JP2002064217A - 半導体受光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体受光装置およびその製造方法Info
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Abstract
感度を有する高速半導体受光装置を提供する。 【解決手段】 受光装置中の受光層を、圧縮歪を蓄積し
1620nm帯の波長を吸収する光吸収層と、引っ張り
歪を蓄積した歪補償層とを交互に積層した超格子構造と
し、その際前記歪補償層の厚さを前記光吸収層の厚さよ
りも小さく設定する。
Description
に係り、特に半導体受光装置およびその製造方法に関す
る。
ァイバ通信回線の通信容量が逼迫している。このため、
既存の光ファイバ通信回線を使いながら通信容量を増大
させるため、単一の光ファイバ中に複数の異なった波長
の光キャリアを伝搬させ、前記複数の光キャリアに、そ
の波長に対応したチャネルの光信号を載せる、いわゆる
波長多重化通信技術(WDM)が使われ始めている。
620nm程度までの長波長側(いわゆるLバンド)に
拡張する試みが検討されている。これに伴い、1620
nmの長波長帯域に感度を有する高速受光素子が必要と
されている。
ダイオード20の構造を示す。
ド20はn型InP基板7上に構成されており、前記基
板7上に形成された第1のn型InPバッファ層6と、
前記バッファ層6上に形成された第2のn型InPバッ
ファ層4と、前記n型InPバッファ層4上に形成され
たn型InGaAs光受光層3と、前記受光層3上に形
成されたn型InPクラッド層2と、さらに前記クラッ
ド層2上に形成された非ドープInGaAsPコンタク
ト層1とを含み、前記第2バッファ層4,受光層3,ク
ラッド層2およびコンタクト層1は、前記第1バッファ
層6上においてメサ構造を形成する。前記メサ構造形成
のため、前記第1バッファ層6と第2バッファ層4との
間には、n型InGaAsPよりなるエッチングストッ
パ層5が挿入されている。
には、p型拡散領域8が形成されており、前記p型拡散
領域8にコンタクトするようにp側電極9が、また前記
メサ形成に伴い露出されたn型InGaAsPエッチン
グストッパ層5上にはn側電極10が形成されている。
さらに、前記InP基板7の下側主面上には集光レンズ
7Aが形成されている。
では、前記InP基板7の下面に入射した入射光はレン
ズ7Aにより前記p型拡散領域8とその下の受光層3と
の境界面近傍に集光され、その結果かかる境界面近傍の
領域においてキャリアが励起され、前記受光層3は光吸
収層として作用する。励起されたキャリアは、極性によ
りp側電極9あるいはn側電極10へと流れ、光電流に
変換される。
20では、光吸収効率を向上させるため、また結晶欠陥
の発生を回避するために、前記InGaAs光吸収層3
を約2μmの厚さに、InP基板7に対して格子整合す
るような組成で形成している。前記光吸収層3の厚さが
2μm程度であれば、光吸収効率が向上する一方で、発
生したキャリアの走行時間も問題にならず、従って光フ
ァイバ通信回線で使われる10Gbit/秒程度の伝送
速度に対応可能な高速応答性が確保される。
ォトダイオード20では、前記InGaAs受光層がI
nP基板7に格子整合する必要があるため、バンドギャ
ップが室温で1650nm程度になる。このため、図1
の従来のPINフォトダイオード20は室温においては
前記1620nmの長波長光信号の検出が十分に可能で
あるが、一方このような光ファイバ通信回線で使われる
フォトダイオードは−40°Cのような低温環境でも動
作可能なことが要求される。
0をこのような低温環境下で動作させると、前記受光層
3のバンドギャップが拡大し、このため受光層3の光吸
収効率は50%以下に低下してしまう。この問題を回避
するために、前記受光層3中のIn組成を増やすことも
考えられるが、その場合には前記InP基板7との格子
整合が成立しなくなり、受光層3を光吸収に好適な2μ
mの厚さに形成しようとすると、欠陥が発生してしまう
のが避けられない。欠陥が発生すると、リーク電流が増
大し、受光装置の暗電流が増加する。一般に、結晶欠陥
の発生を回避するためには前記受光層3の歪量を0.1
%以下に抑制する必要がある。一方、こうすると前記低
温環境下におけるバンドギャップの拡大を十分に補償す
ることができない。
1号公報あるいは特開昭62−35682号公報に、受
光層3を光吸収層と、前記光吸収層に隣接して設けら
れ、逆歪(今の場合は引っ張り歪)を蓄積した歪補償層
とにより構成し、圧縮歪を受ける光吸収層3と引っ張り
歪を有する歪補償層とで、受光層全体として基板7から
作用する応力を相殺する構成が提案されている。かかる
構成によれば、前記光吸収層3と歪補償層とを交互に繰
り返し形成することにより、前記光吸収層3に対して十
分な層膜厚を確保することができる。例えば前記特開平
7−74381号公報には、図2に示すように、引っ張
り歪を蓄積したIn0.53-xGa0.53+xP層21aと圧縮
歪を蓄積したIn0.53+xGa0.53-xP層21bとを繰り
返し積層した超格子構造を有する光吸収層21が開示さ
れている。図2の例では、前記光吸収層21は下側のn
型InPコンタクト層22と上側のp型InPコンタク
ト層23との間に挟持される。また、前記特開昭62−
35682号公報では、GaAs基板を使い、厚さが1
0nmのGaAs層と厚さが10nmのAlGaAs層
とを交互に積層して光吸収層を形成する構成が開示され
ている。
における正味の光吸収層の膜厚が、歪補償層を含んだ受
光層全体の膜厚の1/2にしかならず、このため正味の
光吸収層に対して十分な膜厚を確保しようとすると、前
記超格子構造の繰り返し回数を増加させる必要がある
が、このような構成では受光層全体の膜厚が過大にな
り、キャリアの走行時間が増大してしまう。このため、
このような従来の構成の歪超格子受光装置ではPINフ
ォトダイオードに特徴的な高速応答特性が損なわれる問
題点が生じていた。
導体受光装置を提供する。
第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に設け
られた受光層と、前記受光層の一部に形成された第2の
導電型の領域と、前記光吸収層に対して前記第2の導電
型の領域を介して厚さ方向に電界を印加する電極手段と
を備え、前記受光層は、圧縮歪を蓄積し、所定波長の光
を吸収する第1の半導体層と、引っ張り歪を蓄積し、前
記第1の半導体層よりも薄い第2の半導体層とを含み、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、前記受
光層中において交互に繰り返されることを特徴とする半
導体受光装置により解決する。
半導体層は0.2%以上、0.6%以下の歪を有するの
が好ましい。また前記第1の半導体層の厚さを50nm
以上とするのが好ましい。前記第2の半導体層は、εを
前記第1の半導体層の歪量(%)、Lを交互に繰り返さ
れた前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との総和
(μm)として、第1の半導体層と第2の半導体層との
和の(0.9×L1/4×ε)倍以下の厚さを有するのが
好ましい。また前記第2の半導体層は、前記第1の半導
体層の厚さの1/2以下の厚さを有するのが好ましい。
また前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、い
ずれも三元化合物半導体よりなるのが好ましい。例え
ば、前記基板をn型InPとし、前記第1および第2の
半導体層をInGaAsとしてもよい。さらに前記第1
の半導体層と前記第2の半導体層との間に、さらに前記
第1の半導体層と前記第2の半導体層の中間のバンドギ
ャップを与える組成の中間層を設けるのが好ましい。か
かる中間層は、前記第1の半導体層の界面のうち、前記
第2の導電型の領域の側の界面に形成するのが好まし
い。またその際、前記中間層は組成が前記第1の半導体
層と前記第2の半導体層との間において、漸移的に変化
させてもよい。この場合、前記中間層の組成を、前記第
2の半導体層との界面において引っ張り歪を蓄積し、前
記第1の半導体層との界面において圧縮歪を蓄積するよ
うに変化させるのが好ましい。
上に、前記基板とは格子定数の異なる三元化合物からな
り圧縮歪を有する第1の半導体層と、前記基板とは格子
定数の異なる三元化合物からなり引っ張り歪を有する第
2の半導体層とを、成長ガスを切り替えることなく連続
的に流量変化させることで交互に、繰り返し形成し、受
光層を形成する工程と、前記受光層上に、前記受光層の
厚さ方向に電界を印加する電極を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体受光装置の製造方法により解決
する。
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とを形成する
工程は、MOVPE法を使い、有機金属原料の流量を連
続的に変化させることにより、前記第1の半導体層と前
記第2の半導体層とを交互に繰り返し形成するのが好ま
しい。 [作用]本発明によれば、光吸収層と歪補償層をと交互
に積層した超格子構造の受光層を有する半導体受光装置
において、第1の半導体層、すなわち圧縮歪を有する光
吸収層の膜厚を、第2の半導体層、すなわち引っ張り歪
を有する歪補償層の膜厚よりも大きく設定し、同時に前
記歪補償層中の引っ張り歪量を光吸収層中の圧縮歪量よ
りも増大させることにより、受光層全体の厚さを減少す
ると同時に受光層中における光吸収層の正味の膜厚を大
きくすることができ、その結果長波長側に感度を有する
高速受光装置を実現することが可能になる。
償量を確保するために歪補償層の引張り歪を大きくする
必要があり、その結果、ある歪限界を超えると光吸収層
との界面に欠陥が生じてしまう。本発明者はこの歪限界
に関して新規な実験を行い、その知見から、以下に説明
する関係式を導き出した(ここで歪限界とは、引張り歪
層と圧縮歪層とを交互に積層した歪補償構造独特のもの
であり、一般に知られているミスフィット転位の発生機
構に基づく臨界膜厚とは全く異なるものである)。
照しながら説明する。
InP基板上に形成された場合に圧縮歪を蓄積するよう
な組成のInGaAs光吸収層12AとInP基板上に
形成された場合に引張り歪を蓄積するような組成のIn
GaAs歪補償層12Bとを含み、前記光吸収層12A
と歪補償層12Bとよりなる構造単位12UをInP基
板11上に繰り返しエピタキシャルに積層した超格子構
造12を有する。
を、また前記歪補償層12Bが−εb%の引張り歪をそ
れぞれ蓄積する場合、前記光吸収層12Aの厚さをl
w、前記歪補償層12Bの厚さをlbとすると、歪緩和
防止のため、前記膜厚lw,lbおよび前記歪量εw,
εbは、関係式 εw・Lw=εb・Lb (1) が成立するように設定される。ただしLwおよびLb
は、前記構造単位12をn回繰り返した場合の前記光吸
収層12Aおよび歪補償層12Bの合計の厚さをそれぞ
れ示しており、前記膜厚lwおよびlbを使って、それ
ぞれLw=n・lw,Lb=n・Lbで表される。
繰り返した前記超格子構造12上には、InPキャップ
層13がエピタキシャルに形成される。
超格子構造12の膜厚、すなわち前記超格子構造12中
における前記光吸収層12Aおよび歪補償層12Bの合
計膜厚Lを1.3μmとし、この制限下において前記光
吸収層12Aの合計厚Lwと歪量εwを様々に変化させ
た場合に得られる前記キャップ層13の表面モフォロジ
ーの良否をまとめて示す。ただし先の式(1)に示した
歪緩和の条件から、前記歪補償層12Bの歪量εbはε
b=εw・Lw/Lbにより与えられる。図4中、○は
前記キャップ層13において平坦で良好な表面モフォロ
ジーが得られた場合を、また×は凹凸のある不規則な表
面モフォロジーが得られた場合を示す。
厚Lwの両方が大きい場合にはキャップ層13の表面に
は不規則なモフォロジーが現れ、一方前記歪量εwおよ
び合計膜厚Lwの両方が小さい場合には、平坦で良好な
モフォロジーの表面が得られることがわかる。また図4
において、表面モフォロジーが良好な領域(○)と不良
な領域(×)とは、図中に太線で示した、式 Lw=A×εw+L (A,Lは定数) (2) で表される直線により、明確に区画されることがわか
る。
れたモフォロジーはその下の積層構造12中における光
吸収層12Aおよび歪補償層12Bの表面モフォロジー
を反映していると考えられ、図4中において×で示した
領域においては、前記超格子構造12中における光吸収
層12Aと歪補償層12Bの規則的な積層が破壊されて
いるものと考えられる。従って図4の結果は、図3の超
格子構造12を半導体受光装置の受光層として使う場
合、光吸収層12Aの膜厚Lwと歪量εwとを、式
(2)で画成される表面モフォロジーが良好な範囲に入
るように決定する必要があることを示している。
吸収層12Aの合計膜厚Lwが前記歪補償層12Bの合
計膜厚Lbに等しくなるように、すなわち式 Lw=Lb=L/2 (3) が成立するように条件を設定し、さらに前記歪量εwが
歪量εbに等しくなるように、すなわち式 εw=εb=ε (4) が成立するように条件を設定し、さらに前記合計膜厚L
および歪量εを様々に変化させた場合における、モデル
構造の表面モフォロジーの良否を示す。図5中先と同様
に、○は前記キャップ層13において平坦で良好な表面
モフォロジーが得られた場合を、また×は凹凸のある不
規則な表面モフォロジーが得られた場合を示す。
Lの両方が大きい場合にはキャップ層13の表面には不
規則なモフォロジーが現れ、一方前記歪量εおよび合計
膜厚Lの両方が小さい場合には、平坦で良好なモフォロ
ジーの表面が得られることがわかる。図5において、表
面モフォロジーが良好な領域(○)と不良な領域(×)
とは、図中に太線で示した、式 L=0.1/ε4 (5) で表される線により、明確に区画される。なお図5中、
○と×が重なっているのは、前記超格子構造12中にお
ける一層当りの層厚の違いに起因する。
(4)の条件を満たすはずであり、従って式(2)を係
数Aについて解き、これをLを使って表現すると、式 Lw=−L5/4・εw/(2×0.11/4)+L (6) が得られる。
造は、図4,5で説明した表面モフォロジーの不良を生
じない所定の歪限界内にある。
式 Lb/L=(L−Lw)/L=L1/4・εw/(2×0.11/4)=0.89・L 1/4 ・εw (7) が得られるが、このことは前記歪限界内において前記歪
補償層12Bの合計膜厚Lbを、超格子構造の合計膜厚
Lの約(0.9・L1/4・εw)倍以下まで減少させら
れることを示している。
層に使う場合には、前記光吸収層12Aの合計膜厚Lw
は大きい方が高い受光効率が得られて好ましいが、先の
図4の関係より図3の超格子構造において光吸収層12
Aの歪量εwを増大させると歪補償層12Bの厚さl
b、従って合計厚さLbを増大させなければならず、従
って前記式(7)より、前記歪補償層12Bの合計膜厚
Lbは制限され、また前記光吸収層12Aの合計膜厚L
wも制限されることになる。
示す図である。ただし図6中、等高線が前記受光効率η
の値を示す。図6の受光効率ηは、−40°Cにおいて
前記InGaAs超格子構造12に、波長が1.62μ
mの入射光が垂直に入射した場合のもので、前記光吸収
層12Aの合計膜厚Lwおよび歪量εwから算出してい
る。
0.6%以下の範囲で、50%を上回る受光効率が得ら
れることがわかる。
増大させた構造では、光吸収層と歪補償層との間のバン
ドギャップ差が増大し、量子シフトにより光吸収層の吸
収波長域が短波長側にシフトしてしまう可能性があるた
め、本発明では前記光吸収層の厚さを、量子シフトがほ
とんど生じない50nm以上の厚さに設定する。あるい
は量子シフトを制御して、前記光吸収層の吸収波長域が
−40°Cで1620nm帯域をカバーするように、光
吸収層の厚さを設定してもよい。
出を、広い温度環境下で安定して行うことが可能にな
る。また前記受光層中の光吸収層の合計膜厚を1μm以
上にすることが可能である。
の間のバンドギャップ差に起因して、光吸収層と歪補償
層との界面近傍にキャリアがせき止められる現象を解消
するため、前記光吸収層と歪補償層との間に、中間的な
バンドギャップを有する中間層を介在させる。かかる中
間層を設けることにより、前記界面におけるキャリア蓄
積に起因する光電流、特にホール電流の減少が回避さ
れ、またキャリア溜りによるキャパシタンスが減少す
る。このため、優れた高速応答特性が確保される。かか
る中間層は、ホールが蓄積しやすい、前記光吸収層が歪
補償層と接する界面のうち、p型領域が形成されている
側の界面に形成するのが特に効果的である。前記中間層
は、バンドギャップが漸移的に変化するように、厚さ方
向に組成が漸移的に変化するものであってもよい。その
際、前記中間層の組成を、歪補償層との界面において引
っ張り歪が蓄積され、光吸収層との界面において圧縮歪
が蓄積されるように変化させることにより、移動度の小
さいホール電流がせき止められる問題が効果的に軽減さ
れ、優れた応答特性が確保される。
補償層とが、MOVPE法により、連続して、中断する
ことなく形成されるため、ヘテロ界面において生じがち
なCやSi等の界面パイルアップの問題が生じることが
なく、結晶性の良好な光吸収層が得られる。
光層を1μm以上の膜厚に形成することにより、162
0nm帯のような長波長帯域に感度を有し、高速光信号
(例として10Gbit/秒程度)に対して十分な応答
特性を有する半導体受光装置が得られる。
第1実施例による半導体受光装置30の構成を示す。た
だし図3中、先に図1で説明した部分に対応する部分に
は同一の参照符号を付し、説明を省略する。
装置30は先に図1で説明した従来の前記半導体受光装
置20と同様な構成を有するが、前記受光層30が、厚
さが20nmで+0.4%の圧縮歪を蓄積したInGa
Asよりなる光吸収層3aと厚さが10nmで−0.8
%の引っ張り歪を蓄積したInGaAsよりなる歪補償
層3bとを繰り返し、20周期にわたり積層した超格子
構造により置き換えられている。
いて、前記n型InP基板7上に前記第1のInPバッ
ファ層6と、InGaAsPエッチングストッパ層5
と、第2のInPバッファ層4と、InGaAs受光層
3と、InPクラッド層2と、InGaAsPコンタク
ト層1とが、基板温度を600°CとしたMOVPE法
により、V族原料とIII族原料の供給比率を200倍
に設定して、順次形成される。
層6は約50nmの厚さに形成され、Siにより2×1
017cm-3の濃度でn型にドーピングされる。また前記
InGaAsPエッチングストッパ層5は約10nmの
厚さに形成され、Siにより1×1018cm-3の濃度で
n型にドーピングされる。さらに前記エッチングストッ
パ層5上のInPバッファ層4は約50nmの厚さに形
成され、Siにより2×1017cm-3の濃度でn型にド
ーピングされる。
前記バッファ層4上にはSiドーパントと共にTMI
n,TMGaおよびAsH3をそれぞれIn,Ga,A
sのMOVPE原料として供給し、Si濃度が1×10
15cm-3程度で組成がIn0.59Ga0.41Asで表される
第1の半導体層を前記光吸収層3aとして、またSi濃
度が同じく1×1015cm-3程度で組成がIn0.44Ga
0.56Asで表される半導体層を前記歪補償層3bとし
て、それぞれ20nmおよび10nmの厚さで20周期
にわたり繰り返し堆積し、受光層3を形成する。先にも
記載したように、このようにして形成された光吸収層3
aは+0.4%の圧縮歪を蓄積するのに対し、歪補償層
3bは−0.8%の引っ張り歪を蓄積し、歪量と膜厚の
積は、前記光吸収層3aと歪補償層3bとでほぼ等しく
なっている。このため、前記受光層3全体としては歪は
補償されている。
3上に、Siにより5×1015cm -3の濃度でn型にド
ープされたInPクラッド層8を約1μmの厚さに形成
し、さらにその上にPL波長が1.3μmの非ドープI
nGaAsP層1を形成する。
とその下のInPクラッド層2中に、Mgの拡散工程に
より前記p型拡散領域を、径が約20μmで深さが約1
μmの円形形状となるように形成し、前記化合物半導体
層1〜4を前記InGaAsP層5をエッチングストッ
パとしてエッチングすることにより、前記InGaAs
Pエッチングストッパ層5上に前記メサ構造が形成され
る。
ズ11を形成し、前記P側電極8およびn側電極10を
形成する。
は、前記光吸収層3aはIn組成が大きいためバンドギ
ャップが狭まり、−40°Cの低温環境下においても所
望の1620nm帯の長波長光を効果的に吸収する。そ
の際、前記光吸収層3aはIn組成が大きいことに起因
して圧縮歪を蓄積するが、前記光吸収層3aに隣接して
設けられたIn組成が小さく引っ張り歪を蓄積する歪補
償層3bが前記圧縮歪を補償し、その結果前記光吸収層
3aと歪補償層3bとよりなる構造単位を100周期繰
り返しても、前記光吸収層3a中に欠陥が形成されるこ
とはない。
は、前記歪補償層3bの厚さを前記光吸収層3aの厚さ
よりも小さく設定し、さらに前記光吸収層3a中の圧縮
歪と膜厚の積が、前記歪補償層3b中の引っ張り歪と膜
厚の積にほぼ等しくなるように、前記歪補償層3b中の
引っ張り歪量を増加させる。かかる構成によれば、受光
層3中において光吸収に寄与しない歪補償層3bの膜厚
分が減少するため受光層3自体の全厚が減少し、入射光
により励起された電子とホールがそれぞれの電極に光電
流として到達する際の電流路が短縮される。換言する
と、本実施例の半導体受光装置30は、光ファイバ通信
回線で使われる10Gbit/秒の高速光信号を検出す
るのに十分な、優れた高速応答特性を有する。
説明したTMIn等のIn原料,TMGa等のGa原料
およびAsH3等のAs原料を連続的に供給し、TMI
nおよびTMGaの割合を変化させることにより光吸収
層3aと歪補償層3bを形成するのが好ましい。このよ
うにすることで結晶成長が層3a,3bの界面で中断さ
れることがなくなり、層3aと層3bの間のヘテロ界面
にCやSi等のパイルアップするのが回避され、結晶性
の良好な受光層30が得られる。 [第2実施例]図4は、本発明の第2実施例による半導
体受光装置40の構成を示す。ただし図4中、先に説明
した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説
明を省略する。
収層3aの厚さを50nm、あるいはそれ以上に設定
し、これに伴い前記歪補償層3bの厚さも16.7nm
あるいはそれ以上に設定する。ただし本実施例では、前
記光吸収層3aおよび歪補償層3b中の歪量は、歪量と
膜厚の積が等しくなるように、それぞれ+0.2%(圧
縮歪)および−0.6%(引っ張り歪)とされている。
前記光吸収層3aの厚さが増大した分、超格子構造中に
おける層3aおよび層3bの繰り返し回数は先の実施例
の場合に比べて減少しており、本実施例では20周期と
なっている。
は、層3aの厚さが10nm程度であるため量子井戸を
形成する可能性があるが、本実施例によれば、前記光吸
収層3aの厚さが50nmと先の実施例よりも大きくな
っているため、前記光吸収層3a中に量子井戸が形成さ
れることはない。量子井戸が形成されないため、前記光
吸収層3a中に量子準位が生じることもなく、このため
前記光吸収層3aの吸収波長域が量子シフトにより短波
長側にずれる問題は生じない。 [第3実施例]図5は本発明の第3実施例による半導体
受光装置50の構成を示す。ただし図5中、先に説明し
た部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
先に説明した半導体受光装置40に似た構成を有する
が、本実施例では前記受光層3中において、歪補償層3
bに隣接する光吸収層3aの界面のうち、基板7と反対
の側、すなわちp型拡散領域8の側の界面に、光吸収層
3aと歪補償層3bの中間的なバンドギャップを有する
n型InGaAsよりなる中間層3cを挿入する。かか
る中間層3cとしては、例えば無歪組成のInGaAs
を使ってもよい。
収層3aと歪補償層3bとを交互に積層した場合、全体
として歪補償はなされるが、前記光吸収層3aと歪補償
層3bとの界面にバンドギャップ差は依然として存在す
る。このようなバンドギャップ差は前記層3a,3bを
横切って移動するキャリアをせき止めるように働き、そ
の結果層3aと層3bの界面に沿って、キャリアが蓄積
してしまう問題が生じることがある。このようなキャリ
アのせき止めは、特に移動度の小さいホール電流におい
て顕著で、半導体受光装置の高速応答性が損なわれる原
因となる。
上側が歪補償層3bとなる界面に前記中間層3cを挿入
し、層3aと層3bとの間のバンドギャップ差を緩和す
る。また、かかる中間層3cを、図5に示すように上側
の歪補償層3bに接する側において引っ張り歪を生じ、
下側の光吸収層3aに接する側において圧縮歪を生じる
ように、InおよびGa組成を膜厚方向に漸移的に変化
させたグレーデッド組成層とし、多層構造としてもよ
い。
間層3cを、下側が歪補償層3bで上側が光吸収層3a
となる界面に挿入してもよい。このような構成によれ
ば、電子電流が層3aと層3bとの間の界面でせき止め
られる問題が軽減される。この場合には、前記中間層3
cの組成を、上側の光吸収層3aに接する側において圧
縮歪を生じ、下側の歪補償層3bに接する側において引
っ張り歪を生じるように、InおよびGa組成を膜厚方
向に漸移的に変化させるのが好ましい。
は、PIN型フォトダイオードに限定されるものではな
く、APD(アバランシェフォトダイオード)に対して
も適用が可能である。
明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内におい
て、様々な変形・変更が可能である。
度を有する高速半導体受光装置を実現することができ
る。
部を示す図である。
部を示す図である。
部を示す図である。
3)
では、前記InP基板7の下面に入射した入射光はレン
ズ7Aにより受光層3に集光され、その結果かかる受光
層3の領域においてキャリアが励起され、前記受光層3
は光吸収層として作用する。励起されたキャリアは、極
性によりp側電極9あるいはn側電極10へと流れ、光
電流に変換される。
1号公報あるいは特開昭62−35682号公報に、受
光層3を光吸収層と、前記光吸収層に隣接して設けら
れ、逆歪(今の場合は引っ張り歪)を蓄積した歪補償層
とにより構成し、圧縮歪を受ける光吸収層3と引っ張り
歪を有する歪補償層とで、受光層全体として基板7から
作用する応力を相殺する構成が提案されている。かかる
構成によれば、前記光吸収層3と歪補償層とを交互に繰
り返し形成することにより、前記光吸収層3に対して十
分な層膜厚を確保することができる。例えば前記特開平
7−74381号公報には、図2に示すように、引っ張
り歪を蓄積したIn0.53-xGa0.47+xP層21aと圧縮
歪を蓄積したIn0.53+xGa0.47-xP層21bとを繰り
返し積層した超格子構造を有する光吸収層21が開示さ
れている。図2の例では、前記光吸収層21は下側のn
型InPコンタクト層22と上側のp型InPコンタク
ト層23との間に挟持される。また、前記特開昭62−
35682号公報では、GaAs基板を使い、厚さが1
0nmのGaAs層と厚さが10nmのAlGaAs層
とを交互に積層して光吸収層を形成する構成が開示され
ている。
を、また前記歪補償層12Bが−εb%の引張り歪をそ
れぞれ蓄積する場合、前記光吸収層12Aの厚さをl
w、前記歪補償層12Bの厚さをlbとすると、歪緩和
防止のため、前記膜厚lw,lbおよび前記歪量εw,
εbは、関係式 εw・Lw=εb・Lb (1) が成立するように設定される。ただしLwおよびLb
は、前記構造単位12をn回繰り返した場合の前記光吸
収層12Aおよび歪補償層12Bの合計の厚さをそれぞ
れ示しており、前記膜厚lwおよびlbを使って、それ
ぞれLw=n・lw,Lb=n・lbで表される。
増大させた構造では、光吸収層と歪補償層との間のバン
ドギャップ差が増大し、量子シフトにより光吸収層の吸
収波長域が短波長側にシフトしてしまう可能性があるた
め、本発明では前記光吸収層の厚さを、量子シフトがほ
とんど生じない50nm以上の厚さに設定することが好
ましい。あるいは量子シフトを制御して、前記光吸収層
の吸収波長域が−40°Cで1620nm帯域をカバー
するように、光吸収層の厚さを設定してもよい。
の間のバンドギャップ差に起因して、光吸収層と歪補償
層との界面近傍にキャリアがせき止められる現象を解消
するため、前記光吸収層と歪補償層との間に、中間的な
バンドギャップを有する中間層を介在させる。かかる中
間層を設けることにより、前記界面におけるキャリア蓄
積に起因する光電流、特にホール電流の減少が回避さ
れ、またキャリア溜りによるキャパシタンスが減少す
る。このため、優れた高速応答特性が確保される。かか
る中間層は、前記光吸収層が歪補償層と接する界面のう
ち、ホールが蓄積しやすい、p型領域が形成されている
側の界面に形成するのが特に効果的である。前記中間層
は、バンドギャップが漸移的に変化するように、厚さ方
向に組成が漸移的に変化するものであってもよい。その
際、前記中間層の組成を、歪補償層との界面において引
っ張り歪が蓄積され、光吸収層との界面において圧縮歪
が蓄積されるように変化させることにより、移動度の小
さいホール電流がせき止められる問題が効果的に軽減さ
れ、優れた応答特性が確保される。
第1実施例による半導体受光装置30の構成を示す。た
だし図3中、先に図1で説明した部分に対応する部分に
は同一の参照符号を付し、説明を省略する。
装置30は先に図1で説明した従来の前記半導体受光装
置20と同様な構成を有するが、前記受光層3が、厚さ
が20nmで+0.4%の圧縮歪を蓄積したInGaA
sよりなる光吸収層3aと厚さが10nmで−0.8%
の引っ張り歪を蓄積したInGaAsよりなる歪補償層
3bとを繰り返し、40周期にわたり積層した超格子構
造により置き換えられている。
とその下のInPクラッド層2中に、Znの拡散工程に
より前記p型拡散領域を、径が約20μmで深さが約1
μmの円形形状となるように形成し、前記化合物半導体
層1〜4を前記InGaAsP層5をエッチングストッ
パとしてエッチングすることにより、前記InGaAs
Pエッチングストッパ層5上に前記メサ構造が形成され
る。
説明したTMIn等のIn原料,TEGaやTMGa等
のGa原料およびAsH3等のAs原料を連続的に供給
し、TMInおよびTMGa等の割合を変化させること
により光吸収層3aと歪補償層3bを形成するのが好ま
しい。このようにすることで結晶成長が層3a,3bの
界面で中断されることがなくなり、層3aと層3bの間
のヘテロ界面にCやSi等のパイルアップするのが回避
され、結晶性の良好な受光層30が得られる。 [第2実施例]図8は、本発明の第2実施例による半導
体受光装置40の構成を示す。ただし図8中、先に説明
した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説
明を省略する。
収層3aの厚さを50nm、あるいはそれ以上に設定
し、これに伴い前記歪補償層3bの厚さも16.7nm
あるいはそれ以上に設定する。ただし本実施例では、前
記光吸収層3aおよび歪補償層3b中の歪量は、歪量と
膜厚の積が等しくなるように、それぞれ+0.2%(圧
縮歪)および−0.6%(引っ張り歪)とされている。
前記光吸収層3aの厚さが増大した分、超格子構造中に
おける層3aおよび層3bの繰り返し回数は先の実施例
の場合に比べて減少しており、本実施例では20周期と
なっている。
は、層3aの厚さが10nm程度であるため量子井戸を
形成する可能性があるが、本実施例によれば、前記光吸
収層3aの厚さが50nmと先の実施例よりも大きくな
っているため、前記光吸収層3a中に量子井戸が形成さ
れることはない。量子井戸が形成されないため、前記光
吸収層3a中に量子準位が生じることもなく、このため
前記光吸収層3aの吸収波長域が量子シフトにより短波
長側にずれる問題は生じない。 [第3実施例]図9は本発明の第3実施例による半導体
受光装置50の構成を示す。ただし図9中、先に説明し
た部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
上側が歪補償層3bとなる界面に前記中間層3cを挿入
し、層3aと層3bとの間のバンドギャップ差を緩和す
る。また、かかる中間層3cを、図9に示すように上側
の歪補償層3bに接する側において引っ張り歪を生じ、
下側の光吸収層3aに接する側において圧縮歪を生じる
ように、InおよびGa組成を膜厚方向に漸移的に変化
させたグレーデッド組成層とし、多層構造としてもよ
い。
Claims (13)
- 【請求項1】 第1の導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた受光層と、 前記受光層の一部に形成された第2の導電型の領域と、 前記受光層に対して、前記第2の導電型の領域を介して
厚さ方向に電界を印加する電極手段とを備え、 前記受光層は、圧縮歪を蓄積し、所定波長の光を吸収す
る第1の半導体層と、引っ張り歪を蓄積し、前記第1の
半導体層よりも薄い第2の半導体層とを含み、前記第1
の半導体層と前記第2の半導体層とは、前記受光層中に
おいて交互に繰り返されることを特徴とする半導体受光
装置。 - 【請求項2】 前記第1の半導体層は0.2%以上、
0.6%以下の歪を有することを特徴とする請求項1記
載の半導体受光装置。 - 【請求項3】 前記第1の半導体層は、50nm以上の
厚さを有することを特徴とする請求項1記載の半導体受
光装置。 - 【請求項4】 前記第2の半導体層は、εを前記第1の
半導体層の歪量(%)、Lを交互に繰り返された前記第
1の半導体層と前記第2の半導体層との総和(μm)と
して、第1の半導体層と第2の半導体層との和の(0.
9×L1/4×ε)倍以下の厚さを有することを特徴とす
る請求項1〜2のうち、いずれか一項記載の半導体受光
装置。 - 【請求項5】 前記第2の半導体層は、前記第1の半導
体層の厚さの1/2以下の厚さを有することを特徴とす
る請求項3記載の半導体受光装置。 - 【請求項6】 前記第1の半導体層と前記第2の半導体
層とは、いずれも三元化合物半導体よりなることを特徴
とする請求項1記載の半導体受光装置。 - 【請求項7】 前記基板はn型InPよりなり、前記第
1および第2の半導体層はn型InGaAsよりなるこ
とを特徴とする請求項1〜6のうち、いずれか一項記載
の半導体受光装置。 - 【請求項8】 前記第1の半導体層と前記第2の半導体
層との間に、さらに前記第1の半導体層と前記第2の半
導体層の中間のバンドギャップを与える組成の中間層を
設けたことを特徴とする請求項1〜7のうち、いずれか
一項記載の半導体受光装置。 - 【請求項9】 前記中間層は、前記第1の半導体層が前
記第2の半導体層に接する界面のうち、前記第2の導電
型の領域の側の界面に形成されることを特徴とする請求
項8記載の半導体受光装置。 - 【請求項10】 前記中間層は組成が前記第1の半導体
層と前記第2の半導体層との間において、膜厚方向に漸
移的に変化することを特徴とする請求項8または9記載
の半導体受光装置。 - 【請求項11】 前記中間層は、前記第2の半導体層に
接する側において引っ張り歪を蓄積し、前記第1の半導
体層に接する側において圧縮歪を蓄積するように組成を
変化させることを特徴とする請求項10記載の半導体受
光装置。 - 【請求項12】 半導体基板上に、前記基板とは格子定
数の異なる三元化合物からなり圧縮歪を有する第1の半
導体層と、前記基板とは格子定数の異なる三元化合物か
らなり引っ張り歪を有する第2の半導体層とを、成長ガ
スの供給を中断することなく、連続的に流量変化させる
ことで交互に、繰り返し形成し、受光層を形成する工程
と、 前記受光層上に、前記受光層の厚さ方向に電界を印加す
る電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
受光装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記第1の半導体層と前記第2の半導
体層とを形成する工程は、MOVPE法を使い、有機金
属原料の流量を連続的に変化させることにより、前記第
1の半導体層と前記第2の半導体層とを交互に繰り返し
形成する工程を含むことを特徴とする請求項12記載の
半導体受光装置の製造方法。
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DE60109520T DE60109520T2 (de) | 2000-06-06 | 2001-06-06 | Halbleiterphotodetektor und sein Herstellungsverfahren |
EP01304933A EP1162667B1 (en) | 2000-06-06 | 2001-06-06 | Semiconductor photodetector and fabrication process thereof |
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EP (1) | EP1162667B1 (ja) |
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Cited By (4)
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