JP2003060082A5

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Publication number: JP2003060082A5
Application number: JP2001241793A
Authority: JP
Filing date: 2001-08-09
Publication date: 2005-04-07
Anticipated expiration: 2021-08-09

Claims

（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
（ｃ）前記配線を覆うように第１温度で第２絶縁膜を高密度プラズマを用いた化学気相成長法で形成する工程と、
（ｄ）前記第２絶縁膜に第２温度で熱処理を施す工程と、
（ｅ）前記第２絶縁膜上に第１電極、誘電体膜及び第２電極からなるキャパシタを形成し、前記誘電体膜を第３温度で熱処理する工程と、を有し、
前記第２温度は前記第３温度より高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、工程（ａ）と（ｂ）の間に、
前記第１絶縁膜に研磨を施すことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、工程（ｃ）と（ｄ）の間に、
前記第２絶縁膜に研磨を施すことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項３において、前記第２絶縁膜に対する熱処理は、前記第２絶縁膜に対する研磨の前に実施することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、工程（ａ）の前に
（ｆ）前記半導体基板上に第３絶縁膜を介して複数の導体片を形成する工程と、
（ｇ）前記導体片の両端の前記半導体基板表面に一対の半導体領域を形成する工程と、
を有し、
前記配線は前記一対の半導体領域の一方に接続されており、前記第１電極は前記一対の半導体領域の他方に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、前記配線はタングステンで形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、前記熱処理はランプアニール法を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項７において、前記熱処理は、昇温速度の速い第１段階と、前記第１段階より昇温速度の低い第２段階を経て、前記第２温度に達することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、前記誘電体膜は酸化タンタル膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１において、前記誘電体膜はチタン酸ジルコン酸鉛膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
（ｃ）前記配線を覆うように化学気相成長法により第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第２絶縁膜上に塗布膜である第３絶縁膜を形成し、第１温度で熱処理をする工程と、
（ｅ）前記第３絶縁膜上に化学気相成長法により第４絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第４絶縁膜上に第１電極、誘電体膜及び第２電極からなるキャパシタを形成する工程と、を有し、
前記誘電体膜の形成工程は前記誘電体膜を第２温度で熱処理する工程を含み、
前記第１温度は前記第２温度以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
（ｃ）前記配線を覆うように第２絶縁膜を高密度プラズマを用いた化学気相成長法で形成する工程と、
（ｄ）前記第２絶縁膜に第１温度で熱処理を施す工程と、
（ｅ）前記配線の表面を露出するように、前記第２絶縁膜に開口を形成するために前記第２絶縁膜にエッチングを施す工程と、
（ｆ）前記開口内に第１導体層を第２温度の化学気相成長法で形成する工程と、
（ｇ）前記第１導体層上に第２導体層を形成する工程と、
（ｈ）前記第２，第１導体層に研磨を施し、前記開口内に選択的に前記第１，第２導体層を残す工程と、を有し、
前記第１温度は前記第２温度以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１２において、前記配線はタングステン膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１３において、前記第１導体層は窒化チタン層であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１２において、さらに、前記第２絶縁膜及び前記第２導体層上に第３導体層を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１５において、前記第３導体層はアルミニウム層からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項１５において、前記第３導体層は銅層からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。