JP2004047490A - 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード - Google Patents
可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004047490A JP2004047490A JP2003346360A JP2003346360A JP2004047490A JP 2004047490 A JP2004047490 A JP 2004047490A JP 2003346360 A JP2003346360 A JP 2003346360A JP 2003346360 A JP2003346360 A JP 2003346360A JP 2004047490 A JP2004047490 A JP 2004047490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- work function
- layer
- solution
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title abstract description 64
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- -1 poly (phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 6
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010382 chemical cross-linking Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- TXAVEVGYOGQVAN-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(chloromethyl)-2-(2-ethylhexoxy)-5-methoxybenzene Chemical compound CCCCC(CC)COC1=CC(CCl)=C(OC)C=C1CCl TXAVEVGYOGQVAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPDOFFVOHWFBEM-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylhexoxy)-4-ethynylbenzene Chemical group CCCCC(CC)COC1=CC=C(C#C)C=C1 DPDOFFVOHWFBEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMRTUSZHEQXAFU-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylhexoxy)-4-methoxybenzene Chemical compound CCCCC(CC)COC1=CC=C(OC)C=C1 IMRTUSZHEQXAFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSJQJWTYJODDJ-UHFFFAOYSA-N 3,10-dioxatricyclo[10.2.2.04,9]hexadeca-1(15),4,6,8,12(16),13-hexaene-2,11-dione Chemical compound O1C(=O)C(C=C2)=CC=C2C(=O)OC2=C1C=CC=C2 CSSJQJWTYJODDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZWIYPLSXWYKLH-UHFFFAOYSA-N 3-(bromomethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)CBr NZWIYPLSXWYKLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004705 High-molecular-weight polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005662 Paraffin oil Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【課題】 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 発光ダイオードの製造方法は、可視光を発光し、5Vより低い電圧でオンとなる。発光ダイオードの製造方法は、i)高い仕事関数を有し、ホール放出電極として作用する透明な導電性の第1層を用いて基板をプレコートする工程と、ii)可溶性の半導体性発光性共役系高分子からなる透明層を、第1層の上に溶液から直接キャストする工程と、iii)電子放出コンタクトを、半導体性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程とを包含し、仕事関数の低い金属がカルシウムである。
【選択図】 なし
【解決手段】 発光ダイオードの製造方法は、可視光を発光し、5Vより低い電圧でオンとなる。発光ダイオードの製造方法は、i)高い仕事関数を有し、ホール放出電極として作用する透明な導電性の第1層を用いて基板をプレコートする工程と、ii)可溶性の半導体性発光性共役系高分子からなる透明層を、第1層の上に溶液から直接キャストする工程と、iii)電子放出コンタクトを、半導体性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程とを包含し、仕事関数の低い金属がカルシウムである。
【選択図】 なし
Description
発明の分野
本発明は一般に発光ダイオードおよびその製造に関する。とりわけ、通常の有機溶媒中に溶解し得る半導体性(共役系)高分子から製造した発光ダイオードに関し、さらに、可撓性のある高分子基板上にそのようなダイオードを製造することに関する。
本発明は一般に発光ダイオードおよびその製造に関する。とりわけ、通常の有機溶媒中に溶解し得る半導体性(共役系)高分子から製造した発光ダイオードに関し、さらに、可撓性のある高分子基板上にそのようなダイオードを製造することに関する。
発明の背景
固体発光ダイオード(LED)は表示装置においての応用範囲が広く、また種々の一般的でない応用にも供されている。現在、LEDは従来の半導体、例えば典型的にはアルミニウム、インジウム、または燐がドープされた、ガリウムひ素(GaAs)から製造される。この技術を用いて、大画面の表示装置を作製することは大変困難である。加えて、これらの材料から製造されるLEDは典型的には長波長および可視スペクトルの光の発光に制限されている。これらの理由により、長年にわたって、LEDの活性(発光)成分として使用する適切な有機材料の開発に関心が集まっている。(参考文献1−6参照)。発光を開始するために比較的高い電圧(すなわち、デジタルエレクトロニクスに適合しない電圧)を必要とすることが、有機材料から製造されるLEDの商品化を妨げてきた。
固体発光ダイオード(LED)は表示装置においての応用範囲が広く、また種々の一般的でない応用にも供されている。現在、LEDは従来の半導体、例えば典型的にはアルミニウム、インジウム、または燐がドープされた、ガリウムひ素(GaAs)から製造される。この技術を用いて、大画面の表示装置を作製することは大変困難である。加えて、これらの材料から製造されるLEDは典型的には長波長および可視スペクトルの光の発光に制限されている。これらの理由により、長年にわたって、LEDの活性(発光)成分として使用する適切な有機材料の開発に関心が集まっている。(参考文献1−6参照)。発光を開始するために比較的高い電圧(すなわち、デジタルエレクトロニクスに適合しない電圧)を必要とすることが、有機材料から製造されるLEDの商品化を妨げてきた。
半導体性有機高分子(すなわち共役系高分子)をLEDの製造に用いることにより、有機材料がエレクトロルミネッセンス素子に用いられるようになり、また導電性高分子を活性光源の分野に応用する可能性が開け、(参考文献7参照)既存のLED技術にはない有意な利点が得られる可能性が出てきている。共役系のバックボーン構造の選択、または側鎖の機能化により、高分子のエネルギーギャップを制御することは、可視スペクトルを通して種々の色を発光することを可能とならしめる。
先行技術では、Tomozawaら(参考文献8参照)が溶液から半導体性高分子をキャストすることにより製造したダイオードを開示している。
また先行技術では、Burroughsら(参考文献7参照)がLED構造体の製造における複数の工程によるプロセスを開示しており、それは以下により特徴付けられる:
1)ガラス基板が用いられる。基板はインジウム/スズ酸化物(ITO)からなる透明導電層を用いて予め被覆される。このITO膜は高い仕事関数を有し、オーミックホール注入電極として作用する。
1)ガラス基板が用いられる。基板はインジウム/スズ酸化物(ITO)からなる透明導電層を用いて予め被覆される。このITO膜は高い仕事関数を有し、オーミックホール注入電極として作用する。
2)共役系高分子、ポリ(フェニレンビニレン)、PPVの可溶性前駆体高分子は、溶液から薄い半透明層(約100−200nm)として基板にキャストされる。
3)(既に基板上に薄膜として形成された)前駆体高分子を、真空中でポンピングしながら200℃を越える温度に熱処理して、前駆体高分子を最終の共役系PPVに転化させる。
4)負の電子注入コンタクトを、アルミニウム、またはマグネシウム/銀の合金のような仕事関数の低い金属から製造する。その陰極はダイオード構造体において整流コンタクトとして作用する。
得られた装置は、ダイオードの形成を示唆する非対称の電流−電圧曲線を示した。また、ダイオードが約14V過剰にバイアス電圧をかけた順方向バイアス条件下で可視光を発
光するのが観察され、量子収率は0.05%までであった。
光するのが観察され、量子収率は0.05%までであった。
よって、Burroughsらの方法には多くの特有の欠点がある。剛直なガラス基板を用いるため、得られるLED構造体は剛直であり、可撓性がない。前駆体高分子を最終の共役系高分子に転化するために200℃を越える温度に加熱する必要があるため、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート等のような可撓性のある透明高分子基板を用いて、新規な形状および形態をした可撓性のあるLED構造体を製造することが出来ない。前駆体高分子を最終の共役系高分子に転化するために200℃を越える温度に加熱する必要があるため、共役系高分子に欠陥が生じる可能性があり、とりわけ仕事関数の低い金属と共に整流コンタクトを形成する共役系高分子の上面において、欠陥が生じる可能性があるという新たな問題が起こる。
よって、有機材料からの、とりわけ高分子からの発光ダイオードの製造は著しく制限されたままである。
参考文献
1. P.S. Vincent, W.A. Barlow, R.A. Hann and G.G. Roberts, Thin Solid Films, 94, 476(1982).
2. C.W. Tang, S.A. Van Syke, Appl. Phys.
Lett. 51, 913(1987).
3. C.W. Tang, S.A. Van Syke and C.H. Chen, J. Appl. Phys. 65, 3610(1989).
4. C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and
S. Saito, Appl. Phys. Lett. 55, 1489(1989).
5. C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and
S. Saito, Appl. Phys. Lett. 56, 799(1989).
6. M. Nohara, M. Hasegawa, C. Hosohawa, H. Tokailin, T. Kusomoto, Chem. Lett. 189(1990).
7. J.H. Burroughs, D.D.C. Bradley, A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P.L. Burns and A.B. Holmes, Nature 347, 539(1990).
8. H. Tomozawa, D. Braun, S.D. Phillips,
R. Worland, A. J. Heeger, and H. Kroemer, Synth. Met. 28, C687(1989)
9. F. Wudl, P.−M. Allemand, G. Srdanov, Z. Ni, and D. McBranch, in Materials for
Non−linear Optics: Chemical Perspectives(to be published in 1991).
10. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices(John Wiley & Sons, New York, 1981).
11. a.T.W.Hagler, K. Pakbaz, J. Moulton,
F. Wudl, P. Smith, and A. J. Heeger, Polym. Commun.(in press).
b.T.W. Hagler, K. Pakbaz, K. Voss and A
. J. Heeger, Phys. Rev. B. (in press).
1. P.S. Vincent, W.A. Barlow, R.A. Hann and G.G. Roberts, Thin Solid Films, 94, 476(1982).
2. C.W. Tang, S.A. Van Syke, Appl. Phys.
Lett. 51, 913(1987).
3. C.W. Tang, S.A. Van Syke and C.H. Chen, J. Appl. Phys. 65, 3610(1989).
4. C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and
S. Saito, Appl. Phys. Lett. 55, 1489(1989).
5. C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and
S. Saito, Appl. Phys. Lett. 56, 799(1989).
6. M. Nohara, M. Hasegawa, C. Hosohawa, H. Tokailin, T. Kusomoto, Chem. Lett. 189(1990).
7. J.H. Burroughs, D.D.C. Bradley, A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P.L. Burns and A.B. Holmes, Nature 347, 539(1990).
8. H. Tomozawa, D. Braun, S.D. Phillips,
R. Worland, A. J. Heeger, and H. Kroemer, Synth. Met. 28, C687(1989)
9. F. Wudl, P.−M. Allemand, G. Srdanov, Z. Ni, and D. McBranch, in Materials for
Non−linear Optics: Chemical Perspectives(to be published in 1991).
10. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices(John Wiley & Sons, New York, 1981).
11. a.T.W.Hagler, K. Pakbaz, J. Moulton,
F. Wudl, P. Smith, and A. J. Heeger, Polym. Commun.(in press).
b.T.W. Hagler, K. Pakbaz, K. Voss and A
. J. Heeger, Phys. Rev. B. (in press).
発明の要旨
従って、本発明の目的は、従来技術の前述した欠点を克服することであり、主として、共役した形態で可溶性であるためその後の高温の熱処理を必要としない半導体性高分子から作成される発光ダイオードを提供することである。
従って、本発明の目的は、従来技術の前述した欠点を克服することであり、主として、共役した形態で可溶性であるためその後の高温の熱処理を必要としない半導体性高分子から作成される発光ダイオードを提供することである。
本発明の他の目的は、溶液からキャストされた可溶性の半導体性高分子から得られるダイオード構造の作成に関連する工程上の利点を利用して、広い活性領域の作成を可能にすることである。
本発明の他の目的は、可撓性の有機高分子基板を用いて半導体性高分子から作成された発光ダイオードを提供することである。
本発明の他の目的は、デジタルエレクトロニクスに適合するバイアス電圧において(すなわち、5ボルトより低い電圧で)動作する、半導体性高分子から作成される発光ダイオードの製造のための方法を提供することである。
本発明の他の目的、利点および新規な特徴は、部分的には以下の説明に記載され、そして部分的には以下の実施例において当業者に明らかとなり、または本発明の実施によって知られ得る。本発明の目的および利点は、添付したクレームの中で特に指摘された手段および組合せを用いて理解され、成し遂げられ得る。
1つの局面では、本発明は発光ダイオード(LED)を製造するための方法を提供する。この実施態様では、この方法は、可視光を発光する発光ダイオードの製造のための方法に関する。この方法は、以下の工程を包含する。
i)高い仕事関数を有し、オーミックホール注入電極として作用する、透明な導電性の第1層を用いて基板をプレコートする工程。
ii)可溶性の共役系高分子からなる薄い透明層を、第1層上に溶液から直接キャストする工程。
iii)負の電子注入コンタクトを、該共役系高分子膜上に作成する工程。このコンタクトは仕事関数の低い金属から形成され、そしてダイオード構造において整流コンタクトとして作用する。
他の実施態様では、可視光を発光する発光ダイオードを製造するための他の方法が提供される。この方法は、以下の工程を包含する。
i)発光性の半導体性高分子であると同時に基板として働き、可溶性共役系高分子からなる自己支持型の半透明膜を、溶液からキャストする工程。
ii)高い仕事関数を有し、オーミックホール注入電極として作用する、透明な導電性の第1層を用いて、該自己支持型の共役系高分子膜の一方の面をコートする工程。
iii)共役系高分子の他方の面に、負の電子注入コンタクトを作成する工程。このコンタクトは仕事関数の低い金属から形成され、そしてダイオード構造において整流コンタ
クトとして作用する。
クトとして作用する。
さらに他の実施態様では、本発明は、偏光した可視光を発光する、配向したポリマーベースのLEDを作成するための方法を提供する。この方法は、以下の工程を包含する。
i)超高分子量のキャリア高分子との混合物の構成因子として、可溶性共役系高分子をゲル加工する工程。ゲル加工された混合物は、配向した自己支持型の膜に成形され、該膜中では、共役系高分子は鎖整列している。この鎖整列により、該高分子は偏光を発光する。
ii)高い仕事関数を有し、オーミックホール注入電極として作用する透明な導電性の第1層を用いて、該自己支持型の配向した高分子膜の一方の面をコートする工程。
iii)該共役系高分子膜の他方の面に、負の電子注入コンタクトを作成する工程。このコンタクトは仕事関数の低い金属から作成され、そしてダイオード構造において整流コンタクトとして作用する。
他の一般的な局面では、本発明は、これらの方法のいずれかによって製造されるLEDを提供する。本願に定義された、これらのLEDおよびそれらの構造(支持基板を有するもの、および有しないもの)は、図面の図1および図2に概略および断面図を図示される。本発明のより特定の局面では、LED素子は、ポリ(2−メトキシ、5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン)、MEH−PPVを、共役系高分子として使用する。MEH−PPVは、有機溶媒に可溶性の共役系高分子であるという利点を与える。溶液から共役系高分子を直接キャストするので、LED素子の製造は単純化される。
驚くべきことに、カルシウムを仕事関数の低いコンタクトとして用い、そしてITO被覆されたPET膜を基板として用いると、可撓性のLED構造が作成され、それらのLED構造は、高分子基板と共役系高分子半導体層との両方の優れた機械的特性の恩恵を被り、動作する時の電圧が3−4ボルトに低減する(すなわち、TTLと互換性)という有利な特性を示し、そして、量子効率は、1桁以上大きい、約1%の値まで改善される。
従来技術に対する本発明の特別な利点は、以下を含む:
i)発光性の半導体性高分子はその最終的な共役した形態において可溶性であるので、高温での熱処理を必要としない。このことは、製造工程を大きく単純化し、そして連続的な製造工程を可能にする。
i)発光性の半導体性高分子はその最終的な共役した形態において可溶性であるので、高温での熱処理を必要としない。このことは、製造工程を大きく単純化し、そして連続的な製造工程を可能にする。
ii)発光性の半導体性高分子層は、室温で基板上に直接キャストされ得るので、LED構造は可撓性の透明高分子基板上に作成され得る。これらの高分子膜は、大面積の連続的な膜として製造される。従って、可撓性の高分子膜を基板として用いれば、バッチ工程または連続工程のいずれかを用いる大面積高分子LEDの製造が可能になる。
iii)発光性高分子として用いたMEH−PPV上に、仕事関数の低いコンタクトとしてカルシウムを用いると、素子の効率、およびこの素子と最新のデジタル電子回路との適合性が予想外に改善される。
発明の詳細な説明
図面の簡単な説明
本発明は図面を引用して記載される。該図面において:
図1は、支持基板を有する本発明の発光ダイオードの概略の断面図であり;そして
図2は、支持基板を有さない本発明の発光ダイオードの概略の断面図である。
基板
ある実施態様では、共役系高分子をベースとしたLEDは、基板上に調製される。この基板は透明であり、絶縁性である。この基板は、硬質アクリレート、硬質カーボネートなどを含む硬質プラスチックのような剛直な材料、ガラス、石英、サファイアなどのような剛直な無機酸化物であり得る。この基板はまた、ポリエステルのような可撓性の透明な有機高分子でもあり得る。例えば、ポリエチレンテレフタレート、軟質ポリカルボネート、ポリ(メタクリル酸メチル)、ポリ(スチレン)などが挙げられる。
図面の簡単な説明
本発明は図面を引用して記載される。該図面において:
図1は、支持基板を有する本発明の発光ダイオードの概略の断面図であり;そして
図2は、支持基板を有さない本発明の発光ダイオードの概略の断面図である。
基板
ある実施態様では、共役系高分子をベースとしたLEDは、基板上に調製される。この基板は透明であり、絶縁性である。この基板は、硬質アクリレート、硬質カーボネートなどを含む硬質プラスチックのような剛直な材料、ガラス、石英、サファイアなどのような剛直な無機酸化物であり得る。この基板はまた、ポリエステルのような可撓性の透明な有機高分子でもあり得る。例えば、ポリエチレンテレフタレート、軟質ポリカルボネート、ポリ(メタクリル酸メチル)、ポリ(スチレン)などが挙げられる。
この基板の厚さに臨界的制限はない。
共役系高分子
本発明は共役系高分子をベースとしたLEDを提供する。
本発明は共役系高分子をベースとしたLEDを提供する。
1つの実施態様では、共役系高分子を予め冷却した基板上に溶液から直接キャストして、基板支持型の膜を形成する。
別の実施態様では、共役系高分子を自己支持型の膜として存在させる。
3番目の実施態様では、共役系高分子はキャリア高分子と混合され、ゲル加工された混合物の一成分として存在し、膜はこの混合物から形成される。この実施態様により、偏光を発光し得るLEDに導く共役系高分子整列構造が、簡単な方法で得られ得る。
ここで用いられる共役系高分子は、当該分野で公知である可溶性共役系高分子を包含する。共役系高分子としては、例えば、ポリ(2−メトキシ−,5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−p−フェニレンビニレン)すなわち「MEH−PPV」、P3ATs、ポリ(3−アルキルチオフェン)(ここでアルキルは6〜16の炭素原子である)、ポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレンビニレン)−「PDMPV」、およびポリ(2,5−チエニレンビニレン);ポリ(フェニレンビニレン)すなわち「PPV」およびこれのアルコキシ誘導体;およびポリアニリンが挙げられる。
上記のうち、MEH−PPV材料が好ましい。MEH−PPVの調製を、本明細書の実施例中に示す。
この共役系高分子は溶液から直接成膜、すなわちキャストされ得る。用いられる溶媒はこの高分子を溶解し、引き続く成膜を阻害しない溶媒である。
典型的には、有機溶媒が用いられる。有機溶媒としては、ハロゲン化炭化水素(例えば塩化メチレン、クロロホルム、および四塩化炭素)、芳香族炭化水素(例えばキシレン、ベンゼン、トルエン)、他の炭化水素(例えばデカリン)などが挙げられる。混合した溶媒もまた用いられ得る。極性溶媒(水、アセトン、酸など)は適切であり得る。上記の溶媒は単に代表例として示しただけであり、上記の基準を満たす材料であれば、そこから広く選択され得る。
基板上に共役系高分子を成膜する場合、溶液は比較的希釈され得、その濃度はO.1〜20重量%、特にO.2〜5重量%にし得る。膜の厚さは50〜400nm、特に100〜200nmで用いる。
キャリア高分子
ある実施態様では、共役系高分子はキャリア高分子との混合物として存在する。
ある実施態様では、共役系高分子はキャリア高分子との混合物として存在する。
キャリア高分子を選択するための基準は、以下の通りである。この材料は、低濃度で機械的にコヒーレントな(coherent)膜を形成し得、そして共役系高分子を分散あるいは溶解し得る溶媒中で安定であるので、最終膜を形成できる。キャリア高分子は低濃度で用いられる。このことにより、加工困難性、すなわち、過度の高粘度、または全体的
な不均質の形成を最小限に抑えることができる。しかし、キャリアの濃度はコヒーレント構造を形成できるほどには高くなければならない。好ましいキャリア高分子は、高分子量(M.W.>100,000)で屈曲性の鎖状高分子である。このような高分子としては、例えば、ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、ポリエチレンオキサイド、ポリスチレンなどが挙げられる。適切な条件(当業者には容易に決定され得る)下で、これらの高分子材料は多種の液体からコヒーレント構造を形成し得る。この液体としては、水、酸、および多数の極性および非極性の有機溶媒が挙げられる。これらのキャリア高分子を用いて作製された膜またはシートは、体積において高分子濃度が1%程の低さで、また0.1%程の低さでも、充分な機械的強度を有しており、コーティング、そして引続き所望の加工を行うことができる。
な不均質の形成を最小限に抑えることができる。しかし、キャリアの濃度はコヒーレント構造を形成できるほどには高くなければならない。好ましいキャリア高分子は、高分子量(M.W.>100,000)で屈曲性の鎖状高分子である。このような高分子としては、例えば、ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、ポリエチレンオキサイド、ポリスチレンなどが挙げられる。適切な条件(当業者には容易に決定され得る)下で、これらの高分子材料は多種の液体からコヒーレント構造を形成し得る。この液体としては、水、酸、および多数の極性および非極性の有機溶媒が挙げられる。これらのキャリア高分子を用いて作製された膜またはシートは、体積において高分子濃度が1%程の低さで、また0.1%程の低さでも、充分な機械的強度を有しており、コーティング、そして引続き所望の加工を行うことができる。
機械的にコヒーレントな膜は、同様に低分子量の屈曲性鎖状高分子からも調製され得るが、一般的にこれらのキャリア高分子では、さらに高濃度であることが必要とされる。
キャリア高分子の選択は、まず第1に共役系高分子との混和性、および用いられる1つの溶媒または複数の溶媒との混和性に基づいて行われる。例えば、極性の導電性高分子をブレンドするには、極性の反応性物質で共溶解し得るか、または極性の反応性物質を吸収し得るキャリア構造を一般に必要とする。このようなコヒーレント構造は、ポリ(ビニルアルコール)、ポリ(エチレンオキサイド)、ポリ−パラ(フェニレンテレフタレート)、ポリ−パラ−ベンズアミドなど、および適切な溶液から構成され得る。他方で、最終の高分子のブレンドを極性の環境で行うことができない場合には、非極性のキャリア構造が選択される。このような高分子としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエンなどが挙げられる。
濃度について述べるが、最終的な高分子ブレンドを形成させる間の、さらなる処理を行うためには、キャリア構造に充分な機械的コヒーレンスを与えることがかなり重要である。
従って、キャリア高分子の初期濃度は、一般に体積で0.1%よりも高いものが選択され、より好ましくは体積で約0.75%よりも高いものが選択される。他方で、体積で90%を超えるキャリア高分子濃度を選択することは好ましくない。なぜなら、これは、最終の共役系高分子複合体において希釈効果を有するからである。さらに好ましくは、溶液中のキャリア高分子の濃度は体積で50%未満であり、さらにより好ましくは、体積で25%未満である。
従って、溶液は、混和性の溶媒(または混合した溶媒)中に、(前記のガイドラインを用いて)予め決定した濃度に、選択したキャリア高分子と共役系高分子とを溶解することによって提供される。現工程において、「混和性の溶媒」は、所望の分量の可溶性高分子(または可溶性高分子前駆体)が溶解し得る溶媒系である。この溶媒系はまた、キャリア高分子を実質的に溶解でき、この後引続く構造形成工程を阻害しない溶媒系である。キャリア溶液は選択した形状に、押出成形または他の適切な方法によって成形される。この形状としては、例えば繊維状、膜状などが挙げられる。次いで、溶媒を除去する(蒸発、抽出、または他のいずれの便利な方法によって行う)。
種々の方法によって、キャリア共役高分子の溶液からゲルが形成され得る。例えば、溶液中での高分子の化学的架橋、架橋高分子の膨潤、熱可逆的ゲル化、および高分子溶液の凝固によって行われる。本発明では、前記のうち後の2つの方法が、ゲル形成には好ましい。しかし、ある実験条件下では、化学的架橋によるゲルが好ましいとされ得る。
熱可逆的ゲル化は、均質な高分子溶液の温度が低下するにつれて、高分子溶液が高分子
ゲルに物理的に転換することに関する(但し、例外として、温度上昇が必要とされ得る場合もある)。この高分子のゲル化の方法は、当業者に周知である標準法に従って、適切な溶媒中で選択したキャリア高分子を均質な溶液に調製することを必要とする。高分子溶液をキャストまたは押出成形して、繊維状、棒状、または膜状に形成する。次いで、高分子のゲル形成温度より下にまで温度を下げ、コヒーレントゲルを形成する。この手順は公知であり、商業的に用いられている。例えば、高分子量ポリエチレンのゲルをデカリン、パラフィン油、オリゴマーであるポリオレフィン、キシレンなどの中で形成し、これを高強度を有するポリオレフィン繊維および膜の前駆体として用いる場合に、上記手順が用いられる。
ゲルに物理的に転換することに関する(但し、例外として、温度上昇が必要とされ得る場合もある)。この高分子のゲル化の方法は、当業者に周知である標準法に従って、適切な溶媒中で選択したキャリア高分子を均質な溶液に調製することを必要とする。高分子溶液をキャストまたは押出成形して、繊維状、棒状、または膜状に形成する。次いで、高分子のゲル形成温度より下にまで温度を下げ、コヒーレントゲルを形成する。この手順は公知であり、商業的に用いられている。例えば、高分子量ポリエチレンのゲルをデカリン、パラフィン油、オリゴマーであるポリオレフィン、キシレンなどの中で形成し、これを高強度を有するポリオレフィン繊維および膜の前駆体として用いる場合に、上記手順が用いられる。
高分子溶液の「凝固」は、溶解された高分子に対する非溶媒を該溶液に接触させる工程、および高分子を沈澱させる工程を包含する。この工程は公知であり、商業的に用いられている。例えば、レーヨン繊維および膜を形成する場合、および高性能アラミド繊維を紡糸する場合に、この工程が用いられる。
キャリア高分子/導電性高分子複合体を機械的に変形させることを望む場合が多い。典型的には、初期の形成工程の間またはその後に延伸することによって行われる。高分子材料の変形は、高分子を延伸の方向に配向させるために行われる。このことにより、機械的特性が改良される。熱可逆的ゲルの最大変形は、融解処理した材料よりも実質的に大きい(P. Smith and P.J. Lemsta, Colloid and Polym. Sci., 258, 891(1980).)。低分子量であるためにその延伸能に限りがある材料で複合体が調製される場合は、熱可逆的ゲルで起こり得る延伸比が大きく、有利である。導電性高分子の場合では、引張り延伸によって機械的特性が改良されるが、さらに、より重要なことに、電気伝導性もまた明らかに向上される。そして、共役系高分子の配向によって、このLEDはその配向の結果、偏光した光を発光する。
透明な導電性の第1層
本発明のLEDの共役系高分子層の一方の面は、透明な導電性第1層に結合している。
本発明のLEDの共役系高分子層の一方の面は、透明な導電性第1層に結合している。
基板が存在する場合、この層は基板と共役系高分子との間に存在する。この第1層は透明な導電性層であり、仕事関数の高い材料からなり、この材料は仕事関数が4.5eVより高い材料である。この層は金または銀のような電気的陰性の金属からなる膜であり得、上記のうち、金が好ましい。この層はまた、導電性金属−金属酸化物の混合物から形成され得る。この混合物としては、例えばインジウム−スズ酸化物が挙げられる。
本層は通常、減圧スパッタリング(RFまたはマグネトロン)電子線蒸着、熱気相成長、化学的成長などによって成膜される。
オーミックコンタクト層は抵抗が低くなければならない:好ましくは、300オーム/平方未満、より好ましくは、100オーム/平方未満である。
電子注入コンタクト
共役系高分子膜の他方の面に電子注入コンタクトが存在する。これは仕事関数が低い金属または合金から形成される(仕事関数が低い金属は4.3未満の仕事関数を有する)。代表的な金属としては、インジウム、カルシウム、バリウム、およびマグネシウムが挙げられ、特に好ましい金属はカルシウムである。これらの電極は、当該分野で周知である方法(例えば、蒸着、スパッタリング、または電子線蒸着)を用いて得られ、ダイオード構造における整流コンタクトとして作用する。
実施例
本発明は以下に示す実施例によって、さらに詳細に説明される。この実施例は本発明を
例示するものであって、その範囲を限定するものではない。
共役系高分子膜の他方の面に電子注入コンタクトが存在する。これは仕事関数が低い金属または合金から形成される(仕事関数が低い金属は4.3未満の仕事関数を有する)。代表的な金属としては、インジウム、カルシウム、バリウム、およびマグネシウムが挙げられ、特に好ましい金属はカルシウムである。これらの電極は、当該分野で周知である方法(例えば、蒸着、スパッタリング、または電子線蒸着)を用いて得られ、ダイオード構造における整流コンタクトとして作用する。
実施例
本発明は以下に示す実施例によって、さらに詳細に説明される。この実施例は本発明を
例示するものであって、その範囲を限定するものではない。
実施例1
この実施例は、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキシロキシ)−p−フェニレンビニレン)「MEH−PPV」の調製を包含する。
モノマー合成
1.1−メトキシ−4−(2−エチル−ヘキシロキシ)ベンゼンの調製
乾燥メタノール150mlに4−メトキシフェノール24.8g(0.2mole)を溶かした溶液を窒素ガス下2.5Mナトリウムメトキシド(1.1当量)溶液と混合し、20分間還流した。反応混合液を室温まで冷却後、メタノール150mlに2−エチルブロモヘキサン(42.5ml, 1.1当量)を溶かした溶液を滴下した。16時間還流後、褐色がかった溶液は淡黄色に変わった。メタノールを蒸発させ、白色固体および黄色油の残留混合物にエーテル200mlを加え、10%水酸化ナトリウム水溶液、水で数回洗浄し、MgSO4を通して乾燥した。溶媒を蒸発させた後、黄色の油40g(85%)を得た。得られた物をそのまま減圧下(2.2mmHg, b.p.148−149℃)で蒸留し、透明で粘稠な液体を与えた。1H NMR(CDCl3)δ6.98(4H,s, 芳香環),3.8(5H, t, O−CH2, O−CH3), 0.7−1.7(15H, m,C7H15), IR(Naclプレ−ト) 750, 790, 825, 925, 1045, 1105, 1180, 1235, 1290, 1385, 1445, 1470, 1510, 1595, 1615, 1850, 2030, 2870, 2920, 2960, 3040。C15H24O2に対するMS.分析 計算値:C, 76.23; H, 10.23; O, 13.54。実験値:C, 76.38;H, 10.21; O, 13.45。
2.2,5−ビス(クロロメチル)−1−メトキシ−4−(2−エチル−ヘキシルオキシ)ベンゼンの調製
0−5℃に冷却したp−ジオキサン100mlに化合物(1)4.9g(20.7mmole)を溶かした溶液に、濃HCl 18mlおよび37%ホルマリン水溶液10mlを加えた。無水HClを30分間バブルし、反応混合液を室温まで加温し、1.5−2時間攪拌した。ホルマリン溶液をさらに10ml加え、Hclガスを0−5℃で5−10分間通した。室温で16時間攪拌した後、次いで3−4時間還流した。冷却し、溶媒を除去した後、ほとんど白色の「脂様」固体を得た。その物質を最少量のヘキサンに溶かし、溶液が白濁するまでメタノールを加えることによりその物質を沈澱させた。冷却し、ろ過し、冷メタノールで洗浄した後、白色結晶物質(mp 52−54℃) 3.4g (52%)を得た。1H NMR(CDCl3)δ6.98(2H, s, 芳香環), 4.65(4H, s, CH2−Cl), 3.86 (5H, t, O−CH3, O−CH2), 0.9−1.5(15H, m, C7H15), IR(KBr)610, 700, 740, 875, 915, 1045, 1140, 1185,
1230, 1265, 1320, 1420, 1470, 1520, 1620, 1730, 2880, 2930, 2960, 3050。C17H26O2Cl2に対するMS.分析 計算値:C, 61.26; H, 7.86; O, 9.60; Cl, 21.27。実験値:C, 61.31; H, 7.74;O, 9.72; Cl, 21.39。
重合
ポリ(1−メトキシ−4−(2−エチルヘキシロキシ−2,5−フェニレンビニレン)MEH−MPVの調製
無水THF20mlに2,5−ビス(クロロメチル)−メトキシ−4−(2−エチルヘキシロキシ)ベンゼン1.0g(3 mmol)を溶かした溶液に、無水THF80mlに95%カリウムtert−ブトキシド2.12 g(18mmol)を溶かした溶液を室温で攪拌しながら滴下した。反応混合液を周囲の温度で24時間攪拌し、メタノ−ル5
00ml中に攪拌しながら注いだ。得られた赤色沈澱物を蒸留水で洗浄し、THF/メタノールから再沈させ、減圧乾燥して0.35g(収率45%)が得られた。UV(CHCl3)500。IR(フィルム) 695, 850, 960, 1035, 1200, 1250, 1350, 1410, 1460, 1500, 2840, 2900, 2940, 3040。C17H24O2に対する分析 計算値:C, 78.46;H, 9.23。実験値:C, 78.34; H, 9.26。
この実施例は、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキシロキシ)−p−フェニレンビニレン)「MEH−PPV」の調製を包含する。
モノマー合成
1.1−メトキシ−4−(2−エチル−ヘキシロキシ)ベンゼンの調製
乾燥メタノール150mlに4−メトキシフェノール24.8g(0.2mole)を溶かした溶液を窒素ガス下2.5Mナトリウムメトキシド(1.1当量)溶液と混合し、20分間還流した。反応混合液を室温まで冷却後、メタノール150mlに2−エチルブロモヘキサン(42.5ml, 1.1当量)を溶かした溶液を滴下した。16時間還流後、褐色がかった溶液は淡黄色に変わった。メタノールを蒸発させ、白色固体および黄色油の残留混合物にエーテル200mlを加え、10%水酸化ナトリウム水溶液、水で数回洗浄し、MgSO4を通して乾燥した。溶媒を蒸発させた後、黄色の油40g(85%)を得た。得られた物をそのまま減圧下(2.2mmHg, b.p.148−149℃)で蒸留し、透明で粘稠な液体を与えた。1H NMR(CDCl3)δ6.98(4H,s, 芳香環),3.8(5H, t, O−CH2, O−CH3), 0.7−1.7(15H, m,C7H15), IR(Naclプレ−ト) 750, 790, 825, 925, 1045, 1105, 1180, 1235, 1290, 1385, 1445, 1470, 1510, 1595, 1615, 1850, 2030, 2870, 2920, 2960, 3040。C15H24O2に対するMS.分析 計算値:C, 76.23; H, 10.23; O, 13.54。実験値:C, 76.38;H, 10.21; O, 13.45。
2.2,5−ビス(クロロメチル)−1−メトキシ−4−(2−エチル−ヘキシルオキシ)ベンゼンの調製
0−5℃に冷却したp−ジオキサン100mlに化合物(1)4.9g(20.7mmole)を溶かした溶液に、濃HCl 18mlおよび37%ホルマリン水溶液10mlを加えた。無水HClを30分間バブルし、反応混合液を室温まで加温し、1.5−2時間攪拌した。ホルマリン溶液をさらに10ml加え、Hclガスを0−5℃で5−10分間通した。室温で16時間攪拌した後、次いで3−4時間還流した。冷却し、溶媒を除去した後、ほとんど白色の「脂様」固体を得た。その物質を最少量のヘキサンに溶かし、溶液が白濁するまでメタノールを加えることによりその物質を沈澱させた。冷却し、ろ過し、冷メタノールで洗浄した後、白色結晶物質(mp 52−54℃) 3.4g (52%)を得た。1H NMR(CDCl3)δ6.98(2H, s, 芳香環), 4.65(4H, s, CH2−Cl), 3.86 (5H, t, O−CH3, O−CH2), 0.9−1.5(15H, m, C7H15), IR(KBr)610, 700, 740, 875, 915, 1045, 1140, 1185,
1230, 1265, 1320, 1420, 1470, 1520, 1620, 1730, 2880, 2930, 2960, 3050。C17H26O2Cl2に対するMS.分析 計算値:C, 61.26; H, 7.86; O, 9.60; Cl, 21.27。実験値:C, 61.31; H, 7.74;O, 9.72; Cl, 21.39。
重合
ポリ(1−メトキシ−4−(2−エチルヘキシロキシ−2,5−フェニレンビニレン)MEH−MPVの調製
無水THF20mlに2,5−ビス(クロロメチル)−メトキシ−4−(2−エチルヘキシロキシ)ベンゼン1.0g(3 mmol)を溶かした溶液に、無水THF80mlに95%カリウムtert−ブトキシド2.12 g(18mmol)を溶かした溶液を室温で攪拌しながら滴下した。反応混合液を周囲の温度で24時間攪拌し、メタノ−ル5
00ml中に攪拌しながら注いだ。得られた赤色沈澱物を蒸留水で洗浄し、THF/メタノールから再沈させ、減圧乾燥して0.35g(収率45%)が得られた。UV(CHCl3)500。IR(フィルム) 695, 850, 960, 1035, 1200, 1250, 1350, 1410, 1460, 1500, 2840, 2900, 2940, 3040。C17H24O2に対する分析 計算値:C, 78.46;H, 9.23。実験値:C, 78.34; H, 9.26。
分子量(ポリスチレンに対するGPC)3×105。固有粘性−5dl/g(しかし、凝集物を形成する傾向にあるため時間に依存する)。幾つかの他の剛直性鎖状ポリマーを用いた場合では、特にベンゼンにおいて、静置しておくと粘性は増加する。それゆえ、得られた溶液はチキソトロピックである。共役系高分子は強く色づいている(鮮赤−橙黄色)。
実施例2
前駆体高分子経路によるMEH−PPVの調製
モノマー合成
モノマー合成は実施例1と全く同一に行う。
前駆体高分子の重合およびMEH−PPVへの転換
乾燥メタノール1.2 mlに実施例1のモノマー塩200 mg(O.39 mmol)を溶かした溶液を0℃に10分間冷却し、水酸化ナトリウム28 mg(1.7当量)をメタノール0.7 mlに溶かした冷たい脱気溶液をゆっくり加えた。10分後、反応混合液は黄色になり、粘稠になった。上記の混合液を0℃にさらに2−3時間維持し、次いで溶液を中和した。非常に厚い、ガム状の物質をスペクトラポア膜(分子量カット12,000−14,000)に移し、1%の水を含有する脱気メタノ−ル中で3日間透析した。減圧乾燥し、「プラスチック性」黄色前駆体ポリマー物質70 mg(47%)を得た。UV(CHCl3)365。IR(フィルム)740, 805, 870, 1045, 1075, 1100, 1125, 1210, 1270, 1420,
1470, 1510, 2930, 2970, 3020。C6H5Cl, C6H3Cl3, CH2Cl2, CHCl3, Et2O, THFに可溶。メタノールには不溶。
前駆体高分子経路によるMEH−PPVの調製
モノマー合成
モノマー合成は実施例1と全く同一に行う。
前駆体高分子の重合およびMEH−PPVへの転換
乾燥メタノール1.2 mlに実施例1のモノマー塩200 mg(O.39 mmol)を溶かした溶液を0℃に10分間冷却し、水酸化ナトリウム28 mg(1.7当量)をメタノール0.7 mlに溶かした冷たい脱気溶液をゆっくり加えた。10分後、反応混合液は黄色になり、粘稠になった。上記の混合液を0℃にさらに2−3時間維持し、次いで溶液を中和した。非常に厚い、ガム状の物質をスペクトラポア膜(分子量カット12,000−14,000)に移し、1%の水を含有する脱気メタノ−ル中で3日間透析した。減圧乾燥し、「プラスチック性」黄色前駆体ポリマー物質70 mg(47%)を得た。UV(CHCl3)365。IR(フィルム)740, 805, 870, 1045, 1075, 1100, 1125, 1210, 1270, 1420,
1470, 1510, 2930, 2970, 3020。C6H5Cl, C6H3Cl3, CH2Cl2, CHCl3, Et2O, THFに可溶。メタノールには不溶。
前駆体高分子を1,2,4−トリクロロベンゼン溶媒中で加熱還流することにより(約214℃)、共役したMEH−PPVに転換した。生成物は実施例1で得られた材料と同一であった。
実施例3
1重量%のMEH−PPVを含有する希薄テトラヒドロフラン溶液をガラス基板上にスピンキャスティングで成膜したMEH−PPV膜の上面に整流インジウム(仕事関数=4.2eV、参考文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。ガラス基板を、予め、インジウム/スズ酸化層でコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成した。インジウムコンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04cm2の活性領域を形成する。
1重量%のMEH−PPVを含有する希薄テトラヒドロフラン溶液をガラス基板上にスピンキャスティングで成膜したMEH−PPV膜の上面に整流インジウム(仕事関数=4.2eV、参考文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。ガラス基板を、予め、インジウム/スズ酸化層でコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成した。インジウムコンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04cm2の活性領域を形成する。
印加電圧を上昇すると、丁度9V未満の順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる(逆方向バイアス下では光は観察されない)。15Vを上回ると、ダイオードの整流比は、104を越える。
3VのAC(681Hz)を13Vの順方向バイアスに重畳させたときに得られるELスペクトルは、HEH−PPV11のホトルミネッセンスに観察されるのと同様の特徴的なスペクトル特性を示した。室温エレクトロルミネッセンスは、約2.1eVでピークとなり、第2ピークが1.9eVを上回ったところにわずかに認められる。90Kで、強度は、増加して赤色にシフトし、2つのピークは、明確に分離する。
エレクトロルミネッセンス強度を、増加する順方向バイアス下で、電流の関数として測定した。量子効率を、較正されたシリコンホトダイオードで測定し、スペクトル応答および集光光学系の立体角についての補正をした。0.8mAで測定された量子効率は、インジウム電極の電子当り約5×10−4フォトンである。
実施例4
希薄溶液をガラス基板上にスピンキャスティングで成膜したMEH−PPV膜の上面に整流カルシウム(仕事関数=3eV、参考文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。ガラス基板を、部分的にインジウム/スズ酸化層でコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成した。カルシウムコンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04cm2の活性領域を形成する。
希薄溶液をガラス基板上にスピンキャスティングで成膜したMEH−PPV膜の上面に整流カルシウム(仕事関数=3eV、参考文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。ガラス基板を、部分的にインジウム/スズ酸化層でコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成した。カルシウムコンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04cm2の活性領域を形成する。
カルシウム/MEH−PPVダイオードでは、105程度の整流比が得られる。 印加電圧を上昇すると、丁度3Vを上回る順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる(逆方向バイアス下では光は観察されない)。量子効率を、較正されたシリコンホトダイオードで測定し、スペクトル応答および集光光学系の立体角についての補正をした。0.8mAで測定された量子効率は、カルシウム電極の電子当り約7×10−3フォトン(すなわち、約1%!!)である。カルシウム/MEH−PPV LEDからの発光は、明るく、明りをつけた部屋では、4Vの順方向バイアスで容易に見える。
実施例5
希薄溶液を柔軟な透明ポリエチレンテレフタレート(PET)膜基板(厚さ7ミリ)上にスピンキャスティングで成摸したMEH−PPV膜の上面に整流カルシウム(仕事関数=3eV、文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたPET上のMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。PET基板を、インジウム/スズ酸化層でプレコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成する。カルシウム整流コンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04m2の活性領域を形成する。
希薄溶液を柔軟な透明ポリエチレンテレフタレート(PET)膜基板(厚さ7ミリ)上にスピンキャスティングで成摸したMEH−PPV膜の上面に整流カルシウム(仕事関数=3eV、文献10)コンタクトを形成した発光ダイオード(LED)を製造した。得られたPET上のMEH−PPV膜は、厚さ約1200オングストロームの均一な表面を有する。PET基板を、インジウム/スズ酸化層でプレコーティングし、「オーミック」コンタクトを形成する。カルシウム整流コンタクトを、4×10−7トール未満の圧力で、真空蒸着によりMEH−PPV高分子膜上に成膜し、0.04m2の活性領域を形成する。
カルシウム/MEH−PPVダイオードでは、103程度の整流比が得られる。
印加電圧を上昇すると、4Vを下回る順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる(逆方向バイアス下では光は観察されない)。量子効率を、較正されたシリコンホトダイオードで測定し、スペクトル応答および集光光学系の立体角についての補正をした。5.5μAで測定された量子効率は、カルシウム電極の電子当り約4×10-3フォトンである。カルシウム/MEH−PPV LEDからの発光は、明るく、明りをつけた部屋では、4Vの順方向バイアスで容易に見える。
実施例6
MEH−PPVを、適度の延伸比(例えば、延伸比>20、文献11)に延伸した純粋なUHMW−PEの膜上にキャストする。MEH−PPVは、延伸方向に沿って自発的に配向するのが観察され、光吸収およびホトルミネッセンススペクトルは、異方性が高い。ルミネッセンススペクトルは、鎖配向方向に沿った電気ベクトルで偏光されるので、偏光を発光する発光ダイオードが製造され得る。
MEH−PPVを、適度の延伸比(例えば、延伸比>20、文献11)に延伸した純粋なUHMW−PEの膜上にキャストする。MEH−PPVは、延伸方向に沿って自発的に配向するのが観察され、光吸収およびホトルミネッセンススペクトルは、異方性が高い。ルミネッセンススペクトルは、鎖配向方向に沿った電気ベクトルで偏光されるので、偏光を発光する発光ダイオードが製造され得る。
実施例7
MEH−PPVをゲル加工し、UHMW−PEのゲストとして鎖配向した。ゲル加工されたブレンド中で、ゲストとしての共役系高分子をゲル加工するには、以下の3つの工程が行われる:
A.適切なキャリヤ高分子と共に溶解する工程
B.キャリヤ構造を形成する工程
C.キャリヤ/ポリマーブレンドを延伸する工程
キャリヤ溶液調製、膜形成、ゲル化および延伸
キシレン中のMEH−PPV(Mw=450,000)と、PEと溶媒との比が0.75重量%であるキシレン中のUHMWポリエチレン(Hostalen GUR 415; Mw=4×106)とを混合することにより、PE−MEH−PPVブレンドを調製する。この溶液を完全に混合し、熱い油浴中、126℃で1時間平衡化する。次に、この溶液をガラス基板に注いで冷却し、乾燥し、ゲルを(膜に)形成した。次に、膜を小片に切断し、ホットピン上で110−120℃で引っ張り延伸した。一旦このように処理すると、膜は配向する。実施例4および5のように、仕事関数の高い電極と、仕事関数の低い電極とを用意し、LEDを得る。
MEH−PPVをゲル加工し、UHMW−PEのゲストとして鎖配向した。ゲル加工されたブレンド中で、ゲストとしての共役系高分子をゲル加工するには、以下の3つの工程が行われる:
A.適切なキャリヤ高分子と共に溶解する工程
B.キャリヤ構造を形成する工程
C.キャリヤ/ポリマーブレンドを延伸する工程
キャリヤ溶液調製、膜形成、ゲル化および延伸
キシレン中のMEH−PPV(Mw=450,000)と、PEと溶媒との比が0.75重量%であるキシレン中のUHMWポリエチレン(Hostalen GUR 415; Mw=4×106)とを混合することにより、PE−MEH−PPVブレンドを調製する。この溶液を完全に混合し、熱い油浴中、126℃で1時間平衡化する。次に、この溶液をガラス基板に注いで冷却し、乾燥し、ゲルを(膜に)形成した。次に、膜を小片に切断し、ホットピン上で110−120℃で引っ張り延伸した。一旦このように処理すると、膜は配向する。実施例4および5のように、仕事関数の高い電極と、仕事関数の低い電極とを用意し、LEDを得る。
Claims (1)
- 可視光を発光し、5Vより低い電圧でオンとなる発光ダイオードの製造方法であって、
i)高い仕事関数を有し、ホール注入電極として作用する透明な導電性の第1層を用いて基板をプレコートする工程と、
ii)可溶性の半導体性発光性共役系高分子の透明層を、該第1層の上に溶液から直接キャストする工程と、
iii)電子注入コンタクトを、該半導体性発光性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程と
を包含し、
該仕事関数の低い金属は、カルシウム、または、カルシウムより低い仕事関数を有する金属もしくは合金である、方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/662,290 US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002017767A Division JP2002319489A (ja) | 1991-02-27 | 2002-01-25 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005049798A Division JP2005166688A (ja) | 1991-02-27 | 2005-02-24 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047490A true JP2004047490A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=24657148
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50677492A Expired - Lifetime JP3299262B2 (ja) | 1991-02-27 | 1992-02-14 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2002017767A Pending JP2002319489A (ja) | 1991-02-27 | 2002-01-25 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2003346360A Pending JP2004047490A (ja) | 1991-02-27 | 2003-10-03 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2005049798A Withdrawn JP2005166688A (ja) | 1991-02-27 | 2005-02-24 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2006122731A Pending JP2006237016A (ja) | 1991-02-27 | 2006-04-26 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50677492A Expired - Lifetime JP3299262B2 (ja) | 1991-02-27 | 1992-02-14 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2002017767A Pending JP2002319489A (ja) | 1991-02-27 | 2002-01-25 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005049798A Withdrawn JP2005166688A (ja) | 1991-02-27 | 2005-02-24 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
JP2006122731A Pending JP2006237016A (ja) | 1991-02-27 | 2006-04-26 | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5408109A (ja) |
EP (1) | EP0573549B2 (ja) |
JP (5) | JP3299262B2 (ja) |
AT (1) | ATE166748T1 (ja) |
AU (1) | AU1445292A (ja) |
CA (1) | CA2105069C (ja) |
DE (1) | DE69225697T3 (ja) |
WO (1) | WO1992016023A1 (ja) |
Families Citing this family (328)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5689428A (en) | 1990-09-28 | 1997-11-18 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuits, transistors, data processing systems, printed wiring boards, digital computers, smart power devices, and processes of manufacture |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
CA2152922A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Georges Hadziioannou | Multi-bloc copolymer based tunable light emitting diode, polymers suitable therefor and oligomers |
US5567550A (en) * | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
US5514878A (en) * | 1994-03-18 | 1996-05-07 | Holmes; Andrew B. | Polymers for electroluminescent devices |
JP2821347B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
WO1995031831A1 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-23 | Philips Electronics N.V. | Method of providing a film of conjugated, substituted or unsubstituted poly(p-phenylene vinylene) on a substrate by chemical vapour deposition (cvd), as well as a method of manufacturing an electroluminescent (el) device |
EP0714556B1 (en) * | 1994-05-19 | 1999-01-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting diode comprising an active layer of 2,5-substituted poly(p-phenylene vinylene) |
US5682043A (en) * | 1994-06-28 | 1997-10-28 | Uniax Corporation | Electrochemical light-emitting devices |
DE4430691A1 (de) | 1994-08-30 | 1996-03-07 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen und deren Verwendung |
JP2001506393A (ja) * | 1994-09-06 | 2001-05-15 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 導電性ポリマー製の透明な構造を付与した電極層を有するエレクトロルミネセント装置 |
US5652930A (en) * | 1994-12-16 | 1997-07-29 | Eastman Kodak Company | Camera information display |
US5629533A (en) * | 1995-02-06 | 1997-05-13 | Motorola | Optical sensor and method |
DE19505942A1 (de) | 1995-02-21 | 1996-08-22 | Bayer Ag | (Co)Polymerisate auf Basis von Vinyl-Einheiten und ihre Verwendung in elektrolumineszierenden Anordnungen |
US6075106A (en) * | 1995-03-29 | 2000-06-13 | D-51368 Bayer Ag | (Co)polymers based on vinyl units and use thereof in electroluminescent devices |
DE19511484A1 (de) * | 1995-03-29 | 1996-10-02 | Bayer Ag | (Co)Polymerisate auf Basis von Vinyl-Einheiten und ihre Verwendung in elektrolumineszierenden Anordnungen |
DE19516922A1 (de) * | 1995-05-09 | 1996-11-14 | Bosch Gmbh Robert | Elektrolumineszierendes Schichtsystem |
EP0826248A4 (en) * | 1995-05-19 | 1998-07-15 | Uniax Corp | LUMINESCENT ELECTROCHEMICAL DEVICES |
US5677546A (en) * | 1995-05-19 | 1997-10-14 | Uniax Corporation | Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration |
KR0155863B1 (ko) * | 1995-07-31 | 1998-11-16 | 김광호 | 청색 발광성 고분자 및 이를 채용한 발광 다이오드 |
WO1997007654A1 (en) * | 1995-08-21 | 1997-02-27 | Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device |
WO1997012276A1 (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-03 | Philips Electronics N.V. | Electroluminescent illumination system and a flat-panel picture display device provided with such a system |
DE19536843A1 (de) * | 1995-10-02 | 1997-04-03 | Bayer Ag | (Co)Polymerisate auf Basis von Vinyl-Einheiten und ihre Verwendung in elektrolumineszierenden Anordnungen |
DE19627070A1 (de) | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen |
WO1998003566A1 (en) * | 1996-07-19 | 1998-01-29 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymers as materials for solid state lasers |
US5693956A (en) * | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
DE19632949A1 (de) * | 1996-08-16 | 1998-02-19 | Bayer Ag | (Co)Polymerisate auf Basis von Vinyl-Einheiten und ihre Verwendung in elektrolumineszierenden Anordnungen |
JP3254574B2 (ja) | 1996-08-30 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
US5966393A (en) * | 1996-12-13 | 1999-10-12 | The Regents Of The University Of California | Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications |
US5856013A (en) * | 1997-01-21 | 1999-01-05 | Xerox Corp | Ohmic contact-providing compositions |
US5965281A (en) | 1997-02-04 | 1999-10-12 | Uniax Corporation | Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes |
US5864642A (en) * | 1997-02-10 | 1999-01-26 | Motorola, Inc. | Electro-optic device board |
US5958573A (en) * | 1997-02-10 | 1999-09-28 | Quantum Energy Technologies | Electroluminescent device having a structured particle electron conductor |
US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
US5903246A (en) * | 1997-04-04 | 1999-05-11 | Sarnoff Corporation | Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display |
US5952789A (en) * | 1997-04-14 | 1999-09-14 | Sarnoff Corporation | Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor |
US6452218B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes |
US6891583B1 (en) * | 1997-07-03 | 2005-05-10 | Eidgenössische Technische Hochschule Zurich | Photoluminescent display devices having a photoluminescent layer with a high degree of polarization in its absorption, and methods for making the same |
US5998045A (en) * | 1997-07-03 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Polymeric light-emitting device |
US6023259A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-08 | Fed Corporation | OLED active matrix using a single transistor current mode pixel design |
EP1025183B1 (en) | 1997-10-21 | 2005-12-28 | Cambridge Display Technology Limited | Polymeric materials for electroluminescent devices |
DE19812259A1 (de) | 1998-03-20 | 1999-10-21 | Bayer Ag | EL-Anordnung auf Basis von tert.-Aminen, in Alkohol löslichen Alq3-Derivaten bzw. Mischungen und polymeren Bindern |
DE19825765A1 (de) | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen |
US6127693A (en) * | 1998-07-02 | 2000-10-03 | National Science Council Of Republic Of China | Light emitting diode with blue light and red light emitting polymers |
DE19829947A1 (de) | 1998-07-04 | 2000-01-05 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen mit Bor-Chelaten |
US6316130B1 (en) | 1998-07-04 | 2001-11-13 | Bayer Aktiengesellschaft | Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes |
US6368731B2 (en) | 1998-07-04 | 2002-04-09 | Bayer Aktiengesellschaft | Electroluminescent assemblies using boron chelates of 8-aminoquinoline derivatives |
DE19832644C1 (de) | 1998-07-10 | 2000-04-06 | Samsung Display Devices Co Ltd | Organische lichtemittierende Dioden (OLED) mit Poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylen-1,2-ethenylen-2,5-dimethoxy-1,4-phenylen-1,2-ethenylen] als Elektrolumineszenzmaterial |
AU5334999A (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-28 | Uniax Corporation | Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials |
DE19839946A1 (de) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen mit mehrkernigen Metallkomplexen |
DE19839947A1 (de) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen mit Thiophencarboxylat-Metallkomplexen |
WO2000022683A1 (en) | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Uniax Corporation | Thin metal-oxide layer as stable electron-injecting electrode for light emitting diodes |
US6221438B1 (en) | 1998-11-03 | 2001-04-24 | Sarnoff Corporation | Patterned deposition of a material |
US6037190A (en) * | 1998-11-13 | 2000-03-14 | Industrial Technology Research Institute | Method for fabricating an organic electro-luminescent device |
US6886209B2 (en) * | 1999-05-04 | 2005-05-03 | Tech Mats, Llc | Advanced floor mat |
US7009523B2 (en) * | 1999-05-04 | 2006-03-07 | Intellimats, Llc | Modular protective structure for floor display |
US6844058B2 (en) | 1999-05-04 | 2005-01-18 | Tech Mats, Llc | Floor mat including tacky surface with tacky-when-dry and tacky-when-wet properties |
US6982649B2 (en) | 1999-05-04 | 2006-01-03 | Intellimats, Llc | Floor display system with interactive features |
US7109881B2 (en) * | 1999-05-04 | 2006-09-19 | Intellimats Llc | Electronic floor display with weight measurement and reflective display |
RU2259803C2 (ru) | 1999-05-04 | 2005-09-10 | Тек Мэтс Ллс | Усовершенствованный напольный коврик |
US6735806B2 (en) | 1999-05-04 | 2004-05-18 | Eggs In The Pipeline, Llc | Tacky roller for improved surface cleaning |
US20080278408A1 (en) * | 1999-05-04 | 2008-11-13 | Intellimat, Inc. | Floor display systems and additional display systems, and methods and computer program products for using floor display systems and additional display system |
US6917301B2 (en) * | 1999-05-04 | 2005-07-12 | Intellimats, Llc | Floor display system with variable image orientation |
US20020092110A1 (en) * | 1999-05-04 | 2002-07-18 | Blum Ronald D. | Floor mat support and drainage structure |
US7205903B2 (en) | 1999-05-04 | 2007-04-17 | Intellimat, Inc. | Interactive and dynamic electronic floor advertising/messaging display |
US20040139570A1 (en) * | 1999-05-04 | 2004-07-22 | Blum Ronald D. | Tacky sheets with reduced glare or shine |
US6219876B1 (en) | 1999-05-04 | 2001-04-24 | Tech Mats, L.L.C. | Floor mat |
US20020023308A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Blum Ronald D. | Advanced floor mat |
US20020156634A1 (en) * | 1999-05-04 | 2002-10-24 | Blum Ronald D. | Floor mat with voice-responsive display |
US20030232554A1 (en) * | 1999-05-04 | 2003-12-18 | Blum Ronald D. | Multi-layer tacky and water-absorbing shoe-cleaning product |
US7145469B2 (en) * | 1999-05-04 | 2006-12-05 | Intellimats, Llc | Display system for use on horizontal or non-horizontal surfaces |
US20030126708A1 (en) * | 1999-05-04 | 2003-07-10 | Blum Ronald D. | Remove tabs for tacky inserts of a floor mat |
US6940418B2 (en) | 1999-05-04 | 2005-09-06 | Intellimats, Llc | Electronic floor display cleaning system and protective cover |
US6233776B1 (en) * | 1999-05-04 | 2001-05-22 | Tech Mats, L.L.C | Advanced floor mat |
AU4951299A (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh And Co. Ohg | Encapsulation of a device |
JP4950400B2 (ja) | 1999-07-09 | 2012-06-13 | インスティチュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング | デバイスを封入するためのラミネート |
US6849869B1 (en) | 1999-07-19 | 2005-02-01 | Dupont Displays, Inc. | Long lifetime polymer light-emitting devices with improved luminous efficiency and improved radiance |
US6593687B1 (en) | 1999-07-20 | 2003-07-15 | Sri International | Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device |
US6383665B1 (en) | 1999-08-19 | 2002-05-07 | Lucent Technologies Inc. | Polarizable photoactive and electroactive polymers and light emitting devices |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
KR100337021B1 (ko) | 1999-10-18 | 2002-05-16 | 윤덕용 | 이오노머형 발광 고분자 및 이를 이용한 전기 발광 소자 |
CN1204444C (zh) | 1999-12-17 | 2005-06-01 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 改进的有机发光二极管器件 |
US6307322B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-10-23 | Sarnoff Corporation | Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage |
US6835576B2 (en) * | 2000-05-02 | 2004-12-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic thin film, a magnetic component that uses this magnetic thin film, manufacturing methods for the same, and a power conversion device |
DE10012205A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-27 | Siemens Ag | Leuchtdiode auf der Basis von löslichen organischen Materialien |
KR20010095429A (ko) * | 2000-03-30 | 2001-11-07 | 윤덕용 | 단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자 |
EP1274760B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-03-24 | DuPont Displays, Inc. | Soluble poly(aryl-oxadiazole) conjugated polymers |
AU2001259187A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-07 | Add-Vision, Inc. | Screen printing light-emitting polymer patterned devices |
US7074640B2 (en) | 2000-06-06 | 2006-07-11 | Simon Fraser University | Method of making barrier layers |
US7067346B2 (en) * | 2000-06-06 | 2006-06-27 | Simon Foster University | Titanium carboxylate films for use in semiconductor processing |
US20020036291A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-03-28 | Parker Ian D. | Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices |
US20020031602A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-03-14 | Chi Zhang | Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
US6417245B1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-07-09 | The Research Foundation Of State University Of Ny | Method for the preparation of conjugated polymers |
JP2004507096A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ(ofet),該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用 |
JP2004506985A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用 |
DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
DE10042974B4 (de) | 2000-09-01 | 2008-04-30 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zum elektrischen Adressieren von Fluoreszenz-Anzeigeelementen und Anzeige |
DE10044842A1 (de) * | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
WO2002025750A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu |
DE10061299A1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu |
DE10061297C2 (de) * | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
DE10063721A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-11 | Merck Patent Gmbh | Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
DE10105914C1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
US6756474B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-06-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous conductive dispersions of polyaniline having enhanced viscosity |
WO2002078052A2 (de) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Gerät mit zumindest zwei organischen elektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung dazu |
DE10117663B4 (de) * | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
DE10126859A1 (de) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
WO2003017732A1 (en) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material disposed therein |
US6699597B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein |
US20030048256A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-13 | Salmon Peter C. | Computing device with roll up components |
US6680578B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-01-20 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Organic light emitting diode light source |
JP2003123968A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Univ Toyama | 有機電界発光素子の製造方法 |
DE10151036A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-05-08 | Siemens Ag | Isolator für ein organisches Elektronikbauteil |
DE10151440C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
KR100478521B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 고분자 발광 혼합 조성물 및 그를이용한 유기 전계 발광 소자 |
US7250512B2 (en) | 2001-11-07 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds having red-orange or red emission and devices made with such compounds |
US20030124265A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-07-03 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for transferring a material onto a plasma treated surface according to a pattern |
DE10160732A1 (de) * | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
DE60227696D1 (de) * | 2001-12-20 | 2008-08-28 | Add Vision Inc | Siebdruckfähige, elektrolumineszierende polymertinte |
EP1456893A1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-09-15 | Add-Vision, Inc. | Screen printable electrode for organic light emitting device |
EP1466506A4 (en) | 2001-12-26 | 2007-03-07 | Du Pont | IRIDIUM ELECTROLUMINESCENT COMPOUNDS WITH FLUORINATED PHENYLPYRIDINES, PHENYLPYRIMIDINES AND PHENYLQUINOLINES AND DEVICES CONTAINED THEREFROM |
EP1329955A3 (en) * | 2002-01-18 | 2006-06-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for forming a multicolor display |
DE10212640B4 (de) * | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
JP3926180B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた液晶表示装置 |
US7205366B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hole transport polymers and devices made with such polymers |
US8299706B2 (en) | 2002-04-15 | 2012-10-30 | Schott Ag | Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements |
US7268486B2 (en) | 2002-04-15 | 2007-09-11 | Schott Ag | Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements |
CA2381833C (en) * | 2002-04-16 | 2011-02-15 | American Dye Source, Inc. | Hybrid organic-inorganic light emitting polymers |
US7241512B2 (en) * | 2002-04-19 | 2007-07-10 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent materials and methods of manufacture and use |
US7282275B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-10-16 | 3M Innovative Properties Company | Materials for organic electronic devices |
CN1665678A (zh) * | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 目标技术有限公司 | 银合金薄膜反射器和透明导电体 |
US7102656B2 (en) * | 2002-05-21 | 2006-09-05 | Northwestern University | Electrostatically driven lithography |
CA2483650A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copolymers having tunable energy levels and color of emission |
US6936355B2 (en) * | 2002-06-04 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic photoluminescent polymers with improved stability |
DE10226370B4 (de) * | 2002-06-13 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) |
US10001475B2 (en) | 2002-06-20 | 2018-06-19 | The Regents Of The University Of California | Light harvesting multichromophore compositions and methods of using the same |
US9371559B2 (en) | 2002-06-20 | 2016-06-21 | The Regents Of The University Of California | Compositions for detection and analysis of polynucleotides using light harvesting multichromophores |
US7144950B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-12-05 | The Regents Of The University Of California | Conformationally flexible cationic conjugated polymers |
CA2489922C (en) * | 2002-06-20 | 2016-08-16 | The Regents Of The University Of California | Methods and compositions for detection and analysis of polynucleotides using light harvesting multichromophores |
US20040004433A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use |
WO2004017439A2 (de) | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu |
US7090929B2 (en) * | 2002-07-30 | 2006-08-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Metallic complexes covalently bound to conjugated polymers and electronic devices containing such compositions |
US20060079327A1 (en) * | 2002-08-08 | 2006-04-13 | Wolfgang Clemens | Electronic device |
US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
WO2004021256A1 (de) | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Organisches bauelement zum überspannungsschutz und dazugehörige schaltung |
EA007653B1 (ru) | 2002-08-26 | 2006-12-29 | Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния | Способы и композиции обнаружения и анализа полинуклеотидов с помощью светособирающих полихромофоров |
CA2498194A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-04-29 | Board Of Regents, University Of Texas System | Composition, method and use of bi-functional biomaterials |
EP1549696A1 (en) * | 2002-09-24 | 2005-07-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications |
US20040062947A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-01 | Lamansky Sergey A. | Organic electroluminescent compositions |
US7094902B2 (en) * | 2002-09-25 | 2006-08-22 | 3M Innovative Properties Company | Electroactive polymers |
US6890868B2 (en) * | 2002-10-17 | 2005-05-10 | Xerox Corporation | Process for depositing gelable composition that includes dissolving gelable composition in liquid with agitating to disrupt gelling |
CN1726604A (zh) * | 2002-11-05 | 2006-01-25 | 波尔伊克两合公司 | 具有高分辨率结构的有机电子元件及其制造方法 |
DE10253154A1 (de) * | 2002-11-14 | 2004-05-27 | Siemens Ag | Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe |
JP2006506524A (ja) * | 2002-11-14 | 2006-02-23 | エリシャ・ホールディング・エルエルシー | エレクトロコーティング及びこれから製造される物品 |
EP1563554B1 (de) * | 2002-11-19 | 2012-01-04 | PolyIC GmbH & Co. KG | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
US7442954B2 (en) * | 2002-11-19 | 2008-10-28 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component |
US6896723B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Eastman Kodak Company | Compressed fluid formulation containing hole transporting material |
US6927415B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-08-09 | Eastman Kodak Company | Compressed fluid formulation containing electron transporting material |
US6896827B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Eastman Kodak Company | Compressed fluid formulation containing electroluminescent polymeric material |
US6866678B2 (en) | 2002-12-10 | 2005-03-15 | Interbational Technology Center | Phototherapeutic treatment methods and apparatus |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
DE10300521A1 (de) * | 2003-01-09 | 2004-07-22 | Siemens Ag | Organoresistiver Speicher |
DE10302149A1 (de) | 2003-01-21 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik |
DE502004003677D1 (de) * | 2003-01-21 | 2007-06-14 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik |
KR100749126B1 (ko) * | 2003-01-29 | 2007-08-13 | 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게 | 유기 메모리 장치 및 이를 위한 구동회로 |
US7816016B1 (en) | 2003-02-13 | 2010-10-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds and devices made therefrom |
DE602004024038D1 (de) | 2003-02-13 | 2009-12-24 | Univ California | Verfahren und zusammensetzungen zum nachweis und zur analyse von polynukleotidbindungsproteinwechselwirkungen unter verwendung licht sammelnder multichromophoren |
KR100860732B1 (ko) | 2003-02-14 | 2008-09-29 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 선로 소자 및 선로 소자를 사용한 반도체 회로 |
US20040165015A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-08-26 | Blum Ronald D. | Electronic display device for floor advertising/messaging |
DE10308515B4 (de) | 2003-02-26 | 2007-01-25 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung organischer lichtemittierender Dioden und organische lichtemittierende Diode |
US7271406B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Electron transport agents for organic electronic devices |
US7192657B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Ethynyl containing electron transport dyes and compositions |
ATE401672T1 (de) * | 2003-05-12 | 2008-08-15 | Cambridge Entpr Ltd | Herstellung einer polymeren vorrichtung |
US20040256978A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-23 | Gang Yu | Array comprising organic electronic devices with a black lattice and process for forming the same |
AU2003243850A1 (en) * | 2003-06-18 | 2005-01-04 | Bratya Vassilevi Ad | Refrigerator and system of refrigerators |
DE10330064B3 (de) * | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
DE10330062A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten |
DE10338277A1 (de) * | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Siemens Ag | Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität |
DE10339036A1 (de) | 2003-08-25 | 2005-03-31 | Siemens Ag | Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu |
DE10340644B4 (de) * | 2003-09-03 | 2010-10-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik |
DE10340643B4 (de) * | 2003-09-03 | 2009-04-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht |
US20050052119A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Gang Yu | Organic electronic device having low background luminescence |
JP5219371B2 (ja) | 2003-09-17 | 2013-06-26 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 可溶性共役ポリマーを含む方法及びデバイス |
US20050069726A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Douglas Elliot Paul | Light emitting composite material and devices thereof |
US7271534B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Segmented organic light emitting device |
US7432124B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an organic light emitting device |
US20060139342A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Electronic devices and processes for forming electronic devices |
CN1898993A (zh) * | 2003-11-18 | 2007-01-17 | 3M创新有限公司 | 电致发光器件以及制造具有色彩转换元件的电致发光器件的方法 |
US20050118923A1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Erika Bellmann | Method of making an electroluminescent device including a color filter |
GB2408209A (en) * | 2003-11-18 | 2005-05-25 | Qinetiq Ltd | Flexible medical light source |
DE10359156B4 (de) * | 2003-12-16 | 2007-08-30 | Schott Ag | Anzeigevorrichtung |
US20050156512A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Vadim Savvateev | Electroluminescent devices with at least one electrode having apertures and methods of using such devices |
DE102004002024A1 (de) * | 2004-01-14 | 2005-08-11 | Siemens Ag | Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7351358B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-04-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications |
US7427782B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-09-23 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7259030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-08-21 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7858994B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-28 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements |
US7052924B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-05-30 | Articulated Technologies, Llc | Light active sheet and methods for making the same |
US7217956B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-05-15 | Articulated Technologies, Llc. | Light active sheet material |
US7294961B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-11-13 | Articulated Technologies, Llc | Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix |
US7250632B2 (en) * | 2004-04-06 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices having a layer overlying an edge of a different layer and a process for forming the same |
US7046225B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-05-16 | Chen-Jean Chou | Light emitting device display circuit and drive method thereof |
US7053875B2 (en) * | 2004-08-21 | 2006-05-30 | Chen-Jean Chou | Light emitting device display circuit and drive method thereof |
DE102004040831A1 (de) * | 2004-08-23 | 2006-03-09 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Funketikettfähige Umverpackung |
CN100444242C (zh) * | 2004-09-03 | 2008-12-17 | 周庆盈 | 有源矩阵发光装置显示器及其驱动方法 |
WO2006029231A1 (en) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | The Regents Of The University Of California | Soluble conjugated polymers |
WO2006029226A1 (en) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | The Regents Of The University Of California | Methods and devices utilizing soluble conjugated polymers |
US7402345B2 (en) * | 2004-09-14 | 2008-07-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds |
US7589707B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-09-15 | Chen-Jean Chou | Active matrix light emitting device display pixel circuit and drive method |
US20060071887A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-06 | Chen-Jean Chou | Active matrix display and drive method thereof |
JP2008517265A (ja) * | 2004-10-15 | 2008-05-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色を切り換える温度計 |
CA2584685A1 (en) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Asher K. Sinensky | Biomolecular recognition of crystal defects |
US7537884B2 (en) * | 2004-10-20 | 2009-05-26 | National Taiwan University | Method for forming self-synthesizing conductive or conjugated polymer film and application |
US20060105199A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent devices containing trans-1,2-bis(acenyl)ethylene compounds |
US7315042B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductors containing trans-1,2-bis(acenyl)ethylene compounds |
DE102004059467A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE102004059465A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Erkennungssystem |
DE102004059464A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
US8492749B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-07-23 | Basf Se | Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands |
DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
US20060142520A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | 3M Innovative Properties Company | Hole transport layers for organic electroluminescent devices |
US8569948B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
US7187123B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-03-06 | Dupont Displays, Inc. | Display device |
US20060141135A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Jian Wang | Processes for forming layers for electronic devices using heating elements |
US7887876B2 (en) * | 2004-12-29 | 2011-02-15 | Dupont Displays Inc. | Organic electronic device and method to manufacture same |
US20060138946A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Jian Wang | Electrical device with a low reflectivity layer |
US20060145598A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Macpherson Charles D | Electronic devices and process for forming the same |
US7563392B1 (en) * | 2004-12-30 | 2009-07-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic conductive compositions and structures |
US7803254B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-09-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for forming electronic devices and electronic devices formed by such processes |
US7469638B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-12-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices and processes for forming the same |
US7584701B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-09-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for printing layers for electronic devices and printing apparatuses for performing the processes |
US7268006B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-09-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same |
US20060228466A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-10-12 | Gang Yu | Solution dispense and patterning process and apparatus |
US20060146079A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Macpherson Charles D | Process and apparatus for forming an electronic device |
US7355204B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-04-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic device with environmental protection structure |
US8691667B1 (en) | 2004-12-30 | 2014-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for depositing a pattern on a substrate |
US7897684B2 (en) * | 2005-01-10 | 2011-03-01 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymers suitable for strand-specific polynucleotide detection in homogeneous and solid state assays |
CA2594470C (en) * | 2005-01-10 | 2016-02-23 | The Regents Of The University Of California | Methods and kits for strand-specific polynucleotide detection with cationic multichromophores |
US7666594B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-02-23 | The Regents Of The University Of California | Methods for assaying a sample for an aggregant |
DE102005009819A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
DE102005009820A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen |
US8076842B2 (en) | 2005-03-01 | 2011-12-13 | The Regents Of The University Of California | Multilayer polymer light-emitting diodes for solid state lighting applications |
US7572655B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices having a layer overlying an edge of a different layer and a process for forming the same |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
DE102005017655B4 (de) * | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
WO2007002737A2 (en) | 2005-06-28 | 2007-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High work function transparent conductors |
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE102005035590A1 (de) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronisches Bauelement |
US7850778B2 (en) * | 2005-09-06 | 2010-12-14 | Lemaire Charles A | Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom |
DE102005042166A1 (de) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Polyic Gmbh & Co.Kg | Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung |
US7744793B2 (en) | 2005-09-06 | 2010-06-29 | Lemaire Alexander B | Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom |
DE102005044306A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
US8247824B2 (en) * | 2005-12-19 | 2012-08-21 | Matthew Stainer | Electronic devices comprising electrodes that connect to conductive members within a substrate and processes for forming the electronic devices |
US7928242B2 (en) * | 2005-12-28 | 2011-04-19 | Basf Se | Electroluminescent metal complexes with triazoles |
US7807992B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic device having dual emitter dopants |
US7960717B2 (en) * | 2005-12-29 | 2011-06-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device and process for forming same |
EP1982561B1 (en) * | 2006-02-08 | 2015-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Method for manufacturing a film substrate at a temperature above its glass transition temperature |
KR100828891B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2008-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Led 패키지 |
US7737277B2 (en) * | 2006-05-08 | 2010-06-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent bis-cyclometalled iridium compounds and devices made with such compounds |
US20070278936A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Norman Herron | Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds |
US7675228B2 (en) * | 2006-06-14 | 2010-03-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with silylated, germanylated, and stannylated ligands, and devices made with such compounds |
DE102006035750A1 (de) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Polylc Gmbh & Co. Kg | Material zur Herstellung einer Funktionsschicht eines organischen elektronischen Bauelements |
US7582757B2 (en) * | 2006-09-06 | 2009-09-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent complexes of Ir(III) and devices |
US20100038658A1 (en) * | 2006-09-11 | 2010-02-18 | Vanderbilt University | Polymer light-emitting diode and fabrication of same by resonant infrared laser vapor deposition |
US8697254B2 (en) * | 2006-11-14 | 2014-04-15 | Sri International | Cavity electroluminescent devices and methods for producing the same |
US8115378B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-02-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications |
US8153029B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-04-10 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof |
US20080191172A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-08-14 | Che-Hsiung Hsu | High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers |
US8465848B2 (en) * | 2006-12-29 | 2013-06-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Benzofluorenes for luminescent applications |
US8257836B2 (en) * | 2006-12-29 | 2012-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Di-substituted pyrenes for luminescent applications |
CN101631793B (zh) * | 2007-02-23 | 2013-12-25 | 巴斯夫欧洲公司 | 电致发光的苯并三唑金属络合物 |
CN101679208B (zh) * | 2007-06-01 | 2014-05-14 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 蓝色发光材料 |
EP2150524B1 (en) | 2007-06-01 | 2016-02-10 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Chrysenes for deep blue luminescent applications |
KR101554751B1 (ko) | 2007-06-01 | 2015-09-22 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 녹색 발광 재료 |
CN101679853B (zh) * | 2007-06-01 | 2013-10-30 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于绿色发光应用的* |
JP2010529027A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 青色発光用途のためのクリセン類 |
US20090246896A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-10-01 | Melissa Kreger | Method and apparatus for improved printed cathodes for organic electronic devices |
US20090023235A1 (en) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Mackenzie John D | Method and Apparatus for Improved Printed Cathodes for Light-Emitting Devices |
US8101290B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-01-24 | Technical Institute Of Physics And Chemistry Of Chinese Academy Of Sciences | Organic compound having electron-transporting and/or hole-blocking performance and its use and OLEDs comprising the compound |
JP4936069B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-05-23 | 株式会社デンソー | モータ制御装置 |
WO2009079249A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making electronic devices |
EP2225776A4 (en) * | 2007-12-14 | 2013-01-16 | Du Pont | REAR PANEL STRUCTURES FOR ELECTRONIC DEVICES |
US8192848B2 (en) | 2008-01-11 | 2012-06-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Substituted pyrenes and associated production methods for luminescent applications |
US8574937B2 (en) * | 2008-01-24 | 2013-11-05 | Sri International | High efficiency electroluminescent devices and methods for producing the same |
EP2254727A2 (en) * | 2008-02-18 | 2010-12-01 | The Technical University of Denmark (DTU) | Method of thermocleaving a polymer layer |
JP5876292B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2016-03-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 薄層を溶液コーティングするための装置および方法 |
JP5448030B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-03-19 | 新日鐵住金株式会社 | 超音波探傷方法及び装置 |
WO2010059837A2 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Chrysene compounds for blue or green luminescent applications |
JP5591822B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-09-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光活性組成物、および、この組成物で形成された電子素子 |
US8932733B2 (en) * | 2008-12-19 | 2015-01-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Chrysene derivative host materials |
US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
US8263973B2 (en) * | 2008-12-19 | 2012-09-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anthracene compounds for luminescent applications |
US8531100B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-09-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for luminescent applications |
WO2010075589A2 (en) * | 2008-12-27 | 2010-07-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus and method for preventing splatter for continuous printing |
WO2010099534A2 (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
US8759818B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
CN102369255B (zh) * | 2009-04-03 | 2014-08-20 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 电活性材料 |
KR20150061033A (ko) | 2009-05-19 | 2015-06-03 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 발광 응용을 위한 크라이센 화합물 |
WO2010135395A2 (en) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
CN102471677A (zh) | 2009-07-01 | 2012-05-23 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于发光应用的*化合物 |
US20110193066A1 (en) * | 2009-08-13 | 2011-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Current limiting element for pixels in electronic devices |
KR101545774B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2015-08-19 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 크라이센 유도체 재료 |
US20110058770A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling |
US20110057151A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Add-Vision, Inc. | Ionic salt combinations in polymer electroluminescent inks |
US8652354B2 (en) | 2009-09-10 | 2014-02-18 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Organic additives for improved lifetimes in organic and solution processible electronic devices |
US8431245B2 (en) * | 2009-09-29 | 2013-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for luminescent applications |
KR101761435B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2017-07-25 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전자 응용을 위한 중수소화된 화합물 |
BRPI0910904A2 (pt) * | 2009-11-30 | 2012-12-11 | Universidade Federal De Ouro Preto | processo de preparação de selo inteligente, soluções e composiççoes à base de polìmero conjugado, selo assim obtido, uso do mesmo e dispositivo eletrÈnico para monitoramento de doses de radiação |
JP5671054B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2015-02-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 電子用途用の化合物の組合せの一部としての重水素化合物 |
US20110147717A1 (en) | 2009-12-21 | 2011-06-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for luminescent applications |
US8465849B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-06-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated zirconium compound for electronic applications |
US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
US8525019B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-09-03 | Primestar Solar, Inc. | Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules |
WO2012083301A1 (en) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Anthracene derivative compounds for electronic applications |
TW201229003A (en) | 2010-12-17 | 2012-07-16 | Du Pont | Anthracene derivative compounds for electronic applications |
TW201229204A (en) | 2010-12-17 | 2012-07-16 | Du Pont | Anthracene derivative compounds for electronic applications |
EP2655547A1 (en) | 2010-12-20 | 2013-10-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions for electronic applications |
KR102158326B1 (ko) | 2010-12-20 | 2020-09-21 | 주식회사 엘지화학 | 전자적 응용을 위한 전기활성 조성물 |
WO2013033035A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Permeable electrodes for high performance organic electronic devices |
WO2013088904A1 (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-20 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
FR2989091B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2015-07-03 | Arkema France | Copolymeres a bloc dispersants de nanocharges dans l'eau |
SE537207C2 (sv) | 2012-10-26 | 2015-03-03 | Lunalec Ab | Förfarande för framställning av ljusemitterande elektrokemisk cell |
JP6248197B2 (ja) | 2013-08-12 | 2017-12-13 | カティーバ, インコーポレイテッド | 印刷可能な有機発光ダイオードインク配合物のためのエステルベースの溶媒系 |
JP6411801B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2018-10-24 | 国立大学法人京都大学 | 光電池の評価方法、光電池の評価装置、プログラム、および光電池の製造方法 |
US9944846B2 (en) | 2014-08-28 | 2018-04-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions for electronic applications |
KR101730389B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2017-04-26 | 광주과학기술원 | 공액 고분자와 절연체 고분자를 이용한 복합고분자 반도체 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US543921A (en) * | 1895-08-06 | brown | ||
US3172862A (en) * | 1960-09-29 | 1965-03-09 | Dow Chemical Co | Organic electroluminescent phosphors |
US3263110A (en) * | 1963-01-28 | 1966-07-26 | Westinghouse Electric Corp | Flexible electroluminescent cell |
US3341915A (en) | 1963-02-19 | 1967-09-19 | Westinghouse Electric Corp | Method of manufacturing electroluminescent lamps |
US3401152A (en) * | 1966-11-03 | 1968-09-10 | Dow Chemical Co | Polyelectrolytes from bis sulfonium salts |
US3706677A (en) * | 1970-10-05 | 1972-12-19 | Dow Chemical Co | Polyxylylidene articles |
US3992203A (en) | 1975-04-18 | 1976-11-16 | Veb Pentacon Dresden | Polyphenylenevinylene photoconductor composition sensitized with a 1,4-bis (styryl) benzene derivative |
NL177759B (nl) * | 1979-06-27 | 1985-06-17 | Stamicarbon | Werkwijze ter vervaardiging van een polyetheendraad, en de aldus verkregen polyetheendraad. |
US4507672A (en) | 1980-03-14 | 1985-03-26 | The Johns Hopkins University | Method of fabricating a current controlled bistable electrical organic thin film switching device |
US4611385A (en) * | 1982-06-18 | 1986-09-16 | At&T Bell Laboratories | Devices formed utilizing organic materials |
JPS59181681A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Corp | 発光素子 |
JPH069251B2 (ja) | 1983-10-31 | 1994-02-02 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 光電変換半導体装置作製方法 |
JPS60149177A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換素子の製造方法 |
GB8429111D0 (en) | 1984-11-17 | 1984-12-27 | British Petroleum Co Plc | Conductive polymers |
JP2568998B2 (ja) * | 1985-03-30 | 1997-01-08 | 株式会社 モリリカ | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
US4684353A (en) * | 1985-08-19 | 1987-08-04 | Dunmore Corporation | Flexible electroluminescent film laminate |
JPS63133682A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Fujitsu Ltd | トンネル接合発光素子 |
US4762292A (en) * | 1987-01-30 | 1988-08-09 | Anci Alexander M D | Vacuum column web loop position sensing system |
US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4720432A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP2814435B2 (ja) | 1987-03-02 | 1998-10-22 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
US5009958A (en) * | 1987-03-06 | 1991-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Functional devices comprising a charge transfer complex layer |
US5185208A (en) * | 1987-03-06 | 1993-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Functional devices comprising a charge transfer complex layer |
EP0319881A3 (en) | 1987-12-11 | 1990-08-01 | Idemitsu Kosan Company Limited | Electroluminescence element |
JPH02282263A (ja) | 1988-12-09 | 1990-11-19 | Nippon Oil Co Ltd | ホール輸送材料 |
JPH02223188A (ja) | 1989-02-22 | 1990-09-05 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子の製造方法 |
US5085946A (en) | 1989-01-13 | 1992-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescence device |
JPH02251428A (ja) | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 透明導電性フィルム |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
JPH02305886A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
JPH0320992A (ja) | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Seiko Epson Corp | 発光素子 |
JPH0329293A (ja) | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Seiko Epson Corp | 発光素子及びその製造方法 |
US5142343A (en) * | 1989-08-18 | 1992-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with oligomers |
FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
US5171632A (en) * | 1990-01-24 | 1992-12-15 | Regents Of The University Of California | Conductive polymer blends and methods for making the same |
US5204038A (en) * | 1990-12-27 | 1993-04-20 | The Regents Of The University Of California | Process for forming polymers |
JP2987865B2 (ja) | 1990-02-23 | 1999-12-06 | 住友化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE69110922T2 (de) | 1990-02-23 | 1995-12-07 | Sumitomo Chemical Co | Organisch elektrolumineszente Vorrichtung. |
JP2774351B2 (ja) | 1990-03-26 | 1998-07-09 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
US5073446A (en) | 1990-07-26 | 1991-12-17 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode |
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
US5059862A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
DE69118615T2 (de) | 1990-08-08 | 1996-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organisches lichtemittierendes Bauelement sowie dessen Herstellung und Verwendung |
JP2708274B2 (ja) | 1990-11-29 | 1998-02-04 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子及びその製造方法 |
GB9018698D0 (en) † | 1990-08-24 | 1990-10-10 | Lynxvale Ltd | Semiconductive copolymers for use in electroluminescent devices |
US5189136A (en) * | 1990-12-12 | 1993-02-23 | The Regents Of The University Of California | Conducting polymer formed of poly(2-methoxy,5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylenevinylene) |
US5679757A (en) * | 1990-12-12 | 1997-10-21 | The Regents Of The University Of California | Highly organic solvent soluble, water insoluble electroluminescent polyphenylene vinylenes having pendant steroid groups and products and uses thereof |
US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
US5232631A (en) | 1991-06-12 | 1993-08-03 | Uniax Corporation | Processible forms of electrically conductive polyaniline |
AU669662B2 (en) * | 1991-06-12 | 1996-06-20 | Dupont Displays, Inc | Processible forms of electrically conductive polyaniline and conductive products formed therefrom |
US5171373A (en) * | 1991-07-30 | 1992-12-15 | At&T Bell Laboratories | Devices involving the photo behavior of fullerenes |
US5331183A (en) * | 1992-08-17 | 1994-07-19 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells |
US5334539A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes |
EP0925709B1 (en) | 1996-09-04 | 2003-08-13 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light-emitting devices with improved cathode |
-
1991
- 1991-02-27 US US07/662,290 patent/US5408109A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-14 EP EP92907123A patent/EP0573549B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-14 DE DE69225697T patent/DE69225697T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-14 AT AT92907123T patent/ATE166748T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-02-14 WO PCT/US1992/001286 patent/WO1992016023A1/en active IP Right Grant
- 1992-02-14 JP JP50677492A patent/JP3299262B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-14 AU AU14452/92A patent/AU1445292A/en not_active Abandoned
- 1992-02-14 CA CA002105069A patent/CA2105069C/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-20 US US08/359,883 patent/US5869350A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-02 US US09/243,173 patent/US6534329B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-25 JP JP2002017767A patent/JP2002319489A/ja active Pending
- 2002-08-20 US US10/223,917 patent/US6878974B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-03 JP JP2003346360A patent/JP2004047490A/ja active Pending
-
2005
- 2005-02-02 US US11/050,082 patent/US20050280020A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-24 JP JP2005049798A patent/JP2005166688A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-04-26 JP JP2006122731A patent/JP2006237016A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0573549B2 (en) | 2002-10-09 |
DE69225697D1 (de) | 1998-07-02 |
WO1992016023A1 (en) | 1992-09-17 |
ATE166748T1 (de) | 1998-06-15 |
US5869350A (en) | 1999-02-09 |
CA2105069C (en) | 1999-02-02 |
EP0573549B1 (en) | 1998-05-27 |
CA2105069A1 (en) | 1992-08-28 |
AU1445292A (en) | 1992-10-06 |
US20020022284A1 (en) | 2002-02-21 |
US6534329B2 (en) | 2003-03-18 |
US6878974B2 (en) | 2005-04-12 |
US20020197755A1 (en) | 2002-12-26 |
DE69225697T2 (de) | 1998-11-26 |
JP2002319489A (ja) | 2002-10-31 |
JP2005166688A (ja) | 2005-06-23 |
JP3299262B2 (ja) | 2002-07-08 |
JP2006237016A (ja) | 2006-09-07 |
US5408109A (en) | 1995-04-18 |
JPH06508477A (ja) | 1994-09-22 |
EP0573549A1 (en) | 1993-12-15 |
DE69225697T3 (de) | 2003-03-13 |
US20050280020A1 (en) | 2005-12-22 |
EP0573549A4 (ja) | 1994-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3299262B2 (ja) | 可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード | |
Kraft et al. | Electroluminescent conjugated polymers—seeing polymers in a new light | |
JP3384566B2 (ja) | 加工し得る形態の導電性ポリアニリンおよびそれから形成された導電性生成品 | |
US6004681A (en) | Light-emitting devices containing network electrode polymers in electron blocking layer | |
Gustafsson et al. | The “plastic” led: A flexible light-emitting device using a polyaniline transparent electrode | |
Yan et al. | High‐brightness blue light‐emitting polymer diodes via anode modification using a self‐assembled monolayer | |
JP4112007B2 (ja) | フォトルミネセンスおよびエレクトロルミネセンス用材料としてのポリフルオレン | |
US5504323A (en) | Dual function conducting polymer diodes | |
JPH1077467A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
Westerweele et al. | “Inverted” polymer light‐Emitting diodes on cylindrical metal substrates | |
Banerjee et al. | A short overview on the synthesis, properties and major applications of poly (p-phenylene vinylene) | |
WO1995001871A1 (en) | Electroluminescent diodes utilizing blends of polymers | |
JP2007504342A (ja) | ポリマー | |
JP4049948B2 (ja) | エレクトロルミネセント材料としてポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−1,2−エテニレン−2,5−ジメトキシ−1,4−フェニレン−1,2−エテニレン]を含む有機発光ダイオード(oled) | |
Yan et al. | A polymer blend approach to fabricating the hole transport layer for polymer light-emitting diodes | |
TW200838007A (en) | Opto-electronic devices containing sulfonated light emitting copolymers | |
US5955834A (en) | Light emitting devices utilizing high work function electrodes | |
JPH10158641A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
Damlin et al. | Light-emitting diodes of poly (p-phenylene vinylene) films electrochemically polymerized by cyclic voltammetry on ITO | |
Trad et al. | Effect of the side chain length on the optical and electrical properties of soluble PPV derivatives | |
US005869350A | United United States States Patent Patent [19][19] | |
Bijnens et al. | A new precursor to electroconducting conjugated polymers: synthesis and opto-electrical properties of luminescent devices based on these PPV derivatives | |
KR100589481B1 (ko) | 폴리플루오렌계 유도체를 포함하는 전기발광소자 및 이의제조 방법 | |
Kim et al. | Synthesis and effect on t-butyl pbd of the blue light emitting poly (phenyl-9, 9-dioctyl-9′, 9′-dihexanenitrile) fluorene | |
Yasuda et al. | Organic Light-Emitting Diodes Using Octafluorobiphenyl-Based Polymer Synthesized by Direct CH/CH Cross Coupling Reaction |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041027 |