JP2003534129A - 結晶製造用の装置 - Google Patents

結晶製造用の装置

Info

Publication number
JP2003534129A
JP2003534129A JP2001587881A JP2001587881A JP2003534129A JP 2003534129 A JP2003534129 A JP 2003534129A JP 2001587881 A JP2001587881 A JP 2001587881A JP 2001587881 A JP2001587881 A JP 2001587881A JP 2003534129 A JP2003534129 A JP 2003534129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circulation system
crystallizer
dispersion
crystals
substance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001587881A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5550801B2 (ja
JP2003534129A5 (ja
Inventor
アレン,ペーター,マルク
ガーン,クリストフ
リーカー,クリストファー,ウィリアム
シュナイダー,ハインツ−ヴァルター
ヴァーグナー,ロベルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF SE
Original Assignee
BASF SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Publication of JP2003534129A publication Critical patent/JP2003534129A/ja
Publication of JP2003534129A5 publication Critical patent/JP2003534129A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5550801B2 publication Critical patent/JP5550801B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0018Evaporation of components of the mixture to be separated
    • B01D9/0022Evaporation of components of the mixture to be separated by reducing pressure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0018Evaporation of components of the mixture to be separated
    • B01D9/0031Evaporation of components of the mixture to be separated by heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0036Crystallisation on to a bed of product crystals; Seeding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0059General arrangements of crystallisation plant, e.g. flow sheets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus

Abstract

(57)【要約】 分級領域(3)を含む晶出器中で、物質を含む溶液または分散液から該物質を結晶化する装置および結晶化方法は、(a)晶出器中に設けられている内部循環系(1)および晶出器の外側に設けられている外部循環系(2){但し、外側循環系(2)の入口は分級領域(3)を介して内側循環系(1)に接続され、外側循環系(2)の出口は晶出器の内側循環系(1)に接続されている}、および外部循環系(2)の出口前にてこの系に配置された結晶溶解手段と、(b)晶出器または外側循環系(2)に配置された溶液および/または分散液の流入路(4)と、(c)晶出器または外部循環系(2)に配置された分散液の流出路(5)と、を含んでいる。新規な装置は、更に内部および外部循環系(1,2)を相互に連結し且つ分散液を輸送(再循環)する予定の配管(8)、および/または分散液を輸送(再循環)する配管(8)が設けられ、これらの入口および出口の両方を内部循環系(1)に連結するという特徴を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、物質を結晶化する装置およびその方法、ならびにこれにより製造さ
れた結晶分に関する。
【0002】 溶液から物質を結晶化する方法には、熱分離法(thermal separation process
)がある。1種以上の固体の分子分散液を溶剤に溶解した溶液を、一般に溶剤を
多段階で蒸発することによって、予備濃縮する。その後、この予備濃縮処理され
た溶液を過飽和状態にする必要があり、これにより結晶が形成して、成長可能と
なる。この過飽和を取り除く場合、残留溶液から機械的に分離可能な沈降物とし
て過剰の固体を沈殿する。これにより、溶解状態の物質が最初の溶液から分離さ
れる。結晶の粒径分布を特定の分布にする場合、適当に設計された分級晶出器に
おいて、冷却および蒸発速度、流量等の操作パラメータを修正して適合させるこ
とにより、飽和度、核形成および結晶の成長を制御する必要がある。
【0003】 この晶出器での推進力は、過飽和溶液中に溶解された物質の濃度と、まさに飽
和状態である溶液濃度との間の差、すなわち溶液平衡の乱れ(disturbance)で
ある。したがって、この予備濃縮溶液を最初に飽和させて、その後に、飽和点を
超えて過飽和させる。この過飽和は、実際に、以下の3つの方法で達成される: 溶解度の温度依存性が高い場合、表面の冷却により飽和溶液を単に冷却するこ
とによって過飽和を達成する(冷却結晶化); 溶解度の温度依存性が僅かである場合、溶剤を蒸発させることによって、溶液
を過飽和にする(蒸発結晶化); 溶解度の温度依存性が顕著であるか、または溶液を穏やかな形態で熱処理する
必要がある場合、溶液冷却と溶剤蒸発を組み合わせる(真空結晶化)。
【0004】 概して、過飽和を、2つの同時工程で取り除く:すなわち、第1工程で、結晶
核を形成し、第2工程で、限界最小径(critical minimum size)より大きいこ
の結晶核は、過飽和溶液から固体を取り出すことにより、極めてきめの粗い生成
物結晶に成長する。核形成速度は、過飽和を高めると増大する;概して、特定の
過飽和を超えた後、多くの小さな核が自然に形成するのが観察可能となる。この
効果は、微結晶シャワーの形成で明らかになる。晶出器において核形成を制御す
る必要がある場合、その目的は、特に微細分を別々に除去して、微細な結晶を再
溶解させることである。分級によって結晶を除去し、そして微粒子を溶解するこ
とは、A. Mersmann, W. F. Beer and D. Seifer, Chem. Ing. Tech. 50 (1978)
2, 65-76, Verlag Chemie, Weinheimに記載されている。過飽和が持続すると、
溶液に最初に取り込まれる種晶および/または形成した核は大きな結晶に成長す
る。これに対応する溶液は、再び過飽和状態となる。この溶液の過飽和後、微結
晶シャワーの形成を引き起こす条件下で、特定の飽和度に再び到達するまで、実
際の結晶化として過飽和を取り除く。
【0005】 結晶化処理の目的は、通常、均一な品質の、結晶性で商品性のある生成物を製
造するためであり、この生成物は、特に結晶粒径分布によりこの品質を得る。結
晶粒径分布は、残留溶液の分離性、結晶の貯蔵寿命、ダスト分、溶解性、散在性
(sprinkability)または流動性等に影響を与える。結晶の粒径分布を時間の関
数として変動させることにより、生成物の均一な品質に悪影響を与えるが、この
変動は、周期的な微結晶シャワーに起因している。この微結晶シャワーにより、
最終的に、大きな微結晶性留分(微結晶性分)を有する不均一な品質の生成物が
得られることになる。この微結晶性留分により、後処理中に重大な問題を引き起
こす、すなわち、微結晶性留分は、例えば遠心分離による分離が困難である。上
記問題は、微粒子の溶解を含む晶出器においても発生する、すなわち、粒径分布
の周期的な変動をかかる晶出器においても観察することになる。
【0006】 しかるに、本発明は、時間の関数として粒径分布の変動の小さい結晶を連続的
に製造可能な装置を提供することを目的とする。特に、微細な塩シャワーの効力
の低減を達成する。この装置は、結晶化処理を効果的且つ経済的に行うことを保
証するべきである。
【0007】 本発明者等は、上記目的が分級領域を含む晶出器中で、物質を含む溶液または
分散液から該物質を結晶化する装置であって、 (a)晶出器中に設けられている内部循環系および晶出器の外側に設けられてい
る外部循環系{但し、外側循環系の入口は分級領域を介して内側循環系に接続さ
れ、外側循環系の出口は晶出器の内側循環系に接続されている}、および外部循
環系の出口前にてこの系に配置された結晶溶解手段と、 (b)晶出器または外側循環系に配置された溶液および/または分散液の流入路
と、 (c)晶出器または外部循環系に配置された分散液の流出路と、 を含むことを特徴とする結晶化装置により達成されることを見出した。
【0008】 新規な装置において、外部循環系および内部循環系を相互に連結し且つ分散液
を輸送(再循環)する目的で使用される配管、および/または分散液を輸送(再
循環)する配管を更に設け、その入口および出口の両方を内部循環系に連結する
【0009】 物質は、結晶化可能な化合物および元素を意味すると理解される。一般に、こ
れらの物質を含む溶液または分散液の場合、1種の物質のみを存在させる、すな
わち、これにより、単一の物質の結晶のみを生成する。分散液は、特に(微分散
)結晶を含む液体を意味すると理解される。この分散液を懸濁液の状態で屡々存
在させる。内部循環系は、晶出器を通って流れ且つ複数の部分流から構成される
場合がある循環系を意味する。この内部循環系の決定は、寸法、すなわち晶出器
の形状と、ポンプまたはプロペラ等の移動の要因となる手段とが重要な決め手と
なる。晶出器の外側に設けられている外部循環系は、これに対応する配管(接続
管)、好ましくはパイプを含むのが好ましく、且つこの配管に結晶溶解手段を取
り付ける。分級領域を晶出器に配置するのが好ましく、この晶出器の運転中に、
小さな結晶を分級領域に導入するのが好ましい。この装置の配管は、パイプの形
態であるのが一般的である。結晶の溶解に適当な手段は、分散液の結晶を溶解可
能な全ての手段である。概して、結晶を溶解する手段により、分散液の温度変化
をもたらす。結晶を溶解する手段は、この手段に導入される分散液流を出発材料
とし、この分散液に結晶状で含まれる固体の少なくとも5質量%、好ましくは少
なくとも60質量%を溶解する溶解手段のみを意味すると理解される。
【0010】 新規な装置により、生成される結晶の粒径分布が狭いという点で顕著な結晶化
を可能にする。微結晶シャワーの非存在を、運転中、少なくとも実質上保証する
。これにより得られる分散液をより容易に後処理可能となる、すなわち結晶の遠
心分離が容易となり、後処理中に得られる結晶分(結晶留分:crystal fraction
)の品質が均一となる。
【0011】 一般に、晶出器は、DTB((draft-tube-baffled)、引き込み管の流れが調
節されている)晶出器の形態か、または固定床晶出器の形態であり、オスロー晶
出器の形態であるのが好ましい。
【0012】 好ましい実施の形態において、新規な装置は、外部および内部循環系を相互に
連結し且つ分散液を輸送(再循環)する予定の配管、および/または分散液を輸
送(再循環)する配管を更に設け、その入口および出口の両方を内部循環系に連
結し、且つ配管は結晶を溶解する手段を有していないという特別な特徴を有して
いる。
【0013】 一般に、結晶溶解手段は、熱交換器の形態で設けられ、または必要により発熱
反応を行う反応器の形態で設けられる。したがって、分散液を加熱することによ
って、結晶を溶解する。配管は、分散液および溶液の輸送用ポンプを具備してい
るのが好ましい。概して、外側循環系も分散液または溶液の輸送用ポンプを備え
ている。
【0014】 本発明の好ましい実施の形態において、分級領域を沈降領域の形態で存在させ
る。そこで、結晶をその沈降性の差に基づいて分級することにより、より小さな
結晶が晶出器から外側循環系に優先的に通過する。
【0015】 更に本発明は、内部および外部循環系を備える装置において、物質を含む溶液
または分散液からこの物質を結晶化する方法であって、 (i)内部循環系が分級領域を含む晶出器に設けられ、該晶出器が、物質の結晶
を含み且つ内部循環系を通って運ばれる分散液を含み、 (ii)分散液の部分流が、分級領域を介して、晶出器から外部循環系に輸送さ
れ、 (iii)この分散液に含まれる結晶を、結晶溶解手段によって外部循環系で溶
解し、 (iv)分散液における結晶を完全に溶解することにより得られた分散液または
溶液を、次いで晶出器の内部循環系に再循環させ、 (v)物質を含む溶液および/または分散液を、晶出器および/または外部循環
系に給送し、 (vi)物質の結晶を含む分散液を、外部循環系および/または晶出器から除去
することを特徴とする結晶化方法を提供する。
【0016】 新規な方法において、結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から除去して、
外部循環系に給送し、および/または結晶を含む分散液の部分流を内部循環系か
ら除去して、これを内部循環系に再循環させる。
【0017】 新規な方法は、微粒子分解での体積流動およびこの循環による分級効果を相互
に独立して確立することを保証する。
【0018】 時間の関数としての粒径分布の変動(粒径分布の振動または変動)は、特に微
粒子シャワーに起因するものであり、新規な方法によって十分に低減される。
【0019】 本発明の好ましい実施の形態において、新規な方法は、結晶を含む分散液の部
分流を内部循環系から除去し、そしてこれを外部循環系に給送し、および/また
は結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から除去し、そしてこれを内部循環系
に再循環させ、且つそれぞれの場合で、分散液の結晶を実質上溶解させないとい
う特定の特性を有している。
【0020】 実質上溶解されるとは、分散液に結晶状で含まれる固体の少なくとも10質量
%、好ましくは30質量%を溶解することを意味すると理解される。
【0021】 結晶の分級は、結晶の異なる沈降性(結晶の沈降性の差)に基づいて行われる
のが好ましい。
【0022】 分散液に含まれる結晶を、概して、分散液の加熱によって溶解させる。本発明
の好ましい実施の形態において、結晶化すべき物質は硫酸アンモニウムまたはア
ジピン酸である。分散液の液体成分として、または結晶用の溶剤として、水を使
用するのが好ましい。これに対応する液体での物質の溶解度は、溶液または分散
液の温度と共に高くなるのが一般的である。
【0023】 一般に、外部循環系および/または晶出器から除去された、物質の結晶を含む
分散液が後処理されて、これにより物質の結晶を純粋な状態で得る。これにより
得られた結晶分は、一般に、小さな微粒子分を有し、そして粒径分布が狭い。こ
れらの性質は、結晶分の均一な品質に有効である。
【0024】 更に本発明は、上述したように調製可能な結晶分に関する。
【0025】 添付図面において、 図1は、従来技術による物質の結晶化装置に関して図示したものであり、図1
a(図1A)は、対応するDTB晶出器に関して図示したものであり、図1b(
図1B)は、対応するオスロー晶出器に関して図示したものであり; 図2および図3は、結晶化の新規な装置に関して図示したものであり(図2a
(図2A)および図3a(図3A)は対応するDTB晶出器を示し、図2b(図
2B)および図3b(図3B)は対応するオスロー晶出器を示している); 図4は、分散液の後処理手段の装置を含む、結晶化の新規な装置に関して図示
したものであり;および 図5は、平均粒径Lを時間tの関数としてプロットしたグラフを示し、輸送(
再循環)Vb/tおよび外部循環系Vu/tに対する種々の体積流動を基準とし
ている。
【0026】 図1〜3に概略的に示されている結晶化の装置は全て、内部循環系1、外部循
環系2、分級領域3、流入路4、流出路5、外部循環系に配置された熱交換器6
および分散液の輸送に使用され且つ外部循環系に配置されたポンプ7を有してい
る。しかしながら、図1による従来技術の装置と対照的に、図2および図3によ
る新規な装置は、分散液の輸送(再循環)用の配管8を更に有している。それぞ
れの場合で、分散液の輸送用のポンプ9をこれらの配管8に配置している。
【0027】 分散液を晶出器の任意の箇所で除去可能であるが、底部領域で除去するのが好
ましい。分級領域3で得られる分散液は、所望の数の連結部(連結部品)を経て
、外部循環系2に給送可能である。このために、通常、1〜3個の連結部を準備
する。
【0028】 結晶化装置の他に、図4では、分散液の後処理装置を概略的に示している。分
散液は、結晶化装置から濃縮装置(シックナー)10に移される。これにおいて
、結晶が沈殿し、そして上澄み液を除去する。濃縮装置の底部に集まる結晶を遠
心器11に輸送し、そこで更に別の液体を除去する。最後に、遠心器から除去さ
れた結晶を乾燥器12中で乾燥する。この乾燥器12から結晶分13を下流側の
仕上げ処理に排出する。
【0029】 上述したように、図2および図3は、分散液の輸送(再循環)に関する新規な
可能性を示している。輸送(再循環)用の配管8がポンプ7の前の外部循環系2
に入っている図2の装置の代わりに、輸送(再循環)用の配管8がポンプ7と熱
交換器6の間の外部循環系2に、あるいは更に熱交換器6の後ろに入ることも可
能である。図3に概略的に示された装置に関して、分散液の輸送(再循環)は、
一方で、配管8およびポンプ9を介して行われ得るが、ポンプおよび更なる粉砕
素子、例えば微粉砕器を介して行うことも可能である。
【0030】 以下の実施例を参照して、本発明を更に説明する。
【0031】
【実施例】
最初に、従来技術による比較実験を行い(系:硫酸アンモニウム/水)、その
際に、図1aに概略的に示されているプラントを使用した。周期的に変動する粒
径分布を有する結晶を、これに対応する処理の生成物として得たが、この粒径分
布は、時間の関数として振動性(振動挙動)を示した(図5における対応の曲線
を参照)。熱交換器において微粒子が極めて十分に溶解するのは、この振動性を
主な理由と考えることができた。以下に、振動性について説明する: 晶出器における微粒子分が時間tで高いと考えられる。この微粒子は、晶出器
の分級領域を介して、熱交換器にポンプで輸送される(微粒子が十分に溶解する
場合、そこで完全に溶解する); これにより、晶出器における微粒子分が低減するので、結晶の表面積が小さく
なり(これは、懸濁液に含まれる全結晶の表面積の合計を意味する)、ここで過
飽和が結晶の成長によって取り除かれる。したがって、結晶の表面積が小さくな
ることにより、過飽和度が増大する; 過飽和度は、小さく削られた断片(50μmより小さい)を活性化して、成長
させる臨界的な値に増大する; この断片を成長させた結果、晶出器中の結晶の表面積が再び急速に大きくなり
、これにより過飽和度が急速に取り除かれる。成長(小さな)結晶の大多数はそ
れ自体微結晶シャワーとして現れる; この微粒子が、ここで再び時間が経つにつれて熱交換器に溶解され、そして再
び循環し始める。
【0032】 時間の関数としての粒径分布の変動を防止するために、本発明による実験を図
2aに概略的に示されているプラントで行った(系:硫酸アンモニウム/水)。
分散液を、内部循環系1から輸送(再循環)用の配管8を介してポンプ7の前の
外部循環系2に輸送した。その結果として、更に結晶、特に粒径の大きい結晶を
、外部循環系および熱交換器6に輸送した。この結晶を給送することによって、
熱交換器の溶解容量に過度の要求をした結果、熱交換器6において微粒子が十分
に溶解するのを防止した。以下の運転条件を設定した: 外部循環系2での体積流量V/t:690m/時、 (装置への)給送量:50m/時、 生産率(図4によるプラントを用い後処理された結晶;沈降、遠心分離、乾燥
):9トン/時。
【0033】 図5は実験結果を示している。輸送(再循環)について体積流量V/tの高
い条件下で、時間の関数としての粒径分布の変動を殆んど防止可能であることが
見出された。これと対照的に、輸送(再循環)を省くこと、すなわち比較実験(
/t=0)により、時間で平均粒径Lが大幅に変動した。したがって、分散
液の新規な輸送(再循環)により、生成物の均一な品質と、微粒子シャワーの抑
制(これにより後処理が容易となる)を確実にした。更に、給送物中の硫酸アン
モニウム含有量を、生成物の品質を著しく低下させることなく、11トン/時の
生産率が達成される程度に増大可能となった。給送物中の硫酸アンモニウム含有
量を同じように増大させて、従来技術による上記処理を行うと、微結晶シャワー
の効力が大幅に増大して、その後の後処理が大幅に困難になったであろう(問題
は、特に遠心分離および乾燥に含んでいる)。したがって、新規な方法により、
生産率の向上が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による物質の結晶化装置に関して図示したものであり、図1Aは対応
するDTB晶出器に関して図示したものであり、図1Bは対応するオスロー晶出
器に関して図示したものである。
【図2】 結晶化の新規な装置に関して図示したものであり、図2Aは対応するDTB晶
出器を示し、図2Bは対応するオスロー晶出器を示している。
【図3】 結晶化の新規な装置に関して図示したものであり、図3Aは対応するDTB晶
出器を示し、図3Bは対応するオスロー晶出器を示している。
【図4】 分散液の後処理手段の装置を含む、結晶化の新規な装置に関して図示したもの
である。
【図5】 平均粒径Lを時間tの関数としてプロットしたグラフを示し、輸送(再循環)
Vb/tおよび外部循環系Vu/tに対する種々の体積流動を基準としている。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成14年7月3日(2002.7.3)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01D 9/02 605 B01D 9/02 605 610 610Z 611 611A 613 613 615 615A 617 617 622 622 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK ,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE, GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK, MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ, VN,YU,ZA,ZW (72)発明者 リーカー,クリストファー,ウィリアム ドイツ、67112、ムターシュタット、シフ ァーシュタター、シュトラーセ、43 (72)発明者 シュナイダー,ハインツ−ヴァルター ドイツ、67069、ルートヴィッヒスハーフ ェン、ブリュッセラー、リング、43 (72)発明者 ヴァーグナー,ロベルト ドイツ、67227、フランケンタール、マル ティン−ルター−シュトラーセ、7ベー

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 分級領域(3)を含む晶出器中で、物質を含む溶液または分
    散液から該物質を結晶化する装置であって、 (a)晶出器中に設けられている内部循環系(1)および晶出器の外側に設けら
    れている外部循環系(2){但し、外側循環系(2)の入口は分級領域(3)を
    介して内側循環系(1)に接続され、外側循環系(2)の出口は晶出器の内側循
    環系(1)に接続されている}、および外部循環系(2)の出口前にてこの系に
    配置された結晶溶解手段と、 (b)晶出器または外側循環系(2)に配置された溶液および/または分散液の
    流入路(4)と、 (c)晶出器または外部循環系(2)に配置された分散液の流出路(5)と、 を含み、更に 内部および外部循環系(1,2)を相互に連結し且つ分散液を輸送(再循環)
    する予定の配管(8)、および/または分散液を輸送(再循環)する配管(8)
    が設けられ、これらの入口および出口の両方を内部循環系(1)に連結すること
    を特徴とする結晶化装置。
  2. 【請求項2】 晶出器がDTB晶出器または固定床晶出器の形態であり、好
    ましくはオスロー晶出器の形態である請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 結晶溶解手段が熱交換器(6)の形態で設けられている請求
    項1または2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 各配管には、配管(8)を介して分散液または溶液を輸送す
    るポンプ(9)が具備されている請求項1〜3のいずれかに記載の装置。
  5. 【請求項5】 分級領域(3)が沈降領域の形態で設けられている請求項1
    〜4のいずれかに記載の装置。
  6. 【請求項6】 内部および外部循環系を有する装置で、物質を含む溶液また
    は分散液から該物質を結晶化する方法であって、 (i)内部循環系が分級領域を含む晶出器に設けられ、該晶出器が、物質の結
    晶を含み且つ内部循環系を通って運ばれる分散液を含み、 (ii)分散液の部分流が、分級領域を介して、晶出器から外部循環系に輸送
    され、 (iii)この分散液に含まれる結晶を、結晶溶解手段によって外部循環系で
    溶解し、 (iv)分散液における結晶を完全に溶解することにより得られた分散液また
    は溶液を、晶出器の内部循環系に再循環させ、 (v)物質を含む溶液および/または分散液を、晶出器および/または外部循
    環系に給送し、 (vi)物質の結晶を含む分散液を、外部循環系および/または晶出器から除
    去し、更に (vii)結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から除去して、外部循環系
    に給送し、および/または結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から除去して
    、内部循環系に再循環させることを特徴とする結晶化方法。
  7. 【請求項7】 分散液に含まれる結晶を、分散液の加熱によって溶解する請
    求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 結晶化させる物質が硫酸アンモニウムまたはアジピン酸であ
    る請求項6または7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 外部循環系および/または晶出器から除去された、物質の結
    晶を含む分散液を後処理して、これにより物質の結晶を純粋な状態で得る請求項
    6〜8のいずれかに記載の方法。
  10. 【請求項10】 結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から除去して、外
    部循環系に給送し、および/または結晶を含む分散液の部分流を内部循環系から
    除去して、内部循環系に再循環させ、且つそれぞれの場合に、分散液の結晶を実
    質上溶解させない請求項6〜9のいずれかに記載の方法。
  11. 【請求項11】 請求項9に記載の方法によって製造された結晶分(13)
JP2001587881A 2000-05-29 2001-05-21 結晶製造用の装置 Expired - Fee Related JP5550801B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10026619A DE10026619A1 (de) 2000-05-29 2000-05-29 Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen
DE10026619.3 2000-05-29
PCT/EP2001/005815 WO2001091874A1 (de) 2000-05-29 2001-05-21 Vorrichtung zur herstellung von kristallen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003534129A true JP2003534129A (ja) 2003-11-18
JP2003534129A5 JP2003534129A5 (ja) 2013-04-11
JP5550801B2 JP5550801B2 (ja) 2014-07-16

Family

ID=7643989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001587881A Expired - Fee Related JP5550801B2 (ja) 2000-05-29 2001-05-21 結晶製造用の装置

Country Status (22)

Country Link
US (1) US7056356B2 (ja)
EP (1) EP1286737B1 (ja)
JP (1) JP5550801B2 (ja)
KR (1) KR100758399B1 (ja)
CN (1) CN1281290C (ja)
AT (1) ATE293485T1 (ja)
AU (1) AU2001266001A1 (ja)
BG (1) BG107233A (ja)
BR (1) BR0111229A (ja)
CA (1) CA2410154A1 (ja)
CO (1) CO5221127A1 (ja)
CZ (1) CZ303032B6 (ja)
DE (2) DE10026619A1 (ja)
ES (1) ES2240468T3 (ja)
MX (1) MXPA02011118A (ja)
MY (1) MY133944A (ja)
PL (1) PL197879B1 (ja)
RU (1) RU2302277C2 (ja)
SK (1) SK16782002A3 (ja)
TW (1) TWI231772B (ja)
UA (1) UA75075C2 (ja)
WO (1) WO2001091874A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005028214A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Tsukishima Kikai Co Ltd 晶析方法及び装置
JP2009544562A (ja) * 2006-07-28 2009-12-17 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. 大型結晶生成物の連続製造方法
JP2010533062A (ja) * 2007-07-09 2010-10-21 クリスタル−エヴァ コンサルト 強制循環型晶析装置
JP2011524804A (ja) * 2008-06-18 2011-09-08 ジーイーエー メッソ ゲーエムベーハー 安定した粒度分布を有する結晶を連続的に製造する方法及び装置
JP2015507532A (ja) * 2011-12-22 2015-03-12 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 大量析出物インベントリーを伴う強制循環蒸発晶析のためのプロセスおよび装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7615663B2 (en) * 2004-09-02 2009-11-10 Eastman Chemical Company Optimized production of aromatic dicarboxylic acids
DE102005048881A1 (de) * 2005-10-12 2007-04-19 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Verfahren zur Lösungskristallisation von Stoffgemischen
DE102006022506A1 (de) * 2006-05-08 2007-11-15 Südzucker AG Mannheim/Ochsenfurt Isomaltulose mit verbesserter Fließfähigkeit
US7748891B2 (en) * 2007-02-27 2010-07-06 Chicago Bridge & Iron Company Liquid storage tank with draft tube mixing system
CN102020291B (zh) * 2009-09-18 2012-07-25 中国石油化工股份有限公司 一种硫铵结晶的装置
CN102371081B (zh) * 2010-08-23 2013-12-04 中国石油化工股份有限公司 带细晶消除的结晶方法
CN102371080B (zh) * 2010-08-23 2013-12-04 中国石油化工股份有限公司 晶浆外循环的结晶方法
CN102371082B (zh) * 2010-08-23 2013-08-21 中国石油化工股份有限公司 带清母液溢流的结晶方法
GB2489684A (en) * 2011-03-31 2012-10-10 Haifa Chemicals Ltd Crystallisation Apparatus
CN102145879A (zh) * 2011-05-16 2011-08-10 中信锦州金属股份有限公司 五水硫代硫酸钠的结晶方法
DE102012101702B4 (de) * 2012-03-01 2017-10-05 Gea Messo Gmbh Verfahren zur Herstellung eines grobkörnigen Ammoniumsulfat-Produkts durch Kristallisation und Anlage zur Durchführung des Verfahrens
ES2674950T3 (es) * 2012-09-11 2018-07-05 Cap Iii B.V. Proceso y aparato para iniciar un proceso de cristalización de sulfato de amonio
ES2617588T3 (es) 2012-09-24 2017-06-19 Cap Iii B.V. Procedimiento para la preparación de un producto de sulfato de amonio cristalino
EP2928828B1 (en) * 2012-12-06 2016-10-05 Cap Iii B.V. Process and apparatus for producing ammonium sulfate crystals
KR101357165B1 (ko) * 2013-02-07 2014-02-04 한국지질자원연구원 황안 결정화 방법
CA2882221C (en) * 2014-03-05 2022-03-08 Chemetics Inc. High strength, low salt hypochlorite production
CN103910651B (zh) * 2014-03-10 2016-01-20 河北诺达化工设备有限公司 亚氨基二乙腈连续结晶工艺
CN103908797B (zh) * 2014-04-10 2015-12-30 攀钢集团西昌钢钒有限公司 结晶器的进料系统和进料方法
DE102014207848B4 (de) * 2014-04-25 2015-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Aufbereitungseinheit und Verfahren zur Aufbereitung für ein mit Schwefeloxiden und/oder Stickoxiden verunreinigtes Waschmedium sowie eine Abscheidevorrichtung
DE102015013959B4 (de) 2014-10-30 2022-05-05 Henning Meldau Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen
CN108557894A (zh) * 2018-01-30 2018-09-21 江苏迈克化工机械有限公司 一种硫酸锰溶液结晶装置和方法
CN108939599B (zh) * 2018-07-25 2020-12-08 天津大学 一种自循环结晶器及多级连续结晶方法
CN111530119B (zh) * 2020-04-14 2021-09-14 中石化南京工程有限公司 一种串联的硫酸铵结晶方法及其装置
CN113134249A (zh) * 2021-03-22 2021-07-20 西安航天华威化工生物工程有限公司 糖醇溶液预结晶设备及工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209702A (ja) * 1987-02-25 1988-08-31 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 結晶缶の運転方法
JPH026802A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 逆循環式結晶化装置
JPH05103902A (ja) * 1991-10-18 1993-04-27 Tetsugen:Kk 晶析装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873275A (en) 1969-09-29 1975-03-25 Whiting Corp Crystallization apparatus and method
EP0632738B1 (en) * 1992-03-27 1995-11-08 AlliedSignal Inc. Process for crystallization in a draft tube baffle crystallizer
DE19912699A1 (de) * 1999-03-20 2000-09-28 Domo Caproleuna Gmbh Verfahren zur Steuerung der Kristallgröße bei der kontinuierlichen Massenkristallisation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209702A (ja) * 1987-02-25 1988-08-31 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 結晶缶の運転方法
JPH026802A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 逆循環式結晶化装置
JPH05103902A (ja) * 1991-10-18 1993-04-27 Tetsugen:Kk 晶析装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005028214A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Tsukishima Kikai Co Ltd 晶析方法及び装置
JP4518465B2 (ja) * 2003-07-07 2010-08-04 月島機械株式会社 晶析方法及び装置
JP2009544562A (ja) * 2006-07-28 2009-12-17 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. 大型結晶生成物の連続製造方法
JP2010533062A (ja) * 2007-07-09 2010-10-21 クリスタル−エヴァ コンサルト 強制循環型晶析装置
JP2011524804A (ja) * 2008-06-18 2011-09-08 ジーイーエー メッソ ゲーエムベーハー 安定した粒度分布を有する結晶を連続的に製造する方法及び装置
JP2015507532A (ja) * 2011-12-22 2015-03-12 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 大量析出物インベントリーを伴う強制循環蒸発晶析のためのプロセスおよび装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1281290C (zh) 2006-10-25
JP5550801B2 (ja) 2014-07-16
MY133944A (en) 2007-11-30
WO2001091874A1 (de) 2001-12-06
KR100758399B1 (ko) 2007-09-14
BG107233A (en) 2003-07-31
RU2302277C2 (ru) 2007-07-10
EP1286737B1 (de) 2005-04-20
CA2410154A1 (en) 2001-12-06
DE50105962D1 (de) 2005-05-25
ATE293485T1 (de) 2005-05-15
UA75075C2 (en) 2006-03-15
AU2001266001A1 (en) 2001-12-11
CN1431923A (zh) 2003-07-23
US7056356B2 (en) 2006-06-06
BR0111229A (pt) 2003-03-18
PL358987A1 (en) 2004-08-23
CO5221127A1 (es) 2002-11-28
EP1286737A1 (de) 2003-03-05
PL197879B1 (pl) 2008-05-30
RU2002135610A (ru) 2004-03-27
SK16782002A3 (sk) 2003-05-02
US20030180202A1 (en) 2003-09-25
ES2240468T3 (es) 2005-10-16
CZ303032B6 (cs) 2012-03-07
KR20030007731A (ko) 2003-01-23
MXPA02011118A (es) 2003-03-10
DE10026619A1 (de) 2001-12-06
TWI231772B (en) 2005-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003534129A (ja) 結晶製造用の装置
JP5530366B2 (ja) 晶析による粗大硫安結晶製品の製造方法,及び前記製造方法を実行するための設備
JP2003534129A5 (ja)
JPS596935A (ja) 懸濁液濃縮装置
CN109289233B (zh) 用于蒸发结晶的装置、甲硫氨酸的结晶方法
US4049773A (en) Process for precipitation of aluminum hydroxide from aluminate solution
EP0079246B1 (en) Crystallizer
EP1327469B1 (en) Method and apparatus for crystallization
CA2125005C (en) Method and apparatus for treatment of a potassium chloride mixture
JP7206061B2 (ja) 被処理液の処理方法
JP3362276B2 (ja) 廃水処理装置
JP3681073B2 (ja) 造粒脱リン装置
JP2003190707A (ja) 晶析法による液中イオンの除去方法及び装置
JPS62103050A (ja) Edta廃液からのedtaの回収方法
CN115520879B (zh) 异相晶种连续制备颗粒硫酸铵的方法及装置
JPS61127693A (ja) 結晶製造装置
CN115520880B (zh) 均一化大颗粒硫酸铵的制备方法、结晶器和生产装置
JP7301105B2 (ja) 被処理液の処理方法及び被処理液の処理装置
JP7142800B1 (ja) 被処理液の処理装置及び被処理液の処理方法
JP4542679B2 (ja) 被処理水からの対象成分除去方法および晶析装置
RU2747674C1 (ru) Способ получения медного купороса
CN106573876B (zh) 获得结晶l-丙氨酸的方法
JPH0647203A (ja) 複合粒子の精製法
MX2012013523A (es) Procedimiento y sistema para la separacion de finos solidos de acido carboxilico.
JP2004182642A (ja) ビスフェノールa・フェノール付加物の晶析方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110823

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111129

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120120

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20130219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131126

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140225

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140521

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5550801

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees