JP2003046873A5 - 半導体装置および電子機器 - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタのゲートに電気的に接続された光電変換素子と、を有する半導体装置であって、
１フレーム期間において、前記増幅用トランジスタから信号出力線へｎ（ｎは２以上の整数）個の信号が出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタのゲートに電気的に接続された光電変換素子と、ｎ（ｎは２以上の整数）個の容量と、を有する半導体装置であって、
前記ｎ個の容量は、信号出力線に電気的に接続されており、
１フレーム期間において、前記増幅用トランジスタから前記信号出力線へｎ個の信号が出力され、
前記ｎ個の容量に前記ｎ個の信号のそれぞれが保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記ｎ個の容量は、サンプルホールド回路に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記信号出力線はバイアス用回路に電気的に接続されており、
前記バイアス用回路はバイアス用トランジスタを有し、
前記バイアス用トランジスタは、前記増幅用トランジスタと同じ極性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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