JP2002072484A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する透明性が高く、しかも感度、
解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に
優れるのみならず、微細加工時に現像欠陥を生じること
がなく、半導体素子を高い歩留りで製造することができ
る新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）で表される構造
を有する酸解離性基含有樹脂、並びに（Ｂ）感放射線性
酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組
成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
離性基、酸解離性基をもたないアルキル基または酸解離
性基をもたないアルキルカルボニル基を示し、Ｘ1 は炭
素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキル
基を示し、Ｒ2は水素原子、直鎖状もしくは分岐状のア
ルキル基または直鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキ
ル基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、ＫｒＦエキシマレーザ
ーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シン
クロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如
き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型
レジストとして好適に使用することができる感放射線性
樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて
困難であると言われている。そこで、０．２０μｍ以下
のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の
短い放射線の利用が検討されている。このような短波長
の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、
エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線
等を挙げることができるが、これらのうち、特にＫｒＦ
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。
このようなエキシマレーザーによる照射に適した感放射
線性樹脂組成物として、酸解離性官能基を有する成分と
放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を発
生する成分（以下、「酸発生剤」という。）とによる化
学増幅効果を利用した組成物（以下、「化学増幅型感放
射線性組成物」という。）が数多く提案されている。化
学増幅型感放射線性組成物としては、例えば、特公平２
−２７６６０号公報には、カルボン酸のｔ−ブチルエス
テル基またはフェノールのｔ−ブチルカーボナート基を
有する重合体と酸発生剤とを含有する組成物が提案され
ている。この組成物は、露光により発生した酸の作用に
より、重合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるい
はｔ−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカ
ルボキシル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性
基を有するようになり、その結果、レジスト被膜の露光
領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したも
のである。
【０００３】ところで、従来の化学増幅型感放射線性組
成物の多くは、フェノール系樹脂をベースにするもので
あるが、このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線
を使用すると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が
吸収されるため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の
下層部まで十分に到達できないという欠点があり、その
ため露光量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部で
は少なくなり、現像後のレジストパターンが上部が細く
下部にいくほど太い台形状になってしまい、十分な解像
度が得られないなどの問題があった。その上、現像後の
レジストパターンが台形状となった場合、次の工程、即
ちエッチングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望
の寸法精度が達成できず、問題となっていた。しかも、
レジストパターン上部の形状が矩形でないと、ドライエ
ッチングによるレジストの消失速度が速くなってしま
い、エッチング条件の制御が困難になる問題もあった。
一方、レジストパターンの形状は、レジスト被膜の放射
線透過率を高めることにより改善することができる。例
えば、ポリメチルメタクリレートに代表される（メタ）
アクリレート系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高
く、放射線透過率の観点から非常に好ましい樹脂であ
り、例えば特開平４−２２６４６１号公報には、メタク
リレート系樹脂を使用した化学増幅型感放射線性樹脂組
成物が提案されている。しかしながら、この組成物は、
微細加工性能の点では優れているものの、芳香族環をも
たないため、ドライエッチング耐性が低いという欠点が
あり、この場合も高精度のエッチング加工を行うことが
困難であり、放射線に対する透明性とドライエッチング
耐性とを兼ね備えたものとは言えない。
【０００４】また、化学増幅型感放射線性樹脂組成物か
らなるレジストについて、放射線に対する透明性を損な
わないで、ドライエッチング耐性を改善する方策の一つ
として、組成物中の樹脂成分に、芳香族環に代えて脂肪
族環を導入する方法が知られており、例えば特開平７−
２３４５１１号公報には、脂肪族環を有する（メタ）ア
クリレート系樹脂を使用した化学増幅型感放射線性樹脂
組成物が提案されている。しかしながら、この組成物で
は、樹脂成分が有する酸解離性官能基として、従来の酸
により比較的解離し易い基（例えば、テトラヒドロピラ
ニル基等のアセタール系官能基）や酸により比較的解離
し難い基（例えば、ｔ−ブチルエステル基、ｔ−ブチル
カーボネート基等のｔ−ブチル系官能基）が用いられて
おり、前者の酸解離性官能基を有する樹脂成分の場合、
レジストの基本物性、特に感度やパターン形状は良好で
あるが、組成物としての保存安定性に難点があり、また
後者の酸解離性官能基を有する樹脂成分では、逆に保存
安定性は良好であるが、レジストの基本物性、特に感度
やパターン形状が損なわれるという欠点がある。さら
に、この組成物中の樹脂成分には脂肪族環が導入されて
いるため、樹脂自体の疎水性が非常に高くなり、基板に
対する接着性の面でも問題があった。そこで、半導体素
子における微細化の進行に対応しうる技術開発の観点か
ら、遠紫外線に代表される短波長の放射線に適応可能な
化学増幅型感放射線性組成物において、放射線に対する
透明性が高く、しかもレジストとしての基本物性に優れ
た新たな樹脂成分の開発が重要な課題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、放射
線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パター
ン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみなら
ず、微細加工時に現像欠陥を生じることがなく、半導体
素子を高い歩留りで製造することができる新規な感放射
線性樹脂組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有する
酸解離性基含有樹脂、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物
【化６】 〔一般式（１）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
素化アルキル基を示す。〕によって達成される。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）成分 本発明における（Ａ）成分は、前記式（１）で表される
構造（以下、「構造（１）」という。）を有する酸解離
性基含有樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という。）からな
る。本発明においては、樹脂（Ａ）が構造（１）を有す
ることにより、化学増幅型レジストとして、特に、現像
液に対する溶解性に優れ、現像欠陥のない感放射線性樹
脂組成物を得ることができる。
【０００８】一般式（１）において、Ｒ1 の１価の酸解
離性基（以下、「酸解離性基（ｉ）」という。）として
は、例えば、３級アルキル基、アセタール基、置換メチ
ル基、１−置換エチル基、１−置換プロピル基、１−分
岐アルキル基（但し、３級アルキル基を除く。）、シリ
ル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル
基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
【０００９】酸解離性基（ｉ）において、３級アルキル
基としては、例えば、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチル
プロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，
１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル
基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エ
チルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１，１
−ジメチルヘプチル基、１，１−ジメチルオクチル基等
を挙げることができる。また、アセタール基としては、
例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、ｎ
−プロポキシメトキシ基、ｉ−プロポキシメトキシ基、
ｎ−ブトキシメトキシ基、ｔ−ブトキシメトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシメトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシメト
キシ基、シクロペンチルオキシメトキシ基、シクロヘキ
シルオキシメトキシ基、１−メトキシエトキシ基、１−
エトキシエトキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、
１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエト
キシ基、１−ｔ−ブトキシエトキシ基、１−ｎ−ペンチ
ルオキシエトキシ基、１−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ
基、１−シクロペンチルオキシエトキシ基、１−シクロ
ヘキシルオキシエトキシ基、（シクロヘキル）（メトキ
シ）メトキシ基、（シクロヘキル）（エトキシ）メトキ
シ基、（シクロヘキル）（ｎ−プロポキシ）メトキシ
基、（シクロヘキル）（ｉ−プロポキシ）メトキシ基、
（シクロヘキル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基
等を挙げることができる。
【００１０】また、置換メチル基としては、例えば、メ
トキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル
基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、
ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェ
ナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル
基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル
基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニル
メチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、
ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベ
ンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル
基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブト
キシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基等を挙げることができる。また、１−置換エチル基
としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチル
チオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エト
キシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエ
トキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニ
ルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−
ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、
１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、
１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニル
エチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−
プロポキシカルボニルエチル基、１−ｉ−プロポキシカ
ルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル
基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げるこ
とができる。また、１−置換プロピル基としては、例え
ば、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基
等を挙げることができる。
【００１１】また、１−分岐アルキル基としては、例え
ば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチルブ
チル基等を挙げることができる。また、シリル基として
は、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリ
ル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、
ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピ
ルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチル
ジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、ト
リ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、
メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を
挙げることができる。また、ゲルミル基としては、例え
ば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル
基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル
基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−
プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、
ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチル
ゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジ
メチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリ
フェニルゲルミル基等を挙げることができる。また、ア
ルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカル
ボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることが
できる。
【００１２】また、アシル基としては、例えば、アセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、
ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレ
リル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイ
ル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、ス
クシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル
基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、ア
クリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、
クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロ
イル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル
基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル
基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル
基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テ
ノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−
トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができ
る。さらに、環式酸解離性基としては、例えば、３−オ
キソシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テト
ラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テ
トラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピ
ラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、２−
オキソ−４−メチル−４−テトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒ
ドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げること
ができる。
【００１３】これらの酸解離性基（ｉ）のうち、ｔ−ブ
チル基、１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキ
シ基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、メトキシ
メチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メト
キシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポ
キシエチル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１
−エトキシプロピル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブト
キシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基等が好ましい。
【００１４】また、Ｒ1 の酸解離性基をもたない炭素数
１〜６のアルキル基は、直鎖状、分岐状もしくは環状で
あることができ、その例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等を挙げることができる。これらのアル
キル基のうち、特に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、シクロヘキシル基等が好ましい。
【００１５】また、Ｒ1 の酸解離性基をもたない炭素数
２〜７のアルキルカルボニル基は、直鎖状、分岐状もし
くは環状であることができ、その例としては、メチルカ
ルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボ
ニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉ−ブチルカルボニ
ル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉ−ペンチルカルボ
ニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｉ−ヘキシルカル
ボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等を挙げること
ができる。これらのアルキルカルボニル基のうち、特
に、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等が好ま
しい。
【００１６】一般式（１）におけるＲ1 としては、特
に、水素原子、前記好ましい酸解離性基（ｉ）、メチル
基、エチル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル
基等が好ましい。
【００１７】次に、Ｘ1 の炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状のフッ素化アルキル基としては、例えば、フル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチ
ル基、１−フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチ
ル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、パーフルオ
ロエチル基、１−フルオロ−ｎ−プロピル基、１，１−
ジフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオ
ロ−ｎ−プロピル基、３，３，３，２，２−ペンタフル
オロ−ｎ−プロピル基、パーフルオロ−ｎ−プロピル
基、１−フルオロ−１−メチルエチル基、２，２，２−
トリフルオロ−１−メチルエチル基、パーフルオロ−ｉ
−プロピル基、１−フルオロ−ｎ−ブチル基、１，１−
ジフルオロ−ｎ−ブチル基、４，４，４−トリフルオロ
−ｎ−ブチル基、４，４，４，３，３−ペンタフルオロ
−ｎ−ブチル基、４，４，４，３，３，２，２−ヘプタ
フルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基
等を挙げることができる。これらのフッ素化アルキル基
のうち、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パー
フルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基、１−フルオロ−１−メ
チルエチル基等が好ましい。
【００１８】次に、Ｒ2 の炭素数１〜１０の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル
基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキ
シル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等を挙げることが
できる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基等が好ましい。
【００１９】また、Ｒ2 の炭素数１〜１０の直鎖状もし
くは分岐状のフッ素化アルキル基としては、例えば、フ
ルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロメ
チル基、１−フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、パーフル
オロエチル基、１−フルオロ−ｎ−プロピル基、１，１
−ジフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフル
オロ−ｎ−プロピル基、３，３，３，２，２−ペンタフ
ルオロ−ｎ−プロピル基、パーフルオロ−ｎ−プロピル
基、１−フルオロ−１−メチルエチル基、２−トリフル
オロ−１−メチルエチル基、パーフルオロ−ｉ−プロピ
ル基、１−フルオロ−ｎ−ブチル基、１，１−ジフルオ
ロ−ｎ−ブチル基、４，４，４−トリフルオロ−ｎ−ブ
チル基、４，４，４，３，３−ペンタフルオロ−ｎ−ブ
チル基、４，４，４，３，３，２，２−ヘプタフルオロ
−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、２−フ
ルオロ−２−メチルプロピル基、１−フルオロ−１−メ
チルプロピル基、１−フルオロ−ｎ−ペンチル基、１，
１−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、５，５，５−トリフ
ルオロ−ｎ−ペンチル基、１−フルオロ−ｎ−ヘキシル
基、１，１−ジフルオロ−ｎ−ヘキシル基、６，６，６
−トリフルオロ−ｎ−ヘキシル基、１−フルオロ−ｎ−
ヘプチル基、１，１−ジフルオロ−ｎ−ヘプチル基、
７，７，７−トリフルオロ−ｎ−ヘプチル基、１−フル
オロ−ｎ−オクチル基、１，１−ジフルオロ−ｎ−オク
チル基、８，８，８−トリフルオロ−ｎ−オクチル基、
２−フルオロ−２−エチルヘキシル基、１−フルオロ−
ｎ−ノニル基、１，１−ジフルオロ−ｎ−ノニル基、
９，９，９−トリフルオロ−ｎ−ノニル基、１−フルオ
ロ−ｎ−デシル基、１，１−ジフルオロ−ｎ−デシル
基、１０，１０，１０−トリフルオロ−ｎ−デシル基等
を挙げることができる。これらのフッ素化アルキル基の
うち、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフ
ルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基、１−フルオロ−１−メ
チルエチル基等が好ましい。
【００２０】一般式（２）におけるＲ2 としては、特
に、水素原子、メチル基、パーフルオロメチル基等が好
ましい。
【００２１】構造（１）の好ましい具体例としては、下
記式（１-1) 〜（１−12）で表される構造等を挙げるこ
とができる。
【００２２】
【化７】
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
【化１０】
【００２６】これらの構造（１）のうち、特に、式（１
-3) 、式（１-6) 、式（１-12)等が好ましい。
【００２７】樹脂（Ａ）は、構造（１）を有する酸解離
性基含有樹脂である限り、特に限定されるものではな
く、付加重合系樹脂、重付加系樹脂、開環重合系樹脂、
重縮合系樹脂等の何れでもよいが、放射線に対する透明
性等の観点から、芳香族環をもたないか、あるいは芳香
族環の含量が可及的に少ない樹脂が好ましい。本発明に
おける好ましい樹脂（Ａ）としては、例えば、下記一般
式（２）に示す繰返し単位（Ｉ）を有する酸解離性基含
有樹脂（以下、「樹脂（Ａ１) 」という。）、下記一般
式（５）に示す構造単位（IV) を有する酸解離性基含有
樹脂（以下、「樹脂（Ａ２) 」という。）等を挙げるこ
とができる。
【００２８】
【化１１】 〔一般式（２）において、Ｒ1 、Ｘ1 およびＲ2 は一般
式（１）におけるそれぞれＲ1 、Ｘ1 およびＲ2 と同義
であり、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は相互に独立に水素原
子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、１価の酸素原子含有極性基または１価の窒素原子含
有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、ｍは０〜３
の整数である。〕
【００２９】
【化１２】 〔一般式（５）において、Ｒ1 、Ｘ1 およびＲ2 は一般
式（１）におけるそれぞれＲ1 、Ｘ1 およびＲ2 と同義
であり、Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10は相互に独立に水素原
子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、１価の酸素原子含有極性基または１価の窒素原子含
有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、ｍは０〜３
の整数である。〕
【００３０】まず、樹脂（Ａ１）について説明する。一
般式（２）において、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 の炭素数１
〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。これらのア
ルキル基のうち、特に、メチル基、エチル基等が好まし
い。
【００３１】また、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 の１価の酸素
原子含有極性基としては、例えば、ヒドロキシル基；カ
ルボキシル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシ−ｎ
−プロピル基、２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、３−
ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、１−ヒドロキシ−ｎ−ブ
チル基、２−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−ヒドロキ
シ−ｎ−ブチル基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基等の
炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアル
キル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポ
キシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等の
炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基
等を挙げることができる。これらの酸素原子含有極性基
のうち、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシ
メチル基、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
【００３２】また、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 の１価の窒素
原子含有極性基としては、例えば、シアノ基；シアノメ
チル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、１
−シアノ−ｎ−プロピル基、２−シアノ−ｎ−プロピル
基、３−シアノ−ｎ−プロピル基、１−シアノ−ｎ−ブ
チル基、２−シアノ−ｎ−ブチル基、３−シアノ−ｎ−
ブチル基、４−シアノ−ｎ−ブチル基等の炭素数２〜５
の直鎖状もしくは分岐状のシアノアルキル基等を挙げる
ことができる。これらの窒素原子含有極性基のうち、シ
アノ基、シアノメチル基、１−シアノエチル基等が好ま
しい。
【００３３】一般式（２）におけるＲ3 、Ｒ4 およびＲ
5 としてはそれぞれ、水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル
基、メトキシ基、エトキシ基、シアノ基、シアノメチル
基、１−シアノエチル基等が好ましい。また、一般式
（２）におけるｎおよびｍとしてはそれぞれ、０または
１が好ましい。樹脂（Ａ１）において、繰返し単位
（Ｉ）は、単独でまたは２種以上が存在することができ
る。
【００３４】本発明における好ましい樹脂（Ａ１) とし
ては、例えば、下記一般式（３）に示す繰返し単位
（Ｉ）と繰返し単位（II）とを有するアルカリ不溶性ま
たはアルカリ難溶性の酸解離性基含有樹脂（以下、「樹
脂（Ａ１-1) 」という。）、下記一般式（４）に示す繰
返し単位（Ｉ）と繰返し単位（II）と繰返し単位（III)
とを有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解
離性基含有樹脂（以下、「樹脂（Ａ１-2) 」という。）
等を挙げることができる。
【００３５】
【化１３】 〔一般式（３）において、Ｒ1 、Ｘ1 およびＲ2 は一般
式（１）におけるそれぞれＲ1 、Ｘ1 およびＲ2 と同義
であり、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎおよびｍは一般式（２）
におけるそれぞれＲ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎおよびｍと同義
である。〕
【００３６】
【化１４】 〔一般式（４）において、Ｒ1 、Ｘ1 およびＲ2 は一般
式（１）におけるそれぞれＲ1 、Ｘ1 およびＲ2 と同義
であり、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎおよびｍは一般式（２）
におけるそれぞれＲ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎおよびｍと同義
であり、Ｒ6 は水素原子またはメチル基を示し、各Ｒ7
は相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基または炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水
素基もしくはその誘導体を示すか、あるいは何れか２つ
のＲ7 が相互に結合して、それぞれが結合している炭素
原子と共に炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基も
しくはその誘導体を形成し、残りのＲ7 が炭素数１〜４
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数４〜
２０の１価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示
す。〕
【００３７】一般式（４）において、Ｒ7 の炭素数１〜
４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチ
ルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。
これらのアルキル基のうち、特に、メチル基、エチル基
等が好ましい。
【００３８】また、Ｒ7 の炭素数４〜２０の１価の脂環
式炭化水素基、および何れか２つのＲ7 が相互に結合し
て形成した炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基と
しては、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テ
トラシクロドデカン、アダマンタンや、シクロブタン、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類等に由来する脂肪族
環からなる基；これらの脂肪族環からなる基を、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチ
ルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状
もしくは分岐状のアルキル基の１種以上あるいは１個以
上で置換した基等を挙げることができる。これらの１価
または２価の脂環式炭化水素基のうち、特に、ノルボル
ナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンまたは
アダマンタンに由来する脂肪族環からなる基や、これら
の脂肪族環からなる基を前記アルキル基で置換した基等
が好ましい。
【００３９】また、前記１価または２価の脂環式炭化水
素基の誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基；カル
ボキシル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシ−ｎ−
プロピル基、２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、３−ヒ
ドロキシ−ｎ−プロピル基、１−ヒドロキシ−ｎ−ブチ
ル基、２−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−ヒドロキシ
−ｎ−ブチル基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基等の炭
素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキ
ル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキ
シ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭
素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基；
シアノ基；シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−
シアノエチル基、１−シアノプロピル基、２−シアノプ
ロピル基、３−シアノプロピル基、１−シアノブチル
基、２−シアノブチル基、３−シアノブチル基、４−シ
アノブチル基等の炭素数２〜５の直鎖状もしくは分岐状
のシアノアルキル基等の置換基を１種以上あるいは１個
以上有する基を挙げることができる。これらの置換基の
うち、特に、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロ
キシメチル基、シアノ基、シアノメチル基等が好まし
い。
【００４０】一般式（４）における繰返し単位（III)中
の基−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ7)3 は、そのカルボニルオキシ基
（ＣＯＯ−）と−Ｃ（Ｒ7)3 との間が酸の存在下で解離
するものであり、以下では、基−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ7)3 を
酸解離性基（ii）という。
【００４１】酸解離性基（ii）の好ましい具体例として
は、ｔ−ブトキシカルボニル基や、下記式（ii-1) 〜
（ii-57)で表される基等を挙げることができる。
【００４２】
【化１５】
【００４３】
【化１６】
【００４４】
【化１７】
【００４５】
【化１８】
【００４６】
【化１９】
【００４７】
【化２０】
【００４８】
【化２１】
【００４９】
【化２２】
【００５０】
【化２３】
【００５１】
【化２４】
【００５２】
【化２５】
【００５３】
【化２６】
【００５４】
【化２７】
【００５５】
【化２８】
【００５６】
【化２９】
【００５７】
【化３０】
【００５８】
【化３１】
【００５９】
【化３２】
【００６０】
【化３３】
【００６１】これらの酸解離性基（ii）のうち、ｔ−ブ
トキシカルボニル基、１−メチルシクロペンチルオキシ
カルボニル基、１−メチルシクロヘキシルオキシカルボ
ニル基や、式（ii-1) 、式（ii-2) 、式（ii-10)、式
（ii-11)、式（ii-13)、式（ii-14)、式（ii-16)、式
（ii-17)、式（ii-22)、式（ii-23)、式（ii-34)、式
（ii-35)、式（ii-40)、式（ii-41)、式（ii-52)または
式（ii-53)で表される基等が好ましい。
【００６２】樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ１-1）および樹脂
（Ａ１-2）における繰返し単位（Ｉ）を与える単量体と
しては、例えば、下記一般式（６）で表される化合物
（以下、「ノルボルネン誘導体（α１）」という。）を
挙げることができる。
【００６３】
【化３４】
【００６４】〔一般式（６）において、Ｒ1 、Ｘ1 およ
びＲ2 は一般式（１）におけるそれぞれＲ1 、Ｘ1 およ
びＲ2 と同義であり、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎおよびｍは
一般式（２）におけるそれぞれＲ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎお
よびｍと同義である。〕
【００６５】ノルボルネン誘導体（α１）のうち、ｎ＝
ｍ＝０の化合物の具体例としては、５−（２，２，２−
トリフルオロ−１−ヒドロキシエチル）ビシクロ[ ２．
２．１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−トリフ
ルオロ−１−メチル−１−ヒドロキシエチル）ビシクロ
[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−
トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−ヒドロキ
シエチル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、
５−（２，２，２−トリフルオロ−１−メトキシエチ
ル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−
（２，２，２−トリフルオロ−１−メチル−１−メトキ
シエチル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、
５−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメ
チル−１−メトキシエチル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘ
プト−２−エン、５−（２，２，２−トリフルオロ−１
−メチルカルボニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−トリフルオ
ロ−１−メチル−１−メチルカルボニルオキシエチル）
ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−（２，
２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−
メチルカルボニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−トリフルオ
ロ−１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）ビシク
ロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２
−トリフルオロ−１−メチル−１−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２
−エン、５−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフ
ルオロメチル−１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチ
ル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン等を挙げ
ることができる。
【００６６】また、ノルボルネン誘導体（α１）のう
ち、ｎ＝０およびｍ＝１の化合物の具体例としては、５
−（２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシエチル）
ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−（２−
トリフルオロメチル−２−メチル−２−ヒドロキシエチ
ル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−
〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ヒドロキ
シエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、
５−（２−トリフルオロメチル−２−メトキシエチル）
ビシクロ[ ２．２．１]ヘプト−２−エン、５−（２−
トリフルオロメチル−２−メチル−２−メトキシエチ
ル）ビシクロ[２．２．１] ヘプト−２−エン、５−
〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−メトキシ
エチル〕ビシクロ[２．２．１] ヘプト−２−エン、５
−〔２−トリフルオロメチル−２−メチルカルボニルオ
キシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エ
ン、５−（２−トリフルオロメチル−２−メチル−２−
メチルカルボニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−〔２，２−ビス（トリフル
オロメチル）−２−メチルカルボニルオキシエチル〕ビ
シクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−〔２−ト
リフルオロメチル−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
エチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５
−（２−トリフルオロメチル−２−メチル−２−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−〔２，２−ビス（トリフル
オロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチ
ル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン等を挙げ
ることができる。
【００６７】また、ノルボルネン誘導体（α１）のう
ち、ｎ＝１およびｍ＝０の化合物の具体例としては、８
−（２，２，２−トリフルオロ−１−ヒドロキシエチ
ル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
メチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル
−１−ヒドロキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．
１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（２，２，２
−トリフルオロ−１−メトキシエチル）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（２，２，２−トリフルオロ−１−メチル−１−メトキ
シエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−（２，２，２−トリフルオロ
−１−トリフルオロメチル−１−メトキシエチル）テト
ラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−
エン、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−メチルカ
ルボニルオキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（２，２，２−
トリフルオロ−１−メチル−１−メチルカルボニルオキ
シエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−（２，２，２−トリフルオロ
−１−トリフルオロメチル−１−メチルカルボニルオキ
シエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−（２，２，２−トリフルオロ
−１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−メチル−１
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）テトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチ
ル−１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）テトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン等を挙げることができる。
【００６８】また、ノルボルネン誘導体（α１）のう
ち、ｎ＝１およびｍ＝１の化合物の具体例としては、８
−（２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシエチル）
テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−
３−エン、８−（２−トリフルオロメチル−２−メチル
−２−ヒドロキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．
１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−〔２，２−ビ
ス（トリフルオロメチル）−２−ヒドロキシエチル〕テ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８−（２−トリフルオロメチル−２−メトキシ
エチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−（２−トリフルオロメチル−２
−メチル−２−メトキシエチル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−メトキシ
エチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−〔２−トリフルオロメチル−２
−メチルカルボニルオキシエチル〕テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（２
−トリフルオロメチル−２−メチル−２−メチルカルボ
ニルオキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−メチルカルボニルオキシ
エチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−〔２−トリフルオロメチル−２
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル〕テトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−（２−トリフルオロメチル−２−メチル−２−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシエチル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン等を挙げること
ができる。
【００６９】これらのノルボルネン誘導体（α１）のう
ち、５−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオ
ロメチル−１−ヒドロキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−トリフルオ
ロ−１−トリフルオロメチル−１−メトキシエチル）ビ
シクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−（２，
２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−
メチルカルボニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン、５−（２，２，２−トリフルオ
ロ−１−トリフルオロメチル−１−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシエチル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２
−エン、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−
２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト
−２−エン、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−メトキシエチル〕ビシクロ[２．２．１] ヘ
プト−２−エン、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメ
チル）−２−メチルカルボニルオキシエチル〕ビシクロ
[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エ
ン、
【００７０】８−（２，２，２−トリフルオロ−１−ト
リフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメ
チル−１−メトキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（２，
２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−
メチルカルボニルオキシエチル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル
−１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−
ヒドロキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−メトキシエチル〕テトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−
メチルカルボニルオキシエチル〕テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン等が好ましい。
ノルボルネン誘導体（α１）は、American Chemical So
ciety Symposium(1998) において、Hiroshi Ito らによ
り発表された方法（予稿集２０８〜２１１頁参照）によ
り合成することができる。
【００７１】また、樹脂（Ａ１-1）および樹脂（Ａ１-
2）における繰返し単位（II）を与える単量体は、無水
マレイン酸からなる。無水マレイン酸は、ノルボルネン
誘導体（α１）および後述するノルボルネン、ノルボル
ネン誘導体（β-1) や他のノルボルネン誘導体との共重
合性が高く、無水マレイン酸を共重合させることによ
り、樹脂（Ａ１-1）および樹脂（Ａ１-2）の分子量を所
望の値にまで大きくすることができる。また、樹脂（Ａ
１-2）における繰返し単位（III)を与える単量体は、
（メタ）アクリル酸中のカルボキシル基を、酸解離性基
（ii) に変換した化合物からなる。樹脂（Ａ１-2）にお
いて、繰返し単位（III)は、単独でまたは２種以上が存
在することができる。
【００７２】樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ１-1）および樹脂
（Ａ１-2）は、前記繰返し単位（Ｉ）、繰返し単位（I
I）および繰返し単位（III)以外の繰返し単位（以下、
「他の繰返し単位（ａ）」という。）を１種以上有する
ことができる。他の繰返し単位（ａ）としては、例え
ば、下記一般式（７）で表される酸解離性基含有繰返し
単位（以下、「繰返し単位（７）」という。）を挙げる
ことができる。
【００７３】
【化３５】 〔一般式（７）において、ＡおよびＢは相互に独立に水
素原子または酸の存在下で解離して酸性官能基を生じる
炭素数２０以下の酸解離性基を示し、かつＡおよびＢの
少なくとも１つが該酸解離性基であり、ＸおよびＹは相
互に独立に水素原子または炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状の１価のアルキル基を示し、ｉは０〜２の整数
である。〕
【００７４】一般式（７）において、ＡおよびＢの酸解
離性基（以下、「酸解離性基（iii)」という。）として
は、例えば、前記酸解離性（ii) のほか、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカル
ボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１
−メチルプロポキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシ
カルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−
ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカル
ボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、シクロペン
チルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボ
ニル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニ
ル基、シクロヘプチルオキシカルボニル基、シクロオク
チルオキシカルボニル基等の直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル
基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、１−ナフ
チルオキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル
基；ベンジルオキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルベン
ジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル
基、４−ｔ−ブチルフェネチルオキシカルボニル基等の
アラルキルオキシカルボニル基；
【００７５】１−メトキシエトキシカルボニル基、１−
エトキシエトキシカルボニル基、１−ｎ−プロポキシエ
トキシカルボニル基、１−ｉ−プロポキシエトキシカル
ボニル基、１−ｎ−ブトキシエトキシカルボニル基、１
−（２’−メチルプロポキシ）エトキシカルボニル基、
１−（１’−メチルプロポキシ）エトキシカルボニル
基、１−ｔ−ブトキシエトキシカルボニル基、１−シク
ロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、１−（４’−
ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル
基等の直鎖状、分岐状もしくは環状の１−アルキルオキ
シエトキシカルボニル基；１−フェノキシエトキシカル
ボニル基、１−（４’−ｔ−ブチルフェノキシ）エトキ
シカルボニル基、１−（１’−ナフチルオキシ）エトキ
シカルボニル基等の１−アリーロキシエトキシカルボニ
ル基；１−ベンジルオキシエトキシカルボニル基、１−
（４’−ｔ−ブチルベンジルオキシ）エトキシカルボニ
ル基、１−フェネチルオキシエトキシカルボニル基、１
−（４’−ｔ−ブチルフェネチルオキシ）エトキシカル
ボニル基等の１−アラルキルオキシエトキシカルボニル
基；
【００７６】メトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｉ−プロポ
キシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシ
カルボニルメトキシカルボニル基、１−メチルプロポキ
シカルボニルメトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニルメトキシカルボニル基等の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルメト
キシカルボニル基；メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブト
キシカルボニルメチル基、２−メチルプロポキシカルボ
ニルメチル基、１−メチルプロポキシカルボニルメチル
基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、シクロヘキシル
オキシカルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキ
シルオキシカルボニルメチル基等の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルコキシカルボニルメチル基；フェノキシ
カルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボ
ニルメチル基、１−ナフチルオキシカルボニルメチル基
等のアリーロキシカルボニルメチル基；ベンジルオキシ
カルボニルメチル基、４−ｔ−ブチルベンジルオキシカ
ルボニルメチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル
基、４−ｔ−ブチルフェネチルオキシカルボニルメチル
基等のアラルキルオキシカルボニルメチル基；
【００７７】２−メトキシカルボニルエチル基、２−エ
トキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロポキシカルボ
ニルエチル基、２−ｉ−プロポキシカルボニルエチル
基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、２−（２’
−メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２−（１’
−メチルプロポキシ）カルボニルエチル基、２−ｔ−ブ
トキシカルボニルエチル基、２−シクロヘキシルオキシ
カルボニルエチル基、２−（４’−ｔ−ブチルシクロヘ
キシルオキシカルボニル）エチル基等の直鎖状、分岐状
もしくは環状の２−アルコキシカルボニルエチル基；２
−フェノキシカルボニルエチル基、２−（４’−ｔ−ブ
チルフェノキシカルボニル）エチル基、２−（１’−ナ
フチルオキシカルボニル）エチル基等の２−アリーロキ
シカルボニルエチル基；２−ベンジルオキシカルボニル
エチル基、２−（４’−ｔ−ブチルベンジルオキシカル
ボニル）エチル基、２−フェネチルオキシカルボニルエ
チル基、２−（４’−ｔ−ブチルフェネチルオキシカル
ボニル）エチル基等の２−アラルキルオキシカルボニル
エチル基や、テトラヒドロフラニルオキシカルボニル
基、テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基等を挙げ
ることができる。
【００７８】これらの酸解離性基（iii)のうち、ｔ−ブ
トキシカルボニル基や、式（ii-1)、式（ii-2) 、式（i
i-10)、式（ii-11)、式（ii-13)、式（ii-14)、式（ii-
16)、式（ii-17)、式（ii-22)、式（ii-23)、式（ii-3
4)、式（ii-35)、式（ii-40)、式（ii-41)、式（ii-52)
または式（ii-53)で表される基のほか、基−ＣＯＯＲ’
〔但し、Ｒ’は炭素数１〜１９の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルキル基を示す。〕または基−ＣＯＯＣＨ2
ＣＯＯＲ''〔但し、Ｒ''は炭素数１〜１７の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基を示す。〕に相当するも
のが好ましい。
【００７９】また、ＸおよびＹの炭素数１〜４の直鎖状
もしくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のう
ち、特に、メチル基、エチル基等が好ましい。また、一
般式（５）におけるｉとしては、０または１が好まし
い。
【００８０】繰返し単位（７）を与える単量体として
は、例えば、下記一般式（８）で表される化合物（以
下、「ノルボルネン誘導体（β-1) 」という。）を挙げ
ることができる。
【００８１】
【化３６】 〔一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｘ、Ｙおよびｉは一
般式（７）のそれぞれＡ、Ｂ、Ｘ、Ｙおよびｉと同義で
ある。〕
【００８２】ノルボルネン誘導体（β-1) としては、例
えば、一般式（８）で、ＡおよびＢの一方または両方が
前記酸解離性基（ii) であり、ＡおよびＢの残り、Ｘ並
びにＹが水素原子であり、ｉが０である各化合物；一般
式（８）で、ＡおよびＢの一方または両方が前記酸解離
性基（ii) であり、ＡおよびＢの残り、Ｘ並びにＹが水
素原子であり、ｉが１である各化合物のほか、５−メト
キシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５−エトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘ
プト−２−エン、５−ｎ−プロポキシカルボニルビシク
ロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｉ−プロポキ
シカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５−ｎ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１
]ヘプト−２−エン、５−（２’−メチルプロポキシカ
ルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
５−（１’−メチルプロポキシカルボニル）ビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｔ−ブトキシカル
ボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−
シクロペンチルオキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１
]ヘプト−２−エン、５−（１’−メチルシクロペンチ
ルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−
２−エン、５−シクロヘキシルオキシカルボニルビシク
ロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−（１’−メチ
ルシクロヘキシルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５−（４’−ｔ−ブチルシ
クロヘキシルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１
]ヘプト−２−エン、５−フェノキシカルボニルビシク
ロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−（１’−エト
キシエトキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプ
ト−２−エン、５−（１’−シクロヘキシルオキシエト
キシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−
エン、５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル
ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−テトラ
ヒドロフラニルオキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１
]ヘプト−２−エン、５−テトラヒドロピラニルオキシ
カルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
【００８３】５−メチル−５−メトキシカルボニルビシ
クロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−メチル−５
−エトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−
２−エン、５−メチル−５−ｎ−プロポキシカルボニル
ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−メチル
−５−ｉ−プロポキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１
]ヘプト−２−エン、５−メチル−５−ｎ−ブトキシカ
ルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５
−メチル−５−（２’−メチルプロポキシカルボニル）
ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−メチル
−５−（１’−メチルプロポキシカルボニル）ビシクロ
[ ２．２．１] ヘプト−２−エン、５−メチル−５−ｔ
−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−
２−エン、５−メチル−５−シクロヘキシルオキシカル
ボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−
メチル−５−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ
カルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５−メチル−５−フェノキシカルボニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−メチル−５−
（１’−エトキシエトキシカルボニル）ビシクロ[ ２．
２．１] ヘプト−２−エン、５−メチル−５−（１’−
シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル）ビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−メチル−５−ｔ−
ブトキシカルボニルメトキシカルボニルビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５−メチル−５−テトラヒ
ドロフラニルオキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン、５−メチル−５−テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−
２−エン、
【００８４】５，６−ジ（メトキシカルボニル）ビシク
ロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（エト
キシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−
エン、５，６−ジ（ｎ−プロポキシカルボニル）ビシク
ロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ｉ−
プロポキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト
−２−エン、５，６−ジ（ｎ−ブトキシカルボニル）ビ
シクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ
（２’−メチルプロポキシカルボニル）ビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（１’−メチル
プロポキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト
−２−エン、５，６−ジ（ｔ−ブトキシカルボニル）ビ
シクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ
（シクロペンチルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（１’−メチル
シクロペンチルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．
１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（シクロヘキシルオ
キシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−
エン、５，６−ジ（１’−メチルシクロヘキシルオキシ
カルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５，６−ジ（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキ
シカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５，６−ジ（フェノキシカルボニル）ビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５，６−ジ（１’−エ
トキシエトキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘ
プト−２−エン、５，６−ジ（１’−シクロヘキシルオ
キシエトキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプ
ト−２−エン、５，６−ジ（ｔ−ブトキシカルボニルメ
トキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２
−エン、５，６−ジ（テトラヒドロフラニルオキシカル
ボニル）ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
５，６−ジ（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）
ビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
【００８５】８−メトキシカルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
エトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ｎ−プロポキシ
カルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−ｉ−プロポキシカルボニルテ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（２’−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（１’−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−シクロペンチル
オキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．
１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（１’−メチルシクロ
ペンチルオキシカルボニル）テトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−シクロヘ
キシルオキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−（１’−メチル
シクロヘキシルオキシカルボニル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル
テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−
３−エン、８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（１’−エトキシエトキシ）カルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）カルボニルテ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニ
ルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ
−３−エン、８−テトラヒドロフラニルオキシカルボニ
ルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ
−３−エン、８−テトラヒドロピラニルオキシカルボニ
ルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ
−３−エン、
【００８６】８−メチル−８−メトキシカルボニルテト
ラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−メチル−８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−メチル−８−（２’−メチルプロポキシ）カルボニル
テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−
３−エン、８−メチル−８−（１’−メチルプロポキ
シ）カルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキ
シカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−シクロヘキ
シルオキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−
（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル
テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−
３−エン、８−メチル−８−フェノキシカルボニルテト
ラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−（１’−エトキシエトキシ）カ
ルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−メチル−８−（１’−シクロヘ
キシルオキシエトキシ）カルボニルテトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチ
ル−８−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニルテ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８−メチル−８−テトラヒドロフラニルオキシ
カルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロピ
ラニルオキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
【００８７】８，９−ジ（メトキシカルボニル）テトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10]ドデカ−３−エ
ン、８，９−ジ（エトキシカルボニル）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10]ドデカ−３−エン、８，
９−ジ（ｎ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
９−ジ（ｉ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
９−ジ（ｎ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−
ジ（２’−メチルプロポキシカルボニル）テトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８，９−ジ（１’−メチルプロポキシカルボニル）テト
ラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−
エン、８，９−ジ（ｔ−ブトキシカルボニル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８，９−ジ（シクロペンチルオキシカルボニル）テ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８，９−ジ（１’−メチルシクロペンチルオキ
シカルボニル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ジ（シクロヘキシル
オキシカルボニル）テトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ジ（１’−
メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）テトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８，９−ジ（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカ
ルボニル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８，９−ジ（フェノキシカルボニ
ル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８，９−ジ（１’−エトキシエトキシカ
ルボニル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８，９−ジ（１’−シクロヘキシ
ルオキシエトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ジ
（ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル）テトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８，９−ジ（テトラヒドロフラニルオキシカルボニ
ル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニルオキ
シカルボニル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン等を挙げることができる。
【００８８】これらのノルボルネン誘導体（β-1) のう
ち、一般式（８）で、ＡおよびＢの一方または両方が、
ｔ−ブトキシカルボニル基、１−メチルシクロペンチル
オキシカルボニル基、１−メチルシクロヘキシルオキシ
カルボニル基、あるいは前記式（ii-1) 、式（ii-2) 、
式（ii-10)、式（ii-11)、式（ii-13)、式（ii-14)、式
（ii-16)、式（ii-17)、式（ii-22)、式（ii-23)、式
（ii-34)、式（ii-35)、式（ii-40)、式（ii-41)、式
（ii-52)または式（ii-53)で表される基であり、Ａおよ
びＢの残り、Ｘ並びにＹが水素原子であり、ｉが０であ
る化合物；一般式（８）で、ＡおよびＢの一方または両
方が、ｔ−ブトキシカルボニル基、１−メチルシクロペ
ンチルオキシカルボニル基、１−メチルシクロヘキシル
オキシカルボニル基、あるいは前記式（ii-1) 、式（ii
-2) 、式（ii-10)、式（ii-11)、式（ii-13)、式（ii-1
4)、式（ii-16)、式（ii-17)、式（ii-22)、式（ii-2
3)、式（ii-34)、式（ii-35)、式（ii-40)、式（ii-4
1)、式（ii-52)または式（ii-53)で表される基であり、
ＡおよびＢの残り、Ｘ並びにＹが水素原子であり、ｉが
１である化合物や、５，６−ジ（ｔ−ブトキシカルボニ
ルメトキシカルボニル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト
−２−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニル
テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−
３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルメ
トキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．
１7,10 ]ドデカ−３−エン等が好ましい。また、これら
の好ましいノルボルネン誘導体（β-1) は、後述する樹
脂（Ａ２）における他の繰返し単位（ｂ）を与える好ま
しい単量体として使用することができる。
【００８９】繰返し単位（７）以外の他の繰返し単位
（ａ）を与える単量体としては、例えば、ノルボルネン
（即ち、ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン）、
５−メチルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
５−エチルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、
５−ヒドロキシビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５−ヒドロキシメチルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプ
ト−２−エン、テトラシクロ [４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチルテトラシクロ
[４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−エチルテトラシクロ [４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシテトラシクロ [４．
４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ヒド
ロキシメチルテトラシクロ [４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８−フルオロテトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
フルオロメチルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ジフルオロメチルテトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−トリフルオロメチルテトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ペンタフ
ルオロエチルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン、８，８−ジフルオロテトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８，９−ジフルオロテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，８−ビス（トリ
フルオロメチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．
１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ビス（トリフルオ
ロメチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−トリフルオロメ
チルテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８，８，９−トリフルオロテトラシクロ
[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８，８，９−トリス（トリフルオロメチル）テトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
【００９０】８，８，９，９−テトラフルオロテトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８，８，９，９−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８，８−ジフルオロ−９，９−ビス（ト
リフルオロメチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ジフルオロ
−８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
８，９−トリフルオロ−９−トリフルオロメチルテトラ
シクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８，８，９−トリフルオロ−９−トリフルオロメト
キシテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン、８，８，９−トリフルオロ−９−ペンタ
フルオロプロポキシテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８−フルオロ−８−
ペンタフルオロエチル−９，９−ビス（トリフルオロメ
チル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ド
デカ−３−エン、８，９−ジフルオロ−８−ヘプタフル
オロイソプロピル−９−トリフルオロメチルテトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−クロロ−８，９，９−トリフルオロテトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
９−ジクロロ−８，９−ビス（トリフルオロメチル）テ
トラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３
−エン、８−（２’，２’，２’−トリフルオロカルボ
エトキシ）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10
]ドデカ−３−エン、８−メチル−８−（２’，２’，
２’−トリフルオロカルボエトキシ）テトラシクロ[
４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン等のノ
ルボルネンあるいはその誘導体（以下、これらをまとめ
て「ノルボルネン系化合物（β-2) 」という。）；
【００９１】ジシクロペンタジエン、トリシクロ[ ５．
２．１．０2,6 ] デカ−８−エン、トリシクロ[ ５．
２．１．０2,6 ] デカ−３−エン、トリシクロ[ ４．
４．０．１2,5 ] ウンデカ−３−エン、トリシクロ[
６．２．１．０1,8 ] ウンデカ−９−エン、トリシクロ
[ ６．２．１．０1,8 ] ウンデカ−４−エン、テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10．０1,6 ] ドデカ−
３−エン、８−メチルテトラシクロ[ ４．４．０．１
2,5 ．１7,10．０1,6 ] ドデカ−３−エン、８−エチリ
デンテトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,12 ]ドデ
カ−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10．０1,6 ] ドデカ−３−エン、ペン
タシクロ[ ６．５．１．１3,6 ．０2,7 ．０9,13 ]ペン
タデカ−４−エン、ペンタシクロ[ ７．４．０．１
2,5 ．１9,12．０8,13 ]ペンタデカ−３−エン等の他の
脂環式不飽和化合物；
【００９２】（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メ
チルプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メ
タ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アク
リル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペン
チル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）ア
クリル酸シクロヘキセニル、（メタ）アクリル酸４−メ
トキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２−シクロ
プロピルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸
２−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、（メタ）
アクリル酸２−シクロヘキシルオキシカルボニルエチ
ル、（メタ）アクリル酸２−シクロヘキセニルオキシカ
ルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−（４’−メト
キシシクロヘキシル）オキシカルボニルエチル、（メ
タ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソ
ボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、
（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メタ）ア
クリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダ
マンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル、
（メタ）アクリル酸１−メチルアダマンチル等の（メ
タ）アクリル酸エステル類；α−ヒドロキシメチルアク
リル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチ
ル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α
−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒド
ロキシメチルアクリル酸エステル類；
【００９３】α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メ
トキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）
アクリロイルオキシ−β−エトキシカルボニル−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−
ｎ−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｉ−プロポキシカル
ボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−β−ｎ−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラ
クトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（２−
メチルプロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、
α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−メチルプ
ロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニル
−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキ
シ−β−シクロヘキシルオキシカルボニル−γ−ブチロ
ラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（４
−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル−γ−
ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β
−フェノキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−エトキシエト
キシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）
アクリロイルオキシ−β−（１−シクロヘキシルオキシ
エトキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニル
メトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロフラニルオ
キシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）ア
クリロイルオキシ−β−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニル−γ−ブチロラクトン、
【００９４】α−メトキシカルボニル−β−（メタ）ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エトキシ
カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−ｎ−プロポキシカルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−ｉ−プロポキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｎ−ブトキシカル
ボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロ
ラクトン、α−（２−メチルプロポキシ）カルボニル−
β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−（１−メチルプロポキシ）カルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−ｔ−ブトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイル
オキシ−γ−ブチロラクトン、α−シクロヘキシルオキ
シカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−
ブチロラクトン、α−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
オキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ
−γ−ブチロラクトン、α−フェノキシカルボニル−β
−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−（１−エトキシエトキシ）カルボニル−β−（メ
タ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−
（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）カルボニル−β
−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−β−（メ
タ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニル−β−（メタ）ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン等の酸解離性基
を有する（メタ）アクリロイルオキシラクトン化合物；
【００９５】α−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−
フルオロ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロ
イルオキシ−β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、α
−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチ
ロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−エ
チル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイル
オキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−メトキシ−γ−ブチ
ロラクトン、β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−フルオロ−β−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ヒドロキシ−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メチル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチ
ロラクトン、α−エチル−β−（メタ）アクリロイルオ
キシ−γ−ブチロラクトン、α，α−ジメチル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メトキシ−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−δ−
メバロノラクトン等の酸解離性基をもたない（メタ）ア
クリロイルオキシラクトン化合物；
【００９６】下記一般式（９）で表される化合物；
【化３７】 〔一般式（９）において、Ｒ11は水素原子またはメチル
基を示す。〕
【００９７】酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビ
ニル等のビニルエステル類；（メタ）アクリロニトリ
ル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、
マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリ
ル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和
ニトリル化合物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレ
インアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコ
ンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物；Ｎ
−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリド
ン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒
素ビニル化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マ
レイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無
水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサ
コン酸等の不飽和カルボン酸（無水物）類；（メタ）ア
クリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２
−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボ
キシプロピル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシブチ
ル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシシクロヘキシ
ル、（メタ）アクリル酸カルボキシトリシクロデカニ
ル、（メタ）アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニ
ル等の不飽和カルボン酸のカルボキシル基含有エステル
類；前記不飽和カルボン酸や不飽和カルボン酸のカルボ
キシル基含有エステル類のカルボキシル基を、前記酸解
離性基（ｉ) に変換した化合物等の単官能性単量体や、
【００９８】メチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロ
ピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、
１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ
（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシ
プロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート、１，２−
アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３
−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，
４−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ト
リシクロデカニルジメチロールジ（メタ）アクリレート
等の多官能性単量体を挙げることができる。
【００９９】樹脂（Ａ１）において、繰返し単位（Ｉ）
の含有率は、全繰返し単位に対して、通常，１〜１００
モル％、好ましくは１〜９０モル％、さらに好ましくは
５〜８０モル％である。この場合、繰返し単位（Ｉ）の
含有率が１モル％未満では、得られる感放射線性樹脂組
成物の現像性が低下する傾向がある。
【０１００】樹脂（Ａ１-1）において、繰返し単位
（Ｉ）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１〜
５０モル％、好ましくは１〜４０モル％、さらに好まし
くは５〜４０モル％である。この場合、繰返し単位
（Ｉ）の含有率が１モル％未満では、得られる感放射線
性樹脂組成物の現像性が低下する傾向があり、一方５０
モル％を超えると、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。また、繰返し単位（II）の含有率は、全繰
返し単位に対して、通常、１〜５０モル％、好ましくは
５〜５０モル％、さらに好ましくは１０〜５０モル％で
ある。この場合、繰返し単位（II) の含有率が１モル％
未満では、共重合性が低下し、また得られる感放射線性
樹脂組成物の現像性が低下する傾向があり、一方５０モ
ル％を超えると、樹脂（Ａ１-1）を製造する重合時に、
繰返し単位（II) を与える単量体である無水マレイン酸
が未反応のまま残留するおそれががあり、好ましくな
い。また、他の繰返し単位（ａ）の含有率は、全繰返し
単位に対して、通常、４０モル％以下、好ましくは３０
モル％以下である。
【０１０１】樹脂（Ａ１-2）において、繰返し単位
（Ｉ）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１〜
５０モル％、好ましくは５〜５０モル％、さらに好まし
くは５〜４５モル％である。この場合、繰返し単位
（Ｉ）の含有率が１モル％未満では、得られる感放射線
性樹脂組成物の現像性が低下する傾向があり、一方５０
モル％を超えると、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。また、繰返し単位（II）の含有率は、全繰
返し単位に対して、通常、１〜５０モル％、好ましくは
５〜５０モル％、さらに好ましくは５〜４５モル％であ
る。この場合、繰返し単位（II) の含有率が１モル％未
満では、得られる感放射線性樹脂組成物の現像性が低下
する傾向があり、一方５０モル％を超えると、レジスト
としての解像度が低下する傾向がある。また、繰返し単
位（III)の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１
〜６０モル％、好ましくは５〜６０モル％、さらに好ま
しくは１０〜６０モル％である。この場合、繰返し単位
（III)の含有率が１モル％未満では、レジストとしての
解像度が低下する傾向があり、一方６０モル％を超える
と、得られる感放射線性樹脂組成物の現像性が低下し、
スカム等の現像残りが発生しやすくなる傾向がある。ま
た、他の繰返し単位（ａ）の含有率は、全繰返し単位に
対して、通常、４０モル％以下、好ましくは３０モル％
以下である。
【０１０２】樹脂（Ａ１）は、例えば、ノルボルネン誘
導体（α１）を、好ましくは、無水マレイン酸、あるい
は無水マレイン酸および繰返し単位（III)を与える単量
体と共に、場合によりさらに他の繰返し単位（ａ）を与
える単量体の存在下で、ヒドロパーオキシド類、ジアル
キルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化
合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連
鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより
製造することができる。前記重合に使用される溶媒とし
ては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプ
タン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等のアル
カン類；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオク
タン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類；
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメ
ン等の芳香族炭化水素類；クロロブタン類、ブロモヘキ
サン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミ
ド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸エ
チル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸
メチル等の飽和カルボン酸エステル類；テトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエ
ーエル類等を挙げることができる。これらの溶媒は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
また、前記重合における反応温度は、通常、４０〜１２
０℃、好ましくは５０〜９０℃であり、反応時間は、通
常、１〜４８時間、好ましくは１〜２４時間である。
【０１０３】本発明における樹脂（Ａ１）は、ハロゲ
ン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それによ
り、レジストとしての感度、解像度、プロセス安定性、
パターン形状等をさらに改善することができる。樹脂
（Ａ１）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等
の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、
遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げるこ
とができる。
【０１０４】次に、樹脂（Ａ２）について説明する。一
般式（５）において、Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10の炭素数１
〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メ
チルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ
る。また、Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10の１価の酸素原子含有
極性基としては、例えば、ヒドロキシル基；カルボキシ
ル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、
２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシ−ｎ−プロピ
ル基、２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、３−ヒドロキ
シ−ｎ−プロピル基、１−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、
２−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−ヒドロキシ−ｎ−
ブチル基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基等の炭素数１
〜４の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、
１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１
〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基等を挙げ
ることができる。これらの酸素原子含有極性基のうち、
ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル
基、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
【０１０５】また、Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10の１価の窒素
原子含有極性基としては、例えば、シアノ基；シアノメ
チル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、１
−シアノ−ｎ−プロピル基、２−シアノ−ｎ−プロピル
基、３−シアノ−ｎ−プロピル基、１−シアノ−ｎ−ブ
チル基、２−シアノ−ｎ−ブチル基、３−シアノ−ｎ−
ブチル基、４−シアノ−ｎ−ブチル基等の炭素数２〜５
の直鎖状もしくは分岐状のシアノアルキル基；等を挙げ
ることができる。これらの窒素原子含有極性基のうち、
シアノ基、シアノメチル基、１−シアノエチル基等が好
ましい。
【０１０６】一般式（５）におけるＲ8 、Ｒ9 およびＲ
10としてはそれぞれ、水素原子、メチル基、エチル基、
ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル
基、メトキシ基、エトキシ基、シアノ基、シアノメチル
基、１−シアノエチル基等が好ましい。また、一般式
（５）におけるｎおよびｍとしてはそれぞれ、０または
１が好ましい。樹脂（Ａ２）において、構造単位（IV)
は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【０１０７】樹脂（Ａ２）において、構造単位（IV)
は、例えば、ノルボルネン誘導体（α１）を表す一般式
（６）におけるＲ3 、Ｒ4 およびＲ5 をそれぞれＲ8 、
Ｒ9 およびＲ10に置き換えた化合物（以下、「ノルボル
ネン誘導体（α２）」という。）を、後述するメタセシ
ス触媒による開環重合することにより形成することがで
きる。また、樹脂（Ａ２）は、メタセシス触媒による開
環重合することにより形成される他の構造単位（以下、
「他の構造単位（ｂ）」という。）を１種以上有するこ
とができる。他の構造単位（ｂ）を与える単量体として
は、例えば、樹脂（Ａ１）について挙げたノルボルネン
誘導体（β-1) 、ノルボルネン系化合物（β-2) や他の
脂環式不飽和化合物と同様の化合物等を挙げることがで
きる。
【０１０８】樹脂（Ａ２）において、構造単位（IV) の
含有率は、全構造単位に対して、通常、１〜１００モル
％、好ましくは５〜９０モル％、さらに好ましくは１０
〜８０モル％である。この場合、構造単位（IV) の含有
率が１モル％未満では、得られる感放射線性樹脂組成物
の現像性が低下する傾向がある。
【０１０９】樹脂（Ａ２）は、例えば、ノルボルネン誘
導体（α２）を、場合により、ノルボルネン誘導体（β
-1) 、ノルボルネン系化合物（β-2) 、他の脂環式不飽
和化合物等の開環共重合可能な化合物と共に、メタセシ
ス触媒を使用し、適当な溶媒中で、開環（共）重合させ
ることにより製造することができる。
【０１１０】前記メタセシス触媒は、通常、Ｗ、Ｍｏま
たはＲｅの化合物の群から選ばれる少なくとも１種（以
下、「特定遷移金属化合物」という。）と、デミングの
周期律表ＩＡ、IIＡ、 IIIＡ、IVＡあるいはIVＢ族金属
の化合物からなり、金属−炭素結合または金属−水素結
合を有する化合物の群から選ばれる少なくとも１種（以
下、「特定有機金属化合物等」という。）との組み合せ
からなる。特定遷移金属化合物としては、例えば、Ｗ、
ＭｏまたはＲｅのハロゲン化物、オキシハロゲン化物、
アルコキシハロゲン化物、アルコキシド、カルボン酸
塩、（オキシ）アセチルアセトネート、カルボニル錯
体、アセトニトリル錯体、ヒドリド錯体や、これらの化
合物の誘導体等を挙げることができる。これらの化合物
のうち、ＷまたはＭｏの化合物、より具体的にはＷまた
はＭｏのハロゲン化物、オキシハロゲン化物またはアル
コキシハロゲン化物が、重合活性、実用性等の観点から
好ましい。また、特定遷移金属化合物は、適当な錯化
剤、例えば、トリフェニルホスフィン（P(C6H5)3）、ピ
リジン（NC5H5)等により配位された化合物であることも
できる。
【０１１１】特定遷移金属化合物の具体例としては、WC
l6、WCl5、WCl4、WBr6、WF6 、WI6 、MoCl5 、MoCl4 、
MoCl3 、ReCl3 、WOCl4 、WOCl3 、WOBr3 、MoOCl3、Mo
OBr3、ReOCl3、ReOBr3、WCl2(OC2H5)4、W(OC2H5)6 、Mo
Cl3(OC2H5)2 、Mo(OC2H5)5、WO2(acac)2（但し、acacは
アセチルアセトネート残基を示す。) 、MoO2(acac)2 、
W(OCOR)5（但し、OCORはカルボン酸残基を示す。) 、Mo
(OCOR)5 、W(CO)6、Mo(CO)6 、Re2(CO)10 、WCl5・P(C6
H5)3、MoCl5・P(C6H5)3、ReOBr3・P(C6H5)3、WCl6・NC5
H5 、W(CO)5・P(C6H5)3、W(CO)3・(CH3CN)3等を挙げる
ことができる。これらの化合物のうち、特にWCl6、MoCl
5 、WCl2(OC2H5)4、MoCl3(OC2H5)2 等が好ましい。前記
特定遷移金属化合物は、単独でまたは２種以上を組み合
せて使用することができる。また、メタセシス触媒を構
成する特定遷移金属化合物成分は、重合系内で反応して
特定遷移金属化合物を生成する２種以上の化合物の混合
物として使用することもできる。
【０１１２】次に、特定有機金属化合物等の具体例とし
ては、n-C4H9Li、n-C5H11Na 、C6H5Na、CH3MgI、C2H5Mg
Br、CH3MgBr 、n-C3H7MgCl、t-C4H9MgCl、CH2=CHCH2MgC
l 、(C2H5)2Zn 、(C2H5)2Cd 、CaZn(C2H5)4 、(CH3)3B
、(C2H5)3B、(n-C4H9)3B、(CH3)3Al、(CH3)2AlCl、CH3
AlCl2、(CH3)3Al2Cl3、(C2H5)3Al 、(C2H5)3Al2Cl3 、
(C2H5)2Al・O(C2H5)2、(C2H5)2AlCl 、C2H5AlCl2 、(C2
H5)2AlH、(C2H5)2AlOC2H5、(C2H5)2AlCN 、LiAl(C2H5)2
、(n-C3H7)3Al 、(i-C4H9)3Al 、(i-C4H9)2AlH、(n-C6
H13)3Al、(n-C8H17)3Al、(C6H5)3Al 、(CH3)4Ga、(CH3)
4Sn、(n-C4H9)4Sn 、(C2H5)3SnH、LiH 、NaH 、B2H6、N
aBH4 、AlH3、LiAlH4、TiH4等を挙げることができる。
これらの化合物のうち、(CH3)3Al、(CH3)2AlCl、CH3AlC
l2、(CH3)3Al2Cl3、(C2H5)3Al 、(C2H5)2AlCl 、C2H5Al
Cl2 、(C2H5)3Al2Cl3 、(C2H5)2AlH、(C2H5)2AlOC2H5、
(C2H5)2AlCN 、(n-C3H7)3Al 、(i-C4H9)3Al 、(i-C4H9)
2AlH、(n-C6H13)3Al、(n-C8H17)3Al、(C6H5)3Al 等が好
ましい。前記特定有機金属化合物等は、単独でまたは２
種以上を組み合せて使用することができる。特定遷移金
属化合物と特定有機金属化合物等との量的関係は、金属
原子比として、通常、特定遷移金属化合物：特定有機金
属化合物等が、通常、１：１〜１：１００、好ましくは
１：２〜１：５０の範囲である。
【０１１３】前記特定遷移金属化合物と特定有機金属化
合物等との組み合せからなる触媒には、触媒活性を高め
るため、下記活性化剤〜の１種以上をさらに添加す
ることもできる。 活性化剤： B、BF3 、BCl3、B(O-n-C4H9)3、 BF3・O
(CH3)2 、 BF3・O(C2H5)2、 BF3・O(n-C4H9)2、 BF3・2
C6H5OH 、 BF3・2CH3COOH、BF3・CO(NH2)2、 BF3・N(C2
H4OH)3、 BF3・ピペリジン、BF3・NH2C2H5 、B2O3、H3B
O3 等のほう素化合物；Si(OC2H5)4、Si(Cl)4等のけい素
化合物、 活性化剤：アルコール類、ヒドロパーオキシド類、ジ
アルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、 活性化剤：水、 活性化剤：酸素、 活性化剤：アルデヒド類、ケトン類等のカルボニル化
合物や、それらのオリゴマーまたはポリマー、 活性化剤：エチレンオキシド、エピクロルヒドリン、
オキセタン等の環状エーテル類、 活性化剤：N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチル
アセトアミド等のアミド類；アニリン、モルホリン、ピ
ペリジン等のアミン類；アゾベンゼン等のアゾ化合物、 活性化剤：N-ニトロソジメチルアミン、N-ニトロソジ
フェニルアミン等のN-ニトロソ化合物、 活性化剤：トリクロロメラミン、N-クロロスクシンイ
ミド、フェニルスルフェニルクロリド等の窒素−塩素結
合または硫黄−塩素結合を有する化合物。 これらの活性化剤と特定遷移金属化合物との量的関係
は、使用される活性化剤の種類によって極めて多様に変
化するため、一概には規定できないが、多くの場合、モ
ル比として、活性化剤：特定遷移金属化合物が、通常、
０．００５：１〜１０：１、好ましくは０．０５：１〜
３．０：１の範囲である。
【０１１４】前記開環（共）重合によって得られる樹脂
（Ａ２）の分子量は、メタセシス触媒の種類や濃度、重
合温度、溶媒の種類や量、モノマー濃度等の反応条件を
変えることにより調節することができるが、適当な分子
量調節剤を反応系に適量添加して調節することが好まし
い。前記分子量調節剤としては、例えば、エチレン、プ
ロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、
１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン
等のα−オレフイン類；１，３−ブタジエン、１，４−
ペンタジエン等のα，ω−ジオレフィン類；スチレン、
α−メチルスチレン等のビニル芳香族化合物；アセチレ
ン類；塩化アリル、酢酸アリル、トリメチルアリロキシ
シラン等の極性アリル化合物等を挙げることができる。
これらの分子量調節剤は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。分子量調節剤の使用量は、
全モノマー１モルに対して、通常、０．００５〜２モ
ル、好ましくは０．０２〜１．０モル、さらに好ましく
は０．０３〜０．７モルである。また、開環（共）重合
に使用される溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ
−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナ
ン、ｎ−デカン等のアルカン類；シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン
等のシクロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類；ク
ロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサ
メチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭
化水素類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチ
ル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類
等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。
【０１１５】本発明における樹脂（Ａ２）としては、放
射線に対する透明性の観点から、炭素・炭素不飽和結合
の少ないものが好ましい。このような樹脂（Ａ２）は、
例えば、前記開環（共）重合における適宜の段階で、あ
るいは該開環（共）重合に続いて、水素付加、水付加、
ハロゲン付加、ハロゲン化水素付加等の付加反応を行う
ことによって得ることができ、特に水素付加反応させる
ことにより得られる前記樹脂（Ａ２）が好ましい。前記
水素付加させた樹脂（Ａ２）における水素付加率は、好
ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上、特
に好ましくは１００％である。前記水素付加反応に使用
される触媒としては、例えば、通常のオレフイン性化合
物の水素付加反応に用いられているものを使用すること
ができる。このような水素付加触媒のうち、不均一系触
媒としては、例えば、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru等の貴金属
を、カーボン、シリカ、アルミナ、チタニア等の担体に
担持させた固体触媒等を挙げることができる。これらの
不均一系触媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。また、均一系触媒としては、例え
ば、ナフテン酸ニッケル／トリエチルアルミニウム系、
ニッケルアセチルアセトナート／トリエチルアルミニウ
ム系、オクテン酸コバルト／ｎ−ブチルリチウム系、チ
タノセンジクロリド／ジエチルアルミニウムモノクロリ
ド系や、酢酸ロジウム、クロロトリス（トリフェニルホ
スフィン）ロジウム等のロジウム系等を挙げることがで
きる。これらの均一系触媒は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。前記水素付加触媒のう
ち、不均一系触媒が、反応活性が高く、反応後の触媒除
去も容易であり、得られる樹脂（Ａ２）の色調が優れる
点で好ましい。水素付加反応は、通常、常圧〜３００気
圧、好ましくは３〜２００気圧の水素ガス雰囲気下にお
いて、通常、０〜２００℃、好ましくは２０〜１８０℃
で実施することができる。
【０１１６】さらに、本発明における樹脂（Ａ２) は、
不純物が少ないほど好ましい。この不純物は、主に開環
（共）重合に使用される触媒に由来するものであり、レ
ジストとしての観点から特に考慮すべき不純物の例とし
ては、ふっ素、塩素、臭素等のハロゲンや、デミングの
周期律表IV族、Ｖ族、VI族、 VII族およびVIII族の金属
等を挙げることができる。この場合、樹脂（Ａ２) 中の
残留ハロゲンの含有量を３ｐｐｍ以下、特に２ｐｐｍ以
下とし、また残留金属の含有量を３００ｐｐｂ以下、特
に１００ｐｐｂ以下とすることが好ましく、さらに残留
ハロゲンの含有量を３ｐｐｍ以下、特に２ｐｐｍ以下と
し、かつ残留金属の含有量を３００ｐｐｂ以下、特に１
００ｐｐｂ以下とすることが好ましい。これらの不純物
の含有量を前記値以下とすることにより、レジストとし
ての感度、解像度、プロセス安定性等に加え、本発明の
感放射線性樹脂組成物を用いて半導体を製造する際の歩
留り等がさらに改善される。樹脂（Ａ２) 中の不純物を
低減する方法としては、残留ハロゲンの場合、樹脂溶
液の純水による洗浄あるいは液々抽出、樹脂溶液の純
水による洗浄あるいは液々抽出と限外ろ過、遠心分離等
の物理的精製法との組み合わせや、これらの方法で純
水の代わりにアルカリ性水溶液あるいは酸性水溶液を使
用する方法等を挙げることができる。また、残留金属の
場合は、前記〜の方法と同様の方法に加えて、樹
脂を、酸化、還元、配位子交換、対イオン交換等により
処理して、樹脂中の残留金属の溶剤あるいは水への溶解
性を著しく高めてから、前記〜の方法で処理する方
法等を挙げることができる。これらの不純物を低減する
処理は、樹脂（Ａ２) を製造する開環（共）重合後の適
宜の段階で実施することができる。
【０１１７】本発明における樹脂（Ａ）は酸解離性基を
有する。したがって、樹脂（Ａ）中の構造（１）のＲ1
が酸解離性基（ｉ）以外の基であるときは、例えば、ノ
ルボルネン誘導体（α１）あるいはノルボルネン誘導体
（α２）と共重合させる単量体として、酸解離性基を有
する他の単量体を使用することが必要である。なお、Ｒ
1 が酸解離性基（ｉ）であるときも、酸解離性基を有す
る他の単量体を共重合させてもよい。
【０１１８】樹脂（Ａ）のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平
均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、３，０
００〜３００，０００、好ましくは４，０００〜２０
０，０００、さらに好ましくは５，０００〜１００，０
００である。この場合、樹脂（Ａ）のＭｗが３，０００
未満では、レジストとしての耐熱性が低下する傾向があ
り、一方３００，０００を超えると、レジストとしての
現像性が低下する傾向がある。また、樹脂（Ａ）のＭｗ
とゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」
という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好
ましくは１〜３である。本発明において、樹脂（Ａ）
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。
【０１１９】（Ｂ）成分 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」とい
う。）からなる。酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生し
た酸の作用によって、樹脂（Ａ）中に存在する酸解離性
基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカ
リ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを
形成する作用を有するものである。このような酸発生剤
（Ｂ）としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン
含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、ス
ルホン酸化合物等を挙げることができる。これらの酸発
生剤（Ｂ）の例としては、下記のものを挙げることがで
きる。
【０１２０】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物とし
ては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩（テト
ラヒドロチオフェニウム塩を含む。）、ホスホニウム
塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることが
できる。好ましいオニウム塩化合物の具体例としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウム １０−カンファースルホネート、
シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロ
ヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシ
ルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナ
フチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−
ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエチルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１
−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキ
シ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、
【０１２１】４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロ
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−メトキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−メトキシ−１−ナフチルテトラ
ヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート、４−メトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
４−エトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、４−エトキシ−１−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテト
ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオ
フェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４
−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−メ
トキシメトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシメ
トキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−メトキシメト
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−エトキシメト
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、４−エトキシメトキシ−１
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、４−エトキシメトキシ−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、
【０１２２】４−（１’−メトキシエトキシ）−１−ナ
フチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン
スルホネート、４−（１’−メトキシエトキシ）−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、４−（１’−メトキシエトキ
シ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−（２’−メト
キシエトキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（２’−メ
トキシエトキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−
（２’−メトキシエトキシ）−１−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、４−エトキシカルボニルオキシ−
１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−エトキシカルボニルオキシ−
１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、４−エトキシカルボニルオ
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｎ−プロポキ
シカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフ
ェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｎ−プ
ロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチ
ルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホネート、４−ｉ−プロポキシカルボニルオキ
シ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−ｉ−プロポキシカルボニ
ルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｉ−プロポ
キシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
【０１２３】４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシ−１−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシ−
１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｎ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオ
フェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−（２’−テトラヒドロフラニルオ
キシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−（２’−テトラヒド
ロフラニルオキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−
（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）−１−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−（２’−テトラヒドロピラニルオ
キシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−（２’−テトラヒド
ロピラニルオキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−
（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ベンジルオキシ−１−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ベンジルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ベンジルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１−（１’−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
（１’−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェ
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（１’−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェ
ニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート等を挙げることができ
る。
【０１２４】ハロゲン含有化合物：ハロゲン含有化合物
としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げること
ができる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例として
は、フェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン誘導体や、１，１−ビス（４’−クロロフェ
ニル）−２，２，２−トリクロロエタン等を挙げること
ができる。 ジアゾケトン化合物：ジアゾケトン化合物としては、例
えば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベン
ゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げる
ことができる。好ましいジアゾケトンの具体例として
は、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリス（４’−
ヒドロキシフェニル）エタンの１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げるこ
とができる。
【０１２５】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げるこ
とができる。好ましいスルホン化合物の具体例として
は、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシ
ルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙
げることができる。 スルホン酸化合物：スルホン酸化合物としては、例え
ば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸
イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。好ましいスルホン酸化合物の具体例として
は、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（ト
リフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−
９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネー
ト、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ ２．２．
１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[ ２．２．
１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミ
ド、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンス
ルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミ
ドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１，８−
ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスル
ホネート等を挙げることができる。
【０１２６】これらの酸発生剤（Ｂ）のうち、特に、ジ
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、シクロ
ヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシ
ル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメ
チルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、
【０１２７】４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロ
キシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（１’−ナフ
チルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、１−（１’−ナフチルアセ
トメチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、１−（１’−ナフチルアセト
メチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラ
ヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホネート、
【０１２８】トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイ
ミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイ
ミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ
[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジ
イミド、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタ
ンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシ
イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１，
８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタン
スルホネート等が好ましい。
【０１２９】本発明において、酸発生剤（Ｂ）は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。酸
発生剤（Ｂ）の使用量は、レジストとしての感度および
現像性を確保する観点から、樹脂（Ａ）１００重量部に
対して、通常、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５
〜７重量部である。この場合、酸発生剤（Ｂ）の使用量
が０．１重量部未満では、感度および現像性が低下する
傾向があり、一方１０重量部を超えると、放射線に対す
る透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ
難くなる傾向がある。
【０１３０】各種添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光により酸発生
剤（Ｂ）から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現
象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応
を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが
好ましい。このような酸拡散制御剤を配合することによ
り、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさら
に向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上す
るとともに、露光から現像処理までの引き置き時間（Ｐ
ＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑え
ることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が
得られる。酸拡散制御剤としては、レジストパターンの
形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない
含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機化
合物としては、例えば、下記一般式（１０）
【０１３１】
【化３８】 〔一般式（１０）において、各Ｒ12は相互に独立に水素
原子、置換もしくは非置換の直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基また
は置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。〕
【０１３２】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（イ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
る化合物（以下、「含窒素化合物（ロ）」という。）、
窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体
（以下、これらをまとめて「含窒素化合物（ハ）」とい
う。）、４級アンモニウムヒドロキシド化合物、アミド
基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を
挙げることができる。
【０１３３】含窒素化合物（イ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；
ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−
ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ
−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ
エチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−
ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−
ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ
−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシ
クロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−
メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチ
ルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリ
ン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェ
ニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げ
ることができる。
【０１３４】含窒素化合物（ロ）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４’−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３’−アミノフェニル）−２−（４’−アミ
ノフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニル）
−２−（３’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（４’−アミノフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、１，４−ビス [１’−（４''−アミ
ノフェニル）−１’−メチルエチル] ベンゼン、１，３
−ビス [１’−（４''−アミノフェニル）−１’−メチ
ルエチル] ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチ
ル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エー
テル等を挙げることができる。含窒素化合物（ハ）とし
ては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミ
ン、２−ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体
等を挙げることができる。前記４級アンモニウムヒドロ
キシド化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等を
挙げることができる。
【０１３５】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルア
ミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−
アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テト
ラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジア
ミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル
−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−
ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２
−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカル
ボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブ
トキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ
−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダ
ゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。
【０１３６】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニ
ルイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メ
チルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジ
ン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−
フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジ
ン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリ
ン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、ア
クリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２’−ヒ
ドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、
ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２
−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリ
ン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシ
クロ [２．２．２] オクタン等を挙げることができる。
【０１３７】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（イ）、含窒素化合物（ロ）、４級アンモニウム
ヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物等が好まし
い。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。酸拡散制御剤の配合量は、
樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、１５重量部以
下、好ましくは１０重量部以下、さらに好ましくは５重
量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１
５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の
現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配
合量が０．００１重量部未満であると、プロセス条件に
よっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度
が低下するおそれがある。
【０１３８】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接
着性等をさらに改善する作用を示す、酸解離性有機基を
有する脂環族添加剤を配合することができる。このよう
な脂環族添加剤としては、例えば、１−アダマンタンカ
ルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−
ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジカ
ルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブ
チル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル等の
アダマンタン誘導体類；デオキシコール酸ｔ−ブチル、
デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオ
キシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２
−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−
オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロ
ピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル
等のデオキシコール酸エステル類；リトコール酸ｔ−ブ
チル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リ
トコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シク
ロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシク
ロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リト
コール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エ
ステル類や、２，５−ジメチル−２，５−ジ（アダマン
チルカルボニルオキシ）ヘキサン等を挙げることができ
る。これらの脂環族添加剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。脂環族添加剤の配合量
は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、５０重量
部以下、好ましくは３０重量部以下である。この場合、
脂環族添加剤の配合量が５０重量部を超えると、レジス
トとしての耐熱性が低下する傾向がある。
【０１３９】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を配合することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤のほか、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工
業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５
（共栄社化学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同Ｅ
Ｆ３０３，同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）
製）、メガファックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本イ
ンキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同Ｆ
Ｃ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡ
Ｇ７１０，サーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同
ＳＣ−１０２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同Ｓ
Ｃ−１０５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙
げることができる。これらの界面活性剤は、単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。界面活性
剤の配合量は、樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）との合計１
００重量部に対して、通常、２重量部以下である。さら
に、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、
接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができ
る。
【０１４０】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、５〜５０重量％、好まし
くは１０〜２５重量％となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−
ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノ
ン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３
−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブ
タノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類；シクロペンタノン、３−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシ
クロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類；プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロ
キシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸
メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
【０１４１】ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチ
ルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテ
ート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。
【０１４２】これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオ
ン酸アルキル類等が好ましい。
【０１４３】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤（Ｂ）から発生した酸の作用
によって、樹脂（Ａ）中の酸解離性基が解離して、酸性
官能基、好ましくはカルボキシル基を生じ、その結果、
レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高
くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去
され、ポジ型のレジストパターンが得られる。本発明の
感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する
際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗
布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエ
ハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に
塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合によ
り予め加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行ったの
ち、所定のレジストパターンを形成するように該レジス
ト被膜に露光する。その際に使用される放射線として
は、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫
外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定して使
用されるが、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）が好ましい。本発明においては、露光後に加熱処理
（以下、「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。
このＰＥＢにより、樹脂（Ａ）中の酸解離性有機基の解
離反応が円滑に進行する。ＰＥＢの加熱条件は、感放射
線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、３
０〜２００℃、好ましくは５０〜１７０℃である。
【０１４４】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平６−
１２４５２号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平５−１８
８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜を現像することにより、所定のレジストパターン
を形成する。現像に使用される現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモ
ニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチル
アミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビ
シクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジ
アザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカ
リ性化合物の少なくとも１種を溶解したアルカリ性水溶
液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、
１０重量％以下である。この場合、アルカリ性水溶液の
濃度が１０重量％を超えると、非露光部も現像液に溶解
するおそれがあり好ましくない。
【０１４５】また、前記アルカリ性水溶液からなる現像
液には、例えば有機溶媒を添加することもできる。前記
有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルｉ−ブチルケトン、シクロペンタノン、シ
クロヘキサノン、３−メチルシクロペンタノン、２，６
−ジメチルシクロヘキサノン等の直鎖状、分岐状もしく
は環状のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコー
ル、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、シ
クロペンタノール、シクロヘキサノール、１，４−ヘキ
サンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール等のアル
コール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル等
のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホル
ムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に対し
て、１００容量％以下が好ましい。この場合、有機溶媒
の使用量が１００容量％を超えると、現像性が低下し
て、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、
アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を
適量添加することもできる。なお、アルカリ性水溶液か
らなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して
乾燥する。
【０１４６】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Ｍｗ：東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００HXL ２
本、Ｇ３０００HXL １本、Ｇ４０００HXL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）により測定した。 放射線透過率：組成物溶液を石英ガラス上にスピンコー
トにより塗布し、９０℃に保持したホットプレート上で
６０秒間ＰＢを行って形成した膜厚１μｍのレジスト被
膜について、波長１９３ｎｍにおける吸光度から、放射
線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性の尺
度とした。
【０１４７】感度（実施例１〜１８および比較例１）：
基板として、表面に膜厚５２０ÅのDeepUV30（ブルワー
・サイエンス（BrewerScience）社製）膜を形成したシ
リコンウエハー（ＡＲＣ）を用い、表１に示す各組成物
溶液を、基板上にスピンコートにより塗布したのち、ホ
ットプレート上にて、表２に示す条件でＰＢを行って、
膜厚０．４μｍのレジスト被膜を形成した。次いで、
（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レン
ズ開口数０．５５、露光波長１９３ｎｍ）を用い、マス
クパターンを介して露光した。その後、表２に示す条件
でＰＥＢを行ったのち、２．３８重量％のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液（実施例１〜１８）ま
たは２．３８×１／５０重量％のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液（比較例１）により、２５℃で
１分間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパ
ターンを形成した。このとき、線幅０．１８μｍのライ
ン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の
線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光
量を感度とした。 感度（実施例１９）：基板として、シプレー社製シリコ
ンウェハー基板（ＡＲ−１９）を用い、表１に示す組成
物溶液を、基板上にスピンコートにより塗布したのち、
ホットプレート上にて、表２に示す条件でＰＢを行っ
て、膜厚０．４μｍのレジスト被膜を形成した。次い
で、露光装置としてＩＳＩミニステッパー（レンズ開口
率０．６０、露光波長１９３ｎｍ）を用い、マスクパタ
ーンを介して露光した。その後、表２に示す条件でＰＥ
Ｂを行ったのち、２．３８重量％のテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液により、２５℃で１分間現像
し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形
成した。このとき、線幅０．１５μｍのライン・アンド
・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成
する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度と
した。
【０１４８】解像度：最適露光量で解像される最小のレ
ジストパターンの寸法を、解像度とした。 現像欠陥：光学顕微鏡により現像欠陥の有無および程度
を観察し、さらにケー・エル・エー・テンコール（株）
製のＫＬＡ欠陥検査装置を用いて、下記手順により評価
した。 ＫＬＡ欠陥検査装置を用いる評価手順：寸法０．１５μ
ｍ以上の欠陥を検出できるように感度を設定したＫＬＡ
欠陥検査装置を用い、アレイモードにて観察して、比較
用イメージとピクセル単位の重ね合わせにより生じる差
異から抽出されるクラスターおよびアンクラスターのウ
エハー１枚当たりの欠陥総数を測定した。 パターン形状：線幅０．２０μｍのライン・アンド・ス
ペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺寸法Ｌ
1 と上下辺寸法Ｌ2 とを走査型電子顕微鏡により測定
し、０．８５≦Ｌ2 ／Ｌ1 ≦１を満足し、かつパターン
形状が裾を引いていない場合を、パターン形状が“良
好”であるとした。
【０１４９】〈単量体の合成〉 合成例１ 内容積５００ミリリットルのオートクレーブに、アルゴ
ン雰囲気下で、シクロペンタジエン２２ｇ、１，１−ビ
ス（トリフルオロメチル）−３−ブテノール１０９ｇお
よびハイドロキノン４５０ｍｇを仕込み、１７０℃で１
７時間加熱した。その後、反応溶液を蒸留して、下記式
（１１）で表される５−〔２，２−ビス（トリフルオロ
メチル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン７０ｇを得た。
【０１５０】
【化３９】
【０１５１】合成例２ 内容積５００ミリリットルの反応容器に、合成例１で得
た５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ヒ
ドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−
エン１０ｇ、炭酸カリウム１０ｇ、テトラヒドロフラン
４０ｇおよび水２０ｇを仕込んだのち、ブロモ酢酸ｔ−
ブチル８ｇを加え、７０℃で６時間反応させた。その
後、反応溶液を酢酸エチル２００ミリリットルと混合し
て、水で洗浄したのち、溶媒を減圧留去して、粗生成物
を得た。その後、粗生成物を減圧蒸留して、下記式（１
２）で表される５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル〕ビシ
クロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン７ｇを得た。
【０１５２】
【化４０】
【０１５３】合成例３ 内容積５００ミリリットルのオートクレーブに、１，１
−ビス（トリフルオロメチル）−３−ブテノール２３０
ｇ、ジシクロペンタジエン７３ｇおよび２，６−ジ−ｔ
−ブチルパラクレゾール０．１５ｇを仕込み、１９０℃
で１２時間加熱した。その後、反応溶液を室温まで冷却
したのち、蒸留精製して、下記式（１３）で表される８
−（２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチ
ル−１−ヒドロキシエチル）テトラシクロ[ ４．４．
０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン４０ｇを得た。
【０１５４】
【化４１】
【０１５５】合成例４ ５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ヒド
ロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エ
ンに代えて、合成例３で得た８−（２，２，２−トリフ
ルオロ−１−トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチ
ル）テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデ
カ−３−エン１０ｇを用いた以外は、合成例２と同様に
して、下記式（１４）で表される８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン６ｇを得た。
【０１５６】
【化４２】
【０１５７】合成例５ 合成例３で得た８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
１０ｇを、無水酢酸中で２４時間還流したのち、蒸留精
製して、下記式（１５）で表される８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−メチルカルボニルオキシ
エチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]
ドデカ−３−エン６ｇを得た。
【０１５８】
【化４３】
【０１５９】〈樹脂（Ａ）の合成〉 合成例６ 内容積１００ミリリットルの耐圧重合びんに、窒素雰囲
気下で、１，２−ジクロロエタン１５ミリリットル、５
−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−２−ヒドロ
キシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン
４．５ｇおよび５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル〕ビシ
クロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン２．４ｇを仕込ん
だのち、下記する方法により調製したパラジウム錯体触
媒の溶液２ミリを加えて、３０℃で６時間重合した。そ
の後、反応溶液を多量のメタノール中に投入して、樹脂
を凝固させたのち、凝固した樹脂をろ過して、樹脂４．
７ｇを得た。この樹脂は、下記式（１６）に示す繰返し
単位（Ｉ-1) と繰返し単位（Ｉ-2)との共重合モル比が
６５：３５、Ｍｗが６，０００の共重合体であった。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ-1) とする。 −触媒の調製− π−アリルパラジウムクロライドダイマー２７ｍｇを
１，２−ジクロロエタン１ミリリットルに溶かした溶液
に、ヘキサフルオロアンチモン酸銀４０ｍｇを１，２−
ジクロロエタン１ミリリットルに溶かした溶液を加え、
室温で１時間攪拌したのち、生成した塩化銀をろ別し
て、パラジウム錯体触媒の１，２−ジクロロエタン溶液
を得た。
【０１６０】
【化４４】
【０１６１】合成例７ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン５．４ｇおよび５−ｔ−ブトキシカル
ボニルビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン２．１
ｇを用いた以外は、合成例６と同様にして、樹脂５．１
ｇを得た。この樹脂は、下記式（１７）に示す繰返し単
位（Ｉ-1) と繰返し単位（Ｖ-1)との共重合モル比が６
５：３５、Ｍｗが６，２００の共重合体であった。この
樹脂を、樹脂（Ａ-2) とする。
【０１６２】
【化４５】
【０１６３】合成例８ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン４．９ｇおよび下記式（１８）で表さ
れる化合物２．６ｇを用いた以外は、合成例６と同様に
して、樹脂４．９ｇを得た。この樹脂は、下記式（１
９）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（Ｖ-2)と
の共重合モル比が６５：３５、Ｍｗが５，８００の共重
合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-3) とする。
【０１６４】
【化４６】
【０１６５】
【化４７】
【０１６６】合成例９ 内容積１００ミリリットルのナスフラスコに、窒素雰囲
気下で、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチル）−
２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト
−２−エン１２．１ｇ、５−ｔ−ブトキシカルボニルビ
シクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン５．７ｇ、無水
マレイン酸７．２ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．
５ｇおよびテトラヒドロフラン２５ｇを仕込み、６０℃
で８時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷
却して、多量のｎ−ヘキサン／ｉ−イソプロパノール混
合溶液中に投入して、樹脂を凝固させたのち、凝固した
樹脂をろ過し、少量のｎ−ヘキサンで洗浄し、その後真
空乾燥して、樹脂２０ｇを得た。この樹脂は、下記式
（２０）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（II)
と繰返し単位（Ｖ-1) との共重合モル比が３０：２０：
５０、Ｍｗが７，０００の共重合体であった。この樹脂
を、樹脂（Ａ-4) とする。
【０１６７】
【化４８】
【０１６８】合成例１０ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン１２ｇ、無水マレイン酸４．３ｇおよ
びメタクリル酸２−（２−メチル）アダマンチル８．７
ｇを用いた以外は、合成例９と同様にして、樹脂１９ｇ
を得た。この樹脂は、下記式（２１）に示す繰返し単位
（Ｉ-1) と繰返し単位（II) と繰返し単位（III-1)との
共重合モル比が３５：３５：３０、Ｍｗが６，８００の
共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-5) とする。
【０１６９】
【化４９】
【０１７０】合成例１１ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン１１．５ｇ、ノルボルネン１．３ｇ、
無水マレイン酸５．５ｇおよびメタクリル酸２−（２−
メチル）アダマンチル６．６ｇを用いた以外は、合成例
９と同様にして、樹脂２１ｇを得た。この樹脂は、下記
式（２２）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（I
I) と繰返し単位（III-1)と繰返し単位（Ｖ-3) との共
重合モル比が３０：１０：４０：２０、Ｍｗが７，３０
０の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-6) とす
る。
【０１７１】
【化５０】
【０１７２】合成例１２ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン１１．８ｇ、ノルボルネン１．４ｇ、
無水マレイン酸５．６ｇおよび２−（２’−メタクリロ
イルオキシ−２’−プロピル）ノルボルナン６．４ｇを
用いた以外は、合成例９と同様にして、樹脂２０ｇを得
た。この樹脂は、下記式（２３）に示す繰返し単位（Ｉ
-1) と繰返し単位（II) と繰返し単位（III-2)と繰返し
単位（Ｖ-3) との共重合モル比が３０：１０：４０：２
０、Ｍｗが６，４００の共重合体であった。この樹脂
を、樹脂（Ａ-7) とする。
【０１７３】
【化５１】
【０１７４】合成例１３ 単量体として、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
９．７ｇ、５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．
２．１] ヘプト−２−エン８．３ｇおよび無水マレイン
酸７ｇを用いた以外は、合成例９と同様にして、樹脂２
１ｇを得た。この樹脂は、下記式（２４）に示す繰返し
単位（Ｉ-3) と繰返し単位（II) と繰返し単位（Ｖ-1)
との共重合モル比が３０：２０：５０、Ｍｗが７，１０
０の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-8) とす
る。
【０１７５】
【化５２】
【０１７６】合成例１４ 単量体として、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
１２．３ｇ、ノルボルネン０．６ｇ、無水マレイン酸
４．２ｇおよび２−（２’−メタクリロイルオキシ−
２’−プロピル）ノルボルナン８ｇを用いた以外は、合
成例９と同様にして、樹脂２２ｇを得た。この樹脂は、
下記式（２５）に示す繰返し単位（Ｉ-3) と繰返し単位
（II) と繰返し単位（III-2) と繰返し単位（Ｖ-3) と
の共重合モル比が３０：１０：４０：２０、Ｍｗが６，
５００の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-9)
とする。
【０１７７】
【化５３】
【０１７８】合成例１５ 重合 攪拌機、還流冷却器および三方コックを備えたセパラブ
ルフラスコに、窒素雰囲気下で、８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン１００重量部、１−ヘキセン
（分子量調節剤）３３重量部およびトルエン２００重量
部を仕込み、８０℃に加熱した。次いで、メタセシス触
媒としてトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（濃度
１．５モル／リットル）０．１７重量部と六塩化タング
ステンのトルエン溶液（濃度０．０５モル／リットル）
１．０重量部を加えて、攪拌下８０℃で３時間開環重合
して、樹脂溶液を得た。この樹脂は、下記式（２６）に
示す繰返し単位（IV-1) からなり、Ｍｗが１２，０００
の重合体（収率６７重量％）であった。この樹脂を、樹
脂（A-10）とする。
【０１７９】
【化５４】
【０１８０】水素付加 オートクレーブに、樹脂（Ａ-10)４００重量部、および
水素付加触媒としてクロロヒドロカルボニルトリフェニ
ルホスフィンルテニウム０．０７５重量部を仕込み、水
素ガス圧力１００ｋｇ／ｃｍ2 ・Ｇ、温度１６５℃の条
件で、４時間処理して、水素付加反応を行った。次い
で、別の反応容器に、得られた反応溶液４００重量部と
トルエン１００重量部を仕込み、さらに乳酸０．７１重
量部と水１．１５重量部を加えて、６０℃で３０分間攪
拌したのち、メタノール２６０重量部を添加し、６０℃
でさらに１時間攪拌した。その後、反応溶液を室温まで
冷却し、貧溶媒相（メタノール相）と良溶媒相（樹脂溶
液相）とに分離させたのち、貧溶媒相のみを抜き出し
た。その後、抜き出したメタノールの４．５重量％に相
当するメタノールと５５重量％に相当するトルエンと
を、反応容器に添加して、６０℃で１時間攪拌した。そ
の後、反応溶液を再び室温まで冷却して、貧溶媒相と良
溶媒相とに分離させ、貧溶媒相のみを抜き出した。この
メタノールによる抽出操作を数回繰返したのち、良溶媒
相を分離し、良溶媒相から溶媒を留去して、樹脂を回収
した。その後、この樹脂をテトラヒドロフランに再溶解
したのち、多量のメタノールにより再凝固させ、凝固し
た樹脂を減圧下で乾燥して、樹脂を得た。この樹脂は、
ＮＭＲスペクトルにより測定した水素付加率が１００％
であり、下記式（２７）に示す繰返し単位（IV-2) から
なる重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-11)とす
る。
【０１８１】
【化５５】
【０１８２】加水分解 フラスコに、樹脂（Ａ-11)１００重量部、プロピレング
リコールモノエチルエーテル２００重量部、蒸留水１０
０重量部およびｐ−トルエンスルホン酸１重量部を仕込
み、窒素雰囲気中還流下で、８時間加水分解を行った。
その後、反応溶液を室温まで冷却し、多量の水とトリエ
チルアミンを用いて中和したのち、酢酸エチルにより樹
脂を抽出し、樹脂溶液相を水層が中性を示すまで水洗を
繰り返した。その後、溶媒を留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂は、赤外吸収スペクトルにより測定した加水分解
率が６０％であり、下記式（２８）に示す繰返し単位
（IV-2) と繰返し単位（IV-3) との共重合モル比が４
０：６０の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-1
2)とする。
【０１８３】
【化５６】
【０１８４】合成例１６ 重合 攪拌機、還流冷却器および三方コックを備えたセパラブ
ルフラスコに、窒素雰囲気下で、８−〔２，２−ビス
（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチル〕テトラシクロ[ ４．４．０．１2,5 ．１
7,10 ]ドデカ−３−エン６０重量部、５−〔２，２−ビ
ス（トリフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−
エン４０重量部、１−ヘキセン（分子量調節剤）２５重
量部、１，２−ジクロロエタン４００重量部、およびメ
タセシス触媒としてトリエチルアルミニウムのクロロベ
ンゼン溶液（濃度１．５モル／リットル）０．６重量部
と六塩化タングステンのクロロベンゼン溶液（濃度１
０．０２５モル／リットル）４重量部を仕込み、８０℃
で３時間開環重合した。重合終了後、反応溶液に多量の
メタノールを加えて樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ
過し、真空乾燥して、樹脂（収率９２重量％）を得た。
この樹脂は、下記式（２９）に示す繰返し単位（IV-1)
と繰返し単位（IV-4)との共重合モル比が５０：５０、
Ｍｗが１３，０００の共重合体であった。この樹脂を、
樹脂（Ａ-13)とする。
【０１８５】
【化５７】
【０１８６】水素付加 樹脂（Ａ-13)を用い、合成例１５と同様にして、水素付
加反応を行なった。得られた樹脂は、赤外吸収スペクト
ルおよびＮＭＲスペクトルにより測定した水素付加率が
１００％であり、下記式（３０）に示す繰返し単位（IV
-2) と繰返し単位（IV-5) とからなる共重合体であっ
た。この樹脂を、樹脂（Ａ-14)とする。
【０１８７】
【化５８】
【０１８８】加水分解 樹脂（Ａ-14)を用い、合成例１５と同様にして、加水分
解反応を行った。得られた樹脂は、赤外吸収スペクトル
により測定した加水分解率が７０％であり、下記式（３
１）に示す繰返し単位（IV-2) と繰返し単位（IV-3) と
繰返し単位（IV-5) と繰返し単位（IV-6) との共重合モ
ル比が１３：３７：１７：３３の共重合体であった。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ-15)とする。
【０１８９】
【化５９】
【０１９０】合成例１７ 重合 単量体として、８−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−メチルカルボニルオキシエチル〕テトラシク
ロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン５
０重量部および５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[
２．２．１] ヘプト−２−エン５０重量部を用いた以外
は、合成例１６と同様にして、開環重合を行なって、樹
脂を得た。この樹脂は、下記式（３２）に示す繰返し単
位（IV-7) と繰返し単位（Ｖ-4)との共重合モル比が４
０：６０、Ｍｗが１３，０００の共重合体であった。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ-16)とする。
【０１９１】
【化６０】
【０１９２】水素付加 樹脂（Ａ-16)を用い、合成例１５と同様にして、水素付
加反応を行なった。得られた樹脂は、赤外吸収スペクト
ルおよびＮＭＲスペクトルにより測定した水素付加率が
１００％であり、下記式（３３）に示す繰返し単位（IV
-8) と繰返し単位（Ｖ-5) とからなる共重合体であっ
た。この樹脂を、樹脂（Ａ-17)とする。
【０１９３】
【化６１】
【０１９４】加水分解 フラスコに、樹脂（Ａ-17)１００重量部、テトラヒドロ
フラン５００重量部および水酸化カリウム水溶液（濃度
１０モル／リットル）５０重量部を仕込み、窒素雰囲気
中還流下で、６時間加水分解を行った。その後、反応溶
液を室温まで冷却し、多量の水とシュウ酸を用いて中和
したのち、酢酸メチルにより樹脂を抽出し、樹脂溶液相
を水層が中性を示すまで水洗を繰り返した。その後、溶
媒を留去して、樹脂を得た。得られた樹脂は、赤外吸収
スペクトルにより測定したメチルカルボニルオキシ基の
加水分解率が１００％であり、下記式（３４）に示す繰
返し単位（IV-3) と繰返し単位（Ｖ-5) とからなる共重
合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-18)とする。
【０１９５】
【化６２】
【０１９６】合成例１８ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン５．８１ｇ、５−〔２，２−ビス（ト
リフルオロメチル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シエチル〕ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン１
４．００ｇおよび無水マレイン酸５．１９ｇを用いた以
外は、合成例９と同様にして、樹脂１６ｇを得た。この
樹脂は、下記式（３５）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰
返し単位（Ｉ-2)と繰返し単位（II）との共重合モル比
が２０：３０：５０、Ｍｗが４，５００の共重合体であ
った。この樹脂を、樹脂（Ａ-19)とする。
【０１９７】
【化６３】
【０１９８】合成例１９ 単量体として、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
６．８３ｇ、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル〕ビシ
クロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン１３．２５ｇおよ
び無水マレイン酸４．９２ｇを用いた以外は、合成例９
と同様にして、樹脂１７ｇを得た。この樹脂は、下記式
（３６）に示す繰返し単位（Ｉ-3) と繰返し単位（Ｉ-
2)と繰返し単位（II）との共重合モル比が２０：３０：
５０、Ｍｗが４，２００の共重合体であった。この樹脂
を、樹脂（Ａ-20)とする。
【０１９９】
【化６４】
【０２００】合成例２０ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン８．０７ｇ、無水マレイン酸７．２１
ｇおよび５−（１−メチルシクロペンチルオキシカルボ
ニル）ビシクロ[ ２．２．１] ヘプト−２−エン９．７
２ｇを用いた以外は、合成例９と同様にして、樹脂２０
ｇを得た。この樹脂は、下記式（３７）に示す繰返し単
位（Ｉ-1) と繰返し単位（II）と繰返し単位（Ｖ-6）と
の共重合モル比が２０：５０：３０、Ｍｗが４，８００
の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-21)とす
る。
【０２０１】
【化６５】
【０２０２】合成例２１ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン７．６７ｇ、無水マレイン酸６．８６
ｇおよびメタクリル酸２−（２−メチル）アダマンチル
１０．４７ｇを用いた以外は、合成例９と同様にして、
樹脂１６ｇを得た。この樹脂は、下記式（３８）に示す
繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（II）と繰返し単位
（III-1)との共重合モル比が２０：５０：３０、Ｍｗが
５，８００の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ
-22)とする。
【０２０３】
【化６６】
【０２０４】合成例２２ 単量体として、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
３２．６９ｇおよびメタクリル酸２−（２−メチル）ア
ダマンチル１７．３１ｇを用いた以外は、合成例９と同
様にして、樹脂１８ｇを得た。この樹脂は、下記式（３
９）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（III-1)と
の共重合モル比が５０：５０、Ｍｗが５，９００の共重
合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-23)とする。
【０２０５】
【化６７】
【０２０６】合成例２３ 単量体として、８−（２，２，２−トリフルオロ−１−
トリフルオロメチル−１−ヒドロキシエチル）テトラシ
クロ[ ４．４．０．１2,5 ．１7,10 ]ドデカ−３−エン
２４．５０ｇ、メタクリル酸２−（２−メチル）アダマ
ンチル１７．３１ｇおよび下記式（４０）で表される化
合物８．２９ｇを用いた以外は、合成例９と同様にし
て、樹脂２０ｇを得た。この樹脂は、下記式（４１）に
示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位（III-1)と繰返し
単位（III-3)との共重合モル比が３０：４０：２０、Ｍ
ｗが５，７００の共重合体であった。この樹脂を、樹脂
（Ａ-24)とする。
【０２０７】
【化６８】
【０２０８】
【化６９】
【０２０９】合成例２４ 単量体として、５−〔２，２−ビス（トリフルオロメチ
ル）−２−ヒドロキシエチル〕ビシクロ[ ２．２．１]
ヘプト−２−エン５．５３ｇおよび５−（１−メチル−
１−シクロヘキシルオキシカルボニル）ビシクロ[ ２．
２．１] ヘプト−２−エン４．４７ｇを用いた以外は、
合成例６と同様にして、樹脂７ｇを得た。この樹脂は、
下記式（４２）に示す繰返し単位（Ｉ-1) と繰返し単位
（Ｖ-7）との共重合モル比が５３：３７、Ｍｗが３０，
７００、Ｍｎが１４，５００の共重合体であった。この
樹脂を、樹脂（Ａ-25)とする。
【０２１０】
【化７０】
【０２１１】
【実施例】実施例１〜１９および比較例１ 表１に示す成分からなる各組成物溶液について、各評価
を行った。評価結果を表３に示す。表１における樹脂
（Ａ-1) 〜（Ａ-9) 、（Ａ-12)、（Ａ-15)、（Ａ-18)〜
（Ａ-25)以外の成分は、下記の通りである。他の樹脂 ａ-1： メタクリル酸ｔ−ブチル／メタクリル酸メチル
／メタクリル酸共重合体（共重合モル比＝４０／４０／
２０、Ｍｗ＝２０，０００） 酸発生剤（Ｂ） Ｂ-1： トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート Ｂ-2： ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Ｂ-3： １−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート Ｂ-4： ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート Ｂ-5： ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ
[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジ
イミド Ｂ-6： ４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロ
チオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト
【０２１２】酸拡散制御剤 Ｃ-1： トリ−ｎ−オクチルアミン Ｃ-2： ３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール Ｃ-3： Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシル
アミン Ｃ-4： Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベ
ンズイミダゾール Ｃ-5： テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド 他の添加剤 Ｄ-1： デオキシコール酸ｔ−ブチル Ｄ-2： １，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブ
チル Ｄ-3： デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル Ｄ-4： ２，５−ジメチル−２，５−ジ（アダマンチル
カルボニルオキシ）ヘキサン 溶剤 Ｅ-1： ２−ヘプタノン Ｅ-2： シクロヘキサノン Ｅ-3： プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート
【０２１３】
【表１】
【０２１４】
【表２】
【０２１５】
【表３】
【０２１６】
【表４】
【０２１７】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、化学
増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、
かつ解像度に優れるとともに、感度、パターン形状等に
も優れ、しかも微細加工時の現像欠陥が極めて少なく、
半導体素子を高い歩留りで製造することができ、今後さ
らに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製
造に極めて好適に使用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 西村 幸生 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山原 登 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山本 將史 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 梶田 徹 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 イトウ ヒロシ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95120、 サンノゼ、ハリーロード 650 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BG00 FA03 FA12 FA17 4J002 BK001 EH058 EH138 EN047 EN137 ER006 EU077 EU117 EV296 GP03

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される構造
    を有する酸解離性基含有樹脂、並びに（Ｂ）感放射線性
    酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組
    成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
    離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
    基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
    カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
    くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
    子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
    素化アルキル基を示す。〕
  2. 【請求項２】 （Ａ）下記一般式（２）に示す繰返し単
    位（Ｉ）を有する酸解離性基含有樹脂、並びに（Ｂ）感
    放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線
    性樹脂組成物。 【化２】 〔一般式（２）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
    離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
    基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
    カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
    くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
    子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
    素化アルキル基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は相互に
    独立に水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
    のアルキル基、１価の酸素原子含有極性基または１価の
    窒素原子含有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、
    ｍは０〜３の整数である。〕
  3. 【請求項３】 （Ａ）下記一般式（３）に示す繰返し単
    位（Ｉ）と繰返し単位（II）とを有するアルカリ不溶性
    またはアルカリ難溶性の酸解離性基含有樹脂、並びに
    （Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
    感放射線性樹脂組成物。 【化３】 〔一般式（３）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
    離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
    基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
    カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
    くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
    子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
    素化アルキル基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は相互に
    独立に水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
    のアルキル基、１価の酸素原子含有極性基または１価の
    窒素原子含有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、
    ｍは０〜３の整数である。〕
  4. 【請求項４】 （Ａ）成分のアルカリ不溶性またはアル
    カリ難溶性の酸解離性基含有樹脂が下記一般式（４）に
    示す繰返し単位（Ｉ）と繰返し単位（II）と繰返し単位
    （III)とを有する樹脂であることを特徴とする請求項３
    記載の感放射線性樹脂組成物。 【化４】 〔一般式（４）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
    離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
    基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
    カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
    くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
    子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
    素化アルキル基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は相互に
    独立に水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
    のアルキル基、１価の酸素原子含有極性基または１価の
    窒素原子含有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、
    ｍは０〜３の整数であり、Ｒ6 は水素原子またはメチル
    基を示し、各Ｒ7 は相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状
    もしくは分岐状のアルキル基または炭素数４〜２０の１
    価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示すか、あ
    るいは何れか２つのＲ7 が相互に結合して、それぞれが
    結合している炭素原子と共に炭素数４〜２０の２価の脂
    環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのＲ
    7 が炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基
    または炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基もしく
    はその誘導体を示す。〕
  5. 【請求項５】 （Ａ）下記一般式（５）に示す構造単位
    （IV) を有する酸解離性基含有樹脂、並びに（Ｂ）感放
    射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性
    樹脂組成物。 【化５】 〔一般式（５）において、Ｒ1 は水素原子、１価の酸解
    離性基、酸解離性基をもたない炭素数１〜６のアルキル
    基または酸解離性基をもたない炭素数２〜７のアルキル
    カルボニル基を示し、Ｘ1 は炭素数１〜４の直鎖状もし
    くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、Ｒ2 は水素原
    子、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基または炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のフッ
    素化アルキル基を示し、Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10は相互に
    独立に水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
    のアルキル基、１価の酸素原子含有極性基または１価の
    窒素原子含有極性基を示し、ｎは０〜２の整数であり、
    ｍは０〜３の整数である。〕
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