JPS63133682A - トンネル接合発光素子 - Google Patents
トンネル接合発光素子Info
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- JPS63133682A JPS63133682A JP61282739A JP28273986A JPS63133682A JP S63133682 A JPS63133682 A JP S63133682A JP 61282739 A JP61282739 A JP 61282739A JP 28273986 A JP28273986 A JP 28273986A JP S63133682 A JPS63133682 A JP S63133682A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ガラス基板のような透明絶縁性基板上に絶縁層を挟んで
少なくとも片側が透明電極よりなる一対の素子駆動用電
極膜を設けた構造のトンネル接合素子であって、前記絶
縁層をラングミュア−プロジェット法で形成した有機化
合物の単分子膜、或いは該有機化合物の単分子累積膜と
することで、緻密で高抵抗で構造欠陥の少ない絶縁層を
形成し、素子の動作時に、この絶縁層からの漏れ電流を
少なくして、素子の絶縁破壊による劣下を防止するよう
にし、安定した発光特性が得られるようにしたトンネル
接合発光素子。
少なくとも片側が透明電極よりなる一対の素子駆動用電
極膜を設けた構造のトンネル接合素子であって、前記絶
縁層をラングミュア−プロジェット法で形成した有機化
合物の単分子膜、或いは該有機化合物の単分子累積膜と
することで、緻密で高抵抗で構造欠陥の少ない絶縁層を
形成し、素子の動作時に、この絶縁層からの漏れ電流を
少なくして、素子の絶縁破壊による劣下を防止するよう
にし、安定した発光特性が得られるようにしたトンネル
接合発光素子。
本発明はトンネル接合発光素子に係り、特に絶縁膜を通
過する漏れ電流の発生を少なくして素子の発光特性を向
上させたトンネル接合発光素子に関する。
過する漏れ電流の発生を少なくして素子の発光特性を向
上させたトンネル接合発光素子に関する。
ガラス基板のような透明な絶縁性基板上に素子駆動用の
導電性の電極膜を形成し、その上に絶縁層、透明な素子
駆動用電極膜を積層形成したトンネル接合発光素子は、
構造が簡単であるため、安価で大面積の表示パネルを実
現できる可能性がある。
導電性の電極膜を形成し、その上に絶縁層、透明な素子
駆動用電極膜を積層形成したトンネル接合発光素子は、
構造が簡単であるため、安価で大面積の表示パネルを実
現できる可能性がある。
このトンネル接合発光素子は、低電圧で動作するが、素
子の動作時に絶縁層を通過する漏れ電流が増大して素子
の破壊を招くため、ピンホール等を有しない高信顧度の
絶縁層を有する素子が要望されている。
子の動作時に絶縁層を通過する漏れ電流が増大して素子
の破壊を招くため、ピンホール等を有しない高信顧度の
絶縁層を有する素子が要望されている。
第２図に従来のトンネル接合発光素子の構造の断面図を
示す。
示す。
図示するように、ガラスのような透明な絶縁性基板１上
には、アルミニウム（Ａｊりよりなる電極膜２が２００
０人程度０厚さに真空蒸着法で形成さ、 れ、これを
空気中で熱酸化することで、約５０人の厚さのＡ１ｚＯ
ａ膜が絶縁膜３として形成されている。
には、アルミニウム（Ａｊりよりなる電極膜２が２００
０人程度０厚さに真空蒸着法で形成さ、 れ、これを
空気中で熱酸化することで、約５０人の厚さのＡ１ｚＯ
ａ膜が絶縁膜３として形成されている。
更にその上に金（Ａｕ）、或いは銀（Ａｇ）が電極膜４
として真空蒸着法により約２００人の厚さに形成されて
いる。
として真空蒸着法により約２００人の厚さに形成されて
いる。
この電極膜４は非常に薄（形成されているので、充分可
視光を透過する。
視光を透過する。
第３図にこのようなトンネル接合発光素子の動作時のエ
ネルギー準位図を示す。
ネルギー準位図を示す。
第２図、および第３図に示すように、このようにして形
成したトンネル接合発光素子のＡＡの電極膜２を十電位
とし、ＡｕまたはＡｇの電極膜４を−電位として、この
電極膜２，４間の電位差を２〜４ｖ程度に保つと、Ａｌ
の電極膜２中の電子５はトンネリング現象によって絶縁
膜３を通過し、ＡｕまたはＡｇの電極膜４に到達する。
成したトンネル接合発光素子のＡＡの電極膜２を十電位
とし、ＡｕまたはＡｇの電極膜４を−電位として、この
電極膜２，４間の電位差を２〜４ｖ程度に保つと、Ａｌ
の電極膜２中の電子５はトンネリング現象によって絶縁
膜３を通過し、ＡｕまたはＡｇの電極膜４に到達する。
このトンネル電子５が、ＡｕまたはＡｇの電極膜４に到
達し、ＡｕまたはＡｇのフェルミレベル６に遷移した時
、表面プラズモンと称する素励起を作り出す。
達し、ＡｕまたはＡｇのフェルミレベル６に遷移した時
、表面プラズモンと称する素励起を作り出す。
そしてこの表面プラズモンがＡｕ膜、或いはＡｇの電極
膜の表面の結晶粒子によって形成される粗面によって光
に変換され発光が生じ、この発光がＡｕまたは鞠の電極
膜４の表面から外部に放射される。
膜の表面の結晶粒子によって形成される粗面によって光
に変換され発光が生じ、この発光がＡｕまたは鞠の電極
膜４の表面から外部に放射される。
このような動作時に於いて、この電極膜２，４間を流れ
る電流値は約１０ｍへの値となる。
る電流値は約１０ｍへの値となる。
このような素子の発光機構に関しては、文献（固体物理
、Ｖｏｌ ２１ Ｎｏ ３ ＰＰ １４３ 金属／金
属酸化物／金属からなるトンネル接合の発光機構 潮田
資勝）に記載されている。
、Ｖｏｌ ２１ Ｎｏ ３ ＰＰ １４３ 金属／金
属酸化物／金属からなるトンネル接合の発光機構 潮田
資勝）に記載されている。
ところでこのような構造のトンネル接合発光素子は、厚
さが５０人と非常に薄い絶縁Ｎ３に約１０ｍＡ程度の電
流を流す状態となるため、絶縁層の絶縁特性が劣下し、
絶縁層を通過する漏れ電流が増大する結果、素子が絶縁
破壊を生じるといった問題点がある。
さが５０人と非常に薄い絶縁Ｎ３に約１０ｍＡ程度の電
流を流す状態となるため、絶縁層の絶縁特性が劣下し、
絶縁層を通過する漏れ電流が増大する結果、素子が絶縁
破壊を生じるといった問題点がある。
本発明は上記した問題点を除去し、絶縁破壊を防ぎ、漏
れ電流を無くしたトンネル接合発光素子の堤供を目的と
する。
れ電流を無くしたトンネル接合発光素子の堤供を目的と
する。
本発明のトンネル接合発光素子は、少なくとも片側が透
光性である一対の電極膜に挟まれた絶縁層をラングミュ
ア−プロジェット法により形成した有機化合物の単分子
膜、或いは該有機化合物の単分子累積膜とする。
光性である一対の電極膜に挟まれた絶縁層をラングミュ
ア−プロジェット法により形成した有機化合物の単分子
膜、或いは該有機化合物の単分子累積膜とする。
本発明のトンネル接合発光素子は、一対の電極膜で挟ま
れた絶縁層をラングミュア−プロジェット法で形成した
構造欠陥の少ない、高抵抗な有機化合物の単分子膜、或
いは該有機化合物の単分子累積膜で形成する。
れた絶縁層をラングミュア−プロジェット法で形成した
構造欠陥の少ない、高抵抗な有機化合物の単分子膜、或
いは該有機化合物の単分子累積膜で形成する。
この有機化合物膜は緻密で構造欠陥がなく、かつ高抵抗
であるので、この絶縁膜を通過する漏れ電流が少なく、
従来の絶縁層のように素子の長時間の動作によって絶縁
層に於けるピンホールが増大することが無いので、素子
の動作時のピンホールの増大によって素子の漏れ電流の
発生が大きくなるといった現象を防止し、発光特性の良
好なトンネル接合発光素子が得られる。
であるので、この絶縁膜を通過する漏れ電流が少なく、
従来の絶縁層のように素子の長時間の動作によって絶縁
層に於けるピンホールが増大することが無いので、素子
の動作時のピンホールの増大によって素子の漏れ電流の
発生が大きくなるといった現象を防止し、発光特性の良
好なトンネル接合発光素子が得られる。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図に本発明のトンネル接合発光素子の構造の断面図
を示す。
を示す。
図示するように透明な絶縁性のガラス基板１）上には、
真空蒸着によりＡｌの電極膜１２が２０００人の厚さに
形成され、このＡＡの電極膜１２上には、例えば、ラン
グミュア−プロジェット法により形成した厚さが約７０
人のステアリン酸の単分子層よりなる有機化合物膜１３
が形成されている。
真空蒸着によりＡｌの電極膜１２が２０００人の厚さに
形成され、このＡＡの電極膜１２上には、例えば、ラン
グミュア−プロジェット法により形成した厚さが約７０
人のステアリン酸の単分子層よりなる有機化合物膜１３
が形成されている。
このようなステアリン酸よりなる有機化合物の単分子膜
を、ラングミュア−プロジェット法により形成するには
、前記した＾ｌの電極膜１２を形成した基板１）を、４
Ｘ １０−’ｍｏｌ／βの塩化カドミウム（ＣｄＣ１
２）を含むＰＨ＝６の液相の水（水相）内に浸漬する。
を、ラングミュア−プロジェット法により形成するには
、前記した＾ｌの電極膜１２を形成した基板１）を、４
Ｘ １０−’ｍｏｌ／βの塩化カドミウム（ＣｄＣ１
２）を含むＰＨ＝６の液相の水（水相）内に浸漬する。
次いでこの水相にクロロホルムに溶解した３×１０”’
ｍｏｌ／ ｊ！のステアリン酸を滴下する。
ｍｏｌ／ ｊ！のステアリン酸を滴下する。
次いで水相の表面圧を一定に保ちながら、基板を水面を
横切る方向に、即ち水面に対して垂直方向に、１ ａｍ
／ｍｉｎの速度で引き上げ、Ａ１の電極膜１２上にステ
アリン酸よりなる有機化合物膜１３を１分子層の厚さに
形成する。
横切る方向に、即ち水面に対して垂直方向に、１ ａｍ
／ｍｉｎの速度で引き上げ、Ａ１の電極膜１２上にステ
アリン酸よりなる有機化合物膜１３を１分子層の厚さに
形成する。
このような薄層状態の有機化合物膜を形成するのは上記
したラングミュア−プロジェット法が、装置が簡単で、
かつ被膜の形成方法も簡単であるので本発明のトンネル
接合発光素子の形成に用いた。
したラングミュア−プロジェット法が、装置が簡単で、
かつ被膜の形成方法も簡単であるので本発明のトンネル
接合発光素子の形成に用いた。
次いでこの基板を真空内で充分乾燥した後、その上に、
有機化合物膜１３が溶解しない温度となるように、真空
蒸着法を用いて、Ａｕ膜よりなる電極膜１４を、２００
人の厚さで形成することで、素子が完成する。
有機化合物膜１３が溶解しない温度となるように、真空
蒸着法を用いて、Ａｕ膜よりなる電極膜１４を、２００
人の厚さで形成することで、素子が完成する。
このようにすれば、従来の１）２０．の絶縁膜と異なり
、本実施例のステアリン酸よりなる有機化合物膜１３は
高抵抗で、緻密な構造欠陥を有しない被膜であるので、
従来のようにピンホールが発生せず、このピンホールに
起因する素子の漏れ電流が発生しないため、絶縁破壊の
生じない発光特性の良好な高信頼度のトンネル接合発光
素子が得られる。
、本実施例のステアリン酸よりなる有機化合物膜１３は
高抵抗で、緻密な構造欠陥を有しない被膜であるので、
従来のようにピンホールが発生せず、このピンホールに
起因する素子の漏れ電流が発生しないため、絶縁破壊の
生じない発光特性の良好な高信頼度のトンネル接合発光
素子が得られる。
尚、本実施例では絶縁膜１３としてステアリン酸の単分
子の有機化合物膜を設けたが、この基板を水相内に更に
繰り返して挿入、および引き上げる回数を増大させて、
ステアリン酸の単分子累積膜を形成しても良（、またス
テアリン酸の他にアラキシン酸のような有機化合物を、
ラングミュア−プロジェット法で形成した単分子膜、或
いは単分子累積膜を形成しても良い。
子の有機化合物膜を設けたが、この基板を水相内に更に
繰り返して挿入、および引き上げる回数を増大させて、
ステアリン酸の単分子累積膜を形成しても良（、またス
テアリン酸の他にアラキシン酸のような有機化合物を、
ラングミュア−プロジェット法で形成した単分子膜、或
いは単分子累積膜を形成しても良い。
以上述べたように、本発明のトンネル接合発光素子によ
れば、絶縁層からの漏れ電流が有機化合物膜により阻止
され、素子の絶縁破壊が防止されるので、高信頼度のト
ンネル接合発光素子が得られる効果がある。
れば、絶縁層からの漏れ電流が有機化合物膜により阻止
され、素子の絶縁破壊が防止されるので、高信頼度のト
ンネル接合発光素子が得られる効果がある。
第１図は本発明のトンネル接合発光素子の断面図、
第２図は従来のトンネル接合発光素子の断面図、第３図
はトンネル接合発光素子の動作の説明図である。 第１図に於いて、 １）はガラス基板、１２．１４は電極膜、１３は有機化
合物■りを示す。
はトンネル接合発光素子の動作の説明図である。 第１図に於いて、 １）はガラス基板、１２．１４は電極膜、１３は有機化
合物■りを示す。
Claims (2)
- （１）少なくとも片側が透光性を有する一対の駆動用電
極膜（１２、１４）で絶縁層（１３）を挟んだ発光素子
構成に於いて、 前記絶縁層（１３）を有機化合物膜で形成したことを特
徴とするトンネル接合発光素子。 - （２）前記有機化合物膜がラングミュアーブロジェット
法で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のトンネル接合発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61282739A JPS63133682A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | トンネル接合発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61282739A JPS63133682A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | トンネル接合発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133682A true JPS63133682A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17656419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61282739A Pending JPS63133682A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | トンネル接合発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133682A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5142343A (en) * | 1989-08-18 | 1992-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with oligomers |
| US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
| US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196980A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Toshiba Corp | 発光素子 |
| JPS61219185A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-29 | Toshiba Corp | 発光素子 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61282739A patent/JPS63133682A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196980A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Toshiba Corp | 発光素子 |
| JPS61219185A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-29 | Toshiba Corp | 発光素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5142343A (en) * | 1989-08-18 | 1992-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with oligomers |
| US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| US5869350A (en) * | 1991-02-27 | 1999-02-09 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of visible light emitting diodes soluble semiconducting polymers |
| US6534329B2 (en) | 1991-02-27 | 2003-03-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| US6878974B2 (en) | 1991-02-27 | 2005-04-12 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
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