JP5784154B2 - 高出力発光ダイオード用のハウジング - Google Patents

高出力発光ダイオード用のハウジング Download PDF

Info

Publication number
JP5784154B2
JP5784154B2 JP2013557001A JP2013557001A JP5784154B2 JP 5784154 B2 JP5784154 B2 JP 5784154B2 JP 2013557001 A JP2013557001 A JP 2013557001A JP 2013557001 A JP2013557001 A JP 2013557001A JP 5784154 B2 JP5784154 B2 JP 5784154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
housing
substrate
connection body
glass
functional element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013557001A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014508419A (ja
Inventor
ヘットラー,ロベルト
リント,マティアス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
Publication of JP2014508419A publication Critical patent/JP2014508419A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5784154B2 publication Critical patent/JP5784154B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、LEDなどの光電子要素用のハウジング、およびかかるハウジングを製造するための方法に関する。
いわゆる高出力発光ダイオード(LED)をプラスチックおよび樹脂構造体に、すなわち、有機ハウジングに封入することが現在の一般的な方法である。しかし、かかるハウジング内に設置されているLEDは、可能性のある環境的影響から十分に密閉されて封入されているわけではない。このことは、材料、表面、および/または電気的接続の劣化につながる場合がある。また、高出力光電子要素、例えば、5WのLEDの場合においては、樹脂の耐熱性が問題となることが分かっている。
これらの欠点を克服する技術が特許出願WO2009/132838A1に記載されている。この特許出願の内容は、参照により本特許出願に完全に組み込まれる。この文献には、実質的に完全に無機のハウジングであって、金属製基部およびこの基部の上面に設置されている金属製頭部からなる複合構造体を含むハウジングが記載されている。これらの部分は、ガラス層によって共に接合されている。光電子機能素子は、基部上に位置している。基部の上の頭部は、とりわけ、光電子機能素子から放出された放射線、および光電子機能素子によって受容される放射線のための反射体を形成する。基部、ガラス層、および頭部を接合するとき、ガラス層は、ガラスが、ガラスが接着して基部および頭部が第1ガラス層によって複合構造体を形成する粘度に達するまで、加熱される。この文献に記載されているハウジングは、非常に有利であることが判明している。特に、ガラス接合部は、耐温度性が向上した密閉封入を生じさせる。この技術は、上記の利点を有する小さなハウジングを経済的に作製することを可能にする。
WO2009/132838A1
上記の従来技術の背景を考慮して、本発明の目的は、光電子要素用の、特に高出力LED用の代替のハウジング、およびかかるハウジングを製造するための代替の方法を提供することである。
特に、小さな寸法の小型のハウジングを提供することを意図している。
これらの目的は、独立請求項に記載の、光電子機能素子を収容するためのハウジングによって、およびかかるハウジングを製造するための方法によって達成される。本発明によるハウジングおよび本発明による方法の有利な実施形態は、それぞれの従属請求項に記載されている。
本発明は、以下の構成要素から少なくともなる、または以下の構成要素を含む、光電子機能素子、特にLEDを収容するためのハウジングを提供する。本発明によるハウジングは:
−少なくとも1つの光電子機能素子用のヒートシンクを形成するように、少なくとも1つの光電子機能素子用の取付領域を少なくとも部分的に画定する上面を有し、さらに下面および側面を有する基体と;
−少なくとも1つの光電子機能素子用の少なくとも1つの接続体であって、少なくとも1つのガラス層によって、好ましくは材料接着を介して前記基体に接合されている接続体とを含み、
−前記少なくとも1つの接続体が、前記基体の側面側に配置されおよび/もしくは取り付けられ、かつ、前記基体の周辺付近で前記基体の側面に沿って少なくとも部分的に延在しており;ならびに/または
−前記基体の少なくとも前記上面が、少なくとも1つの光電子機能素子用の取付領域を与える底部を有する少なくとも1つの第1くぼみを有する、ハウジングである。
さらに、特にLED用の光電子機能素子ハウジングを作製するための方法であって:
−少なくとも1つの光電子機能素子用のヒートシンクを形成するように、少なくとも1つの光電子機能素子用の取付領域を少なくとも部分的に画定する上面を有する少なくとも1つの基体を設ける工程と;
−少なくとも1つの光電子機能素子用の少なくとも1つの接続体と、該接続体を前記基体に接合するための前記基体と前記接続体との間の少なくとも1つのガラスとを設ける工程と;
−前記基体、前記接続体、および前記ガラスを組み合わせる工程と;
−接着する粘度を有するおよび/または該粘度に達するまでガラスを加熱して、前記基体および前記接続体から複合体が形成できるようにする工程と;
−前記ガラスを冷却して、冷却されたガラスから形成される少なくとも1つのガラス層を介して前記基体および前記接続体が材料接着を形成するようにする工程と
を含み、
−前記基体の側面と前記接続体との間に前記ガラスを少なくとも部分的に与えることによって、前記接続体が前記基体の側面に少なくとも部分的に取り付けられ;および/または
−少なくとも1つの第1くぼみ(11)が前記基体の少なくとも前記上面に設けられ、該くぼみが少なくとも1つの光電子機能素子用の取付領域を与える底部を有している、方法も本発明の範囲内である。
この方法の好ましい実施形態において、基体および/または接続体および/またはガラス層および/またはガラス層を形成しているガラスは、それぞれのアレイの形態で付与される。本発明のハウジングは、本発明による方法によって特に作製可能であるまたは作製される。本発明による方法は、本発明のハウジングを作製するのに好ましくは適合される。個々の方法工程の順序は、変動してよい。
好ましくは、本発明によるハウジングは、実質的に無機のハウジングである。ハウジングは、金属製の基体、金属製の接続体、およびガラス層からなるまたはこれらを含む。
基体上には、少なくとも1つの機能素子が設置される、または設置されている。基体は、一方では、機能素子用の支持部材を構成する。したがって、基体は、担体またはベースと称されてもよい。他方で、基体は、機能素子用のヒートシンクを構成する。
基体は、1つの片で形成されていても、セグメントから形成されていてもよく、例えば層からなっていてもよい。また、導体通路、すなわち、いわゆるサーマルビアが基体に形成されていてよい。機能素子は、ハウジングに設置されまたは基体上に置かれた後、基体と直接接触する。
機能素子は、基体に例えば接着および/またはハンダ付けされていてよい。ハンダとして、無鉛軟質ハンダが好ましくは用いられる。用いられ得る接着剤として、銀配合エポキシなどの導電性接着剤が好ましい。このように、直接接触という表現は、接着剤、ハンダ、または結合剤を介した接触をも意味する。
本発明によると、基体は、機能素子用のヒートシンクも構成するため、適切な熱伝導率を示す材料を含む。好ましくは、基体は、少なくとも約50W/mK、好ましくは少なくとも約150W/mKの熱伝導率を有する。
基体は、他の要素と熱的にカップリングされていてよい。好ましくは、基体は、少なくとも1種の金属を含み、または金属もしくは合金からなる。一般的な金属は、例えば、銅および/またはアルミニウムおよび/またはニッケルおよび/または鉄および/またはモリブデンおよび/または銅−タングステンおよび/またはCu−モリブデンである。
一般に、上面の平面図において、基体は、約9mm〜約400mm、好ましくは約50mm以下の表面積を有する。基体の高さは、一般に約0.1mm〜約10mmの範囲であり、好ましくは最大で約2mmである。
基体の他の可能性のある実施形態に関しては、文献WO2009/132838A1に記載されている基部を参照する。
少なくとも1つの機能素子用の取付領域は、通常、第1くぼみの中心にある。唯1つの機能素子がハウジングに収容されることとなるとき、取付領域は、基体の中心軸の領域にあるか、または中心軸にある。
機能素子は、基体の第1くぼみに置かれている。くぼみの断面は、第1くぼみに収容されることとなる機能素子のサイズおよび/もしくは機能素子の数、ならびに/または基体における第1くぼみの数に左右される。基体の上面に対する平面図において、第1くぼみは、約4mm〜約1000mm、または約4mm〜約50mm、好ましくは最大で約20mmの表面積を有していてよい。第1くぼみの深さは、第1くぼみに位置する機能素子が第1くぼみに実質的に全体に浸漬することができるように一般に選択される。第1くぼみの深さは、一般に約0.2mm〜約2mmの範囲である。
一実施形態において、第1くぼみは、少なくとも1つの光電子機能素子が位置することができる第1くぼみの底部から開始して第1くぼみの上側に向かって増大する直径を有する。第1くぼみは、少なくとも部分的に円錐台または角錐台の形状であってよい。この構成により、光もしくはより一般には放射線に対するハウジングの放射および/または受け取りの特性の改善を可能にする。
好ましくは、この目的で、基体における第1くぼみの内面もしくは側面、および/または付加的には接続体における伝達区域の内面もまた、以下に説明するが、反射特性を少なくとも部分的に有する。このように、基体の上面における第1くぼみおよび/または接続体における伝達区域は、光電子機能素子によって放出されたおよび/または受容される放射線用の反射体を形成していてよい。
少なくとも1つの接続体は、基体の上面に、好ましくは第1くぼみに置かれた機能素子に電気的接続を付与するための接続体である。一般に、接続体は、基体の上面と、このような機能素子および周囲との間の接続の確立を可能にする。
接続体は、固形体である。また、接続体は、特に金属板として設けられる。好ましくは、接続体は、例えば指によって圧迫されたときなどの、僅かな圧力下で変形可能であってもよい。しかし、接続体は、例えばPVD法を用いて基体に堆積または成長した層を構成しない。
接続体は、基体から電気的に絶縁されている。接続体は、ガラス層によって、少なくとも部分的に分離されており、および/または、基体から少なくとも部分的に離間して配置されている。
接続体は、金属または合金を含み、またはこれからなる。この場合の金属は、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、鋼またはステンレス鋼、フェライト鋼またはステンレス鋼、およびオーステナイト鋼またはステンレス鋼からなる群から選択される少なくとも1種である。
通常、接続体は、その上面の平面図において、約9mm〜約1000mm、好ましくは最大で約50mmの表面積を有する。接続体の高さは、一般に約0.1mm〜約5mmの範囲であり、好ましくは最大で約2mmである。
接続体の他の可能性のある実施形態に関しては、文献WO2009/132838A1に記載されている頭部を参照する。
本発明の好ましい実施形態において、接続体は、少なくとも1つの光電子機能素子によって放出されるおよび/または受け取られる放射線用の伝達区域を与える。伝達区域は、少なくとも1つの光電子機能素子用の第1くぼみおよび/もしくは取付領域の範囲にわたって、ならびに/または基体にわたって、少なくとも部分的に延在している。伝達区域は、光または放射線が通過してよい、すなわち、入射および/または出射してよい領域に対応することができる。伝達区域は、接続体において凹部またはホールとして好ましくは構成されている。光は、凹部の側面に入射してよい。好ましくは、伝達区域は、基体におよび/または第1くぼみに同軸上に配置されている。基体の上面に対する平面図において、伝達区域は、約4mm〜約1000mm、または約4mm〜約50mm、好ましくは最大で約20mmの表面積を有していてよい。伝達区域の深さは、接続体の高さに実質的に相当する。
ハウジングの好ましい実施形態において、基体の上面は、第1くぼみの周辺付近に少なくとも部分的に延在する第2くぼみを有して、基体の側面が、少なくとも好ましくは下方外側面および好ましくは上方内側面によって形成されるようになっている。かくしてある種の段差は、基体または基体の上面に形成されている。基体の外側面は、基体の実側面に好ましくは対応している。外側面では、第1くぼみまたは基体の中心からの距離が内側面よりも大きい。基体は、上面および下面を有する。本明細書において、側面とは、上面を下面と接続させる側壁面を表す。
第2くぼみは、接続体用の収容領域を構成する。接続体は、第2くぼみの底部、特にその下面に少なくとも部分的に存在する。代替的または付加的に、接続体は、基体の内および/または外側面に隣接していてよい。特に、接続体の側面、とりわけ伝達区域の側面は、基体の内および/または外側面に隣接している。このように、接続体は、基体の上面上に少なくとも部分的に配置されており、ならびに/または伝達区域の内側は、基体の内側面に隣接しておよび/もしくは基体の外側面に隣接して配置されている。
一般に、基体の上面の平面図において、第2くぼみの幅は、約0.5mm〜約15mmの範囲であり、好ましくは最大で約6mmである。くぼみの幅は、基体における接続体用の支持面によって画定される。第2くぼみの深さは、一般に約0.1mm〜約5mmの範囲である。
通常、基体および接続体は互いに電気的に絶縁されているため、「隣接して配置されている」とは、基体および接続体がガラス層によって分離されている配置をも意味する。最初に言及した実施形態において、ガラス層は、第2くぼみの底部と接続体の下面との間に、少なくとも部分的に配置されている。第2実施形態において、ガラス層は、接続体の、好ましくは伝達区域の内側面と、基体の外側面との間に配置されている。
別の実施形態において、接続体はセグメント化されている。形成されたセグメントにより、基体上に位置する複数の光電子機能素子または単一の光電子機能素子に複数の端子が設けられ得る。好ましくは、接続体のセグメントは、ガラス層によって、互いに離間しており、および/または互いに電気的に絶縁されている。
ハウジングの別の実施形態において、接続体は、基体を越えて少なくとも部分的に延在し、少なくとも1つの接続タブを与える。タブは、好ましくは手で屈曲可能であり、および/または半径方向外向きに、特に連続的に減少する幅を有する。タブは、接続体を拡大する。通常、この場合、その上面の平面図において、接続体は、約9mm〜約800mm、好ましくは最大で約100mmの表面積を有する。
さらに、接続手段用の、好ましくはボンディングワイヤ用の取付領域は、基体内にもしくは基体に、および/または接続体内にもしくは接続体に設けられていてよい。取付領域は、第1くぼみのおよび/または伝達区域の内周に凹部として好ましくは形成される。
ガラスは、基体を接続体に接合するための、および/または基体を接続体から絶縁するためのガラスである。ガラスは、基体および/または接続体に用いられる材料の融点よりも低い領域に軟化点または軟化温度を有する。ガラスは、接合のために、または接合の際に、要素が互いに接着する粘度を有する程度まで加熱され、または加熱されている。ガラスは、接合の際、10Pa・s〜約10Pa・sの範囲にある粘度を好ましくは有する。加熱は例えば炉において達成される。使用されるガラスは、好ましくはリン酸塩ガラスおよび/もしくは軟質ガラスおよび/もしくはアルカリチタンケイ酸塩ガラスであり、またはこれを含む。リン酸塩ガラスの例として、SCHOTT G018−122と命名されたガラスが挙げられる。軟質ガラスの例として、SCHOTT8061および/またはSCHOTT8421と命名されたガラスが挙げられる。
例えば、基体および/または接続体が、特にガラスへの境界面に、銅および/またはアルミニウムを実質的に含むとき、ガラスは、好ましくはアルカリチタンケイ酸塩ガラスである。基体および/または接続体および/または少なくともそれぞれの境界面は、少なくとも50重量%、好ましくは少なくとも80重量%の銅またはアルミニウム含有率を有する。
一実施形態において、アルカリチタンケイ酸塩ガラスは、以下の組成(重量%)を有するまたは含む:
表において用いられる用語ROは、全アルカリ酸化物の合計を表す。ここでのアルカリ金属は、少なくとも元素Li、Na、およびKによって与えられる。
1つの具体的な実施形態において、RO基は、以下の成分(重量%)を含む:
第1の好ましい実施形態において、ガラスは、以下の組成を有するまたは含む:
好ましくは、第1実施形態のガラスは、以下の組成を有するまたは含む:
第2の好ましい実施形態において、ガラスは、以下の組成を有するまたは含む:
好ましくは、第2実施形態のガラスは、以下の組成を有するまたは含む:
ガラスによって形成されたガラス層、またはより詳細には基体と接続体との間に形成されたガラス層は、一般に約30μm超の厚さを有する。これにより、十分な電気絶縁特性を有する気密なボンディングを付与することが可能になる。ガラス層の厚さは、好ましくは約30μm〜約500μm、より好ましくは約100μm〜約300μmの範囲である。
とりわけ上記の組成を有する、アルカリチタンケイ酸塩ガラスを基準にしたガラス層の電気抵抗は、一般に1GΩを超える。気密状態とは、一般に1×10−8mbar×l/s未満である。さらに、ガラスは、改良された強度および改良された耐化学性によって区別される。例えば、サンプル本体(4mm×4mmの光沢面、および100μmの呼び厚さのガラス層)における剪断強度は、ガラスP8061と比較して増大され得、本発明のガラスでは平均60N〜105Nである。さらに、本発明によるガラスは、ガラスG018−122(WO2009/132838A1を参照されたい)と比較して改良された耐化学性を有する。電気めっきは、ガラス化の後に実施されてよい。
一般に、ガラスは、分注、好ましくは穿孔されたガラスストリップの供給、および/または個々のプリフォームの供給からなる群から選択される少なくとも1つの方法によって設置されてよい。ガラスストリップは、例えば細長い片をストリップ形状に成形することによって与えられてよい。ガラスは、経済的な製造のために、アレイで与えられてよい。
ガラス層およびガラス層を用いる方法の他の可能性のある実施形態に関しては、文献WO2009/132838A1に記載されている第1および/または第2ガラス層を参照する。
ガラス層は、基体の側面と接続体との間に、少なくとも部分的に配置されている。好ましくは、ガラス層は、基体の側面と、接続体の、好ましくはその伝達区域の側面との間に少なくとも部分的に配置されている。
代替的または付加的な実施形態において、ガラス層は、基体の上面と接続体の下面との間に、少なくとも部分的に配置されている。
基体への接続体のより良好な接着を達成するために、基体および/または接続体のガラス接触面は、好ましくは前処理される。一実施形態において、前処理は、ガラス接触面の予備酸化を含んでいてよい。予備酸化は、例えば酸素含有雰囲気における表面の選択的な酸化を意味する。この場合、ガラスと銅または酸化銅との間のボンディングは、非常に安定であることが判明している。金属、好ましくは、銅は、酸素含有雰囲気において選択的に酸化される。酸化物重量に関して、約0.02〜約0.25mg/cm、好ましくは約0.067〜約0.13mg/cmの単位面積あたりの質量が、酸化物重量に関して有利であることが判明している。酸化物は、よく接着してはがれない。このことは、銅が、基体においておよび/または接続体においておよび/または少なくとも界面で、50重量%超、好ましくは80重量%超の割合で付与されるときに特に当てはまる。
基体および/または接続体の特性、例えば反射性、接着性および/または電気伝導性を改良するために、これら基体および接続体を、好ましくは少なくとも部分的に、好ましくは金属でコーティングおよび/または被覆してもよい。1つの可能性のある方法は、めっき、好ましくは電気めっきである。
基体上に位置し得る光電子機能素子は、放射線放出および/または放射線受け取り要素である。好ましくは、光電子機能素子は、チップとして形成される。機能素子は、LED、光ダイオード、およびレーザーダイオードからなる群から選択される少なくとも1つの要素である。本発明によるハウジングは、好ましくは出力が約5Wを超える高出力LEDに用いられるのに特に好適である、なぜなら、かかる要素は、効率的な放熱を必要としており、また、ハウジングが、十分に耐熱性でなければならないからである。本発明のハウジングは、使用時に十分な熱安定性を必要とする、特に、電力半導体などの非光電子機能素子にも有用であり得る。そのため、本発明のハウジングは、光電子機能素子用のおよび/またはより一般には機能素子用のハウジングであってもよい。このことは、本発明による方法にも当てはまる。
さらなる変形例において、本発明のハウジングは、接続体の上面および/または基体の上面において、例えば光学要素などの端部素子を受けるおよび/または支持するための収容領域を有する。
場合により、少なくとも1つの好ましくは透明の端部素子が、ここでは好ましくは収容領域において、基体の上面および/または接続体の上面に適用または配置されている。特に、端部要素は光学要素である。光学要素の一例は、集束要素、好ましくはレンズである。レンズは、好ましくは凸ガラスレンズによっておよび/または滴剤、例えばシリコーン滴剤によって設けられてよい。
ハウジングの別の実施形態において、その少なくとも下面に絶縁体が適用される。この目的で、絶縁体は、基体の下面、および場合により接続体の下面に設けられ、この絶縁体は、絶縁層によって好ましくは設けられる。絶縁体は、連続的であっても、セグメント化されていてもよい。絶縁体材料は、好ましくは、ガラスおよび/もしくはセラミック材料であり、またはこれを含む。層は、例えば、エナメル加工によっておよび/または冷却スプレープロセスによって設けられてよい。これにより、ハウジングの下面を電気的浮遊状態に保つことが可能になる。
ハウジングの別の実施形態において、スリーブが基体の側面側に配置されている。スリーブまたはシースは、基体の周辺付近および/または接続体付近に少なくとも部分的に、好ましくは延在している。スリーブは、ガラス層を経て基体および/または接続体に好ましくは固定されている。ガラス層は、基体とスリーブとの間に設置されている。好ましくは、スリーブは、例えばステンレス鋼からなる金属製スリーブとして設けられる。これにより、所定の電位、例えば接地電位で、少なくともハウジングの外面を設けることが可能になる。
特に第1および/もしくは第2くぼみ、および/もしくは他の変形例を含む基体、ならびに/または、特に伝達区域および/もしくはタブおよび/もしくは他の変形例を含む接続体は、リードフレームプロセスによって作製される。かかる製造技法の例として、光化学エッチング、穿孔、レーザー切断、および/または水ジェット切断が挙げられる。穿孔は、非常に費用効率的であり、したがって、上記要素を作製するのに好ましい技法である。そのため、本発明の1つの好ましい実施形態は、基体および/または接続体を作製するのに、穿孔可能な金属のみを本質的に用いる。一実施形態において、基板あたり多数の要素が得られるように基板をパターン化する。ハウジングは、個々のハウジングからなるアレイの一部である。このように、アレイは、それぞれの要素が一体化または配置されているある種の基礎体である。したがって、複数のハウジング、好ましくは上記ハウジングを含む配置またはアレイも同様に本発明の範囲内である。個々のハウジングは、ウェブまたは接続ウェブによってそれぞれのアレイに取り付けられている。そのため、本発明は、複数の光電子機能素子ハウジングを作製するための方法によって、同様に記載されてよい。その製造後、ハウジングはアレイから分離される。
さらに、本発明によるハウジングと、ハウジングに配置されている、少なくとも1つの放射線放出および/または放射線受け取り光電子機能素子、特にLEDとを含む光電子要素が本発明の範囲内である。
また、特に車両および/または飛行機において、および/または飛行場の照明として用いられる照明装置、例えば内部照明および/または外部照明も本発明の範囲内であり、これらは、本発明による少なくとも1つのハウジングおよび/または1つの光電子要素を含む。照明装置の例として、シート照明;読書灯;とりわけ天井もしくは壁に一体化されていてよい作業用照明;家具および/または建物における対象物照明;好ましくは自動車における、ヘッドランプおよび/またはテールランプ、および/または内部照明、および/または機器もしくはディスプレイ照明;LCDディスプレイ用バックライト;好ましくは医療および/または浄水用途におけるUV光;ならびに/あるいは湿気および/または攻撃的ガスおよび/または放射線に暴露されるときなどの厳しい環境用の照明が挙げられる。
本発明を以下の例示的な実施形態によってここで詳細に説明する。この目的のために、添付の図面を参照する。種々の図面における同じ参照番号は、同じ部分を指している。
図1.a〜1.dは、基体における第1くぼみを有する2層ハウジングの第1実施形態を、上面の斜視図(図1.a)、上面の平面図(図1.b)、縦軸A−Aに沿った断面図(図1.c)、およびX印を付けた領域の拡大断面図(図1.d)において示す。 図2.a〜2.dは、基体における第1くぼみを有する2層ハウジングの第2実施形態を、上面の斜視図(図2.a)、上面の平面図(図2.b)、縦軸A−Aに沿った断面図(図2.c)、およびX印を付けた領域の拡大断面図(図2.d)において示す。 図3.a〜3.dは、基体における第1くぼみを有する2層ハウジングの第3実施形態を、上面の斜視図(図3.a)、上面の平面図(図3.b)、縦軸A−Aに沿った断面図(図3.c)、およびX印を付けた領域の拡大断面図(図3.d)において示す。 図4.a〜4.dは、基体における第1および第2くぼみ、ならびに基体の側面に取り付けられた接続体を有する2層ハウジングの第1実施形態を、上面の斜視図(図4.a)、上面の平面図(図4.b)、縦軸A−Aに沿った断面図(図4.c)、およびX印を付けた領域の拡大断面図(図4.d)において示す。 図5.a〜5.dは、基体における第1および第2くぼみ、ならびに基体の側面に取り付けられた接続体を有する2層ハウジングの第2実施形態を、上面の斜視図(図5.a)、上面の平面図(図5.b)、縦軸A−Aに沿った断面図(図5.c)、およびX印を付けた領域の拡大断面図(図5.d)において示す。 図6.a〜6.dは、基体の側面に取り付けられた接続体を有する2層ハウジングの実施形態を、絶縁層を含まない(図6.aおよび6.b)ならびに絶縁層を含む(図6.cおよび6.d)断面図において示す。 図7.a〜7.dは、基体に取り付けられた、セグメント化された接続体を有する2層ハウジングのいくつかの実施形態を、上面の平面図において示す。 図8.aおよび8.bは、第1くぼみに設置された単一の光電子機能素子用の可能性のある電気的接続を示す。 図9.a〜9.cは、基体の側面側に取り付けられた接続体を含む2層ハウジングの別の実施形態を、上面の平面図(図9.a)、断面図(図9.b)、および端部素子が重ね合わされた断面図(図9.c)において示す。 図10.a〜10.cは、1層ハウジングの変形実施形態を、斜視図(図10.a)、断面図(図10.b)、および上面の平面図(図10.c)において示す。 図11.a〜11.cは、1層ハウジングの変形実施形態を、斜視図(図11.a)、断面図(図11.b)、および上面の平面図(図11.c)において示す。
図1.a〜1.dは、基体10におけるここでは単一の第1くぼみ11を有する2層または少なくとも2層のハウジング100の第1実施形態を示す。接続体30は、基体10上に置かれている。基体10および接続体30は、ガラス層20を経て材料接着によって互いに接合されている。
基体10は、上面10a、下面10b、および側面13または周辺13、ならびに中心軸10cを有する。示されている例において、基体10は、方形断面を有する。その上面10aは、例えば凹部11によって付与された第1くぼみ11を有する。くぼみ11は、基体10の中心におよび/またはこれと同軸上に好ましくは配置されている。ここで、第1くぼみ11は、丸い、好ましくは円形断面を有する。しかし、断面は、同じように、矩形、好ましくは方形であってもよい。第1くぼみ11の直径は、第1くぼみ11の底部から開始してその上側に向かって好ましくは連続的に増大する。第1くぼみ11は、円錐台の形状を有する。しかし、角錐台の形状を有していてもよい。光電子機能素子40は、示していないが、第1くぼみ11に、または第1くぼみ11の底部上に位置している。特に、機能素子40は、第1くぼみ11の中心に、ならびに/または基体10および/もしくは第1くぼみ11と同軸上に設置されている(図8.aおよび8.bを参照されたい)。
基体10は、金属製板、好ましくは銅板として好ましくは組み入れられている。少なくとも1つの光電子機能素子40用の取付領域14は、基体10の上面10aで画定されている。ここで、取付領域14は、基体10の上面10aにおける第1くぼみ11の底部によって与えられている。基体10は、特に作製費用の観点において、特に、第1くぼみ11、および/もしくは第2くぼみ12、ならびに/または、本明細書においては示されていないもしくはまだ示されていない他の変形例を含めて、穿孔によって作製される。
接続体30は、基体10に、または基体10の上面10a上に配置されている。接続体30は、上面30a、下面30b、および縦軸30dを有する。接続体30は、金属製板、好ましくは銅板である。接続体30において、光電子機能素子40によって放出されたおよび/または受け取られる放射線用に、伝達区域31が設けられる。伝達区域31は、凹部31、またはホール31の形態で接続体30に好ましくは設けられる。伝達区域31は、基体10における第1くぼみ11と同軸関係で好ましくは配置されている。
伝達区域31の内面に、示されていないが、それを通して光電子機能素子40が接続可能であるボンディングワイヤ50を接続するための領域32が設けられている。好ましくは、この接続領域32は、接続体30における凹部32として組み入れられている。
伝達区域31は、好ましくは円形断面のまっすぐな円筒の形状を有する。伝達区域31の直径は、ここでは、基体10における第1くぼみ11の好ましくは上部直径よりも大きい。
接続体30は、基体10と実質的に同じ寸法を有する。しかし、付加的に、接続体30は、基体10の側面13を越えて延在する、側面延長部33、またはタブ33を有する。タブ33は、好ましくは可撓性、または示されているように予め屈曲されていて、例えば電気的接続が、ハウジング100が操作状態に置かれている回路基板の導体トレースに対して確立され得るようになっている。
とりわけ作製費用を低く保つには、接続体30は、特に、その中に形成された伝達区域31、および/もしくは接続領域32、および/もしくはタブ33を含めて、ならびに/または、本明細書においては示されていないもしくはまだ示されていないさらなる変形例を含めて、穿孔プロセスによって作製される。
基体10の上面10aと接続体30の下面30bとの間に、ガラス層20が設置されており、これが、基体10を接続体30に接合する。ガラス層20のガラスは、基体10および接続体30を接合するためのガラスである。本発明の好ましい実施形態において、ガラスは、アルカリチタンケイ酸塩ガラスである。
第1方法工程は、基体10に第1くぼみ11を設け、接続体30に伝達区域31、接続領域32、およびタブ33を設けることを含む。この方法の第1変更例において、プリフォーム20は、基体10と接続体30との間に設けられる。プリフォーム20は、製造において費用効率的であり、取り扱いが容易である。プリフォーム20は、接続体30における凹部31に対応している中心開口部を有する。基体10、接続体30、およびガラスストリップ20は、互いに整列されている。少なくともプリフォーム20は、間接的または直接的に加熱される。間にプリフォーム20をはさんだ基体10および接続体30は、共に押圧される。次いで、形成されたハウジング100または複合構造体が冷却される。第2変更例において、ガラス20は、分注により付与される。分注は、あらゆるサイズまたは形状のガラスも容易に付与することが可能である。
第1くぼみ11に置かれた光電子機能素子40は、ハウジング100において保護される。機能素子40がLEDとして組み入れられているとき、例えば、基体10における第1くぼみ11および/または接続体30における伝達区域31の内面または側面は、照度を改良するために、反射特性を、特に少なくとも部分的に有していてよい。したがって、第1くぼみ11および/または伝達区域31は、反射体と称されてもよい。くぼみ11および/または伝達区域31の内面は、材料および/または製造方式に応じて、十分に良好な反射特性を既に有していてよい。しかし、通常は、内面の再加工が必要とされる。反射特性を達成するための1つの方法は、内面を機械加工することによる、例えば研磨によるものである。代替として、またはこれに加えて、内面が、好ましくは金属によって、部分的にまたは完全にコーティングおよび/または被覆されていてもよい。コーティングおよび/またはライニングを作製するための金属は、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、および金からなる群から選択される少なくとも1種の材料である。コーティングを生成または作製するための方法は、電気めっき、ならびに蒸着、特にPVDおよび/またはCVDからなる群から選択される少なくとも1つの方法である。
光電子機能素子40が一旦導入されたら、光学要素60、例えばレンズ60が、例えば、接続体30上に設置されてよい。これにより、ある種の被覆が設けられる。好ましくは、光学要素60は、ハウジング100の内部が密封されるように固定されている。
以下に説明する実施形態では、繰り返しを回避するために、先のそれぞれの図と比較したそれぞれの変形例のみを記載している。同一または同様の特徴に関しては、それぞれの上記の実施形態を参照する。
図2.a〜2.dは、本発明の第2実施形態を示す。図1.a〜1.dに示される本発明の第1実施形態と比較したときの変形例として、光学要素60用の収容領域34が、接続体30の上面30aに付加的に設けられている。このように、光学要素60が、ハウジング100、特に接続体30に、正確かつ確実に置かれ得、例えば接着によって接合され得る。光学要素60は、例えばレンズ60、特にガラスレンズである。収容領域34は、伝達区域31に適合されている。これは、伝達区域31と実質的に同じ形態または形状を有する。示されている変更例において、収容領域34は、実質的に丸い、好ましくは円形断面を有し、接続体30の上面30aにおいて、くぼみ34、または凹部34によって設けられている。くぼみ34は、接続体30の伝達区域31よりも大きい断面寸法を有する。例えば、くぼみ34は、約0.1〜1mmの例示的深さを有する。支持領域は、好ましくは0.5mm〜20mmの範囲である。
図3.a〜3.dは、本発明の第3実施形態を示す。図2.a〜2.cに示されている実施形態の変形例として、ここでの接続体30における伝達区域31は、接続体30の下側30bから開始してその上側30aに向かって好ましくは連続的に増大する断面を有する。伝達区域31は、円錐台の形状を実質的に有する。伝達区域31の内面または側面が、反射特性を、少なくとも部分的に有するとき、接続体30における伝達区域31もまた、反射体31と称されてよい。反射体31は、基体10の反射体11に隣接している。基体10における反射体11と接続体30における反射体31とは、一緒になって、ハウジング100の反射体を形成する。2つの反射体11および31の形状は、互いに本質的に対応する。2つの反射体11および31は、互いに融合する。基体10における反射体11の上部の寸法および形状は、接続体30における反射体31の下部の寸法および形状に実質的に対応する。接続体30における反射体31の組み入れについてのさらなる詳細に関しては、基体10における反射体11の記載を参照する。
上記実施形態において、基体10および接続体30は、ガラス層20によって接合されており、ガラス層は、基体10の上面10aと接続体30の下面30bとの間に実質的に排他的に配置されている。対照的に、以下の実施形態は、基体10および接続体30が、基体10の側面13と接続体30または接続体30の伝達区域31の内面との間に設置されているガラス層20によって特に付加的に接合されているハウジング100を示す。
図4.a〜4.dは、機能素子40を位置付けるおよび/または収容するための基体10における第1くぼみ11を有し、接続体30を取り付けるおよび/または収容するための基体10における第2くぼみ12を付加的に有する2層ハウジング100の第1実施形態を示す。接続体30は、基体10の側面13、すなわち、基体10の側面側または周辺に取り付けられている。
第1くぼみ11は、基体10の中心10cに同じように配置されている。しかし、第2くぼみ12は、第1くぼみ11の周辺付近に完全に延在している。第2くぼみ12は、図4.cおよび4.dにおいて例えば見ることができる。しかし、くぼみ12は、例えば第1くぼみ11のように、ここでは単独では示されていない。第2くぼみは、2つの図においてむしろ、ガラス層20および接続体30によって既に充填されている。
周りの第2くぼみ12に起因して、基体10の側面13は、セグメント化されている側面13によって画定されている。基体10の側面13は、下方外側面13−1または側面部分13−1によって、および上方内側面13−2または側面部分13−2によって画定されている。第2くぼみ12は、同様に、基体10における凹部12として好ましくは形成されている。基体10の平面図において、第2くぼみ12は、円形リングタイプの幾何学的形状を有する。円形リングは、基体10の外側面13−1によって、および、基体10の内側面13−2、または基体10における反射体11を画定している壁の外面によって区切られている。本事例では、側面13、または基体10の周辺13は、下部13−1および上部13−2によって画定されている。上部13−2は、下部13−1に対して、中心に向かって内側にオフセットされている。
断面図において、基体10は、ある種の受け皿として記載されていてよい。内側の第1くぼみ11は、反射体11を付与する。外側の第2くぼみ12は、接続体30を置くためのプラトー型の肩部を付与する。第1くぼみ11および第2くぼみ12は、ある種の壁によって分離されており、その内面が、光電子機能素子40によって放出されるまたは受け取られる放射線用の反射体11を画定している。第2くぼみ12は、基体における接続体30用の支持面に実質的に対応することができる。
本例において、接続体30の伝達区域31の内側は、基体10の内側上部13−2に隣接している。また、接続体30の下面30bの部分は、基体10の上面10aまたは第2くぼみ12の底部の上にのっている。
接続体30および基体10は、ガラス層20によって互いに接合されながら、ガラス層20によって互いに電気的に絶縁されている。ガラス層20は、特に接合状態において、一方では、基体10の上方内側面13−2と接続体30における伝達区域31の内面との間に配置されており、他方では、基体10の上面10aと接続体30の下面30bとの間に配置されている。断面図において見られるように、L形状タイプのガラスボンディングが形成されている(とりわけ図4.cおよび4.dを参照されたい)。ガラス層20の第1脚部21は、第2くぼみ12の底面に実質的に沿って、好ましくはこれに平行に延在している。ガラス層20の第2脚部22は、ガラス層20の第1脚部21の実質的に横方向に、好ましくはこれに垂直に延在している。第2脚部22は、基体10の内側面13−2に沿って、好ましくはこれに平行に延在している。第2くぼみ12の幅は、ガラス層20の第1脚部21によって実質的に表される。
接続体30の高さおよび/または第2くぼみ12の深さおよび/またはガラス層20もしくは21の高さは、接続体30の上面30aが、基体10の上面10aの最上縁と実質的に重なるような寸法にされる。
本発明のこの実施形態の利点は、ハウジング100が低い高さで設けられ得ることである。別の利点は、反射体11および/または光伝達区域31にガラスの継ぎ目やいずれのガラスも存在しないという事実から生じるものである。これにより、反射体11のあらゆる光学反射特性が、例えばダークガラスによって悪影響を受けることを防止する。接続体30における開口部31は、もはや直接的に光路にはなく、そのため反射体を付与することができないとしても、伝達区域31として依然として記載されていることに注意すべきである。これは、機能素子40、または機能素子40によって放出されもしくは受け取られる放射線が、依然として接続体30の開口部31の範囲内にあるからである。基体10における反射体11および接続体30における伝達区域31またはこれらの体積は、好ましくは少なくとも部分的に、重なり合っているか、または一方が他方の上に配置されている。
図5.a〜5.dは、この変更例の第2実施形態を示す。図4.a〜4.dに示すハウジング100に関する変形例として、光学要素60用の収容領域34が、接続体30の上面30aに付加的に設けられている。収容領域34に関するより詳細は、図2.a〜2.dの記載を参照する。
以下、2層ハウジング10の2つのさらなる実施形態を図6.aおよび6.bに示し、これは、基体10における第1および第2くぼみ11および12、ならびに基体10の側面側に取り付けられている接続体30を含む。
まず、図6.aにおいて、基体10および接続体30が図4.a〜4.dに示されるハウジング100と同様に接合されているハウジング100を示す。これとは対照的に、接続体30は、ここではタブを有さない。接続体30は、基体10と実質的に同じ断面寸法および実質的に同じ形状を有する。
さらに、図6.bは、接続体30がその側面側13のみにおいて基体10に固定されているハウジング100を示す。ここで、2層は、一方が他方の上にではなく、並んで配置されている。接続体30は、接続体30がその内部またはその伝達区域31に基体10を収容することができるように基体10の形状および/または寸法に適合されている断面形状を有する開口部31または伝達区域31を有する本体または要素である。接続体30または接続体30における伝達区域31の内径は、基体10の外径よりも大きく、ガラス層20または22がその間に設置され得るように選択される。本例では、接続体30は、ある種の中空の円筒もしくはリング、または円筒形の開口部31を有する本体であり、本事例では丸い、好ましくは円形の形状を有する基体10を越えて引かれている。
接続体30は、基体10の側面側または周辺において取り付けられている。ハウジング100のこの実施形態において、接合ガラス層20または22は、基体の外側面13と接続体の内側面との間にのみ設置されている。断面図において見られるように、一種のI−形状のガラスボンディングが形成されている。二重リングタイプの系が基体10付近に形成されている。ここで、ボンディングガラス層20または22は第1リングを画定し、接続体30は第2リングを画定している。いずれのリングも、基体10付近に配置されている。ここで、接続体30およびガラス層20または22は、基体10の周面付近および反射体11付近に完全におよび/または連続的に延在している。
図6.cおよび6.dは、図6.aおよび6.bと同様の構成を示す。また、絶縁体15、特に絶縁層15は、基体10の下面10bに設けられており、可能であるとき、接続体30の下面30bに設けられている。図6.cにおいて、基体10の下面10bは、絶縁体15によって完全にまたは実質的に完全に被覆されている。対照的に、図6.dにおいて、絶縁体15はセグメント化されている。金属製要素、ここでは基体10の下面10bおよび接続体30の下面30bは、絶縁体15によって被覆されている。このように、ハウジング100の下面は、電気的浮遊状態に保たれてよい。
先に示したすべての実施形態は、共通して、接続体30が、基体10における反射体11の周り付近および/または接続体30において形成されている伝達区域31付近に完全にもしくは実質的に完全にまたは連続的に延在している。接続体30は、各場合において、一部品として、または単一的に形成されている。接続体30は、例えばLED40のアノードまたはカソードに単一の電気的接続を好ましくは付与する。
対照的に、図7.a〜7.dにおいて、接続体30は、ここで、セグメント化されているか、または、好ましくは互いに電気的に絶縁されているセグメント30−1〜30−4に分割されている。セグメント化された接続体30は、複数の接続を付与し、または互いに電気的に絶縁されている複数の接続体30−1〜30−4からなる。セグメント30−1〜30−4は、図6.aまたは図6.bに示される実施形態に従って基体に取り付けられていてよい。
図7.aにおいて、接続体30は、2つの部分を含む。接続体30は、ハウジング100の縦軸に対して、および好ましくは接続体30の縦軸30dに対しても特に横方向に、好ましくは垂直に基体10の直径に沿って中断されている。接続体30は、2つの要素30−1および30−2から構成されている。さらなる差異として、ハウジング100、または接続体30は、ここで、2つのタブ33を有する。2つの接続体30−1および30−2は、それぞれ、1つのタブ33を有する。タブは、縦軸30dに沿って延在している。このように、2つの接続が、例えばLED40のアノードおよびカソードに付与されていてよい。
先に記載されている図1.a〜7.aは、機能素子40を有さない、ハウジング100のみが示されている本発明によるいくつかの実施形態を示す。対照的に、図7.b〜7.dは、ハウジング100において単一の機能素子40または複数の機能素子40を有する実施形態をここで示す。
機能素子40は、ハウジング100に設置された後、または基体10の上面10a上、特に第1くぼみ11の底部に置かれた後、基体10と直接接触する。機能素子40は、基体10に例えば接着されていてもハンダ付けされていてもよい。用いられる好ましいハンダとして、無鉛軟質ハンダが挙げられる。接着剤は、銀配合エポキシなどの好ましくは導電性接着剤である。したがって、直接接触もまた、接着剤、ハンダ、または結合剤を介した接触を意味する。
図7.bは、複数の機能素子40、ここでは、例として、4つのLED40が、単一の反射体11または単一の第1くぼみ11に設置されている実施形態を示す。4つのLED40は、一般的なアノードAおよび一般的なカソードKによって供給され、したがって、共通に駆動される。アノードおよびカソードは、それぞれ、セグメント化された接続体30−1および30−2の2つのタブ33によって好ましくは設けられている。
図7.cは、複数の機能素子40、ここでは、例として、3つのLED40が、単一の反射体11または単一の第1くぼみ11に配置されている実施形態を示す。この例では、接続体30が、4つの接続30−1〜30−4内にセグメント化されている。3つのLED40は、個別に駆動されてよい。例えば、接続体30のセグメント30−1〜30−4は、3つの別々のアノードAおよび1つの共有のカソードKを与える。
図7.dは、複数の機能素子40、ここでは、例として、4つのLED40が、複数の反射体11に配置されている実施形態を示す。この例では、4つの反射体11が基体10に設けられている。各反射体11は、少なくとも1つのLED40と連動している。4つのLED40は、個別に駆動されてよい。例えば、4つの別々のアノードAは、接続体30の4つのセグメント30−1〜30−4によって設けられていてよく、共有のカソードKは、基体10の上面10aによって、または反射体11の底部によって設けられていてよい。
図8.aおよび8.bは、反射体11に位置する単一の光電子機能素子40に対して可能な電気的接続を示す。
図8.aにおいて、機能素子40、特にLED40は、2つの端子、すなわちアノードAおよびカソードKを介して、その前面および裏面を介して電気的に接続されていてよい。機能素子40は、供給ラインを有するワイヤ50(いわゆるワイヤボンディング)またはハウジング100の接続体30を通して接続されている。この場合、第1接続は、接続体30によって付与されている。第2接続は、金属製基体10の上面10a、例えば反射体11の底部によって付与されている。
図8.bは、レンズ60がハウジング100に端部素子60として適用されている、図8.aに示す構成を示す。レンズ60は、例えばガラスレンズを置くことによって、または該当する波長範囲に透明である材料、例えばシリコーンの滴剤を施用することによって設置される。図8.aが、その前面および裏面を介して接触され得る機能素子40の実施形態を示す一方で、図8.bは、機能素子40がその前面を介してのみ接触され得る実施形態を示す。この目的で、本発明においては、接続体30が2つのセグメント、30−1および30−2に分割されている。第1接続は、左に示されているセグメント30−1によって付与されている。第2接続は、右に示されているセグメント30−2によって付与されている。
最後に、図9.a〜9.cは、接続体30が基体10の側面13に固定されているハウジング100の別の実施形態を示す。ここで、接続体30は、例として接触ピン30として組み入れられている。接触ピン30は、その長さに対して非常に低減された断面積を有する細長い金属要素である。接触ピン30は、針形状または釘状の要素である。接触ピン30は、I−形状を有して、または実質的にまっすぐなピンとして設けられている。金属製ワイヤもまた、接触ピンとして理解されるべきである。接触ピンの断面積は、一般に約0.1mm〜約16mmの範囲であり、好ましくは最大で約3mm以下、より好ましくは最大で約0.8mm以下である。
接触ピンまたは接続体30は、その側面側または周辺において基体に固定されている。ハウジング100のこの変更例において、ガラス層20または22は、外側面13に設置されている。ガラス層20は、側面13の部分のみを被覆している。基体10は、ガラス層20を越えて下方に延在している。接触ピンまたは接続体30は、ガラス層20内もしくは内部に設置されているか、またはその中に少なくとも部分的に埋め込まれている。接触ピンまたは接続体30は、ガラス層20の高さよりも長い長さを有する。上部において、接続体30は、その周面付近でガラス層20によって完全に包囲されている。対照的に、下部においては、接続体30は、完全に露出している。ガラス層20の外面には、管状部分またはスリーブ16が位置している。スリーブ16は、ガラス層20の周面付近、またはハウジング100の周り付近に完全に延在している。スリーブ16は、好ましくは金属製スリーブであり、例えばステンレス鋼からなる。このように、ハウジング100の外面を電気的浮遊状態に保つことが可能である。スリーブ16は、無電圧の外側導体、またはシールドを形成している。
基体10およびスリーブ16の2層は、ここでは一方が他方の上にではなく、並んで配置されている。断面図において、ある種のI−形状のガラスボンディングが形成されていることが分かる。二重リングタイプの系が、基体10付近に形成されている。ここで、ボンディングガラス層20または22は、第1リングを画定し、スリーブ16は第2リングを画定している。両方のリングが、基体10付近に配置されている。ここで、ガラス層20または22およびスリーブ16は、基体10の周囲付近に完全におよび/または連続的に延在している。例として、ハウジング100は、ここでは丸い断面、特に長円形断面を有する。しかし、断面は、同様に、一般に円形であってもよく、多角形であってもよい。
図9.cは図9.bに対応している。しかし、付加的には、レンズは、基体10の上面10aの上に、端部素子60として設置されている。レンズは、基体10の上面10aから離間してホルダー61によって固定されている。ホルダー61は、例えば、さらなる管状部分またはさらなるスリーブによって設けられている。ここで、ホルダー61は、スリーブ16の上面上に置かれている。
図10.a〜10.cは、1層ハウジング100の、図9.a〜9.cと比較して変形された実施形態を示す。まず、ハウジング100の断面は、長円形でなく円形である。また、基体10および接続体30は、スリーブ16の上面およびガラス層20の上面においてもはや終端していない。基体10および接続体30は、むしろ、ハウジング100の縦軸に沿って、スリーブ16を越えかつガラス層20を越えて、上方および下方に延在している。結果として、基体10および接続体30は、容易に接触する。図10.cは、要素60および61を有さないハウジング100の上面の図を示す。基体10および/または接続体30は、スリーブ16の下面を約1mm〜約10mm、好ましくは約5mm以下だけ越えて延在している。好ましくは、スリーブ16の高さおよび/または直径は、約3mm〜約10mmの範囲である。
図11.a〜11.cは、1層ハウジング100の別の変形実施形態を示す。この実施形態では、2つの接続体30が設けられている。これにより、基体10と組み合わせると、例えば、2つのLED40を別々に駆動させることが可能となる。基体10および2つの接続体30は、ガラス層20を越えて上方に延在しているが、スリーブ16によって終端している。この例では、基体10は、2つの部分からなる。基体10は、上部本体および下部本体によって設けられている。基体10の下部本体または下部と2つの接続体30との間に、例えばガラスからなるさらなる絶縁体23が設けられている。
図9.a〜11.cに示されているハウジング100は、プラグソケット用途に特に好適である。下方に延在している基体10および下方に延在している接続体30は、接続されるには、例えば電源を付与するソケット内に簡単に差し込まれてよい。これは、例えば、ランプとしてのLEDの用途に有用である。
記載されている実施形態が例として理解されるべきであることは当業者に明らかである。本発明は、これらの実施形態に限定されないが、本発明の精神から逸脱することなく様々に変動されてよい。個々の実施形態の特徴および本明細書の概要部分に記載されている特徴は、互いに組み合わされてよい。
10 基体
10a 基体の上面
10b 基体の下面
10c 基体の中心軸
11 基体における第1くぼみまたは反射体
12 基体における接続体用の第2くぼみまたは収容領域
13 基体の側面または周辺
13−1 基体の外側面または側面部分
13−2 基体の内側面または側面部分
14 機能素子用の取付領域
15 絶縁体または絶縁層
16 スリーブまたはシース
20 接合および絶縁のためのガラス層またはガラス
21 ガラス層の第1脚部
22 ガラス層の第2脚部
23 絶縁体またはさらなるガラス層
30 接続体
30a 接続体の上面
30b 接続体の下面
30d 接続体の縦軸
30−1〜30−4 接続体のセグメント
31 接続体における伝達区域または開口部または反射体
32 特にボンディングワイヤ用の、接続体における接続領域
33 接続体における接続タブまたは接続用タブ
34 接続体における光学要素または端部素子用の収容領域
40 機能素子またはLED
50 接続手段またはワイヤまたはボンディングワイヤ
60 端部素子または光学要素またはレンズ
61 端部素子用ホルダー
100 ハウジング
A アノード
B カソード

Claims (17)

  1. 光電子機能素子(40)、特にLEDを収容するためのハウジング(100)であって:
    −少なくとも1つの光電子機能素子(40)用のヒートシンクを形成するように、少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の取付領域(14)を少なくとも部分的に画定する上面(10a)を有し、さらに下面(10b)および側面(13、13−1、13−2)を有する金属製の基体(10)と;
    −少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の少なくとも1つの金属製の接続体(30、30−1〜30−4)であって、少なくとも1つのガラス層(20)によって前記基体(10)に接合されている接続体(30、30−1〜30−4)と
    を含み、
    前記接続体(30、30−1〜30−4)が、凹部またはホール(31)を有し、
    前記凹部またはホール(31)が、伝達区域(31)を形成し、かつ、前記取付領域(14)にわたって延在してなり、
    −前記少なくとも1つの接続体(30、30−1〜30−4)が、前記基体(10)の側面側に配置され、かつ、前記基体(10)の周面に沿って少なくとも部分的に延在しており;および/または
    −前記基体(10)の少なくとも前記上面(10a)が、少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の前記取付領域(14)を与える底部を有する少なくとも1つの第1くぼみ(11)を有する、ハウジング。
  2. 前記接続体(30、30−1〜30−4)が前記基体(10)から電気的に絶縁されている、請求項1に記載のハウジング。
  3. 前記ガラス層(20)が、前記基体(10)の前記側面(13、13−1、13−2)と前記接続体(30、30−1〜30−4)との間に少なくとも部分的に設置されており;および/または
    前記ガラス層(20)が、前記基体(10)の前記上面(10a)と前記接続体(30、30−1〜30−4)の下面(30b)との間に少なくとも部分的に設置されている、請求項1乃至2のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  4. 前記基体(10)の前記上面(10a)が、前記第1くぼみ(11)の周辺付近に少なくとも部分的に延在する少なくとも1つの第2くぼみ(12)を有し、前記基体(10)の前記側面(13、13−1、13−2)が、少なくとも好ましくは下方外側面(13−1)および好ましくは上方内側面(13−2)によって画定されるようになっている、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  5. 前記第2くぼみ(12)が、前記接続体(30、30−1〜30−4)用の収容領域を与え、前記接続体(30、30−1〜30−4)が、前記第2くぼみ(12)の底部に少なくとも部分的に存在しており;ならびに/または
    前記接続体(30、30−1〜30−4)が、前記基体(10)の前記内側面(13−2)および/もしくは前記外側面(13−1)に隣接している、請求項4に記載のハウジング(100)。
  6. 前記伝達区域は、少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の前記第1くぼみ(11)にわたって少なくとも部分的に延在している、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  7. 前記接続体(30、30−1〜30−4)が、前記基体(10)の前記上面(10a)に少なくとも部分的に配置されており;ならびに/または
    前記伝達区域(31)の内側が、前記基体(10)の前記内側面(13−2)および/もしくは前記外側面(13−1)に隣接している、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  8. 前記接続体(30、30−1〜30−4)が、セグメント化され、複数の接続が前記基体上に置かれた少なくとも1つの光電子機能素子に設けられるようになっており;
    好ましくは前記接続体(30)の前記セグメント(30−1〜30−4)が、前記ガラス層(20)によって、互いに離間しており、および/または互いに電気的に絶縁されている、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  9. 前記接続体(30、30−1〜30−4)が、前記基体(10)を越えて少なくとも部分的に延在して、少なくとも1つの接続タブ(33)を形成しており;ならびに/または
    接続手段(50)用の、好ましくはボンディングワイヤ(50)用の少なくとも1つの取付領域が、前記基体(10)および/もしくは前記接続体(30、30−1〜30−4)において設けられている、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  10. 前記第1くぼみ(11)が、少なくとも1つの光電子機能素子(40)が位置することができる前記第1くぼみ(11)の底部から開始して前記第1くぼみ(11)の上側に向かって好ましくは連続的に増大する直径を有し;および/または
    前記伝達区域(31)が、前記伝達区域(31)の下側から開始して前記伝達区域(31)の上側に向かって好ましくは連続的に増大する直径を有する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  11. 前記基体(10)における前記第1くぼみ(11)の内面および/または前記接続体(30、30−1〜30−4)における前記伝達区域(31)の内面が、反射特性を少なくとも部分的に有し、前記基体(10)の前記上面(10a)における前記第1くぼみ(11)および/または前記接続体(30、30−1〜30−4)における前記伝達区域(31)が、光電子機能素子(40)によって放出されおよび/または受け取られる放射線用の反射体を形成する、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  12. 少なくとも1つの、好ましくは透明の端部素子(60)、特に光学要素(60)が、前記基体(10)の前記上面(10a)および/もしくは前記接続体(30、30−1〜30−4)の上面(30a)に設けられ;ならびに/または
    端部素子(60)、特に光学要素(60)を収容するための少なくとも1つの領域(34)が、前記基体(10)の前記上面(10a)および/または前記接続体(30、30−1〜30−4)の前記上面(30a)において画定され;ならびに/または
    絶縁体(15)が、少なくともハウジング(100)の下面に設けられ;ならびに/または
    スリーブ(16)が、前記基体(10)の側面側に設置され、前記基体(10)の周面付近に少なくとも部分的に延在している、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のハウジング(100)。
  13. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載のハウジング(100)と、前記ハウジング(100)に配置されている少なくとも1つの放射線放出および/または放射線受け取り光電子機能素子(40)、特にLED(40)とを含む光電子要素。
  14. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の少なくとも1つのハウジング(100)、または請求項13に記載の少なくとも1つの光電子要素を含む照明装置。
  15. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の複数のハウジング(100)を含むアレイ。
  16. 特にLED(40)用の、好ましくは請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電子機能素子ハウジング(100)を作製するための方法であって:
    −少なくとも1つの光電子機能素子(40)用のヒートシンクを形成するように、少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の取付領域(14)を少なくとも部分的に画定する上面(10a)を有する少なくとも1つの金属製の基体(10)を設けることと;
    −少なくとも1つの光電子機能素子(40)用であり、且つ、凹部またはホール(31)を有する少なくとも1つの金属製の接続体(30、30−1〜30−4)と、該接続体(30、30−1〜30−4)を前記基体(10)に接合するための前記基体(10)と前記接続体(30、30−1〜30−4)との間の少なくとも1つのガラスとを設けることと;
    前記接続体(30、30−1〜30−4)が有する前記凹部またはホール(31)が、前記取付領域(14)にわたって延在し、且つ、伝達区域(31)を形成するように、前記基体(10)、前記接続体(30、30−1〜30−4)、および前記ガラスを組み合わせることと;
    −接着する粘度を有するおよび/または該粘度に達するまで前記ガラスを加熱して、前記基体(10)および前記接続体(30、30−1〜30−4)から複合構造体が形成できるようにすることと;
    −前記ガラスを冷却して、前記冷却されたガラスから形成される少なくとも1つのガラス層(20)を介して前記基体(10)および前記接続体(30、30−1〜30−4)が材料接着を形成するようにすることと
    を含み
    −前記基体(10)の側面(13、13−1、13−2)と前記接続体(30、30−1〜30−4)との間に前記ガラスを少なくとも部分的に与えることによって、前記接続体(30、30−1〜30−4)が前記基体(10)の前記側面(13、13−1、13−2)に取り付けられ;および/または
    −少なくとも1つの第1くぼみ(11)が、少なくとも前記基体(10)の前記上面(10a)に設けられて、前記くぼみが少なくとも1つの光電子機能素子(40)用の前記取付領域(14)を与える底部を有している、方法。
  17. 金属製の基体(10)が用いられ、前記基体が、前記ガラスによって前記接続体(30)から電気的に絶縁されている、請求項16に記載の方法。
JP2013557001A 2011-03-07 2012-03-05 高出力発光ダイオード用のハウジング Expired - Fee Related JP5784154B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011013277.5 2011-03-07
DE102011013277A DE102011013277A1 (de) 2011-03-07 2011-03-07 Gehäuse für Hochleistungsleuchtdioden - "2-Lagen-System"
PCT/EP2012/000974 WO2012119749A1 (de) 2011-03-07 2012-03-05 Gehäuse für hochleistungsleuchtdioden

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014508419A JP2014508419A (ja) 2014-04-03
JP5784154B2 true JP5784154B2 (ja) 2015-09-24

Family

ID=45929485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013557001A Expired - Fee Related JP5784154B2 (ja) 2011-03-07 2012-03-05 高出力発光ダイオード用のハウジング

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140034972A1 (ja)
EP (1) EP2684223B1 (ja)
JP (1) JP5784154B2 (ja)
CN (1) CN103430336B (ja)
DE (1) DE102011013277A1 (ja)
WO (1) WO2012119749A1 (ja)

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3190952A (en) * 1963-02-21 1965-06-22 Bitko Sheldon Welded hermetic seal
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
JP2002223007A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源ユニット及びこれを用いた半導体発光照明装置
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7429757B2 (en) * 2002-06-19 2008-09-30 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness
DE102004051379A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung
JP4254669B2 (ja) * 2004-09-07 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
TWM268733U (en) * 2004-09-10 2005-06-21 Sen Tech Co Ltd LED packaging structure containing fluorescent plate
KR100631901B1 (ko) * 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지
US7425083B2 (en) * 2005-05-02 2008-09-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device package
JP2007305785A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US7791208B2 (en) * 2007-09-27 2010-09-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor arrangement
US8354688B2 (en) * 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
JPWO2009130743A1 (ja) * 2008-04-25 2011-08-04 パナソニック株式会社 光素子用パッケージ、半導体発光装置および照明装置
DE102008021435A1 (de) * 2008-04-29 2009-11-19 Schott Ag Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
KR101157530B1 (ko) * 2009-12-16 2012-06-22 인탑스엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN103430336A (zh) 2013-12-04
EP2684223A1 (de) 2014-01-15
CN103430336B (zh) 2017-02-15
DE102011013277A1 (de) 2012-09-13
WO2012119749A1 (de) 2012-09-13
JP2014508419A (ja) 2014-04-03
EP2684223B1 (de) 2020-01-22
US20140034972A1 (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105090782B (zh) Led灯丝以及灯丝型led灯泡
KR101114305B1 (ko) 발광 장치 및 조명 장치
JP6203884B2 (ja) ハウジング
CN100423304C (zh) 半导体发光元件的封装和半导体发光器件
US8124998B2 (en) Light emitting device package
JP3872490B2 (ja) 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置
JP5763742B2 (ja) 高出力led用のハウジング
US9166133B2 (en) Substrate for LED, LED module, and LED bulb
TW200950153A (en) Optoelectronic device submount
KR20060018748A (ko) 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
CN112151658A (zh) 一种围坝、安装座、发光二极管及其透镜的安装方法
CN212907789U (zh) 一种围坝、安装座、发光二极管
CN105518883B (zh) 发光装置用基板、发光装置、以及发光装置用基板的制造方法
KR101329194B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
KR101363980B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
JP5784154B2 (ja) 高出力発光ダイオード用のハウジング
CN103822143A (zh) 硅基led路灯光源模块
CN204179108U (zh) 发光装置以及灯
JP2007329370A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
CN102468406A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
JP4797621B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN203836739U (zh) 硅基led路灯光源模块
JP2007329369A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
CN204554734U (zh) 发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141021

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150313

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150623

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5784154

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees