JP2004214265A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004214265A
JP2004214265A JP2002379270A JP2002379270A JP2004214265A JP 2004214265 A JP2004214265 A JP 2004214265A JP 2002379270 A JP2002379270 A JP 2002379270A JP 2002379270 A JP2002379270 A JP 2002379270A JP 2004214265 A JP2004214265 A JP 2004214265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
semiconductor device
electrode portion
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002379270A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nakagawa
宏史 中川
Yoshihiro Kobayashi
良弘 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=47605947&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2004214265(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Kyushu Hitachi Maxell Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Priority to JP2002379270A priority Critical patent/JP2004214265A/ja
Publication of JP2004214265A publication Critical patent/JP2004214265A/ja
Priority to JP2008268083A priority patent/JP4911727B2/ja
Priority to JP2011171781A priority patent/JP2011216921A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/722—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
JP2002379270A 2002-12-27 2002-12-27 半導体装置および半導体装置の製造方法 Pending JP2004214265A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002379270A JP2004214265A (ja) 2002-12-27 2002-12-27 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008268083A JP4911727B2 (ja) 2002-12-27 2008-10-17 半導体装置の製造方法
JP2011171781A JP2011216921A (ja) 2002-12-27 2011-08-05 半導体装置および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002379270A JP2004214265A (ja) 2002-12-27 2002-12-27 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008268083A JP4911727B2 (ja) 2002-12-27 2008-10-17 半導体装置の製造方法
JP2011171781A JP2011216921A (ja) 2002-12-27 2011-08-05 半導体装置および半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008268083A Division JP4911727B2 (ja) 2002-12-27 2008-10-17 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004214265A true JP2004214265A (ja) 2004-07-29

Family

ID=47605947

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002379270A Pending JP2004214265A (ja) 2002-12-27 2002-12-27 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008268083A Expired - Lifetime JP4911727B2 (ja) 2002-12-27 2008-10-17 半導体装置の製造方法
JP2011171781A Pending JP2011216921A (ja) 2002-12-27 2011-08-05 半導体装置および半導体装置の製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008268083A Expired - Lifetime JP4911727B2 (ja) 2002-12-27 2008-10-17 半導体装置の製造方法
JP2011171781A Pending JP2011216921A (ja) 2002-12-27 2011-08-05 半導体装置および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (3) JP2004214265A (https=)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250813A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008270265A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd 半導体装置用基板及びその製造方法
JP2009135417A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体素子搭載用基板の製造方法
JP2009141180A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体装置製造用基板とその製造方法
JP2010040679A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2010040911A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2010080656A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置とその製造方法
KR101006945B1 (ko) 2007-11-07 2011-01-12 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법
US7888869B2 (en) 2005-12-02 2011-02-15 Nichia Corporation Light emitting device
JP2011146524A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2012164863A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012164862A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014022582A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US8669649B2 (en) 2010-09-24 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
JP2014135509A (ja) * 2014-03-19 2014-07-24 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置用の中間成形品及び半導体装置
JP2017046014A (ja) * 2016-12-01 2017-03-02 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
JP2017112176A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2018022821A (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法
JP2018046311A (ja) * 2017-12-27 2018-03-22 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2018046310A (ja) * 2017-12-27 2018-03-22 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、及び半導体装置
JP2019096901A (ja) * 2019-02-06 2019-06-20 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2021005739A (ja) * 2014-12-27 2021-01-14 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置
JP2021082643A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2021145060A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法および半導体装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214265A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5546363B2 (ja) * 2010-06-11 2014-07-09 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6044936B2 (ja) 2013-04-24 2016-12-14 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板の製造方法
JP7075571B2 (ja) * 2017-03-30 2022-05-26 マクセル株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置用基板
JP2019161238A (ja) * 2019-06-17 2019-09-19 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置
JP7011685B2 (ja) * 2020-07-10 2022-01-27 マクセル株式会社 半導体装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59145795A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 被メツキステンレス鋼の前処理方法
JPS59208756A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Sony Corp 半導体装置のパツケ−ジの製造方法
JPS60234380A (ja) * 1984-05-07 1985-11-21 Nippon Mining Co Ltd 太陽電池用基板
JPS6142796A (ja) * 1984-08-06 1986-03-01 Mitsubishi Electric Corp 記憶装置
JPH0722191B2 (ja) * 1985-04-10 1995-03-08 九州日立マクセル株式会社 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法
JPS61243193A (ja) * 1985-04-18 1986-10-29 Nisshin Steel Co Ltd ステンレス鋼に純金めつきする方法
JPS6386322A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 ソニ−ケミカル株式会社 導電異方性接着剤シ−ト
JP2532075B2 (ja) * 1986-12-26 1996-09-11 九州日立マクセル株式会社 バンプ付きフイルムキヤリアの製造方法
JPH0697318A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 半導体装置用配線基板
JP3346124B2 (ja) * 1994-10-04 2002-11-18 松下電器産業株式会社 転写導体の製造方法およびグリーンシート積層体の製造方法
JP3189703B2 (ja) * 1996-10-08 2001-07-16 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH11323598A (ja) * 1998-03-09 1999-11-26 Dainippon Printing Co Ltd 絶縁性パターンの形成方法
JP2000091743A (ja) * 1998-07-16 2000-03-31 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc ビルドアップ多層基板及びその製造方法
JP4390930B2 (ja) * 1999-06-23 2009-12-24 大日本印刷株式会社 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置
JP2002016181A (ja) * 2000-04-25 2002-01-18 Torex Semiconductor Ltd 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム
JP3626075B2 (ja) * 2000-06-20 2005-03-02 九州日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
JP3498732B2 (ja) * 2000-06-30 2004-02-16 日本電気株式会社 半導体パッケージ基板及び半導体装置
JP2002305378A (ja) * 2000-07-06 2002-10-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層配線板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP3546961B2 (ja) * 2000-10-18 2004-07-28 日本電気株式会社 半導体装置搭載用配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージ
JP2002289739A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法
JP2004214265A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7888869B2 (en) 2005-12-02 2011-02-15 Nichia Corporation Light emitting device
JP2007250813A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008270265A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd 半導体装置用基板及びその製造方法
JP2009135417A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体素子搭載用基板の製造方法
KR101006945B1 (ko) 2007-11-07 2011-01-12 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법
JP2009141180A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体装置製造用基板とその製造方法
JP2010040679A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2010040911A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2010080656A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2011146524A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
US8669649B2 (en) 2010-09-24 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
JP2012164863A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012164862A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014022582A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2014135509A (ja) * 2014-03-19 2014-07-24 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置用の中間成形品及び半導体装置
JP2021005739A (ja) * 2014-12-27 2021-01-14 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置
JP7782011B2 (ja) 2014-12-27 2025-12-08 マクセル株式会社 半導体装置用基板および半導体装置
JP2025031979A (ja) * 2014-12-27 2025-03-07 マクセル株式会社 半導体装置用基板および半導体装置
JP2017112176A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2018022821A (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法
JP2017046014A (ja) * 2016-12-01 2017-03-02 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
JP2018046311A (ja) * 2017-12-27 2018-03-22 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2018046310A (ja) * 2017-12-27 2018-03-22 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、及び半導体装置
JP2019096901A (ja) * 2019-02-06 2019-06-20 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2021082643A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP7360906B2 (ja) 2019-11-15 2023-10-13 ローム株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2021145060A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 マクセルホールディングス株式会社 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法および半導体装置
JP7481865B2 (ja) 2020-03-12 2024-05-13 マクセル株式会社 半導体装置用基板、および半導体装置
JP2024096242A (ja) * 2020-03-12 2024-07-12 マクセル株式会社 半導体装置用基板、および半導体装置
JP7664455B2 (ja) 2020-03-12 2025-04-17 マクセル株式会社 半導体装置用基板、および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4911727B2 (ja) 2012-04-04
JP2011216921A (ja) 2011-10-27
JP2009055055A (ja) 2009-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4911727B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3626075B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP1921674A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2009123048A1 (ja) 配線用電子部品及びその製造方法
JP2022120854A (ja) 半導体装置用基板および半導体装置
JP2005203390A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2014022582A (ja) 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2018029214A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2021013043A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017188604A (ja) リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2015233166A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013042187A (ja) 半導体装置
JP3993218B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6913993B2 (ja) 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法
JP2003174121A (ja) 半導体装置
JP2018160707A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2019096901A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6460407B2 (ja) 半導体素子搭載用基板、半導体装置及びそれらの製造方法
JP2017195414A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN107658286B (zh) 半导体元件安装用基板、半导体装置及它们的制造方法
JP2017118131A (ja) 半導体装置用中間部品およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法
JP7132298B2 (ja) 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法
JP6489615B2 (ja) 半導体素子搭載用基板、半導体装置及びそれらの製造方法
JP2017005261A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6889531B2 (ja) 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051227

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060217

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A681

Effective date: 20060217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080311

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081009

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090106