JP2005251903A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p不純物領域3で区分された高電位島領域201内のn-半導体層2にはn+不純物領域52が形成されており、n+不純物領域52とp不純物領域3との間のn-半導体層2の上方には第1フィールドプレート55a〜55eと複数の第2フィールドプレートとが多重に形成されている。上層の第2フィールドプレートは下層の第1フィールドプレート間の間隙の上方に位置しており、その上には配線30が通っている。第2フィールドプレートのうちp不純物領域3に最も近い第2フィールドプレートは配線30の下方において切断箇所を有しており、当該切断箇所の下方における第1フィールドプレート間の間隙にはそれらと離れて電極56が形成されている。
【選択図】図2
Description
図1は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態1に係る半導体装置は、RESURF効果を利用して高耐圧を実現しているHVICであって、図1に示されるように、低電位ロジック回路100と、高電位ロジック回路101と、nチャネル形のMOSトランジスタ102と、抵抗103とを備えている。
第1フィールドプレート55a〜55eのうちp不純物領域3に最も近い第1フィールドプレート55aと、その隣りに位置する第1フィールドプレート55bとの間の間隙には周囲から絶縁された電極56が配置されている。電極56は、分離絶縁膜17上に第1フィールドプレート55a,55bと離れて設けられており、平面視上で高電位ロジック回路101を取り囲んでいる。
図12は本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構造を模式的に示す平面図であって、図13〜15は図12中の矢視D−D〜F−Fにおける断面図をそれぞれ示している。本実施の形態2に係る半導体装置は、上述の実施の形態1に係る半導体装置において、電極16をMOSトランジスタ102のゲート電極15aに電気的に接続したものである。
図16は本発明の実施の形態3に係る半導体装置の構成を示すブロック図である。上述の実施の形態1に係る半導体装置は、低電位の信号を高電位にシフトするレベルシフト回路を備えていたが、本実施の形態3に係る半導体装置は、高電位の信号を低電位にシフトするレベルシフト回路を備えている。
図25は本発明の実施の形態4に係る半導体装置の構造を示す平面図である。また、図26(a),26(b)は図25中の矢視J−J〜K−Kにおける断面図をそれぞれ示しており、図26(a)は配線30が形成されていない部分の断面図であり、図26(b)は配線30が形成されている部分の断面図である。本実施の形態4に係る半導体装置は、実施の形態1に係る半導体装置において、電極16,56を設けずに、第1フィールドプレート15b〜15e,55b〜55e及び第2フィールドプレート20b〜20d,60b〜60dの形状を変形することによって高耐圧化を実現したものである。
図32,33は本発明の実施の形態5に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態5に係る半導体装置は、上述の実施の形態4に係る半導体装置において、第1フィールドプレート15b〜15e,55b〜55e及び第2フィールドプレート20b〜20d,60b〜60dでの配線30の下方に位置する部分の端部のシフト量を変化させたものである。
図36は本発明の実施の形態6に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態6に係る半導体装置は、上述の実施の形態1に係る半導体装置において、電極16,56を形成せずに、エピタキシャル層であるn-半導体層2の上面内にn拡散領域70を設けたものである。なお、図36は図2中の矢視A−Aに相当する位置での断面図である。
図43は本発明の実施の形態7に係る半導体装置の構造を示す平面図である。本実施の形態7に係る半導体装置は、上述の実施の形態6に係る半導体装置において、配線30の下方では、n-半導体層2がn拡散領域70から露出するものである。図43は、高電位島領域201内のn-半導体層2と、nMOS領域202内のn-半導体層2との境界付近を拡大して示しており、説明の便宜上、配線30を除く、n-半導体層2よりも上方の構造の記載を省略し、更にp+不純物領域13及びソース領域14の記載を省略している。なお、後述する図44,45についても同様である。
図44は本発明の実施の形態8に係る半導体装置の構造を示す平面図である。本実施の形態8に係る半導体装置は、上述の実施の形態7に係る半導体装置において、n-半導体層2の露出部分2a,2bの形状を変化させたものである。
図45は本発明の実施の形態9に係る半導体装置の構造を示す平面図である。本実施の形態9に係る半導体装置は、上述の実施の形態7に係る半導体装置において、n-半導体層2の露出部分2a,2bを複数に分割したものである。
図46は本発明の実施の形態10に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態10に係る半導体装置は、上述の実施の形態9に係る半導体装置において、基本的には、露出部分2aの複数の分割部分2aaをそれぞれ第1フィールドプレート55a〜55e間の間隙の下方に配置し、更に露出部分2bの複数の分割部分2bbをそれぞれ第1フィールドプレート15a〜15e間の間隙の下方に配置したものである。なお図46は、図2中の矢視A−Aに相当する位置での断面図である。
Claims (25)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた半導体素子と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられたMOSトランジスタと
を備え、
前記MOSトランジスタは、
前記所定領域内の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域に電気的に接続されたドレイン電極と
を含み、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記ドレイン電極と前記半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記複数の第1フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第1フィールドプレートは、前記MOSトランジスタのゲート電極であって、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記複数の第1フィールドプレート間の間隙のうち前記切断箇所の下方に位置する間隙には、前記複数の第1フィールドプレートと離れて電極が設けられている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートと前記ゲート電極とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜を貫通して設けられた第1コンタクトプラグと、
前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートと前記電極とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜を貫通して設けられた第2コンタクトプラグと
を更に備える、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられた第1半導体素子と、
前記所定領域内であって、前記第1半導体素子と前記第1不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた第2半導体素子と、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とを電気的に接続する配線と
を備え、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記複数の第1フィールドプレート間の間隙のうち前記切断箇所の下方に位置する間隙には、前記複数の第1フィールドプレートと離れて電極が設けられている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面内に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられた前記第1導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた半導体素子と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられたMOSトランジスタと
を備え、
前記MOSトランジスタは、
前記所定領域内であって、前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた前記第1導電型の第3不純物領域と、
前記第3不純物領域に電気的に接続されたドレイン電極と
を含み、
前記第1不純物領域と前記第3不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第3不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第3不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記ドレイン電極と前記半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記複数の第1フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第1フィールドプレートは、前記MOSトランジスタのゲート電極であって、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記複数の第1フィールドプレート間の間隙のうち前記切断箇所の下方に位置する間隙には、前記複数の第1フィールドプレートと離れて電極が設けられている、半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートと前記ゲート電極とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜を貫通して設けられた第1コンタクトプラグと、
前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートと前記電極とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜を貫通して設けられた第2コンタクトプラグと
を更に備える、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられた第1半導体素子と、
前記所定領域内であって、前記第1半導体素子と前記第1不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた第2半導体素子と、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とを電気的に接続する配線と
を備え、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記第2不純物領域に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記複数の第1フィールドプレート間の間隙のうち前記切断箇所の下方に位置する間隙には、前記複数の第1フィールドプレートと離れて電極が設けられている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた半導体素子と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられたMOSトランジスタと
を備え、
前記MOSトランジスタは、
前記所定領域内の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域に電気的に接続されたドレイン電極と
を含み、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記ドレイン電極と前記半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記複数の第1フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第1フィールドプレートは、前記MOSトランジスタのゲート電極であって、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記ゲート電極及びそれに最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートのうち、少なくとも前記ゲート電極の隣りに位置する第1フィールドプレートでは、前記配線の下方に位置する部分の少なくとも前記ゲート電極側の端部が、それ以外に位置する部分の当該端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている、半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置であって、
前記ゲート電極を除く前記複数の第1フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている複数の第3フィールドプレートを含み、
前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第2フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている複数の第4フィールドプレートを含む、半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置であって、
前記複数の第3フィールドプレート及び前記複数の第4フィールドプレートにおいては、前記配線の下方に位置する部分の端部のシフト量は、前記ゲート電極に近づくほど大きくなっている半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられた第1半導体素子と、
前記所定領域内であって、前記第1半導体素子と前記第1不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた第2半導体素子と、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とを電気的に接続する配線と
を備え、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記第1不純物領域に最も近い第1及び第2フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートのうち、少なくとも前記第1不純物領域に2番目に近い第1フィールドプレートでは、前記配線の下方に位置する部分の少なくとも前記第1不純物領域側の端部が、それ以外に位置する部分の当該端部よりも前記第1不純物領域側にシフトしている、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置であって、
前記第1不純物領域に最も近い第1フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記第1不純物領域側にシフトしている複数の第3フィールドプレートを含み、
前記第1不純物領域に最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第2フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記第1不純物領域側にシフトしている複数の第4フィールドプレートを含む、半導体装置。 - 請求項11に記載の半導体装置であって、
前記複数の第3フィールドプレート及び前記複数の第4フィールドプレートにおいては、前記配線の下方に位置する部分の端部のシフト量は前記第1不純物領域に近づくほど大きくなっている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面内に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられた前記第1導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた半導体素子と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられたMOSトランジスタと
を備え、
前記MOSトランジスタは、
前記所定領域内であって、前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた前記第1導電型の第3不純物領域と、
前記第3不純物領域に電気的に接続されたドレイン電極と
を含み、
前記第1不純物領域と前記第3不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第3不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第3不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記ドレイン電極と前記半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記複数の第1フィールドプレートのうち前記第1不純物領域に最も近い第1フィールドプレートは、前記MOSトランジスタのゲート電極であって、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記ゲート電極及びそれに最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートのうち、少なくとも前記ゲート電極の隣りに位置する第1フィールドプレートでは、前記配線の下方に位置する部分の少なくとも前記ゲート電極側の端部が、それ以外に位置する部分の当該端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている、半導体装置。 - 請求項13に記載の半導体装置であって、
前記ゲート電極を除く前記複数の第1フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている複数の第3フィールドプレートを含み、
前記ゲート電極に最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第2フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記ゲート電極側にシフトしている複数の第4フィールドプレートを含む、半導体装置。 - 請求項14に記載の半導体装置であって、
前記複数の第3フィールドプレート及び前記複数の第4フィールドプレートにおいては、前記配線の下方に位置する部分の端部のシフト量は前記ゲート電極に近づくほど大きくなっている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記半導体層内部に設けられ、前記半導体層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられた第1半導体素子と、
前記所定領域内であって、前記第1半導体素子と前記第1不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記所定領域外の前記半導体層に設けられた第2半導体素子と、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第1フィールドプレートと、
前記複数の第1フィールドプレートを覆って前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数の第2フィールドプレートと、
前記複数の第2フィールドプレートを覆って前記第2絶縁膜上に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に設けられ、前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートの上方を通って、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とを電気的に接続する配線と
を備え、
前記複数の第2フィールドプレートは、それぞれ前記複数の第1フィールドプレート間の間隙の上方に設けられており、
前記複数の第2フィールドプレートのうち前記第2不純物領域に最も近い第2フィールドプレートは、前記配線の下方において切断箇所を有し、
前記第2不純物領域に最も近い第1及び第2フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレート及び前記複数の第2フィールドプレートのうち、少なくとも前記第2不純物領域に2番目に近い第1フィールドプレートでは、前記配線の下方に位置する部分の少なくとも前記第2不純物領域側の端部が、それ以外に位置する部分の当該端部よりも前記第2不純物領域側にシフトしている、半導体装置。 - 請求項16に記載の半導体装置であって、
前記第2不純物領域に最も近い第1フィールドプレートを除く前記複数の第1フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記第2不純物領域側にシフトしている複数の第3フィールドプレートを含み、
前記第2不純物領域に最も近い第2フィールドプレートを除く前記複数の第2フィールドプレートは、前記配線の下方に位置する部分の両端部が、それ以外に位置する部分の両端部よりも前記第2不純物領域側にシフトしている複数の第4フィールドプレートを含む、半導体装置。 - 請求項17に記載の半導体装置であって、
前記複数の第3フィールドプレート及び前記複数の第4フィールドプレートにおいては、前記配線の下方に位置する部分の端部のシフト量は前記第2不純物領域に近づくほど大きくなっている、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記エピタキシャル層内部に設けられ、前記エピタキシャル層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記エピタキシャル層に設けられたMOSトランジスタと
を備え、
前記MOSトランジスタは、
前記所定領域内の前記エピタキシャル層の上面内に設けられた、前記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域に電気的に接続されたドレイン電極と
を含み、
前記エピタキシャル層のうち少なくとも前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記エピタキシャル層の上面内に設けられた、前記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の拡散領域を更に備える、半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第2導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の上面から前記半導体基板との界面にかけて前記エピタキシャル層内部に設けられ、前記エピタキシャル層に所定領域を区分する前記第1導電型の第1不純物領域と、
前記所定領域内の前記半導体層に設けられた第1半導体素子と、
前記所定領域内であって、前記第1半導体素子と前記第1不純物領域との間の前記半導体層の上面内に設けられた、前記半導体層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の第2不純物領域と、
前記エピタキシャル層のうち少なくとも前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記エピタキシャル層の上面内に設けられた、前記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い前記第2導電型の拡散領域を更に備える、半導体装置。 - 請求項19に記載の半導体装置であって、
前記所定領域外の前記エピタキシャル層に設けられた半導体素子と、
前記第1不純物領域の上方を通って、前記ドレイン電極と前記半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記エピタキシャル層は、前記配線の下方において前記拡散領域からの露出部分を備える、半導体装置。 - 請求項20に記載の半導体装置であって、
前記所定領域外の前記エピタキシャル層に設けられた第2半導体素子と、
前記第1不純物領域の上方を通って、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子とを電気的に接続する配線と
を更に備え、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記エピタキシャル層は、前記配線の下方において前記拡散領域からの露出部分を備える、半導体装置。 - 請求項21及び請求項22のいずれか一つに記載の半導体装置であって、
前記露出部分では、平面視上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域に向かう方向に垂直な方向の幅が前記第2不純物領域に向かうにつれて狭くなる、半導体装置。 - 請求項21及び請求項22のいずれか一つに記載の半導体装置であって、
前記露出部分は、前記配線の下方において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域に向かう方向に沿って並べられた複数の分割部分を含み、
前記複数の分割部分では、平面視上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域に向かう方向に沿った幅が前記第2不純物領域に向かうにつれて狭くなる、半導体装置。 - 請求項21及び請求項22のいずれか一つに記載の半導体装置であって、
前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域へと向かう方向に沿って互いに離れて設けられた複数のフィールドプレートと
を更に備え、
前記配線は、前記フィールドプレートの上方をも通って設けられ、
前記露出部分は、前記配線の下方において、前記第1不純物領域から前記第2不純物領域に向かう方向に沿って並べられた複数の分割部分を含み、
前記複数の分割部分はそれぞれ前記複数のフィールドプレート間の間隙の下方に配置されている、半導体装置。
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DE102004063523A DE102004063523B4 (de) | 2004-03-03 | 2004-12-30 | Halbleitervorrichtung |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218458A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2011210752A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Nec Corp | 半導体装置、電子装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の動作方法 |
WO2011152253A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および駆動回路 |
JP2014120535A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2016062944A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017208420A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US11063116B2 (en) | 2016-09-13 | 2021-07-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2021103731A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および集積回路 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4906281B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-03-28 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置 |
JP4863665B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2012-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4914589B2 (ja) | 2005-08-26 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置、半導体製造方法および半導体装置 |
US7719076B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-05-18 | United Microelectronics Corp. | High-voltage MOS transistor device |
US20090096039A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-16 | United Microelectronics Corp. | High-voltage device and manufacturing method of top layer in high-voltage device |
JP2011029466A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US9029866B2 (en) * | 2009-08-04 | 2015-05-12 | Gan Systems Inc. | Gallium nitride power devices using island topography |
US9818857B2 (en) | 2009-08-04 | 2017-11-14 | Gan Systems Inc. | Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices |
CA2769940C (en) * | 2009-08-04 | 2016-04-26 | Gan Systems Inc. | Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors |
CN102893392B (zh) | 2010-04-13 | 2015-08-05 | Gan系统公司 | 采用孤岛拓扑结构的高密度氮化镓器件 |
US8629513B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | HV interconnection solution using floating conductors |
DE102011108651B4 (de) * | 2011-07-26 | 2019-10-17 | Austriamicrosystems Ag | Hochvolttransistorbauelement und Herstellungsverfahren |
US9373619B2 (en) * | 2011-08-01 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High voltage resistor with high voltage junction termination |
CN102856356B (zh) * | 2012-09-28 | 2015-09-09 | 中国科学院微电子研究所 | 用于半导体功率器件的终端 |
EP2757580A1 (en) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | Nxp B.V. | Bipolar cmos dmos (bcd) processes |
JP6228428B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-11-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9570437B2 (en) * | 2014-01-09 | 2017-02-14 | Nxp B.V. | Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same |
JP6210913B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN105789051A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-20 | 北大方正集团有限公司 | 一种ldmos晶体管及制作方法 |
CN105070756B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-06-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超高压ldmos器件结构 |
JP6504313B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2019-04-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
JP6996247B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2022-01-17 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2022144785A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168253A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Sharp Corp | 高耐圧mos電界効果半導体装置 |
JPH04229658A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-08-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置 |
JPH05190693A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1012873A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JPH10242454A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2000294763A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2001237423A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高耐圧半導体装置 |
JP2003068872A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高耐圧半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1131801A (en) * | 1978-01-18 | 1982-09-14 | Johannes A. Appels | Semiconductor device |
JPS6364365A (ja) | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US5153697A (en) * | 1989-02-10 | 1992-10-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit that combines multi-epitaxial power transistors with logic/analog devices, and a process to produce same |
JP2605860B2 (ja) | 1989-03-22 | 1997-04-30 | 富士電機株式会社 | 高耐圧素子を含む半導体装置 |
US5455436A (en) * | 1994-05-19 | 1995-10-03 | Industrial Technology Research Institute | Protection circuit against electrostatic discharge using SCR structure |
JP3808116B2 (ja) * | 1995-04-12 | 2006-08-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 高耐圧ic |
JP3547884B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2004-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3917211B2 (ja) | 1996-04-15 | 2007-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3893185B2 (ja) | 1996-05-14 | 2007-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH104143A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
EP0936674B1 (en) * | 1998-02-10 | 2006-04-26 | STMicroelectronics S.r.l. | Integrated circuit comprising a VDMOS transistor protected against overvoltages between source and gate |
JP2000091443A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100374627B1 (ko) * | 2000-08-04 | 2003-03-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 고내압 아이솔레이션 영역을 갖는 고전압 반도체 소자 |
JP4610786B2 (ja) | 2001-02-20 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-03-03 JP JP2004058883A patent/JP4667756B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 2004-12-03 US US11/002,803 patent/US7327007B2/en active Active
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-
2005
- 2005-01-26 CN CNB2005100047850A patent/CN100388493C/zh active Active
- 2005-02-28 KR KR1020050016473A patent/KR100710433B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-28 IT IT000127A patent/ITTO20050127A1/it unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168253A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Sharp Corp | 高耐圧mos電界効果半導体装置 |
JPH04229658A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-08-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置 |
JPH05190693A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1012873A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JPH10242454A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2000294763A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2001237423A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高耐圧半導体装置 |
JP2003068872A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高耐圧半導体装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218458A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US7973382B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-07-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2011210752A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Nec Corp | 半導体装置、電子装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の動作方法 |
WO2011152253A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および駆動回路 |
US8546889B2 (en) | 2010-06-04 | 2013-10-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and driving circuit |
JP5505499B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2014-05-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および駆動回路 |
JP2014120535A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2016062944A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017208420A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US11063116B2 (en) | 2016-09-13 | 2021-07-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2021103731A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および集積回路 |
US11824085B2 (en) | 2019-12-25 | 2023-11-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device comprising a MOSFET having a RESURF region and higher peak impurity concentration diffusion region in the RESURF region |
JP7407590B2 (ja) | 2019-12-25 | 2024-01-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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