JPH0738815A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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JPH0738815A
JPH0738815A JP5198752A JP19875293A JPH0738815A JP H0738815 A JPH0738815 A JP H0738815A JP 5198752 A JP5198752 A JP 5198752A JP 19875293 A JP19875293 A JP 19875293A JP H0738815 A JPH0738815 A JP H0738815A
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JP
Japan
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pulse
level
period
solid
state image
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Application number
JP5198752A
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English (en)
Inventor
Yuichi Gomi
祐一 五味
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 1フレーム期間内に2種の露光時間の異なる
画素信号を独立に得ることが可能な固体撮像素子を提供
する。 【構成】 光電変換素子を画素として行列状に2次元に
配列した受光部に対して、水平有効期間内でタイミング
の異なる第1及び第2の読み出し信号を出力する垂直走
査回路1と、水平有効期間内で2度のスタート信号を入
力する水平走査回路2とを設け、2度の読み出し動作を
水平走査期間内で時間をずらして行うようにして、垂直
信号線を複数設けることなく、独立に取り出すように構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子に関
し、特に1フレーム期間内に画素信号を独立に2度読み
出す機能を備えたX−Yアドレス型の固体撮像素子に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、各種の固体撮像素子が開発され、
実用に供せられている。これらの固体撮像素子のうち、
代表的なものとして、CCD型固体撮像素子,MOS型
固体撮像素子,増幅型固体撮像素子等がある。増幅型固
体撮像素子としては、特開昭60−140752号公
報,特開昭60−206063号公報等に、電荷変調素
子(Charge Modulation Device:以下CMDと略称す
る)を用いたものが開示されている。また、CMD型固
体撮像素子における非破壊読み出しについては、T. Nak
amura et al., "A New Mos Image Sensor Operating in
a Nondestructive Readout Mode", IEDM Dig. Tech. P
apers p. 353 (1986) 等に詳しく記載されている。
【0003】これらの固体撮像素子は、いずれも光電変
換機能を有する画素をマトリックス状に配列し、CCD
型固体撮像素子においては電荷転送方式により、MOS
型固体撮像素子及び増幅型固体撮像素子においてはX−
Yアドレス方式により、画素を走査して映像信号を読み
出すように構成されている。このため、これらの固体撮
像素子においては、固体撮像素子を構成する各画素が一
定時間露光されたのち順次走査され、この走査に伴い1
画面分の画素信号が出力されるようになっている。
【0004】次に、従来の固体撮像素子の一例として、
CMD固体撮像素子の構成例を説明する。図21は、CM
D固体撮像素子の回路構成を示す図である。各画素を構
成するCMD111-11,111-12,・・・ 111-mnをマトリック
ス状に配列し、その各ドレインには共通にビデオ電圧V
DD(>0)を印加する。X方向に配列された各行のCM
D群のゲート端子は、行ライン112-1 ,112-2 ,・・・ 11
2-m にそれぞれ接続し、Y方向に配列された各列のCM
D群のソース端子は、列ライン113-1 ,113-2,・・・ 113
-n にそれぞれ接続する。そして列ライン113-1 ,113-2
,・・・ 113-nは、それぞれ列選択用トランジスタ114-1
,114-2 ,・・・ 114-n 及び反選択用トランジスタ115-1
,115-2 ,・・・ 115-n を介して、ビデオライン116 及
びGNDに接地されたライン117 に、それぞれ共通に接
続する。ビデオライン116 は、入力が仮想接地された電
流−電圧変換型のプリアンプ122 に接続され、プリアン
プ122 の出力端子119 には、負極性の映像信号が時系列
で読み出されるようになっている。
【0005】また、行ライン112-1 ,112-2 ,・・・ 112-
m は垂直走査回路120 に接続され、それぞれ信号φG1
φG2,・・・ φGmが印加されるようになっており、また列
選択用トランジスタ114-1 ,114-2 ,・・・ 114-n 及び反
選択用トランジスタ115-1 ,115-2 ,・・・ 115-n のゲー
ト端子は、水平走査回路121 に接続され、それぞれ信号
φS1,φS2,・・・ φSn及びそれらの反転信号が印加され
るようになっている。更に垂直走査回路120 のバイアス
端子V1 ,V2 ,V3 ,V4 には、蓄積電圧VINT ,読
み出し電圧VRD,リセット電圧VRS,オーバーフロー電
圧VOFが、それぞれ印加されるようになっている。
【0006】図22は、図21に示したCMD固体撮像素子
の動作を説明するための信号波形図である。行ライン11
2-1 ,112-2 ,・・・ 112-m に印加する信号φG1,φG2
・・・φGmは、読み出しゲート電圧VRD,リセット電圧V
RS,オーバーフロー電圧VOF,蓄積電圧VINT よりな
り、非選択行においては、水平映像有効期間中は
INT、水平帰線期間中はVOFとなり、選択行において
は、水平映像有効期間中はVRD、水平帰線期間中はVRS
となる。また列選択用トランジスタ114-1 ,114-2 ,・・
・ 114-n のゲート端子に印加する信号φS1,φS2,・・・
φSnは、列ライン113-1,113-2 ,・・・ 113-n を選択す
るための信号で、“L”レベルは列選択用トランジスタ
114-1 ,114-2 ,・・・ 114-n をオフ、反選択用トランジ
スタ115-1 ,115-2 ,・・・ 115-n をオンとし、“H”レ
ベルは列選択用トランジスタ114-1 ,114-2 ,・・・ 114-
n をオンとし、反選択用トランジスタ115-1 ,115-2 ,
・・・ 115-nをオフとする電圧値になるように設定されて
いる。
【0007】また、特開平4−86166号公報に開示
されているように、水平方向一ライン分の画素信号を保
持できるように構成したものにおいては、水平帰線期間
中に画素信号の保持動作を行い、水平映像有効期間中に
保持された画素信号を取り出すため、水平映像有効期間
中はVOF、水平帰線期間中は選択行においてはVRD又は
RS、非選択行においてはVINT となるように構成され
ている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
固体撮像素子においては、例えば被写体の明るい部分に
対してシャッター等により露光条件の適正化がなされた
場合、被写体の暗い部分に相当する画素での露光量は小
さくなり、固体撮像素子自身の発生するランダムノイズ
や固定パターンノイズ等の雑音の影響を受け易くなる。
一方、被写体の暗い部分に対して露光条件の適正化がな
された場合は、被写体の明るい部分に相当する画素では
オーバー露光になり、画素信号が飽和してしまったりす
る。これは、従来の固体撮像素子では、1フレームに1
回、全画素同一の露光時間の画素信号しか得られないた
めである。
【0009】本発明は、従来の固体撮像素子における上
記問題点を解消するためになされたもので、1フレーム
期間内に2種の露光時間の異なる画素信号を独立に得る
ことが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする
ものである。
【0010】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、光電変換素子を画素として行列
状に2次元に配列した受光部と、該受光部の各画素の光
蓄積電荷信号を順次アドレスして読み出すための水平及
び垂直走査回路とを備えた固体撮像素子において、前記
垂直走査回路を、一定のパルス幅を有する単一のパルス
を順次シフトして出力させるシフトパルス発生手段と、
該シフトパルス発生手段から出力されるシフトパルスを
入力し、該シフトパルスの立ち上がり及び立ち下がりに
同期して対応する画素行を選択し、各選択時点において
第1の読み出し動作並びに第2の読み出し動作を水平走
査期間内の異なるタイミングで行うパルスを生成する手
段とで構成するか、又は第1及び第2のパルスを複合し
たパルスを順次シフトして出力させるシフトパルス発生
手段と、該シフトパルス発生手段から出力されるシフト
パルスとコントロール信号により前記第1及び第2のパ
ルスを識別し、各パルスに同期して対応する画素行を選
択し、各選択時点において第1の読み出し動作並びに第
2の読み出し動作を水平走査期間内の異なるタイミング
で行うパルスを生成する手段とで構成するものである。
【0011】このように構成した固体撮像素子において
は、垂直走査回路内をシフトする一定のパルス幅を有す
る単一のパルスの立ち上がり及び立ち下がりに同期し
て、あるいは第1及び第2のパルスに同期して画素行が
選択され、各選択時点において第1の読み出し動作及び
第2の読み出し動作が、水平走査期間内の異なるタイミ
ングで行われる。これにより1フレーム期間内に2種の
露光時間の異なる画素信号を独立に得ることが可能な固
体撮像素子を実現することができる。
【0012】次に、本発明を概念図を用いて、更に詳細
に説明する。図1は、本発明に係る固体撮像素子を説明
するための概念図である。図において、1は垂直走査回
路、2は水平走査回路、3は光電変換素子を画素として
行列状に2次元に配列した受光部である。垂直走査回路
1は水平有効期間内でタイミングの異なる第1及び第2
の読み出し信号を出力するようになっており、図1に示
した概念図では、第1及び第2の読み出し動作がnライ
ン分ずれて動作している場合の態様を示している。
【0013】図2は、図1に示した固体撮像素子の動作
を示すタイミングチャートである。1-1,1-2,1-3,
・・・ 1 -n は、垂直走査回路1から出力される走査パル
スであり、nHの間隔で水平有効期間内の異なるタイミ
ングで“H”レベルとなり、“H”レベルとなる期間、
画素信号の読み出し動作が行われる。ここで第1の読み
出しタイミングをで、第2の読み出しタイミングを
で示している。垂直走査回路1からこのようなパルスが
出力される時、図1の水平走査回路2に、図2のHST
で示すように、水平有効期間内で2度スタート信号を入
力すると、信号出力端子4には、Sig.で示すタイミ
ングで画素信号が現れる。Sig.中に示す数字は何ラ
イン目の画素信号であるかを表しており、また斜線を付
している部分は第2の読み出しの画素信号を示してい
る。ここで第1及び第2の読み出しにおける画素信号
は、混合されることなく独立に扱うことができる。
【0014】次に、本発明に係る固体撮像素子を図3に
示す他の概念図を用いて説明する。この概念図に示す固
体撮像素子は、図1に示したものと異なり、水平帰線期
間に画素信号を読み出し保持し、水平有効期間に外部に
取り出すように構成したものである。図3に示す固体撮
像素子において図1に示したものと異なる点は、1ライ
ン分の画素信号を保持するためのメモリを2ライン分持
っている点で、ここでは第1の読み出し動作時の第1の
1ラインメモリを5で、第2の読み出し動作時の第2の
1ラインメモリを6で示している。
【0015】図4は、図3に示した固体撮像素子の動作
を示すタイミングチャートで、垂直走査回路1から出力
されるパルス1-1,1-2,1-3,・・・ 1-nは、nHの間
隔で水平帰線期間内の異なるタイミングで“H”レベル
となり、この“H”レベルとなる期間に画素信号の読み
出し動作が行われ、1ラインメモリ5,6に保持され
る。その後、水平走査回路2にHSTで示すようなスタ
ートパルスが与えられると、水平有効期間に、信号出力
端子4-1,4-2には、Sig.1,Sig.2で示すタ
イミングで画素信号が現れる。
【0016】上記図1,図3に示したいずれの固体撮像
素子においても、2度の読み出し動作を時間をずらして
行っているため、それぞれの読み出し動作での画素信号
は、受光部3内の垂直信号線を、従来のままで、特に複
数設けることなく、独立に取り出すことができる。
【0017】
【実施例】次に具体的な実施例について説明する。図5
は、本発明に係る1フレーム期間内に画素信号を独立に
2度読み出す機能を備えた固体撮像素子の第1実施例の
主要部である垂直走査回路の構成を示す回路構成図であ
る。この実施例における垂直走査回路は、シフトレジス
タ11及びパルス生成部12とで構成されている。
【0018】次に、上記垂直走査回路に用いられている
シフトレジスタ11を図6を用いて説明する。このシフト
レジスタ11は、図6に示すように、クロックドインバー
タ4段によって、図中破線で囲んだ1ユニット11Uを構
成している。このシフトレジスタをシンボルを用いて示
すと図7に示すように表される。図6及び図7におい
て、VCK1,VCK2,*VCK1,*VCK2はシ
フトレジスタを駆動するクロックであり、*VCK1,
*VCK2はそれぞれVCK1,VCK2の反転クロッ
クを示している。またVSTはスタートパルスである。
【0019】図8は、図6及び図7に示したシフトレジ
スタ11の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。シフトレジスタの初段ユニットの入力にスタートパ
ルスVSTが印加されることにより、クロックVCK1
又はVCK2の立ち下がりに同期して、出力Sn−m
(n=1,2,・・・ 、m=1,2,3,4)が現れる。
ここでSn−m(n=1,2,・・・ 、m=1,2,3,
4)は、n段目のシフトレジスタユニットのm段目のク
ロックドインバータの出力を示している。
【0020】図5において、パルス生成部12の単位ユニ
ット12Uは、1個のインバータ,2個の2入力OR,及
び1個の2入力NANDから構成されており、n段目の
出力Pnを論理式で表現すると、数1で表される。
【0021】
【数1】
【0022】ここでSn−m(n=1,2,・・・ 、m=
1,2,3,4)は、シフトレジスタの出力を表す。上
記数1から分かるように、パルス生成部出力Pnが
“H”レベルとなる条件は、以下の2通りである。 (1)−1:(Sn−2)が“L”レベル且つ(Sn−
4)が“H”レベル (1)−2:(S(n+1)−1)と(S(n+1)−
2)が共に“L”レベル
【0023】図9は、図5に示した構成の垂直走査回路
の動作を説明するためのタイミングチャートである。V
CK1,VCK2はシフトレジスタ11の駆動パルス、V
STはシフトレジスタ11のスタートパルスで、ある幅を
有している。S1−4〜S4−4はシフトレジスタ11の
出力で、VCK1又はVCK2の立ち下がりに同期して
いる。P1〜P4はパルス生成部12の出力である。ここ
で2段目のパルス生成部の出力P2に注目して説明す
る。
【0024】シフトパルスS2−4の立ち上がりタイミ
ングにおいては、条件(1)−2から、パルス生成部出
力P2はt1 〜t2 の期間において、シフトパルスS3
−1,S3−2が共に“L”レベルとなるため、“H”
レベルとなる。また立ち下がりタイミングにおいては、
条件(1)−1から、t3 〜t4 の期間において、シフ
トパルスS2−2が“L”レベル、S2−4が“H”レ
ベルとなるため、パルス生成部出力P2は“H”レベル
となる。ここで期間t1 〜t2 と、t3 〜t4は1水平
走査期間内では重複しない。
【0025】したがって、シフトパルスの立ち上がりで
第1の読み出しが、立ち下がりで第2の読み出しが行わ
れる。各読み出しにおける露光時間は、第1の読み出し
ではシフトパルスの“L”レベル期間に相当する時間と
なり、第2の読み出しではシフトパルスの“H”レベル
期間に相当する時間となる。
【0026】また図9中に示した駆動パルスVCK1に
おけるT2 期間内で、第1及び第2の読み出しが行われ
るので、シフトレジスタ11の駆動パルスのタイミングの
制御により、第1及び第2の読み出しは、水平有効期間
又は水平帰線期間のどちらでも行うことができる。
【0027】以上説明したように、図5に示した構成の
垂直走査回路によれば、シフトパルスの立ち上がり及び
立ち下がりで、第1及び第2の読み出し動作を水平走査
期間内の異なるタイミングで行うことができ、X−Yア
ドレス方式の固体撮像素子に適用できる。
【0028】次に、第2実施例として、本発明を増幅型
固体撮像素子であるCMD受光素子を用いたイメージセ
ンサに適用した場合の垂直走査回路について説明する。
CMD受光素子から映像信号を出力させる場合、2次元
アレイ状に配列されたCMD受光素子の各行の共通ゲー
トラインに印加する信号としては、蓄積電圧VINT ,オ
ーバーフロー電圧VOF,読み出し電圧VRD,及びリセッ
ト電圧VRSの4つの電圧を時系列に組み合わせたパルス
信号が必要とされる。このような信号をCMD受光素子
のゲートに印加するためには、選択/非選択の2値の論
理出力が各走査段から得られる構成の回路と、レベルミ
ックス回路とを備えた垂直走査回路が用いられる。
【0029】レベルミックス回路としては、図10に示す
回路構成のものがある。図10において、Sは“L”レベ
ルで選択、“H”レベルで非選択となる信号である。R
D/RSはVRDとVRSの2値信号であり、Sが“L”レ
ベルの時は、VRD又はVRSが出力される。一方、Sが
“H”レベルの時は、クロックφに同期して、VOF又は
INT が出力され、4値レベルのゲートライン印加信号
Gが得られるようになっている。なお*φはφの反転ク
ロックである。
【0030】図11は、第2実施例の垂直走査回路の回路
構成を示す図である。図5に示した第1実施例の垂直走
査回路との違いは、図10で説明したレベルミックス回路
23を設けていることと、このレベルミックス回路23を用
いた場合、“L”レベルが選択となるので、パルス生成
部22の出力が、数1と論理が逆になっている点である。
【0031】図12は、図11に示した垂直走査回路の動作
を説明するためのタイミングチャートである。VCK1
及びVCK2は、シフトレジスタ21の駆動パルスであ
る。VCK10は、レベルミックス回路23に用いる、オー
バーフロー電圧VOF及び蓄積電圧VINT のタイミングを
決めるクロックであり、RD/RSもまたレベルミック
ス回路23に用いる、読み出し電圧VRDとリセット電圧V
RSの2値の信号である。VSTはシフトレジスタ21のス
タートパルス、S1−4〜S3−4はシフトレジスタ21
の出力である。P1〜P3はパルス生成部22の出力で、
“L”レベルとなるタイミングは、図9に示した第1実
施例の“H”レベルとなるタイミングと同じである。こ
れらのパルス生成部の出力P1〜P3がレベルミックス
回路23に与えられると、P1〜P3が“L”レベルとな
る期間、レベルミックス回路23の出力G1〜G3には、
RD/RS信号が現れる。そして、読み出し電圧VRD
なる期間に読み出し動作が行われ、リセット電圧VRS
なる期間にリセット動作が行われる。一方、P1〜P3
が“H”レベルである期間は、VCK10に同期してオー
バーフロー電圧VOF又は蓄積電圧VINT が出力G1〜G
3に現れる。なお、図12において、は第1の読み出し
タイミング、は第2の読み出しタイミングを示してお
り、またTint1は第1の読み出しタイミングにおける信
号の露光時間、Tint2は第2の読み出しタイミングにお
ける信号の露光時間を示している。
【0032】このように画素としてCMD受光素子を用
いた固体撮像素子の場合においても、第1実施例と同様
にシフトパルスの立ち上がり及び立ち下がりで、第1及
び第2の読み出し動作を水平走査期間内の異なるタイミ
ングで行うことができ、露光時間の異なる2種の信号を
独立に読み出すことができる。
【0033】また、CMD受光素子のように非破壊読み
出し可能な素子においては、第1又は第2の読み出し直
後のリセット動作を省くことにより、第1及び第2の読
み出しにおける露光期間を重複させ、一方の露光時間を
1フレームとすることができる。
【0034】次に、第3実施例について説明する。この
第3実施例も受光素子としてCMDを用いた固体撮像素
子に本発明を適用したものであるが、本実施例は第1及
び第2の読み出しにおける露光時間が独立に可変できる
ように構成した点を特徴としている。
【0035】図13は、本実施例の垂直走査回路の回路構
成を示す図である。図において、31はシフトレジスタ
で、先の各実施例と同様に単位ユニット31Uは4段のク
ロックドインバータから構成されている。32はパルス生
成部で、単位ユニット32Uは、インバータ,2入力AN
D,及び2入力OR回路から構成されている。n段目の
パルス生成ユニット32Uの出力Pnは、第1実施例と同
様に、n段目のシフトレジスタユニット31Uのm段目の
クロックドインバータの出力を、Sn−m(n=1,
2,・・・ 、m=1,2,3,4)で表すと、数2のよう
な論理式で表される。
【0036】
【数2】
【0037】したがってパルス生成ユニットの出力Pn
が“L”レベルとなる条件は、以下の2通りである。 (2)−1:(S(n+1)−1)と(S(n+1)−
2)が共に“L”レベル (2)−2:(S(n+1)−1)と(Sn−2)が
“L”レベル 且つ(Sn−4)が“H”レベル
【0038】なお、パルス生成ユニット32Uは、トラン
ジスタレベルでは図14のようにも表すことができる。ま
た図13において、33はレベルミックス回路で、単位ユニ
ット33Uは図10に示した構成と同じ構成である。
【0039】図15は、図13に示した構成の垂直走査回路
の動作を説明するためのタイミングチャートである。V
CK1及びVCK2は、シフトレジスタ31の駆動パルス
である。VCK10は、レベルミックス回路33に用いるV
OF及びVINT のタイミングを決めるクロックであり、R
D/RSもまたレベルミックス回路33に用いるVRDとV
RSの2値の信号である。VSTはシフトレジスタ31のス
タートパルスで、第1と第2の読み出しの間隔に相当す
る幅を持った読み出し用パルスと、第1の読み出しにお
ける露光時間を決めるために必要となるリセット用のパ
ルスを、図15に示すようにVCK1に同期したタイミン
グで、複合したものである。S1−4〜S3−4はシフ
トレジスタ31の出力である。P1〜P3はパルス生成部
32の出力であり、“L”レベルとなる期間が選択期間と
なる。G1〜G3はレベルミックス回路33の出力で、C
MD受光素子を動作させるための4値レベルの信号であ
り、各行の共通ラインに印加されるようになっている。
【0040】ここで、2段目のパルス生成部の出力P2
に着目して説明する。パルス生成部32の出力P2は、リ
セットのタイミングにおいては、t1 〜t2 の期間、シ
フトパルスS3−1とS3−2が共に“L”レベルとな
るため、条件(2)−1から“L”レベルとなる。また
読み出しのタイミングでは、シフトパルスS2−4の立
ち上がりにおいて、t3 〜t4 の期間、シフトパルスS
3−1とS3−2が共に“L”レベルとなるため、条件
(2)−1からパルス生成部出力P2は“L”レベルと
なり、シフトパルスS2−4の立ち下がりにおいては、
5 〜t6 の期間、シフトパルスS3−1とS2−2が
“L”レベルで、シフトパルスS2−4が“H”レベル
となるため、条件(2)−2からパルス生成部出力P2
は“L”レベルとなる。ここでt3 〜t4 とt5 〜t6
の期間は1水平走査期間内では重複しない。
【0041】レベルミックス回路33に、t1 〜t2 ,t
3 〜t4 ,t5 〜t6 の期間、“L”レベルとなるパル
ス生成部出力P2が入力されると、これらの期間にレベ
ルミックス回路33の出力G2には、RD/RSが現れ、
その他の期間には、VCK10が“H”レベルの時はV
INT が、VCK10が“L”レベルの時はVOFが現れ、図
15に示す4値レベルの信号が得られる。なお図15におい
て、○印Rはリセットタイミングを示している。
【0042】したがって、読み出し用パルスの立ち上が
りで第1の読み出しが、立ち下がりで第2の読み出しが
行われる。そして第1の読み出しにおける露光時間は、
リセット用パルスと読み出し用パルスの間隔で、また第
2の読み出しにおける露光時間は、読み出し用パルスの
幅で、それぞれ制御することができる。
【0043】また第1及び第2の読み出しは、図15中に
示した駆動パルスVCK1におけるT2 期間内で行われ
るので、シフトレジスタ31の駆動パルスのタイミング制
御により、読み出し動作を水平有効期間又は水平帰線期
間のどちらでも行うことができる。
【0044】以上説明したように、図13に示した構成の
第3実施例の垂直走査回路によれば、シフトパルスの立
ち上がり及び立ち下がりで、第1及び第2の読み出し動
作を、水平走査期間内の異なるタイミングで行うことが
でき、それぞれの読み出しにおける露光時間は独立に可
変できる。なお本実施例においても、受光画素に非破壊
読み出し可能な素子を用いることにより、第1及び第2
の読み出しにおける露光時間を重複させることが可能で
ある。
【0045】次に、第4実施例について説明する。この
実施例も受光素子としてCMDを用いた固体撮像素子に
本発明を適用したものである。図16は、本実施例の垂直
走査回路の回路構成を示す図である。図において、41は
シフトレジスタで、単位ユニット41Uは2段のクロック
ドインバータから構成されている。42はパルス生成部
で、単位ユニット42Uは、シフトレジスタ41の出力に同
期してコントロール信号CONTを伝達させるためのト
ランスファゲートと2個のインバータと、コントロール
信号CONTのレベルにより、クロック信号CKRD1
とCKRD2を切り換え出力するCMOSスイッチと、
及びCMOSスイッチからの出力とシフトレジスタ41の
出力が入力される2入力NANDとで構成されている。
43はレベルミックス回路で、単位ユニット43Uは図10に
示したものと同じ構成である。
【0046】図17は、図16に示した垂直走査回路の動作
を説明するためのタイミングチャートである。VCK1
及びVCK2は、シフトレジスタ41の駆動パルスであ
る。VVSTはシフトレジスタ41のスタートパルスで、
第1及び第2の読み出しタイミング,で、それぞれ
駆動パルスの1周期分“H”レベルとなるパルスを複合
したものである。CONTは、第1及び第2の読み出し
タイミングを、そのレベルで識別するための信号で、こ
こでは第1の読み出しタイミングを“H”レベルで、第
2の読み出しタイミングを“L”レベルで識別するよう
にしている。
【0047】CKRD1及びCKRD2は、1水平走査
期間内における読み出し動作を行うタイミングを決める
ためのクロック信号である。RD/RS及びVCK10
は、先に述べた第2及び第3実施例と同様に、レベルミ
ックス回路43に用いる信号で、ここではVCK1とVC
K10は同じタイミングとしている。S1〜S3はシフト
レジスタ41の出力で、VCK1の立ち下がりに同期して
いる。C1,C2はパルス生成部内を伝達するコントロ
ール信号で、シフトレジスタ出力に同期している。P1
〜P3はパルス生成部42の出力である。G1〜G3はレ
ベルミックス回路43の出力であり、CMD受光素子を動
作させるための4値レベルの信号で、各行の共通ライン
に印加されるようになっている。
【0048】ここで、2段目のパルス生成部の出力P2
に着目して説明する。パルス生成部出力P2は、第1の
読み出しタイミングでは、コントロール信号C2が
“H”レベルであるので、パルス生成ユニット内のCM
OSスイッチの出力はCKRD1となり、これとシフト
レジスタ出力S2とのNAND出力となるため、t1
2 及びt3 〜t4 の期間、“L”レベルとなる。一
方、第2の読み出しタイミングにおいては、コントロー
ル信号C2が“L”レベルで、CMOSスイッチの出力
はCKRD2となるので、これとシフトレジスタ出力S
2とのNANDをとると、t5 〜t7 の期間、“L”レ
ベルとなる。このパルス生成部出力P2がレベルミック
ス回路43に与えられると、その出力G2には、P2が
“L”レベルの時、VRD又はVRSが、P2が“H”レベ
ルの時、VOF又はVINT が現れ、図17に示す4値レベル
の信号となり、VRDとなるt1 〜t2 期間に第1の読み
出し動作、t5 〜t6 期間に第2の読み出し動作が行わ
れる。ここで、t1 〜t2 とt5 〜t6 の期間は1水平
走査期間内で重複しない。なおt3 〜t4 及びt6 〜t
7 の期間はリセット期間である。また各読み出しにおけ
る露光時間は、各タイミングでシフトされる“H”レベ
ルとなるパルス間隔に相当する。
【0049】また読み出し動作の行われるタイミング
は、クロック信号CKRD1及びCKRD2で決まるた
め、これらのクロック信号を制御することにより、第1
及び第2の読み出しは、水平有効期間又は水平帰線期間
のどちらでも行うことができる。
【0050】以上説明したように、図16に示した構成の
垂直走査回路によれば、第1及び第2のタイミングでシ
フトするシフトパルスに同期して、第1及び第2の読み
出し動作を水平帰線期間内の異なるタイミングで行うこ
とができる。また、本実施例においても、受光画素に非
破壊読み出し可能な素子を用いることによって、第1及
び第2の読み出しにおける露光時間を重複させることが
可能である。
【0051】更に本実施例では、シフトレジスタにおい
て、駆動パルス1周期分“H”レベルであるパルスを、
情報の伝達に用いたものを示したが、もちろん“L”レ
ベルの部分を情報の伝達に使うことも可能であり、また
コントロール信号についても、第1及び第2の読み出し
タイミング識別の情報伝達レベルは、実施例と異ならせ
ることが可能なことは明らかである。
【0052】次に第5実施例について説明する。この実
施例も受光素子としてCMDを用いた固体撮像素子に本
発明を適用したものであり、第3実施例と同様に第1及
び第2の読み出しにおける露光時間が独立に可変できる
ように構成した点を特徴としている。
【0053】図18は、本実施例の垂直走査回路の回路構
成を示す図である。図において、51はシフトレジスタ
で、単位ユニット51Uは第4実施例と同様に、2段のク
ロックドインバータで構成されている。52はパルス生成
部であり、その単位ユニット52Uは、シフトパルスの立
ち上がり及び立ち下がりを検出するために、2入力OR
52U1と2入力AND52U2を設けている点と、2入力
NAND52U3の一方の入力端子が2入力AND52U2
の出力端子に接続されている点以外は、第4実施例のパ
ルス生成ユニット42Uと同じ構成である。ここでn段目
のパルス生成ユニット52Uの2入力AND52U2の出力
をAnとすると、Anは数3のような論理式で表され
る。
【0054】
【数3】
【0055】ここで、Sn−m(n=1,2,・・・ 、m
=1,2)は、n段目のシフトレジスタユニットのm段
目のクロックドインバータの出力を表している。
【0056】したがって、Anが“H”レベルとなる条
件は、 (3)−1:(Sn−1)と(Sn−2)が共に“H”
レベル (3)−2:(S(n+1)−1)と(Sn−2)が共
に“H”レベル となる。数3の論理式で表される回路は、トランジスタ
レベルでは図19のようにも表すことができる。図19にお
いて、*Sn−1,*Sn−2,*S(n+1)−1
は、それぞれSn−1,Sn−2,S(n+1)−1の
反転信号を示している。また、図18において、53はレベ
ルミックス回路で、単位ユニット53Uは先に示した実施
例と同様に図10に示したものと同じ構成である。
【0057】図20は、図18に示した垂直走査回路の動作
を説明するためのタイミングチャートである。VCK1
及びVCK2はシフトレジスタ51の駆動パルスである。
VSTはシフトレジスタ51のスタートパルスで、第1及
び第2の読み出しタイミング,で“H”レベルとな
るパルスを複合したものである。ここで“H”レベルと
なる期間は、第1の読み出しタイミングでは駆動パルス
1周期分の幅、第2の読み出しタイミングでは、ある幅
を持たせている。CONTは第1及び第2の読み出しタ
イミングを、そのレベルで識別するための信号で、ここ
では第1の読み出しタイミングを“H”レベル、第2の
読み出しタイミングを“L”レベルで識別するようにし
ている。CKRD1及びCKRD2は、1水平走査期間
内における読み出し動作を行うタイミングを決めるため
のクロック信号である。
【0058】RD/RS及びVCK10は、先に述べた実
施例と同様に、レベルミックス回路53に用いる信号で、
ここではVCK10はシフトレジスタ51の駆動パルスVC
K1と同じタイミングとしている。S1−2〜S3−2
は、VCK1又はVCK2の立ち下がりに同期してシフ
トするシフトレジスタ51の出力、A1〜A3はパルス生
成ユニット内の2入力AND52U2の出力、C1〜C3
はパルス生成部内をシフトレジスタ51の出力に同期して
伝達するコントロール信号、P1〜P3はパルス生成部
52の出力である。G1〜G3はレベルミックス回路53の
出力であり、CMD受光素子を動作させるための4値レ
ベルの信号で、各行の共通ラインに印加されるようにな
っている。
【0059】次に、2段目のパルス生成部の出力P2に
着目して説明する。まず第1の読み出しタイミングにお
いては、パルス生成ユニット内の2入力AND52U2の
出力A2は、t1 〜t4 の期間は、シフトパルスS2−
2及びS3−1が共に“H”レベルとなるため、前述の
条件(3)−2から“H”レベルとなり、またt4 〜t
6 の期間は、シフトパルスS2−2及びS2−1が共に
“H”レベルとなるため、条件(3)−1から“H”レ
ベルとなる。この時、コントロール信号C2は“H”レ
ベルとなっているため、パルス生成ユニット内のCMO
Sスイッチの出力には、CKRD1が現れている。した
がって、このCKRD1と、t1 〜t6の期間“H”レ
ベルとなっているA2のNANDをとると、パルス生成
部52の出力P2は、t2 〜t3 及びt4 〜t5 の期間
“L”レベルとなる。この出力P2をレベルミックス回
路53に入力すると、その出力G2は、t2 〜t3 期間は
RD、t4 〜t5 期間はVRSとなり、t2 〜t3 期間に
第1の読み出し動作、t4 〜t5 期間にリセット動作が
行われる。
【0060】第2の読み出しタイミングでは、シフトパ
ルスS2−2の立ち上がりにおいて、t7 〜t10の期
間、シフトパルスS2−2及びS3−1が共に“H”レ
ベルとなるため、条件(3)−2からパルス生成ユニッ
ト内の2入力AND52U2の出力A2は“H”レベルと
なる。この時、コントロール信号C2は“L”レベルと
なっているため、パルス生成ユニット内のCMOSスイ
ッチの出力には、CKRD2が現れている。したがっ
て、パルス生成部52の出力P2は、CKRD2とA2の
NANDをとって、t9 〜t10の期間“L”レベルとな
る。この出力P2をレベルミックス回路53に入力する
と、その出力G2は、t9 〜t10の期間VRDとなり、こ
の期間に第2の読み出し動作が行われる。、一方、シフ
トパルスS2−2の立ち下がりにおいて、t11〜t13
期間、シフトパルスS2−1及びS2−2が共に“H”
レベルとなるため、条件(3)−1から2入力AND52
U2の出力A2は“H”レベルとなる。この時も、コン
トロール信号C2は“L”レベルであるため、パルス生
成部52の出力P2は、CKRD2とA2のNANDをと
り、t11〜t12の期間“L”レベルとなる。したがっ
て、レベルミックス回路53の出力G2は、t11〜t12
期間VRSとなり、この期間はリセット動作のみが行われ
る。なお第1の読み出し期間となるt2 〜t3 の期間と
第2の読み出し期間となるt9 〜t10の期間は、1水平
走査期間内で重複しない。
【0061】以上説明したように、図18に示した構成の
垂直走査回路によれば、第1及び第2のタイミングでシ
フトするシフトパルスの立ち上がりに同期して、第1及
び第2の読み出し動作が水平走査期間内の異なるタイミ
ングで行われ、シフトパルスの立ち下がりでリセット動
作が行われる。したがって、各読み出しにおける露光時
間は、各パルスの立ち下がりから立ち上がりまでの時間
に相当することになり、第1及び第2の読み出しにおけ
る露光時間は独立に制御することが可能となる。
【0062】なお、本実施例においても、第4実施例と
同様に、読み出し動作が行われる期間は、CKRD1及
びCKRD2を制御することによって変えられる。ま
た、非破壊読み出しの利用も先の実施例と同様に可能で
ある。
【0063】更に、本実施例では、シフトレジスタにお
いて“H”レベルの部分を情報の伝達に用いたものを示
したが、もちろん“L”レベルの部分を情報の伝達に使
うことも可能であり、シフトパルスの立ち下がりで読み
出し動作、立ち上がりでリセット動作を行わせることも
可能である。またコントロール信号についても、第1及
び第2の読み出しタイミングの識別の情報伝達レベル
は、この実施例と異ならせることが可能なことは明らか
である。
【0064】上記各実施例で示した垂直走査回路を用い
た固体撮像素子においては、1フレームで2種の独立し
た画素信号が得られるため、次のような応用も考えられ
る。すなわち、例えば、移動物体を撮像するために露光
時間を短くしたい時や、被写体が暗い場合など信号量が
少ない時、2種の独立した信号を加えることによって信
号量が倍になり、S/Nの面で有利となる。また逆に、
2種の独立した信号の差をとることにより、固定的なノ
イズであるFPNをキャンセルした信号が得られ、この
場合の露光時間は2種の信号の露光時間差に対応する。
更に、2種の独立した信号の露光時間を1/2フレーム
ずらし、露光時間を同一にすれば、容易に1/2フレー
ム毎の信号が得られるため、高速カメラへの応用も考え
られる。
【0065】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、垂直走査回路内をシフトする一定
のパルス幅を有する単一のパルスの立ち上がり及び立ち
下がりに同期して、もしくは第1及び第2のパルスに同
期して画素行を選択し、第1及び第2の読み出し動作を
水平走査期間内の異なるタイミングで行うように構成し
たので、1フレーム期間中に2種の露光時間の異なる画
素信号を独立に得ることが可能な固体撮像素子を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像素子を説明するための概
念図である。
【図2】図1に示した固体撮像素子の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図3】本発明に係る固体撮像素子を説明するための他
の概念図である。
【図4】図3に示した固体撮像素子の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図5】本発明に係る固体撮像素子の具体的な第1実施
例の垂直走査回路を示す回路構成図である。
【図6】図5に示した垂直走査回路のシフトレジスタの
回路構成例を示す図である。
【図7】図6に示したシフトレジスタをシンボルを用い
て示した図である。
【図8】図6に示したシフトレジスタの動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
【図9】図5に示した垂直走査回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図10】レベルミックス回路の構成例を示す図である。
【図11】本発明の第2実施例の垂直走査回路を示す回路
構成図である。
【図12】図11に示した垂直走査回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図13】本発明の第3実施例の垂直走査回路を示す回路
構成図である。
【図14】図13に示した垂直走査回路のパルス生成部を示
す回路構成図である。
【図15】図13に示した垂直走査回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図16】本発明の第4実施例の垂直走査回路を示す回路
構成図である。
【図17】図16に示した垂直走査回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図18】本発明の第5実施例の垂直走査回路を示す回路
構成図である。
【図19】図18の垂直走査回路のパルス生成部における2
入力OR回路と2入力AND回路の回路構成を示す図で
ある。
【図20】図18に示した垂直走査回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図21】従来のCMD固体撮像素子の構成例を示す回路
構成図である。
【図22】図21に示したCMD固体撮像素子の動作を説明
するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 垂直走査回路 2 水平走査回路 3 受光部 4 信号出力端子 5,6 1ラインメモリ 11,21,31,41,51 シフトレジスタ 12,22,32,42,52 パルス生成部 23,33,43,53 レベルミックス回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換素子を画素として行列状に2次
    元に配列した受光部と、該受光部の各画素の光蓄積電荷
    信号を順次アドレスして読み出すための水平及び垂直走
    査回路とを備えた固体撮像素子において、前記垂直走査
    回路を、一定のパルス幅を有する単一のパルスを順次シ
    フトして出力させるシフトパルス発生手段と、該シフト
    パルス発生手段から出力されるシフトパルスを入力し、
    該シフトパルスの立ち上がり及び立ち下がりに同期して
    対応する画素行を選択し、各選択時点において第1の読
    み出し動作並びに第2の読み出し動作を水平走査期間内
    の異なるタイミングで行うパルスを生成する手段とで構
    成したことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 光電変換素子を画素として行列状に2次
    元に配列した受光部と、該受光部の各画素の光蓄積電荷
    信号を順次アドレスして読み出すための水平及び垂直走
    査回路とを備えた固体撮像素子において、前記垂直走査
    回路を、第1及び第2のパルスを複合したパルスを順次
    シフトして出力させるシフトパルス発生手段と、該シフ
    トパルス発生手段から出力されるシフトパルスとコント
    ロール信号により前記第1及び第2のパルスを識別し、
    各パルスに同期して対応する画素行を選択し、各選択時
    点において第1の読み出し動作並びに第2の読み出し動
    作を水平走査期間内の異なるタイミングで行うパルスを
    生成する手段とで構成したことを特徴とする固体撮像素
    子。
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