JP2747299B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は長波長光通信用の受光素子に係り、特に高速
・高感度なアバランシユホトダイオード（APD）あるい
は、超高速PINホトダイオードの素子構造に関する。
・高感度なアバランシユホトダイオード（APD）あるい
は、超高速PINホトダイオードの素子構造に関する。
従来の長波長APDはInGaAsを光吸収層、InPを増倍層と
してSAM構造を基本としている。InGaAs層で発生したホ
トキヤリア（この場合、正孔）が高電界の印加されてい
るInP層に注入されることによりアバランシエ増倍が生
じる。
してSAM構造を基本としている。InGaAs層で発生したホ
トキヤリア（この場合、正孔）が高電界の印加されてい
るInP層に注入されることによりアバランシエ増倍が生
じる。
アバランシエ増倍はミクロにみるとホツトキヤリアの
衝突イオン化に起因している。衝突イオン化率は、通常
バンド構造に依存するため、InPバルクでは一義的に決
定される。
衝突イオン化に起因している。衝突イオン化率は、通常
バンド構造に依存するため、InPバルクでは一義的に決
定される。
一方、超高速APDを実現するには、イオン化率比を大
きくする必要がある。InGaAsAPDではイオン化率比は2.0
〜2.5であり、10Gb/S以上の超高速光通常システムに適
用するにはかなり難しいと考えられている。
きくする必要がある。InGaAsAPDではイオン化率比は2.0
〜2.5であり、10Gb/S以上の超高速光通常システムに適
用するにはかなり難しいと考えられている。
現在、InGaAs APDを凌ぐ超高速APDを実現するため
に、各所で様々な検討が行なわれている。基本的な目標
はイオン化率比を改善することであり、主として、超格
子を用いたAPDが検討されている。
に、各所で様々な検討が行なわれている。基本的な目標
はイオン化率比を改善することであり、主として、超格
子を用いたAPDが検討されている。
InGaAs/InPの超格子を用いたAPDについては、マイ・
イー・イー・イー ジヤーナルオブクアンタム エレク
トロニクス キユーイー22（1986）第1986頁から1991頁
（IEEE J.Quntum,Electron QE−22（1987）pp1986〜199
1）において論じられている。
イー・イー・イー ジヤーナルオブクアンタム エレク
トロニクス キユーイー22（1986）第1986頁から1991頁
（IEEE J.Quntum,Electron QE−22（1987）pp1986〜199
1）において論じられている。
InGaAs/InP超格子においては、InGaAs層でキヤリア増
倍が生じること、正孔のイオン化率（β）と電子のイオ
ン化率（α）の比（イオン化率比）β／αとして、２が
得られている。
倍が生じること、正孔のイオン化率（β）と電子のイオ
ン化率（α）の比（イオン化率比）β／αとして、２が
得られている。
InGaAs/InP超格子APDのイオン化率比は、InPバルクで
のイオン化率比にほぼ等しく、超格子を用いることによ
つても改善されていない。
のイオン化率比にほぼ等しく、超格子を用いることによ
つても改善されていない。
これは、InGaAsバルクでのイオン化率比αが約0.5で
あること、すなわち、電子のイオン化率の方が正孔のイ
オン化率よりも大きいことに起因している。
あること、すなわち、電子のイオン化率の方が正孔のイ
オン化率よりも大きいことに起因している。
超格子APDではヘテロ界面における電子（ΔEc）と正
孔（ΔEv）のバンド不連続のエネルギーの差を利用して
イオン化率を人工的に変化させるものである。
孔（ΔEv）のバンド不連続のエネルギーの差を利用して
イオン化率を人工的に変化させるものである。
InGaAs/InP超格子APDの場合、増倍層である、InGaAs
層ではβ＜αにもかかわらず、バンド不連続エネルギー
はΔEv＞ΔEcであることに問題点があつた。
層ではβ＜αにもかかわらず、バンド不連続エネルギー
はΔEv＞ΔEcであることに問題点があつた。
本発明の目的は、超格子APDにおいて、正孔のイオン
化率を改善することにより、イオン化率比を改善するこ
とである。さらに、ホトキヤリアとしての正孔の飽和速
度を従来よりも速くすることも目的としている。
化率を改善することにより、イオン化率比を改善するこ
とである。さらに、ホトキヤリアとしての正孔の飽和速
度を従来よりも速くすることも目的としている。
上記目的はホトキヤリアである正孔が走行する、半導
体層に歪、特に圧縮応力をかけることにより達成され
る。さらに、超格子APDの場合、アバランシエ領域は超
格子の井戸層となる。超格子を歪超格子として、井戸層
に圧縮応力がかかるようにすることによつて上記目的は
達成される。
体層に歪、特に圧縮応力をかけることにより達成され
る。さらに、超格子APDの場合、アバランシエ領域は超
格子の井戸層となる。超格子を歪超格子として、井戸層
に圧縮応力がかかるようにすることによつて上記目的は
達成される。
一般、半導体に歪を加えた場合、バンド構造、特に価
電子帯のバンド構造が変化する。第１図（ｂ）に示すよ
うに、圧縮応力を加えた場合、重い正孔と軽い正孔のエ
ネルギーが逆転する。したがつて、歪超格子の井戸層に
注入された正孔は、軽い正孔バンドを伝導する。
電子帯のバンド構造が変化する。第１図（ｂ）に示すよ
うに、圧縮応力を加えた場合、重い正孔と軽い正孔のエ
ネルギーが逆転する。したがつて、歪超格子の井戸層に
注入された正孔は、軽い正孔バンドを伝導する。
軽い正孔バンドの有効質量は重い正孔バンドの有効質
量に比べて1/4以下になるため、正孔が電界により加速
されやすくなり、正孔の衝突イオン化率が大きくなる。
また、正孔の飽和速度も、重い正孔バンドを伝導する場
合に比べて、大きくなる。
量に比べて1/4以下になるため、正孔が電界により加速
されやすくなり、正孔の衝突イオン化率が大きくなる。
また、正孔の飽和速度も、重い正孔バンドを伝導する場
合に比べて、大きくなる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第２図は本発明をInP系材料を用いたAPDに適用した場
合の一実施例を示している。
合の一実施例を示している。
まず製造方法について説明する。
ｎ型InP基板１上に分子線エピタキシー法または、有
機金属熱分解気相成長法により、n-−InP層2,n-−InGaA
s層3,n−InGaAsP層4,n−InP層5,InGaAs/InP歪超格子6,n
-−InP層７、を連続成長させる。
機金属熱分解気相成長法により、n-−InP層2,n-−InGaA
s層3,n−InGaAsP層4,n−InP層5,InGaAs/InP歪超格子6,n
-−InP層７、を連続成長させる。
次に、p-−InP層９をBeのイオン注入法で、ｐ−InP層
８をZnの熱拡散法でそれぞれ形成する。
８をZnの熱拡散法でそれぞれ形成する。
次に、パツシベーシヨン膜SiO2/SiN10をプラズマCVD
法または熱CVD法を用いて形成した後、SiO2を選択的に
除去することにより、反射防止膜11を形成する。
法または熱CVD法を用いて形成した後、SiO2を選択的に
除去することにより、反射防止膜11を形成する。
次に、周知の真空蒸着技術を用いて、ｐ型オーミツク
電極12及びｎ型オーミツク電極13を形成することによ
り、素子を完全する。
電極12及びｎ型オーミツク電極13を形成することによ
り、素子を完全する。
InGaAs/InPの歪超格子６は厚みが約250ÅのInGaAs井
戸層14と、InPバイア層15を10〜20層交互に積み重ねた
ものである。また、In1−xGaxAsの組成は、INPと格子整
合する条件であるｘ＝0.47よりもGaリツチに制御し、In
GaAs層に圧縮応力がかかるようにしてある。
戸層14と、InPバイア層15を10〜20層交互に積み重ねた
ものである。また、In1−xGaxAsの組成は、INPと格子整
合する条件であるｘ＝0.47よりもGaリツチに制御し、In
GaAs層に圧縮応力がかかるようにしてある。
次に素子の動作原理について説明する。
第１図に価電子帯及び伝導帯のエネルギーバンド図を
示す。（ａ）は格子整合している場合、（ｂ）は圧縮応
力がかかつている場合である。圧縮応力がかかつた場
合、価電子帯のバンド構造が変化し、重い正孔バンドと
軽い正孔バンドのエネルギーが逆転し、基底状態が軽い
正孔バンドとなる。このような現象は、バルクであつて
も、超格子内の井戸層であつても同一である。
示す。（ａ）は格子整合している場合、（ｂ）は圧縮応
力がかかつている場合である。圧縮応力がかかつた場
合、価電子帯のバンド構造が変化し、重い正孔バンドと
軽い正孔バンドのエネルギーが逆転し、基底状態が軽い
正孔バンドとなる。このような現象は、バルクであつて
も、超格子内の井戸層であつても同一である。
したがつて、InGaAs/InP歪超格子内のInGaAs井戸層14
では、圧縮応力がかかつているため、第１図（ｂ）で示
したようなバンド構造になつていると考えられる。
では、圧縮応力がかかつているため、第１図（ｂ）で示
したようなバンド構造になつていると考えられる。
InGaAs層３で主として形成されるホトキヤリアである
正孔がキヤリア増倍層６に注入された場合を考える。In
PとInGaAsでは禁止帯幅が異なるため、歪超格子内の増
倍領域はInGaAs井戸層14となる。InGaAs層14に注入され
た正孔は、軽い正孔バンドを伝達する。InGaAsの場合、
軽い正孔バンドの有効質量は重い正孔バンドに比べて1/
4以下であるため、電界により加速されやすくなつてい
る。したがつて、正孔の飽和速度及び衝突イオン化率が
ともに増大する。
正孔がキヤリア増倍層６に注入された場合を考える。In
PとInGaAsでは禁止帯幅が異なるため、歪超格子内の増
倍領域はInGaAs井戸層14となる。InGaAs層14に注入され
た正孔は、軽い正孔バンドを伝達する。InGaAsの場合、
軽い正孔バンドの有効質量は重い正孔バンドに比べて1/
4以下であるため、電界により加速されやすくなつてい
る。したがつて、正孔の飽和速度及び衝突イオン化率が
ともに増大する。
さらに、InGaAs/InPの価電子帯の不連続エネルギー
は、伝導帯に比べて約２倍大きいため、InGaAs層をホト
キヤリアが走行するとき、正孔は電子よりも２倍大きな
エネルギーを受けとることができる。
は、伝導帯に比べて約２倍大きいため、InGaAs層をホト
キヤリアが走行するとき、正孔は電子よりも２倍大きな
エネルギーを受けとることができる。
したがつて、InGaAs/InP歪超格子において正孔と電子
のイオン化率比が増大し、アバランシエ立上り時間が小
さくなる。さらに、正孔の飽和速度も大きくなつている
ため、増倍領域の正孔の走行時間も小さくなる。
のイオン化率比が増大し、アバランシエ立上り時間が小
さくなる。さらに、正孔の飽和速度も大きくなつている
ため、増倍領域の正孔の走行時間も小さくなる。
したがつて、APD動作する際の増倍率が大きい領域の
制限要素であるアバランシエ立上り時間が小さくなり、
APD紀得、帯域積が増大する。本実施例において利得，
帯域積75GHz以上が得られている。
制限要素であるアバランシエ立上り時間が小さくなり、
APD紀得、帯域積が増大する。本実施例において利得，
帯域積75GHz以上が得られている。
第３図に本発明の第２の実施例であるInP系材料を用
いたAPDの断面図を示す。
いたAPDの断面図を示す。
第２図と異なるのは、InGaAs/InP歪超格子24に２×10
16〜10×1016cm-3のドーピングがなされていることであ
る。すなわち、第２図では、Lo−Hi−Loキヤリア濃度分
布を持つのに対して、第３図ではHi−Loキヤリア濃度分
布を持つている。
16〜10×1016cm-3のドーピングがなされていることであ
る。すなわち、第２図では、Lo−Hi−Loキヤリア濃度分
布を持つのに対して、第３図ではHi−Loキヤリア濃度分
布を持つている。
製造方法，動作原理については、第２図の場合と同一
である。本実施例を用いても、APDの利得、帯域積が75G
Hz以上が得られている。
である。本実施例を用いても、APDの利得、帯域積が75G
Hz以上が得られている。
第1,第２の実施例では表面入射方式のプレーナ型APD
について示したが、本発明は、裏面入射方式のAPDまた
はメサ型APDに対しても適用可能であることは言うまで
もない。
について示したが、本発明は、裏面入射方式のAPDまた
はメサ型APDに対しても適用可能であることは言うまで
もない。
第４図に第３の実施例を示す。本実施例は本発明をIn
P系材料を用いたPINホトダイオードに適用したものであ
る。
P系材料を用いたPINホトダイオードに適用したものであ
る。
第２図の場合と同様に、分子線エピタキシー法または
有機金属熱分解気相成長法を用いてｎ−InP基板40上にn
-−InP層41、In1−xGaxAs/In1−yGayAsの歪超格子42、n
-−InP層43を連続成長させる。
有機金属熱分解気相成長法を用いてｎ−InP基板40上にn
-−InP層41、In1−xGaxAs/In1−yGayAsの歪超格子42、n
-−InP層43を連続成長させる。
次に、Zn選択熱拡散によりp+−InP層44を形成する。
以降の製造方法は第２図の場合と同一である。すなわ
ち、パツシベーシヨン膜45,反転防止膜46を形成した
後、ｐ型オーミツク電極47,n型オーミツク電極48を形成
する。
以降の製造方法は第２図の場合と同一である。すなわ
ち、パツシベーシヨン膜45,反転防止膜46を形成した
後、ｐ型オーミツク電極47,n型オーミツク電極48を形成
する。
InGaAs歪超格子層42はInPに格子整合したInGaAs50と
少しGaリツチの組成を持つInGaAs51を250Åずつ交互に
積層したものである。この歪超格子42には圧縮応力がか
かつているため、重い正孔と軽い正孔のバンド構造が第
１図（ｂ）に示すように逆転している。
少しGaリツチの組成を持つInGaAs51を250Åずつ交互に
積層したものである。この歪超格子42には圧縮応力がか
かつているため、重い正孔と軽い正孔のバンド構造が第
１図（ｂ）に示すように逆転している。
第４図の場合、ホトキヤリアはInGaAs歪超格子内を走
行する。正孔は軽い正孔バンドを伝導するため、飽和速
度が重い正孔バンドを伝導する場合に比べて増大する。
その結果、走行時間制限遮断周波数が向上し、PINホト
ダイオードの高速化が可能となる。従来、PINホトダイ
オードの高速化は量子効率を劣化させる方向で達成され
てきたが、本発明では、量子効果を劣化させることな
く、超高速PINホトダイオードを実現できるという効果
を持つ。
行する。正孔は軽い正孔バンドを伝導するため、飽和速
度が重い正孔バンドを伝導する場合に比べて増大する。
その結果、走行時間制限遮断周波数が向上し、PINホト
ダイオードの高速化が可能となる。従来、PINホトダイ
オードの高速化は量子効率を劣化させる方向で達成され
てきたが、本発明では、量子効果を劣化させることな
く、超高速PINホトダイオードを実現できるという効果
を持つ。
これまでの実施例においては、ホトキヤリアは基板に
対して垂直に走行する受光素子について示したが、基板
に対して平行にホトキヤリア（正孔）が走行する構造の
APD,PIN等の受光素子であつても、本発明の本質を損う
ものではない。
対して垂直に走行する受光素子について示したが、基板
に対して平行にホトキヤリア（正孔）が走行する構造の
APD,PIN等の受光素子であつても、本発明の本質を損う
ものではない。
また、これまでInP系材料を用いた受光素子について
述べてきたが、他の材料系、例えばGaSb−GaAlSb系、In
P−InAlAs系、GaAs−GaAlAs,Ge−GeSi,HgCdTe系を用い
た場合であつても、本発明が実施できることは言うまで
もない。
述べてきたが、他の材料系、例えばGaSb−GaAlSb系、In
P−InAlAs系、GaAs−GaAlAs,Ge−GeSi,HgCdTe系を用い
た場合であつても、本発明が実施できることは言うまで
もない。
本発明によれば、ホトキヤリアとしての正孔が軽い正
孔バンドを伝導するため、半導体受光素子に対して以下
の効果を持つ。
孔バンドを伝導するため、半導体受光素子に対して以下
の効果を持つ。
（１）正孔の飽和速度が大きくなるため、空乏層内での
正孔の走行時間が短かくなり、走行時間制限遮断周波数
が向上する。
正孔の走行時間が短かくなり、走行時間制限遮断周波数
が向上する。
また、APDの場合、増倍領域の固有アバランシユ増倍
時間が短かくなり、利得・帯域積が向上する。
時間が短かくなり、利得・帯域積が向上する。
（２）超格子APDにおいて、増倍領域である井戸層にお
いて、正孔の衝突イオン化率が大きくなるため、アバア
ンシエ立上り時間が短かくなり、利得・帯域積が向上す
る。
いて、正孔の衝突イオン化率が大きくなるため、アバア
ンシエ立上り時間が短かくなり、利得・帯域積が向上す
る。
（３）主として（２）の効果のために、10Gb/s以上の光
通信システムに適用可能な超高速APDを実現することが
できる。
通信システムに適用可能な超高速APDを実現することが
できる。
第１図は、格子整合している場合（ａ）と、圧縮応力が
かかつている場合（ｂ）の価電子帯のバンド構造の変化
の説明図、第２図は、本発明をInP系材料を用いたAPDに
適用した場合の一実施例の素子断面図、第３図は、本発
明をInP系材料を用いたAPDに適用した場合の実施例の素
子断面図、第４図は本発明をInP系材料を用いたPINホト
ダイオードに適用した場合の実施例の素子断面図であ
る。 Ve……伝導帯、Vhr……重い正孔バンド、Ver……軽い正
孔バンド、Vso……スプリツトオフバンド、Eg……歪の
ない場合のバンドギヤツプ、Eg′……圧縮応力がかつた
場合のバンドギヤツプ、１……ｎ−InP基板（Ｓドー
プ）、２……n-−InPバツフア層、３……n-−InGaAs光
吸収層、４……λｇ＝1.4,1.2,1.0の３層からなるｎ−I
nGaAsPグレーデツド層、５……ｎ−InP電界緩和層、６
……n-−InGaAs/InP歪超格子、７……n-−InP窓層、８
……p+−InP層、９……p-−InP層、10……パツシベーシ
ヨン膜（SiO2/SiN）、11……反射防止膜（SiN）、12…
…ｐ型オーミツク電極（Au/Pt/Ti）、13……ｎ型オーミ
ツク電極（Au/Pd/AuGaNi）、14……In1−xGaxAs層（ｘ
＞0.47Gaリツチ、15……InP層、20……ｎ−InP基板、21
……n-−InPバツフア層、22……n-−InGaAs光吸収層、2
3……ｎ−InGaAs中間層（λｇ＝1.4,1.2,1.0μｍの３層
構造）、24……ｎ−InGaAs/InP歪超格子、25……n-−In
P窓層、26……p+−InP、27……p-−InP、28……パツシ
ベーシヨン膜（SiO2/SiN）、29……反射防止膜（Si
N）、30……ｐ型オーミツク電極（Au/Pt/Ti）、31……
ｎ型オーミツク電極（Au/Pb/AuGaNi）、40……ｎ−InP
基板、41……n-−InPバツフア層、42……n-−InGaAs歪
超格子光吸収層、43……n-−InP窓層、44……p+−InP
層、45……パツシベーシヨン膜、46……反射防止膜、47
……ｐ型オーミツク電極、48……ｎ型オーミツク電極、
50……In1−xGaxAs層（ｘ＝0.47）InPに格子整合、51…
…In1−xGaxAs層（ｘ＞0.47）Gaリツチ。
かかつている場合（ｂ）の価電子帯のバンド構造の変化
の説明図、第２図は、本発明をInP系材料を用いたAPDに
適用した場合の一実施例の素子断面図、第３図は、本発
明をInP系材料を用いたAPDに適用した場合の実施例の素
子断面図、第４図は本発明をInP系材料を用いたPINホト
ダイオードに適用した場合の実施例の素子断面図であ
る。 Ve……伝導帯、Vhr……重い正孔バンド、Ver……軽い正
孔バンド、Vso……スプリツトオフバンド、Eg……歪の
ない場合のバンドギヤツプ、Eg′……圧縮応力がかつた
場合のバンドギヤツプ、１……ｎ−InP基板（Ｓドー
プ）、２……n-−InPバツフア層、３……n-−InGaAs光
吸収層、４……λｇ＝1.4,1.2,1.0の３層からなるｎ−I
nGaAsPグレーデツド層、５……ｎ−InP電界緩和層、６
……n-−InGaAs/InP歪超格子、７……n-−InP窓層、８
……p+−InP層、９……p-−InP層、10……パツシベーシ
ヨン膜（SiO2/SiN）、11……反射防止膜（SiN）、12…
…ｐ型オーミツク電極（Au/Pt/Ti）、13……ｎ型オーミ
ツク電極（Au/Pd/AuGaNi）、14……In1−xGaxAs層（ｘ
＞0.47Gaリツチ、15……InP層、20……ｎ−InP基板、21
……n-−InPバツフア層、22……n-−InGaAs光吸収層、2
3……ｎ−InGaAs中間層（λｇ＝1.4,1.2,1.0μｍの３層
構造）、24……ｎ−InGaAs/InP歪超格子、25……n-−In
P窓層、26……p+−InP、27……p-−InP、28……パツシ
ベーシヨン膜（SiO2/SiN）、29……反射防止膜（Si
N）、30……ｐ型オーミツク電極（Au/Pt/Ti）、31……
ｎ型オーミツク電極（Au/Pb/AuGaNi）、40……ｎ−InP
基板、41……n-−InPバツフア層、42……n-−InGaAs歪
超格子光吸収層、43……n-−InP窓層、44……p+−InP
層、45……パツシベーシヨン膜、46……反射防止膜、47
……ｐ型オーミツク電極、48……ｎ型オーミツク電極、
50……In1−xGaxAs層（ｘ＝0.47）InPに格子整合、51…
…In1−xGaxAs層（ｘ＞0.47）Gaリツチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長妻 一之 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 黒田 崇郎 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−163878（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−49681（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、光吸収層を含む半導体積層体
と、この光吸収層への光の入射窓と、少なくともこの光
吸収層に電界を印加する為の複数の電極とを有し、前記
半導体積層体は井戸層とバリア層を有する歪超格子領域
を有し且つ前記井戸層に圧縮応力が印加されるごとく構
成されたことを特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項２】少なくとも、光吸収層を含む半導体積層体
と、この光吸収層への光の入射窓と、少なくとも前記光
吸収層に電界を印加する為の複数の電極とを有し、前記
光吸収層は井戸層とバリア層を有する歪超格子領域を有
し且つ前記井戸層に圧縮応力が印加されるごとく構成さ
れたことを特徴とする請求項第１項記載の半導体受光素
子。 - 【請求項３】少なくとも、光吸収層とキャリアを増倍す
る増倍層とを含む半導体積層体と、この光吸収層への光
の入射窓と、少なくとも前記光吸収層と増倍層とに電界
を印加する為の複数の電極とを有する半導体受光素子で
あって、前記半導体積層体は井戸層とバリア層を有する
歪超格子領域を有し且つ前記井戸層に圧縮応力が印加さ
れるごとく構成されたことを特徴とする特徴とする半導
体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240993A JP2747299B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240993A JP2747299B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290575A JPH0290575A (ja) | 1990-03-30 |
| JP2747299B2 true JP2747299B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17067727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-09-28 JP JP63240993A patent/JP2747299B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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