設明したが、多数の変形を本 発明の精神および範囲内で行いうることに当業者にに目明であろう。例えに、無 tW1.ニッケ人合金および俸以外にも他の&睦(つ含又a密閉体材料組合せを 、それらが750〜800℃以上の融点2本発明のガラス組成のシール範門、お よび適当な膨張係数を有する限りにおいて有利に使用できる。金および銀は他の 石川な耐食性めっき材料の例である。本発明は上述したTo −3実施例以外の 非常に多くの種類の相異なるパッケージ構成にも適用されることが更に当業者に は明らかである1″11゜それらの変形はすべて本発明の精神と範囲内に入るも のとして包含することが意図されている。
1目際調査報告

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 重量%にて本質的に下記の範囲の組成からなるアルミナセラミック添加無 鉛ガラスシール材料:Sing 34−50 Btus 11−21 2 組成が重量%にて、本質的に下記の範囲の成分からなり、前記無鉛シール材 料は、25℃〜300℃の間で1℃当クシ83〜91XIO’ の範囲の平均熱 膨張係数をMする請求の範囲第1項のアルミナセラミック添加無鉛ガラスシール 材料。 Sing 38−47 A1g01 7 22 に、0 3−5 Na、0 5 8 Li203−5 CaO1−2 Zn0 6 − 10 BaO1−3 Ti02 3−5 B、0. 13−20 3、 ガラスによυ別の部材に気密的にシールされた少なくとも1つの導電性部 材を有する電気デバイスの製造方法において、 重量%にて本質的に下記の範囲の成分からなるガラスを使用する気密シール方法 。 5i02 34−50 A1□Q82−25 BaO1−5 Tie、 22− 6Jo xi −21 4、 実質的に全部のその他の成分が溶融され、フリットに形成され、粉砕され た後に、ガラス中のAlga。 の加〜90−が粉末状のガラスに混合される請求の範囲第3項の方法。 5、 ガラスが重量%にて本質的に下記の範囲の成分からなる請求の範囲第3項 の方法: 5i02 38−47 AlzO11722 Kzo 3 5 Na2o 5−8 Bり08 13 − 20 6 ガラスが重量ヂにて本質的に下記の範囲の成分からなる請求の範囲第3項の 方法: 5i02 43−47 AI20. 7−11 に意0 3−5 Na20 6 −8 ZnO7−10 BaO1−3 T t O235 B20B 15−20 7、 少なくとも1つの開口部を含むvi開閉体1部分と、 前記開口部内に置かれた少なくとも1本の導電性導線と、 前記開口部内にあって前記開口部をンールするため前記の少なくとも1本の導線 を塩9囲み、重量%にて本質的に下記の範囲の成分からなるカラスから成る手段 とを宮む 電気デバイン用密閉体。 5i02 34−50 AIIOs 2−25 に20 2−6 Nano 4−9 Ij20 2−6 CaOO−4 B20s 11−21 8 はとんどすべての他の成分が溶融され、フリットに形成され、粉砕された後 に、ガラス中のAl 208の(資)〜90%が粉末状のガラスに混合される請 求の範囲第7項の密閉体。 9、 ガラスが重量%にて本質的に下記の範囲の成分からなる組成を有する請求 の範囲第7項の密閉体′成分 組成範囲 5in238−47 AI401 7 22 に、0 3−5 Na20 5−8 5−8B 13−20 1O,ガラスが重量%にて本質的に下記の範囲の成分からなる組成を有する請求 の範囲第7項の密閉体:Na=0 6−8 BaO1−3 T j O235 B208 15 − 2G
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011084447A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Nippon Electric Glass Co Ltd 非鉛系ガラス及び複合材料
JP2015110512A (ja) * 2013-11-26 2015-06-18 ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG ナトリウム耐性の接合ガラス及びその使用
JP2016119492A (ja) * 2011-03-07 2016-06-30 ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG ハウジング

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349635A (en) * 1981-10-26 1982-09-14 Motorola, Inc. Lower temperature glass and hermetic seal means and method
US4716082A (en) * 1986-10-28 1987-12-29 Isotronics, Inc. Duplex glass preforms for hermetic glass-to-metal sealing
US4970178A (en) * 1986-11-03 1990-11-13 Ciba-Geigy Corporation Lead-free glass frit compositions
US4788382A (en) * 1987-05-18 1988-11-29 Isotronics, Inc. Duplex glass preforms for hermetic glass-to-metal compression sealing
FR2642257B1 (fr) * 1989-01-20 1996-05-24 Dassault Electronique Procede de scellement verre-aluminium, notamment pour traversee electrique de boitier de circuit hybride, objet composite et composition de verre correspondants
US5367125A (en) * 1989-01-20 1994-11-22 Dassault Electronique Aluminum based article having an insert with vitreous material hermetically sealed thereto
JP2971502B2 (ja) * 1990-03-27 1999-11-08 旭硝子株式会社 コバール封着用ガラス組成物
US5250845A (en) * 1990-11-30 1993-10-05 Hughes Aircraft Company Totally enclosed hermetic electronic module
DE4219953C2 (de) * 1992-06-18 1996-05-30 Diehl Gmbh & Co Herstellung von Druckglasdurchführungen mit Fassungen aus ausscheidungshärtbaren Legierungen
US5817984A (en) * 1995-07-28 1998-10-06 Medtronic Inc Implantable medical device wtih multi-pin feedthrough
US6037539A (en) * 1998-03-20 2000-03-14 Sandia Corporation Hermetic aluminum radio frequency interconnection and method for making
EP0982274A3 (en) * 1998-08-14 2000-08-02 Corning Incorporated Sealing frits
US6402156B1 (en) * 1999-04-16 2002-06-11 Eltron Research, Inc. Glass-ceramic seals for ceramic membrane chemical reactor application
US6534346B2 (en) * 2000-05-16 2003-03-18 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
DE10150239A1 (de) * 2001-10-11 2003-04-30 Schott Glas Bleifreie Glasrohre, deren Verwendung und Dioden
WO2006081322A1 (en) * 2005-01-25 2006-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Transient migrating phase low temperature joining of co-sintered particulate materials including a chemical reaction
DE102005031658B4 (de) 2005-07-05 2011-12-08 Schott Ag Bleifreies Glas für elektronische Bauelemente
DE102006062428B4 (de) 2006-12-27 2012-10-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines mit einem bleifreien Glas passiviertenelektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement mit aufgebrachtem bleifreien Glas und dessen Verwendung
CN101186442B (zh) * 2007-12-04 2010-12-08 北京科技大学 一种金属封接用高阻玻璃
US8034457B2 (en) * 2008-11-13 2011-10-11 Jian Wu Seal structure and associated method
WO2011013776A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 旭硝子株式会社 半導体デバイス用封着ガラス、封着材料、封着材料ペースト、および半導体デバイスとその製造方法
CN106882921B (zh) * 2015-12-16 2019-09-06 辽宁省轻工科学研究院有限公司 一种耐750℃高温的封接材料及其制备方法
DE102020202794A1 (de) 2020-03-04 2021-09-09 Electrovac Hacht und Huber Gesellschaft mit beschränkter Haftung Zündersockel
EP4222125A1 (en) * 2020-09-30 2023-08-09 Corning Incorporated Lead free glass composition for microchannel plate fabrication

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3356466A (en) * 1965-07-28 1967-12-05 Philips Electronic Pharma Metal-to-glass-to-ceramic seal
US3706582A (en) * 1968-09-20 1972-12-19 Gte Sylvania Inc Glass frit-ceramic powder composition
US3669715A (en) * 1970-06-17 1972-06-13 Sylvania Electric Prod Method of preparing a metal part to be sealed in a glass-ceramic composite
US3957496A (en) * 1975-09-23 1976-05-18 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Molybdenum sealing glass-ceramic composition
JPS5254713A (en) * 1975-10-30 1977-05-04 Matsushita Electric Works Ltd Composite of glass
FR2388381A1 (fr) * 1976-12-27 1978-11-17 Labo Electronique Physique Composition dielectrique, pate serigraphiable comportant une telle composition et produits obtenus
US4128697A (en) * 1977-04-22 1978-12-05 Corning Glass Works Hermetic glass-metal compression seal
DE2810642A1 (de) * 1978-03-11 1979-09-20 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Glas fuer glas-metall-einschmelzungen mit guter haftung an stahl
JPS5814375B2 (ja) * 1979-02-10 1983-03-18 日本電気真空硝子株式会社 封着用ガラス
JPS55113641A (en) * 1979-02-22 1980-09-02 Asahi Glass Co Ltd Insulating glass composition
US4268313A (en) * 1980-04-21 1981-05-19 General Electric Company Sodium resistant sealing glasses
US4349635A (en) * 1981-10-26 1982-09-14 Motorola, Inc. Lower temperature glass and hermetic seal means and method
JPH07102933B2 (ja) * 1992-03-11 1995-11-08 中国パール販売株式会社 粘着テープホルダー及びテープ剥ぎ取り装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011084447A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Nippon Electric Glass Co Ltd 非鉛系ガラス及び複合材料
JP2016119492A (ja) * 2011-03-07 2016-06-30 ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG ハウジング
US9807897B2 (en) 2011-03-07 2017-10-31 Schott Ag Glass system for hermetically joining Cu components, and housing for electronic components
JP2015110512A (ja) * 2013-11-26 2015-06-18 ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG ナトリウム耐性の接合ガラス及びその使用
US9708212B2 (en) 2013-11-26 2017-07-18 Schott Ag Sodium-resistant joining glass and the use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP0091909B1 (en) 1985-12-04
EP0091909A4 (en) 1984-03-01
EP0091909A1 (en) 1983-10-26
WO1983001442A1 (en) 1983-04-28
DE3267817D1 (en) 1986-01-16
US4349635A (en) 1982-09-14

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