JP2006011401A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１の容量素子と、
   第２の容量素子と、
   スイッチと、
   インバータと、
   発光素子とを有し、
   前記スイッチの一方の電極は、前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
   前記スイッチの他方の電極は、前記インバータの第１の端子と電気的に接続され、
   前記インバータの第２の端子は、前記第２のスイッチの一方の電極と電気的に接続され、
   前記インバータの第１の端子は、前記発光素子と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
2. 配線と、
   第１のスイッチと、
   第１の容量素子と、
   第２のスイッチと、
   第２の容量素子と、
   インバータと、
   発光素子とを有し、
   前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第１のスイッチの他方の電極は、前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの一方の電極は、前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの他方の電極は、前記インバータの第１の端子と電気的に接続され、
   前記インバータの第２の端子は、前記第２のスイッチの一方の電極と電気的に接続され、
   前記インバータの第１の端子は、前記発光素子と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２一において、
   前記インバータはトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
4. 配線と、
   第１のスイッチと、
   第２のスイッチと、
   増幅回路と、
   発光素子とを有し、
   前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第１のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第１の端子と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第２の端子と電気的に接続され、
   前記増幅回路の第３の端子は、前記発光素子と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
5. 配線と、
   第１のスイッチと、
   第１の容量素子と、
   第２のスイッチと、
   第２の容量素子と、
   増幅回路と、
   発光素子とを有し、
   前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第１のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第１の端子と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第２の端子と電気的に接続され、
   前記増幅回路の第３の端子は、前記発光素子と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続され、
   前記第２の容量素子は、前記第２のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項４又は５において、
   前記増幅回路はトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
7. 第１の容量素子と、
   第２の容量素子と、
   スイッチと、
   インバータとを有し、
   前記スイッチの一方の電極は、前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
   前記スイッチの他方の電極は、前記インバータの第１の端子と電気的に接続され、
   前記インバータの第２の端子は、前記第２のスイッチの一方の電極と電気的に接続され、
   前記インバータの第１の端子は、画素電極と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
8. 配線と、
   第１のスイッチと、
   第１の容量素子と、
   第２のスイッチと、
   第２の容量素子と、
   インバータとを有し、
   前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
   前記第１のスイッチの他方の電極は、前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの一方の電極は、前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のスイッチの他方の電極は、前記インバータの第１の端子と電気的に接続され、
   前記インバータの第２の端子は、前記第２のスイッチの一方の電極と電気的に接続され、
   前記インバータの第１の端子は、画素電極と電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項７又は８において、
   前記インバータはトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
10. 配線と、
    第１のスイッチと、
    第２のスイッチと、
    増幅回路とを有し、
    前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第１の端子と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第２の端子と電気的に接続され、
    前記増幅回路の第３の端子は、画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
11. 配線と、
    第１のスイッチと、
    第１の容量素子と、
    第２のスイッチと、
    第２の容量素子と、
    増幅回路とを有し、
    前記第１のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第１の端子と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの一方の電極は、前記配線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの他方の電極は、前記増幅回路の第２の端子と電気的に接続され、
    前記増幅回路の第３の端子は、画素電極と電気的に接続され、
    前記第１の容量素子は、前記第１のスイッチの他方の電極と電気的に接続され、
    前記第２の容量素子は、前記第２のスイッチの他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１０又は１１において、
    前記増幅回路はトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。