JP2005302091A - 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005302091A JP2005302091A JP2004113440A JP2004113440A JP2005302091A JP 2005302091 A JP2005302091 A JP 2005302091A JP 2004113440 A JP2004113440 A JP 2004113440A JP 2004113440 A JP2004113440 A JP 2004113440A JP 2005302091 A JP2005302091 A JP 2005302091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage element
- signal
- state
- information
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】電気的プログラム可能な不可逆性の記憶素子21−0〜21−nを備えた半導体集積回路装置である。テスト時に、通常の使用時よりマージンが小さくなるように回路設定値を切り変えて記憶情報を読み出すことにより、プログラム不良ビット、マージナルな特性のビットを検出し、再プログラムを行って救済、または特性を改善することにより、高歩留まり、高信頼性を実現する。
【選択図】 図1
Description
上記電気ヒューズの構成例としては、意図的に電流密度が高くなるようにしたポリシリコンあるいはメタルからなる配線に大きな電流を流して抵抗値を変化させるPoly(またはMetal)電気ヒューズ、集積回路を構成する素子の絶縁膜破壊を利用したアンチヒューズ等がある。破壊する絶縁膜としてMOSトランジスタのゲート酸化膜を使用するゲート酸化膜破壊型アンチヒューズは、特別な追加プロセスを必要としない為、広くCMOS製品に適用することが可能である(例えば特許文献1及び特許文献2参照)。
一般に、電気ヒューズは、大きな電流または電圧ストレスにより、短時間にヒューズ素子の状態を変化させるもの、すなわち電気的ストレスによる物理的あるいは組成的な構造の破壊でプログラムする機構である。
この発明の実施の形態では、プログラムされた電気ヒューズに対応するデータを“1”、未プログラムの電気ヒューズに対応するデータを“0”としたときに、電気ヒューズを用いたOTPメモリにおけるプログラム後のベリファイにおいて、電気ヒューズのデータを読み出すベリファイセンス(Verify Sense)時に、通常の読み出し動作(Normal Sense)時より、“1”データのセンスマージンを厳しくすることにより、マージナルな特性のビットも不良ビットとして検出可能にしている。
Claims (5)
- 電気的に素子特性を不可逆的に変化させることによって情報がプログラムされる記憶素子と、
不可逆的に変化させた前記記憶素子の状態を、変化していない状態と区別して検知するように構成された状態検知回路と、
前記状態検知回路の検知能力を変化させるように構成された制御回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記記憶素子にプログラムした情報と、前記状態検知回路により前記記憶素子から読み出した情報とを比較し、一致、不一致の比較結果を出力するように構成された比較回路と、前記比較結果が不一致であったビットを不良ビットとして個別に特定するように構成された不良検知回路とを更に具備し、
前記不良検知回路で特定した不良ビットの情報に基づいて、前記記憶素子に対して再度プログラムを実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記状態検知回路は、前記記憶素子の抵抗値を対応するレベルの電圧に変換し、その電圧を参照電圧と比較することにより、前記記憶素子の状態を検出することを特徴とする請求項1及び2のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、前記参照電圧を変化、または前記記憶素子を流れる電流により容量を充電もしくは放電する時間を変化させることにより、前記状態検知回路の検知能力を変化させることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 通常の読み出し動作時に、不可逆的に変化させた記憶素子の状態を、変化していない状態と区別して検知することにより、前記記憶素子から情報が読み出される半導体集積回路装置のプログラム方法において、
電気的に素子特性を不可逆的に変化させることによって記憶素子に情報をプログラムするステップと、
不可逆的に変化させた前記記憶素子の状態を、前記通常の読み出し動作時の検知能力よりも検知能力を低くして、変化していない状態と区別して検知することにより、前記記憶素子から情報を読み出すステップと、
前記記憶素子にプログラムした情報と、前記記憶素子から読み出した情報とを比較し、一致、不一致の比較結果を出力するステップと、
前記比較結果が不一致であったビットを不良ビットとして個別に特定するステップと、
前記特定した不良ビットの情報に基づいて、前記記憶素子に対して再度プログラムを実行するステップと
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置のプログラム方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004113440A JP4282529B2 (ja) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
US10/898,249 US7046569B2 (en) | 2004-04-07 | 2004-07-26 | Semiconductor integrated circuit device including OTP memory, and method of programming OTP memory |
TW094107989A TWI291177B (en) | 2004-04-07 | 2005-03-16 | Semiconductor integrated circuit device with OTP memory and programming method for OTP memory |
CNB2005100650532A CN100524525C (zh) | 2004-04-07 | 2005-04-05 | 具有otp存储器的半导体集成电路器件及其编程方法 |
KR1020050028373A KR100686273B1 (ko) | 2004-04-07 | 2005-04-06 | 반도체 집적 회로 장치 및 그 프로그램 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004113440A JP4282529B2 (ja) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005302091A true JP2005302091A (ja) | 2005-10-27 |
JP2005302091A5 JP2005302091A5 (ja) | 2005-12-08 |
JP4282529B2 JP4282529B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=35060380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004113440A Expired - Fee Related JP4282529B2 (ja) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7046569B2 (ja) |
JP (1) | JP4282529B2 (ja) |
KR (1) | KR100686273B1 (ja) |
CN (1) | CN100524525C (ja) |
TW (1) | TWI291177B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008052789A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008065963A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008204519A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2009087453A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報記憶回路 |
US7599206B2 (en) | 2007-02-15 | 2009-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
JP2010027104A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Fujitsu Microelectronics Ltd | ヒューズ素子読み出し回路 |
JP2010146636A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びメモリシステム |
JP2012522328A (ja) * | 2009-12-16 | 2012-09-20 | インテル コーポレイション | アンチヒューズ型プログラマブルメモリアレイ |
US9165673B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device including sensing verification unit |
US11386971B2 (en) | 2020-03-23 | 2022-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800932B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
JP4282529B2 (ja) | 2004-04-07 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
GB0419465D0 (en) * | 2004-09-02 | 2004-10-06 | Cavendish Kinetics Ltd | Method and apparatus for programming and reading codes |
EP1640844A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-29 | STMicroelectronics Limited | Secure OTP using external memory |
US7263027B2 (en) * | 2004-10-14 | 2007-08-28 | Broadcom Corporation | Integrated circuit chip having non-volatile on-chip memories for providing programmable functions and features |
JP4302049B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2009-07-22 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006236511A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
US7411810B2 (en) | 2005-12-11 | 2008-08-12 | Juhan Kim | One-time programmable memory |
WO2008016419A2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sandisk 3D Llc | Mixed-use memory array and method for use therewith |
US7450414B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-11-11 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array |
US7486537B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-02-03 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array with different data states |
US20080025069A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Scheuerlein Roy E | Mixed-use memory array with different data states |
CA2645774C (en) * | 2006-12-22 | 2010-01-12 | Sidense Corp. | A power up detection system for a memory device |
US20080211060A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Kuang-Yeh Chang | Anti-fuse which will not generate a non-linear current after being blown and otp memory cell utilizing the anti-fuse |
US7778074B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-08-17 | Sigmatel, Inc. | System and method to control one time programmable memory |
US7564707B2 (en) * | 2007-08-22 | 2009-07-21 | Zerog Wireless, Inc. | One-time programmable non-volatile memory |
JP2010165397A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2010165442A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US9123429B2 (en) | 2009-07-27 | 2015-09-01 | Sidense Corp. | Redundancy system for non-volatile memory |
US8369166B2 (en) | 2009-07-27 | 2013-02-05 | Sidense Corp. | Redundancy system for non-volatile memory |
KR101061313B1 (ko) * | 2010-01-28 | 2011-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 보안 제어장치를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US8530283B2 (en) | 2011-09-14 | 2013-09-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Process for forming an electronic device including a nonvolatile memory structure having an antifuse component |
US8741697B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-06-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a nonvolatile memory structure having an antifuse component and a process of forming the same |
US8724364B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-05-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a nonvolatile memory structure having an antifuse component and a process of using the same |
KR20130119196A (ko) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US8964444B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | One-time programmable memory, integrated circuit including same, and method therefor |
US9218509B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-12-22 | Everspin Technologies, Inc. | Response to tamper detection in a memory device |
WO2014124271A1 (en) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Everspin Technologies, Inc. | Tamper detection and response in a memory device |
US10127998B2 (en) * | 2013-09-26 | 2018-11-13 | Nxp Usa, Inc. | Memory having one time programmable (OTP) elements and a method of programming the memory |
CA2941639C (en) * | 2014-01-23 | 2018-11-27 | Sidense Corp. | Redundancy system for non-volatile memory |
US9336872B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-05-10 | Everspin Technologies, Inc. | Nonvolatile logic and security circuits |
US9496270B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-11-15 | Qualcomm Incorporated | High density single-transistor antifuse memory cell |
US9786383B2 (en) | 2015-02-25 | 2017-10-10 | Ememory Technology Inc. | One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof |
US9627088B2 (en) | 2015-02-25 | 2017-04-18 | Ememory Technology Inc. | One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof |
KR20170016108A (ko) | 2015-08-03 | 2017-02-13 | 삼성전자주식회사 | 오티피 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 포함하는 반도체 집적 회로의 테스트 방법 |
US10181357B2 (en) * | 2015-08-18 | 2019-01-15 | Ememory Technology Inc. | Code generating apparatus and one time programming block |
KR20180067846A (ko) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그의 동작 방법 |
CN111192619A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-22 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种基于栅氧击穿型反熔丝存储阵列的编程系统及方法 |
JP7234178B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2023-03-07 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
US11699496B2 (en) * | 2021-07-08 | 2023-07-11 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Anti-fuse memory circuit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6246496A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Sony Corp | 固定記憶装置の書き込み方法 |
JPS6488998A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory |
JPH06187791A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002074980A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002208296A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-07-26 | Texas Instruments Inc | 低電源電圧でcmosプロセスと両立するフューズの状態を検出する差動電圧検出回路 |
WO2003096353A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Semtech Corporation | Method and apparatus for improving the reliability of the reading of integrated circuit fuses |
JP2004087002A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Acセンス方式のメモリ回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100267492B1 (ko) | 1998-06-11 | 2000-11-01 | 김영환 | 여분 셀의 프로그래밍을 위한 엔티퓨즈를 가지는 리페어 회로및 그 제조 방법 |
US6522582B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-02-18 | Xilinx, Inc. | Non-volatile memory array using gate breakdown structures |
US6243294B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-06-05 | Xilinx, Inc. | Memory architecture for non-volatile storage using gate breakdown structure in standard sub 0.35 micron process |
JP2003168734A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその制御方法、その製造方法 |
US6693819B2 (en) * | 2002-01-08 | 2004-02-17 | Broadcom Corporation | High voltage switch circuitry |
US7211843B2 (en) * | 2002-04-04 | 2007-05-01 | Broadcom Corporation | System and method for programming a memory cell |
US6735108B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | ROM embedded DRAM with anti-fuse programming |
US6775189B2 (en) * | 2002-12-25 | 2004-08-10 | Ememory Technology Inc. | Option fuse circuit using standard CMOS manufacturing process |
US6944083B2 (en) * | 2003-11-17 | 2005-09-13 | Sony Corporation | Method for detecting and preventing tampering with one-time programmable digital devices |
JP4282529B2 (ja) | 2004-04-07 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
-
2004
- 2004-04-07 JP JP2004113440A patent/JP4282529B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 US US10/898,249 patent/US7046569B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-16 TW TW094107989A patent/TWI291177B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-05 CN CNB2005100650532A patent/CN100524525C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-06 KR KR1020050028373A patent/KR100686273B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6246496A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Sony Corp | 固定記憶装置の書き込み方法 |
JPS6488998A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory |
JPH06187791A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002074980A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002208296A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-07-26 | Texas Instruments Inc | 低電源電圧でcmosプロセスと両立するフューズの状態を検出する差動電圧検出回路 |
WO2003096353A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Semtech Corporation | Method and apparatus for improving the reliability of the reading of integrated circuit fuses |
JP2004087002A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Acセンス方式のメモリ回路 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008052789A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008065963A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7599206B2 (en) | 2007-02-15 | 2009-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
JP2008204519A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2009087453A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報記憶回路 |
JP2010027104A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Fujitsu Microelectronics Ltd | ヒューズ素子読み出し回路 |
JP2010146636A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びメモリシステム |
US8395923B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-03-12 | Intel Corporation | Antifuse programmable memory array |
JP2012522328A (ja) * | 2009-12-16 | 2012-09-20 | インテル コーポレイション | アンチヒューズ型プログラマブルメモリアレイ |
US9165673B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device including sensing verification unit |
US11386971B2 (en) | 2020-03-23 | 2022-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7046569B2 (en) | 2006-05-16 |
US20050226078A1 (en) | 2005-10-13 |
JP4282529B2 (ja) | 2009-06-24 |
TWI291177B (en) | 2007-12-11 |
KR100686273B1 (ko) | 2007-02-26 |
CN100524525C (zh) | 2009-08-05 |
TW200603167A (en) | 2006-01-16 |
KR20060045511A (ko) | 2006-05-17 |
CN1681045A (zh) | 2005-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4282529B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 | |
KR100591026B1 (ko) | 퓨즈 검출 회로를 갖는 집적 회로 메모리 | |
TW506135B (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US7313038B2 (en) | Nonvolatile memory including a verify circuit | |
US8305822B2 (en) | Fuse circuit and semiconductor memory device including the same | |
JP2006236511A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP5571303B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7924646B2 (en) | Fuse monitoring circuit for semiconductor memory device | |
US20100295605A1 (en) | Fuse circuit of semiconductor device and method for monitoring fuse state thereof | |
CN100547686C (zh) | 闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法 | |
US7760564B2 (en) | Non-volatile memory structure | |
JP2007273772A (ja) | 半導体装置 | |
US7672186B2 (en) | Antifuse replacement determination circuit and method of semiconductor memory device | |
US20080062738A1 (en) | Storage element and method for operating a storage element | |
US9281082B1 (en) | Semiconductor memory device including redundancy circuit and fuse circuit | |
US20060152991A1 (en) | Non-volatile memory storage of fuse information | |
KR102509586B1 (ko) | 바이어스 전류 생성회로 및 이를 이용한 오티피 메모리 소자 읽기 방법 | |
JP2004259320A (ja) | オプションフューズ回路 | |
KR100543192B1 (ko) | 프로그래머블 퓨즈 회로 및 그를 구비한 반도체메모리장치 | |
JP2007172821A (ja) | ヒューズメモリ素子を備えたメモリデバイス | |
US20100226193A1 (en) | Semiconductor memory device | |
TWI281671B (en) | An option fuse circuit using standard CMOS manufacturing process | |
JP3734075B2 (ja) | 複合メモリ | |
TW591794B (en) | Pure CMOS latch-type fuse circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050922 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090317 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |