JP2005136499A - 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 title claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
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Abstract
【解決手段】基部51と、基部51から平行に延びる複数の振動腕34,35とを有しており、基部51には切り込み部100が設けられており、振動腕34,35の表面部と裏面部には溝部56,57が形成され、振動腕34,35の少なくとも溝部56,57には、駆動用の電極が設けられており、駆動用の電極は、下地層75Aと下地層75Aに形成された電極層75Bを有し、下地層75Aの厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
【選択図】図3
Description
従来の圧電デバイスに収容されている圧電振動片は、基部と、この基部から突出して形成されている一対の振動腕部を有している構造のものが採用されている(特許文献1参照)。
この従来の圧電振動片の振動腕部の表面部と裏面部には、溝部が形成されていると共に、基部には切り込み部が形成されている。
本発明は、以上の課題を解決するためになされたものであり、温度の変化に対する周波数偏差の変化を小さくして、温度特性の優れた圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器を提供することを目的としている。
駆動用電極の下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
第2の発明の構成によれば、下地層はCrであり、電極層はAuである。
これにより、下地層はCrを用いるので、Crは圧電振動片の下地層としては適した膜であり、Cr膜の成膜によって生じる応力の影響で温度特性が向上する。
第3の発明の構成によれば、好ましくは下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.15μmの範囲である。下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また、下地層の厚みtが0.15μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するサイドエッチングが生じ易くなり、エッチング時の下地層のパターニングがシャープにできる実用レベルを超えてしまうおそれがある。
第4の発明の構成によれば、最も好ましくは下地層の厚みtが0.09μm<t<0.11μmの範囲である。下地層の厚みtが0.09μm以下であると、実用の使用温度範囲で、周波数変動がわずかに生じるおそれがある。また、下地層の厚みtが0.11μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するサイドエッチングがやや生じ易くなり、エッチング時の下地層のパターニングがシャープになりにくくなるおそれがある。
駆動用電極の下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
電極形成工程では、外形が形成された後に、振動腕の少なくとも溝部に下地層と電極層を有する駆動用の電極を形成する。
この電極形成工程では、下地層の厚みtが0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
電極形成工程では、外形が形成された後に、振動腕の少なくとも溝部に下地層と電極層を有する駆動用の電極を形成する。
この電極形成工程では、下地層の厚みtが0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
駆動用電極の下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
駆動用電極の下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲である。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
図1及び図2は、本発明の圧電デバイスの実施の形態を示しており、図1はその概略平面図、図2は図1のB−B線概略断面図である。
図1と図2において、圧電デバイス30は、水晶振動子を構成した例を示しており、この圧電デバイス30は、パッケージ36内に圧電振動片32を収容している。パッケージ36は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。複数の各基板は、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間S2を形成するようにされている。
この内部空間S2が圧電振動片を収容するための収容空間である。
すなわち、図2に示されているように、この実施形態では、パッケージ36は、例えば、下から第1の積層基板61、第2の積層基板64、第3の積層基板68を重ねて形成されている。
この電極部31,31は、外部と接続されて、駆動電圧を供給するものである。この各電極部31,31の上に導電性接着剤43,43が塗布され、この導電性接着剤43,43の上に圧電振動片32の基部51が載置されて、導電性接着剤43,43が硬化されるようになっている。なお、導電性接着剤43,43としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、シリコーン系、エポキシ系またはポリイミド系導電性接着剤等を利用することができる。
図3の圧電振動片32は、図1と図2に示すパッケージ36側と固定される基部51と、この基部51を基端として、図において左方に向けて、二股に別れてY方向に沿って平行に延びる一対の振動腕34,35を備えている。この圧電振動片32としては、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。この一対の振動腕34,35は、複数の振動腕の一例である。
これらの各引き出し電極52,53は、上述したように図1に示されているパッケージ側の電極部31,31と導電性接着剤43,43により接続される部分である。そして、各引き出し電極52,53は、図示されているように、各振動腕34,35の溝56,57内に設けた励振電極(駆動用の電極)54,55と電気的に接続されている。
図3に示す圧電振動片32は、例えばほぼ30KHzないしほぼ40KHzで発振する水晶で形成されている。
図3に示す一対の振動腕34,35の長手方向の長さL1は、例えば1.644mmである。基部51のY方向に関する長さL2は、0.56mmである。
基部51は、その両側にそれぞれ切り込み部100,100を有している。この切り込み部100から基部51のもう一方の端部付近までの長さL3は例えば0.113mmである。
図3に示す振動腕34,35の幅Wは、好ましくは50μmないし150μmである。振動腕34,35の幅Wは、例えば0.1mmである。振動腕34,35の厚みDは、例えば0.1mmである。
溝深さGが振動腕34,35の厚みDの好ましくは30%以上ないし50%未満にするのは、振動腕34,35の剛性を少なくするための条件となる。溝深さGが50%以上であると、表面側の溝と裏面側の溝がつながってしまう。
図3における溝56,57が、振動腕35,34にそれぞれ設けられているのは、振動腕35,34の剛性を少なくするためである。
この理由としては、切り込み部100が無い場合には、基部51が図2に示すように電極部31に対して導電性接着剤43を用いてマウントされる部分において、応力が振動腕35,34に影響して振動モード(振動特性)に影響を与えると考えられている。
蓋体39として適するガラス材料としては、例えば、ダウンドロー法により製造される薄板ガラスとして、例えば、硼珪酸ガラスが使用される。
図4は、図3に示す圧電振動片32におけるC−C線における端面構造例である。つまり、図4に示す振動腕34,35の端面は、図3におけるX方向とZ方向で形成される平面にある。
図3に示すように、励振電極54,55は、駆動用電極であるが、励振電極54,55は、少なくとも溝(溝部の一例)56,57に設けられている。
この短絡防止用間隔180の付近には、好ましくはSiO2のような酸化膜を設けることにより、励振電極54,55の短絡を確実に防止することができる。一方の振動腕34では、励振電極54が溝57側に形成されており、励振電極55は側面部側の電極として形成されている。同様にして、他方の振動腕35においては、励振電極55が溝56側に形成されており、励振電極54は側面部側の電極として形成されている。
図4に示す一対の振動腕34,35には矢印を用いて電界を示している。励振電極54,55に対して駆動電圧が加わることにより、矢印で例示するような電界が振動腕34,35に生じる。
図5は、電極層の厚みと下地層の厚みおよび温度特性における2次係数の関係例を示している。
図5を参照すると、下地層であるCrの厚みが厚くなるに従って、電極層(Au層)の厚みにかかわらず、温度2次係数の値が小さくなっていく様子が示されている。つまり、本発明の研究により、図5においてT方向に向かうに従って、すなわち下地層のクロムの厚みが厚くなるに従って、温度特性の2次係数が小さくなっていくことが明らかになった。
図6では、本発明の実施形態と従来の通常の音叉型圧電振動片の例を示している。通常の音叉型圧電振動片は、頂点温度を有する上に凸の2次関数的な温度特性カーブ400を示した。従来の通常の音叉型圧電振動片における下地層であるクロムの厚みt1は300オングストローム≦t1≦700オングストロームである。図6に示す温度特性カーブ400の場合は、クロムの厚みt1が700オングストロームであった。
図5に示すように、たとえば下地層であるクロムの膜厚が例えば900オングストローム(0.09μm)の時の温度2次係数の値は、図5に示すようにクロムの厚みが300オングストロームの場合に比べて半分近くの値になっている。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また下地層の厚みtが0.3μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するエッチング液によるサイドエッチングが激しく生じてしまい、精度の高い電極のパターニングができなくなる。
これにより、下地層の厚みtが上述した範囲にあることで、温度特性曲線の2次係数をかなり小さく抑えて温度特性にはフラットな部分が得られ、温度変化による周波数偏差の変化を小さくすることができる。下地層の厚みtが上述したように大きいので、駆動用の電極を形成することにより、その形成部分に応力が発生し、それが振動特性に影響し温度特性が向上する。
下地層の厚みtが0.07μm以下であると、実用上の使用温度の範囲で、温度の変化に対する周波数偏差の変化が大きくなってしまう。また、下地層の厚みtが0.15μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するサイドエッチングが生じ易くなり、エッチング時の下地層のパターニングがシャープにできる実用レベルを超えてしまうおそれがある。
下地層の厚みtが0.09μm以下であると、実用の使用温度範囲で、周波数変動がわずかに生じるおそれがある。また、下地層の厚みtが0.11μm以上であると、電極パターンをエッチングにより形成する時に、下地層に対するサイドエッチングがやや生じ易くなり、エッチング時の下地層のパターニングがシャープになりにくくなるおそれがある。
このフラットな形状を得るために、励振電極の金属薄膜の厚さ、特に下地層のクロムの厚さを、上述したような範囲に限定するのが望ましい。
AT形の圧電振動片では、励振電極の構造の中で、特に下地層の厚み等の影響が大きいが、本発明の音叉型圧電振動片の場合には、励振電極は極端に言えば無くてもよい程であり、励振電極の下地層の厚みが圧電振動片の温度特性カーブに影響が出ることは、これまで考えていなかったことである。
図3に示す圧電振動片32が発振する周波数は、ほぼ30KHzないし40KHzである。これによって、図6に示す温度特性カーブ500が得られる。
なお、励振電極の電極層であるAu層においても、図5に示すように下地層であるクロム層ほどの効果は示さないが、Au膜が薄い方が温度特性カーブにおける2次係数を小さくする傾向を示している。
また、本発明の圧電振動片では、実際には溝の形成部分(振動モードや特性を決める重要な部分)のAu膜は剥離して、SiO2コーティング(電極間ショートの防止用絶縁物)が施してある。
図7〜図9(k)は外形エッチング工程を示している。図9(l)〜図10(p)は電極形成工程を示している。
図7(a)〜図7(f)を順次参照しながら、圧電振動片32の製造方法の一例を説明し、その次に図11に基づいて圧電デバイス30の製造方法の一例を説明する。
図7(a)に示すように、基板71の表面(表裏面)に、スパッタリングもしくは蒸着等の手法により、耐蝕膜72を形成する。図示されているように、水晶でなる基板71の表裏両面に耐蝕膜72が形成され、耐蝕膜72は、例えば、下地層としてのクロム層と、その上に被覆される金の被覆層で構成される。
なお、以下の工程では、基板71の上下両面に同一の加工が行われるので、煩雑さを避けるため、上面についてだけ説明する。
次いで、図7(b)に示すように、基板71の表裏の耐蝕膜72の全面にレジスト73を塗布する(レジストの塗布工程)。そして、外形パターニングのためにレジスト73を塗布する。レジスト73としては、例えば、ECA系、PGMEA系のポジ型レジストが好適に使用できる。
そして、図7(c)に示すように、外形パターニングのために所定のパターン幅のマスク(図示せず)を配置し、露光後、感光したレジスト73を除去して、除去したレジスト部分に対応して、Au,Crの順に耐蝕膜72も除去する。
次に、図7(d)に示すように、圧電振動片32の外形から外側の部分を露出させて、図7(e)に示すように、全面にレジスト74を塗布する。
そして、図8(g)に示すように、圧電振動片32の外形から外側の部分として露出した基板71に関して、例えば、フッ酸溶液をエッチング液として、圧電振動片の外形のエッチングを行う(エッチング工程)。このエッチング工程は、2時間ないし3時間で、フッ酸溶液の濃度や種類、温度等により変化する。この実施形態では、エッチング液として、フッ酸、フッ化アンモニウムを用いて、その濃度として容量比1:1、温度65度±1度(摂氏)の条件により、2時間半程度でエッチング工程が完了する。
次に図8(h)に示すように、振動腕の溝部の耐蝕膜72を除去する。
耐蝕膜72を除去して露出した基板71について、さらに、図8(i)に示すように、フッ酸溶液等を用いて、振動腕の溝部のハーフエッチングを行う。
この実施形態では、エッチング液として、フッ酸、フッ化アンモニウムを用いて、その濃度として容量比1:1、温度65度±1度(摂氏)の条件により、30分ないし60分程度でエッチング工程が完了する。
これにより、振動腕34,35の溝56,57が形成される。
続いて、図9(l)に示すように、全面に電極を形成するための金属膜75を蒸着またはスパッタリング等の手法により形成する。この金属膜75は、耐蝕膜と同じ下地層75Aとしてのクロム層と、その上に被覆される電極層(金被覆層)75Bで構成する。
(電極形成におけるレジストの塗布工程)
次に、図9(m)に示すように、基板71の表面及び裏面と交差する角度で、レジスト76を矢印Tに示すように噴射して塗布する。この実施形態では、レジスト76は所謂スプレーレジストであり、その噴射角度は、基板71の表面及び裏面に対して、90度程度とする。
このようにして、図9(m)で示されるようにレジスト76が塗布された状態において、図10(n)に示すように、電極が形成されるべき領域(図3参照)とそうでない領域とを分けるマスキング(図示せず)がなされて、露光され、不要なレジスト76を除去して、取り除くべき金属膜75を露出させる。
最後に、図10(p)に示すように、不要となったレジスト76を全て剥離する。
以上により、図3と図4で説明した構造の圧電振動片32が完成する。
図11は、圧電デバイス30の製造方法の一例を示すフローチャートである。
(形成工程)
まず、図1および図2のパッケージ36を形成(ステップST11)して用意しておき、これとは別に、蓋体39の形成(ステップST211)をする。
次いで、図11のステップST12において、用意したパッケージ36内に圧電振動片32をマウントする。
次に、封止工程である図11のステップST13において、真空中もしくは窒素等の不活性ガス雰囲気下において、図2のパッケージ36に封止材33を使用して蓋体39を封止することにより、パッケージ36を気密に封止する。
次いで、図11のステップST14において、図2で説明したように、周波数調整を行い、圧電振動子である圧電デバイス30が完成する(ステップST15)。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン308及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ309を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるコントローラ(CPU)301を備えている。
同様にして、振動腕35の表面側の溝756の中心線CL3と裏面側の溝756の中心線CL4は互いにX方向である水平方向にずれている。
この中心線CL1ないしCL4は、Z方向に平行な方向である。
これに対して、従来用いられている圧電振動片では、表面側の溝と裏面側の溝の中心線は一致している。
図13のような振動腕34,35の溝の配置をすることにより、振動腕34,35がX方向である水平方向に振動する際に、その水平方向の振動に加えてZ方向の垂直方向の成分の振動が加わり、結果として斜め方向であるM方向の振動が生じる。これは、水平方向であるX方向に関して、表面側と裏面側では電界の大きさに違いが出るためである。水平方向の屈曲振動とするためには、この電界によって生じる音叉腕部の伸び、縮みの力学的バランスが表面側と裏面側で取れている必要があるが、図13のように表面側と裏面側で電界の大きさが違ってくると、音叉腕部の伸び、縮みの力学的バランスが崩れX方向の屈曲振動に対してZ方向の振動成分が加わり、M方向の振動が生じるのである。
このように、振動腕の表面側の溝と裏面側の溝を互いにずらして、表面側の溝と裏面側の溝の位置を非対称にすることにより、2次温度係数の小さい図6に示すようなフラット部分を有する温度特性カーブを得ることができ、温度特性が良好になる。
図13に示すような実施形態と図4に示すような実施形態は、組み合わせても勿論構わない。
また、この発明は、パッケージまたは箱状の蓋体内に圧電振動片を収容するものであれば、水晶振動子、水晶発振器、ジャイロ、角度センサ等の名称にかかわらず、全ての圧電振動片とこれを利用した圧電デバイスに適用することができる。
Claims (9)
- 基部と、
前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを有しており、
前記基部には切り込み部が設けられており、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部が形成され、
前記振動腕の少なくとも前記溝部には、駆動用の電極が設けられており、
前記駆動用の電極は、下地層と前記下地層に形成された電極層を有し、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μm
の範囲であることを特徴とする圧電振動片。 - 前記下地層はCrであり、前記電極層はAuであることを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片。
- 前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.15μmの範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電振動片。
- 前記下地層の厚みtが、0.09μm<t<0.11μmの範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電振動片。
- パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスであって、
前記圧電振動片は、
基部と、
前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを有しており、
前記基部には切り込み部が設けられており、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部が形成され、
前記振動腕の少なくとも前記溝部には、駆動用の電極が設けられており、
前記駆動用の電極は、下地層と前記下地層に形成された電極層を有し、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μm
の範囲であることを特徴とする圧電デバイス。 - 基部と、前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを備え、前記基部には切り込み部を有し、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部を有し、少なくとも前記溝部には駆動用の電極を備える圧電振動片を形成する圧電振動片の製造方法であって、
圧電材料でなる基板をエッチングすることにより外形を形成する外形エッチング工程と、
前記外形が形成された後に、前記振動腕の少なくとも前記溝部に、下地層と電極層を有する前記駆動用の電極を形成する電極形成工程と、を備えており、
前記電極形成工程では、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲になるように、前記下地層が形成されることを特徴とする圧電振動片の製造方法。 - 基部と、前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを備え、前記基部には切り込み部を有し、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部を有し、少なくとも前記溝部には駆動用の電極を備える圧電振動片を、パッケージ内に収容した圧電デバイスの製造方法であって、
圧電材料でなる基板をエッチングすることにより外形を形成する外形エッチング工程と、
前記外形が形成された後に、前記振動腕の少なくとも前記溝部に、下地層と電極層を有する前記駆動用の電極を形成する電極形成工程と、を備えており、
前記電極形成工程では、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μmの範囲になるように、前記下地層が形成されることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスにより制御用のクロック信号を得るようにした携帯電話装置であって、
前記圧電振動片は、
基部と、
前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを有しており、
前記基部には切り込み部が設けられており、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部が形成され、
前記振動腕の少なくとも前記溝部には、駆動用の電極が設けられており、
前記駆動用の電極は、下地層と前記下地層に形成された電極膜を有し、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μm
の範囲であることを特徴とする携帯電話装置。 - パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスにより制御用のクロック信号を得るようにした電子機器であって、
前記圧電振動片は、
基部と、
前記基部から平行に延びる複数の振動腕とを有しており、
前記基部には切り込み部が設けられており、前記振動腕の表面部と裏面部には溝部が形成され、
前記振動腕の少なくとも前記溝部には、駆動用の電極が設けられており、
前記駆動用の電極は、下地層と前記下地層に形成された電極膜を有し、前記下地層の厚みtが、0.07μm<t<0.3μm
の範囲であることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003367743A JP4329492B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 |
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CN200410086810XA CN1612472B (zh) | 2003-10-28 | 2004-10-28 | 压电振动片、压电器件、便携电话和电子设备的制造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003367743A JP4329492B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136499A true JP2005136499A (ja) | 2005-05-26 |
JP4329492B2 JP4329492B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=34420135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003367743A Expired - Fee Related JP4329492B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7279824B2 (ja) |
EP (1) | EP1528673B1 (ja) |
JP (1) | JP4329492B2 (ja) |
KR (1) | KR100617329B1 (ja) |
CN (1) | CN1612472B (ja) |
AT (1) | ATE382984T1 (ja) |
DE (1) | DE602004010987T2 (ja) |
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- 2004-10-27 EP EP20040025568 patent/EP1528673B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-27 DE DE200460010987 patent/DE602004010987T2/de active Active
- 2004-10-27 AT AT04025568T patent/ATE382984T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-10-28 CN CN200410086810XA patent/CN1612472B/zh not_active Expired - Fee Related
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JP2018148380A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片および圧電振動片の製造方法 |
JP7026444B2 (ja) | 2017-03-06 | 2022-02-28 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
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JP7050387B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-04-08 | シチズンファインデバイス株式会社 | 音叉型圧電振動子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100617329B1 (ko) | 2006-08-30 |
CN1612472A (zh) | 2005-05-04 |
CN1612472B (zh) | 2011-06-22 |
KR20050040793A (ko) | 2005-05-03 |
JP4329492B2 (ja) | 2009-09-09 |
EP1528673B1 (en) | 2008-01-02 |
ATE382984T1 (de) | 2008-01-15 |
DE602004010987T2 (de) | 2008-12-24 |
EP1528673A1 (en) | 2005-05-04 |
US7279824B2 (en) | 2007-10-09 |
DE602004010987D1 (de) | 2008-02-14 |
US20050116586A1 (en) | 2005-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060118 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070507 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |