JPH0493088A - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
アバランシェフォトダイオードInfo
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- JPH0493088A JPH0493088A JP2211095A JP21109590A JPH0493088A JP H0493088 A JPH0493088 A JP H0493088A JP 2211095 A JP2211095 A JP 2211095A JP 21109590 A JP21109590 A JP 21109590A JP H0493088 A JPH0493088 A JP H0493088A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信に用いて有益な低雑音アバランシエフづ
トダイオードに関する。
トダイオードに関する。
（従来の技術）
光ファイバーの伝送損失の低い１〜１．６μｍ波長帯の
光通信用受光素子としてＩｎＯ，５３ＧａＯ，４゜Ａｓ
とＩｎＰとのヘテロ接合によるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓヘ
テロ接合アバランシェフォトダイオード（以降ＡＰＤと
略記）が実用化されている。このＡＰＤはＩｎＧａＡｓ
で光を吸収し、そこで発生した電子・正孔キャリヤ対の
うち正孔のみをＩｎＰに注入してアバランシェ増倍を生
じさせるものである。ここでＩｎＰは電子に対するイオ
ン化率。よりも正孔に対するイオン化率βの方が大きい
（β／ａ〜２）ので正孔をＩｎＰに注入することは低雑
音化に有利となっている。しかし、より低雑音化を図ろ
うとすれば、更に大きなイオン化率比（αψ＞１もしく
はβｌα＞１）を有するＡＰＤを開発せねばならない。
光通信用受光素子としてＩｎＯ，５３ＧａＯ，４゜Ａｓ
とＩｎＰとのヘテロ接合によるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓヘ
テロ接合アバランシェフォトダイオード（以降ＡＰＤと
略記）が実用化されている。このＡＰＤはＩｎＧａＡｓ
で光を吸収し、そこで発生した電子・正孔キャリヤ対の
うち正孔のみをＩｎＰに注入してアバランシェ増倍を生
じさせるものである。ここでＩｎＰは電子に対するイオ
ン化率。よりも正孔に対するイオン化率βの方が大きい
（β／ａ〜２）ので正孔をＩｎＰに注入することは低雑
音化に有利となっている。しかし、より低雑音化を図ろ
うとすれば、更に大きなイオン化率比（αψ＞１もしく
はβｌα＞１）を有するＡＰＤを開発せねばならない。
（発明が解決しようとする課題）
そこで異種の半導体を交互に積層して周期的ポテンシャ
ルを形成し、伝導帯不連続△Ｅでの電子のエネルギー供
与を利用して電子のイオン化率。を高める超格子ＡＰＤ
が、Ｆ、 Ｃａｐａｓｓｏらによってアプライド・フィ
ジックスルターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）４０巻３８ページにおいて提供された
。Ｆ、 Ｃａｐａｓｓｏらによって作られた超格子ＡＰ
ＤはＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの周期構造から成ってい
るもので、両材料の△Ｅ〜０．３ｅＶを電子が供与され
ることにより、。ψ〜８を得ている。
ルを形成し、伝導帯不連続△Ｅでの電子のエネルギー供
与を利用して電子のイオン化率。を高める超格子ＡＰＤ
が、Ｆ、 Ｃａｐａｓｓｏらによってアプライド・フィ
ジックスルターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）４０巻３８ページにおいて提供された
。Ｆ、 Ｃａｐａｓｓｏらによって作られた超格子ＡＰ
ＤはＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの周期構造から成ってい
るもので、両材料の△Ｅ〜０．３ｅＶを電子が供与され
ることにより、。ψ〜８を得ている。
１〜１．６μｍ長波長帯に列しては、ＧａＡｓ系と同様
、ＩｎＰに格子整合するＩｎｏ、５２Ａ１ｏ ４ｓＡＳ
／Ｉｎｏ ５３Ｇａｏ、４７ＡＳ超格子構造が採用され
る。第４図には、このような長波長帯超格子ＡＰＤの構
造断面図が示されている。
、ＩｎＰに格子整合するＩｎｏ、５２Ａ１ｏ ４ｓＡＳ
／Ｉｎｏ ５３Ｇａｏ、４７ＡＳ超格子構造が採用され
る。第４図には、このような長波長帯超格子ＡＰＤの構
造断面図が示されている。
ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上にｎ＋−ＩｎＰｎシバ２フフＩ
ｎＡｌＡｓＩｎＡｌＡｓバラフッ、ｎ −ＩｎＡＩＡｓ
／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層４、ｐ −
ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層５、ｐ − ＩｎＧａＡｓ光吸
収層６、ｐ ＋−ＩｎＡＩＡｓ窓層７が積層されている
。ｐ ＋ーＩｎＡＩＡｓ窓層７側がら入射した長波長光
はｐ − ＩｎＧａＡｓ層６で吸収され、発生した電
子キャリヤはｐｎ接合を通過してｎ −ＩｎＡＩＡｓ／
ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層４へ注入される
。超格子層４へ注入された電子はＩｎＡｌＡｓとＩｎＧ
ａＡｓとの伝導帯不連続△Ｅ〜０．５ｅＶのエネルギー
を供与され、アバランシェ増倍に寄与する。
ｎＡｌＡｓＩｎＡｌＡｓバラフッ、ｎ −ＩｎＡＩＡｓ
／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層４、ｐ −
ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層５、ｐ − ＩｎＧａＡｓ光吸
収層６、ｐ ＋−ＩｎＡＩＡｓ窓層７が積層されている
。ｐ ＋ーＩｎＡＩＡｓ窓層７側がら入射した長波長光
はｐ − ＩｎＧａＡｓ層６で吸収され、発生した電
子キャリヤはｐｎ接合を通過してｎ −ＩｎＡＩＡｓ／
ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層４へ注入される
。超格子層４へ注入された電子はＩｎＡｌＡｓとＩｎＧ
ａＡｓとの伝導帯不連続△Ｅ〜０．５ｅＶのエネルギー
を供与され、アバランシェ増倍に寄与する。
しかしながら、かかる構造において逆バイアス電圧が印
加される動作時には、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓとの
価電子帯不連続△Ｅ〜０．２ｅＶの障壁のために、超格
子領域にアバランシェ増倍によって発生した２次キャリ
ヤである正孔が、ＩｎＧａＡｓ井戸層にトラップされて
しまう。第２図にその様子を示すエネルギーバンド図を
示した。これが応答特性を制限してしまい、周波数帯域
はぜいぜい＜５ＧＨｚになってしまう。更に、アバラン
シェ増倍の源である電子についても、△Ｅ〜０．５ｅＶ
の障壁のため、正孔はど顕著でないがやはり、ＩｎＧａ
Ａｓ井戸層にトラップされやすい。
加される動作時には、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓとの
価電子帯不連続△Ｅ〜０．２ｅＶの障壁のために、超格
子領域にアバランシェ増倍によって発生した２次キャリ
ヤである正孔が、ＩｎＧａＡｓ井戸層にトラップされて
しまう。第２図にその様子を示すエネルギーバンド図を
示した。これが応答特性を制限してしまい、周波数帯域
はぜいぜい＜５ＧＨｚになってしまう。更に、アバラン
シェ増倍の源である電子についても、△Ｅ〜０．５ｅＶ
の障壁のため、正孔はど顕著でないがやはり、ＩｎＧａ
Ａｓ井戸層にトラップされやすい。
そこで、本発明の目的は上記の欠点を除去し、広帯域特
性を有する超格子ＡＰＤを提供することである。
性を有する超格子ＡＰＤを提供することである。
（課題を解決するだめの手段）
本発明は、大きな禁制帯幅Ｅ，１を有する第１の半導体
障壁層と小さな禁制帯幅Ｅｇ□（８ｇ２＜Ｅｇ□）を有
する第２の半導体井戸層とが交互に積層された周期構造
をアバランシェ増倍領域とするアバランシェフォトダイ
オードにおいて正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ乗り
越える側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制
帯幅Ｅｇ３（Ｅｇ□＜ ８ｇ３＜ Ｅ，□）を有する１
００Å以下の薄い第３の半導体層が挿入されている事を
特徴とする。
障壁層と小さな禁制帯幅Ｅｇ□（８ｇ２＜Ｅｇ□）を有
する第２の半導体井戸層とが交互に積層された周期構造
をアバランシェ増倍領域とするアバランシェフォトダイ
オードにおいて正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ乗り
越える側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制
帯幅Ｅｇ３（Ｅｇ□＜ ８ｇ３＜ Ｅ，□）を有する１
００Å以下の薄い第３の半導体層が挿入されている事を
特徴とする。
あるいは、大きな禁制帯幅Ｅｇ□を有する第１の半導体
層と小さな禁制帯幅Ｅｇ２（Ｅ，。＜Ｅｇ１）を有する
第２の半導体井戸層とが交互に積層された周期構造をア
バランシェ増倍領域とするアバランシェフォトダイオー
ドにおいて正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ乗り越え
る側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制帯幅
Ｅｇ３（Ｅ８□＜８ｇ３＜Ｅｇ□）を有する第３の半導
体層が挿入され電子キャリヤが井戸層がら障壁層へ乗り
越える側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制
帯幅Ｅｇ４（８ｇ２＜８ｇ４＜Ｅｇ１）を有する第４の
半導体層が挿入されている事を特徴とする。
層と小さな禁制帯幅Ｅｇ２（Ｅ，。＜Ｅｇ１）を有する
第２の半導体井戸層とが交互に積層された周期構造をア
バランシェ増倍領域とするアバランシェフォトダイオー
ドにおいて正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ乗り越え
る側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制帯幅
Ｅｇ３（Ｅ８□＜８ｇ３＜Ｅｇ□）を有する第３の半導
体層が挿入され電子キャリヤが井戸層がら障壁層へ乗り
越える側の井戸層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制
帯幅Ｅｇ４（８ｇ２＜８ｇ４＜Ｅｇ１）を有する第４の
半導体層が挿入されている事を特徴とする。
（作用）
本発明の作用・原理を本発明のＡＰＤに逆バイアス電圧
を印加した時の周期構造領域のエネルギーバンドを示す
第３図を用いて説明する。第３図（ａ）は請求項１の発
明、（ｂ）図は請求項２の発明を示す。図において電子
キャリヤ（黒丸）は図の左から右へ走行し、正孔ギヤリ
ヤ（白丸）は右から左へ走行する。先の第２図に示した
様に正孔キャリヤは井戸層がら障壁層へ遷移するとき、
価電子帯不連続ΔＥ〜０．２ｅＶのポテンシャル障壁の
ために、井戸層にトラップされてしまうが、本発明の第
３図（ａ）によれば、斜線で示した薄Ｉ／司コ間禁制帯
幅層を挿入することで△Ｅ障壁が擬似的に緩やかになり
、従って正孔キャリヤは容易に井戸層から障壁層へ注入
する。
を印加した時の周期構造領域のエネルギーバンドを示す
第３図を用いて説明する。第３図（ａ）は請求項１の発
明、（ｂ）図は請求項２の発明を示す。図において電子
キャリヤ（黒丸）は図の左から右へ走行し、正孔ギヤリ
ヤ（白丸）は右から左へ走行する。先の第２図に示した
様に正孔キャリヤは井戸層がら障壁層へ遷移するとき、
価電子帯不連続ΔＥ〜０．２ｅＶのポテンシャル障壁の
ために、井戸層にトラップされてしまうが、本発明の第
３図（ａ）によれば、斜線で示した薄Ｉ／司コ間禁制帯
幅層を挿入することで△Ｅ障壁が擬似的に緩やかになり
、従って正孔キャリヤは容易に井戸層から障壁層へ注入
する。
もう１つの発明である（ｂ）図によれば、正孔に対して
のみでなく、電子キャリヤに対しても同様にΔＥ障壁が
疑似的に緩やかになり、従って正孔、電子キャリヤは共
に容易に井戸層から障壁層へ注入することができる。こ
こで正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ注入する側に設
けられる中間禁制帯幅層の厚さを１００Å以下に規定す
るのは以下の理由による。つまり、電子が障壁層から井
戸層へ注入する際ΔＥの余剰エネルギーが供与されるこ
とにより、電子のイオン化が促進されるのであり、この
効果を得るには、中間禁制帯幅層の厚さは電子のパリス
ティック走行距離、換言すれば電子のイオン化促進効果
の持続する距離以下に設定する必要がある。もし、この
距離以上の厚さであれば、電子は△Ｅポテンシャルを感
じることなく、緩やかにポテンシャルの傾斜したベテロ
界面を走行することになる。一方、正孔については、質
量が電子よりも大きいために、正孔の散乱距離は電子よ
りも短く、従って１００Å以下の厚さの中間禁制帯幅層
を疑似傾斜層として感じることになり、本発明の効果が
発揮される。
のみでなく、電子キャリヤに対しても同様にΔＥ障壁が
疑似的に緩やかになり、従って正孔、電子キャリヤは共
に容易に井戸層から障壁層へ注入することができる。こ
こで正孔キャリヤが井戸層から障壁層へ注入する側に設
けられる中間禁制帯幅層の厚さを１００Å以下に規定す
るのは以下の理由による。つまり、電子が障壁層から井
戸層へ注入する際ΔＥの余剰エネルギーが供与されるこ
とにより、電子のイオン化が促進されるのであり、この
効果を得るには、中間禁制帯幅層の厚さは電子のパリス
ティック走行距離、換言すれば電子のイオン化促進効果
の持続する距離以下に設定する必要がある。もし、この
距離以上の厚さであれば、電子は△Ｅポテンシャルを感
じることなく、緩やかにポテンシャルの傾斜したベテロ
界面を走行することになる。一方、正孔については、質
量が電子よりも大きいために、正孔の散乱距離は電子よ
りも短く、従って１００Å以下の厚さの中間禁制帯幅層
を疑似傾斜層として感じることになり、本発明の効果が
発揮される。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例である超格子ＡＰＤの断面図
を示している。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に有機金属気相
成長法（ＭＯ−ＶＰＥ）により、ｎ＋−ＩｎＰバッファ
層２、ｎ ＋−ＩｎＡｌＡｓバッファ層３を各々０．５
ｐｍの厚さで成長し、続いて超格子アバランシェ増倍層
４を積層した。超格子アバランシェ増倍層４は、４００
人の■ｎｏ５２Ａ１ｏ４８Ａｓ障壁層（第１の半導体層
）４１．２００人のＩｎｏ ５ａＧａ０４−ｒＡＳ井戸
層（第２の半導体層）４２．５０人のＩｎ０．５３（Ｇ
ａ０．５Ａ１０．５）０．４７Ａｓ遷移層４３（第３の
半導体層）の２０周期構造から成っている。超格子アバ
ランシェ増倍層の上にはＺｎドープのｐ −Ｉｎ。５２
Ａｌｏ４８Ａｓ５（０，２，ｚｍ厚）、ｐ Ｉｎｏ、
５３Ｇａｏ ４゜ＡＳ光吸収層６（１，５μｍ厚）、ｐ
＋Ｉｎｏ、５２Ａ１ｏ、４ａＡ８窓層７（０，１，４ｍ
厚）を順次積層した。２〜７のエピタキシャル層は成長
温度６５０°Ｃ〜７００°Ｃの範囲で形成した。
を示している。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に有機金属気相
成長法（ＭＯ−ＶＰＥ）により、ｎ＋−ＩｎＰバッファ
層２、ｎ ＋−ＩｎＡｌＡｓバッファ層３を各々０．５
ｐｍの厚さで成長し、続いて超格子アバランシェ増倍層
４を積層した。超格子アバランシェ増倍層４は、４００
人の■ｎｏ５２Ａ１ｏ４８Ａｓ障壁層（第１の半導体層
）４１．２００人のＩｎｏ ５ａＧａ０４−ｒＡＳ井戸
層（第２の半導体層）４２．５０人のＩｎ０．５３（Ｇ
ａ０．５Ａ１０．５）０．４７Ａｓ遷移層４３（第３の
半導体層）の２０周期構造から成っている。超格子アバ
ランシェ増倍層の上にはＺｎドープのｐ −Ｉｎ。５２
Ａｌｏ４８Ａｓ５（０，２，ｚｍ厚）、ｐ Ｉｎｏ、
５３Ｇａｏ ４゜ＡＳ光吸収層６（１，５μｍ厚）、ｐ
＋Ｉｎｏ、５２Ａ１ｏ、４ａＡ８窓層７（０，１，４ｍ
厚）を順次積層した。２〜７のエピタキシャル層は成長
温度６５０°Ｃ〜７００°Ｃの範囲で形成した。
本発明の第２の実施例は、超格子アバランシェ増倍層４
の１周期単位を、障壁層４１７遷移層４３／井戸層４２
／遷移層４３とした。ここで障壁層は４００人のＩｎ。
の１周期単位を、障壁層４１７遷移層４３／井戸層４２
／遷移層４３とした。ここで障壁層は４００人のＩｎ。
５２Ａｓｏ４８Ａｓ、遷移層（第３、第４の半導体層）
は５０人の■ｎｏ、５ａ（Ｇａｏ ５Ａ１ｏ、５）。４
７ＡＳ、井戸層は２００人のＩｎ。５３ＧａＯ，４゜Ａ
ｓである。第３、第４の半導体層は請求項の条件を満た
せば異なる組成でもよい。ここでは同じとした。他のエ
ピタキシャル層２．３．５〜７は第一の実施例（第１図
）と同一の構成にした。
は５０人の■ｎｏ、５ａ（Ｇａｏ ５Ａ１ｏ、５）。４
７ＡＳ、井戸層は２００人のＩｎ。５３ＧａＯ，４゜Ａ
ｓである。第３、第４の半導体層は請求項の条件を満た
せば異なる組成でもよい。ここでは同じとした。他のエ
ピタキシャル層２．３．５〜７は第一の実施例（第１図
）と同一の構成にした。
第１の実施例、第２の実施例ともそのあとの工程は同じ
とした。即ち、この様にして作製した２つのウェーハは
、通常の露光技術によりメサ状にエツチングされ、メサ
側壁を含む表面をプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮｘ表面
保護膜８で保護された。ｐ側電極９はＡｕＺｎ合金、ｎ
側電極１０はＡｕＧｅ合金で共に通常の加熱蒸着法で形
成された。
とした。即ち、この様にして作製した２つのウェーハは
、通常の露光技術によりメサ状にエツチングされ、メサ
側壁を含む表面をプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮｘ表面
保護膜８で保護された。ｐ側電極９はＡｕＺｎ合金、ｎ
側電極１０はＡｕＧｅ合金で共に通常の加熱蒸着法で形
成された。
限って説明したが、ｐ型とｎ型が逆の場合においても同
様であることは言うまでもない。更に他の材料系、例え
ばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ 、 ＡｌＧａＳｂ／ＧａＳｂ
系についても同様に適用できる。
様であることは言うまでもない。更に他の材料系、例え
ばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ 、 ＡｌＧａＳｂ／ＧａＳｂ
系についても同様に適用できる。
以上説明した様に、本発明のＡＰＤは走行キャリヤの井
戸層トラップに起因する応答劣化を回避することが可能
である。第５図に本発明の効果を適確に示す周波数応答
特性を表している。増倍率Ｍ＝１０における周波数応答
特性をみると、従来の場合２ＧＨｚ程度の帯域しか得ら
れなかったが、第１の実施例に述べたウェーハで作製し
たＡＰＤは７〜８ＧＨｚの帯域が、第２の実施例のＡＰ
Ｄは８〜９ＧＨｚの帯域が得られた。これにより本発明
の優れた周波数特性をもつという効果が得られた。
戸層トラップに起因する応答劣化を回避することが可能
である。第５図に本発明の効果を適確に示す周波数応答
特性を表している。増倍率Ｍ＝１０における周波数応答
特性をみると、従来の場合２ＧＨｚ程度の帯域しか得ら
れなかったが、第１の実施例に述べたウェーハで作製し
たＡＰＤは７〜８ＧＨｚの帯域が、第２の実施例のＡＰ
Ｄは８〜９ＧＨｚの帯域が得られた。これにより本発明
の優れた周波数特性をもつという効果が得られた。
（発明の効果）
本発明によれば、キャリヤのトラップを解消した、広帯
域、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオードが得
られる。
域、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオードが得
られる。
第１図は本発明の一実施例を示すＡＰＤの断面図、第２
図は従来の超格子ＡＰＤの問題点を示ず増倍領域のエネ
ルギーバンド図、第３図は本発明の超格子ＡＰＤ増倍額
域（１部）のエネルギーバンド図、第４図は従来の超格
子ＡＰＤの断面図、第５図は本発明の効果を示す周波数
応答特性図である。図において１・・・半導体基板、２
・・・バッファ層、３・・・バッファ層、４・・・超格
子アバランシェ増倍層、４１・・・障壁層、４２・・・
井戸層、４３・・・遷移層、５・・・電界緩和層、６・
・・光吸収層、７・・・窓層、８・・・表面保護膜、９
・・・ｐ側電極、１０・・・ｎ側電極である。
図は従来の超格子ＡＰＤの問題点を示ず増倍領域のエネ
ルギーバンド図、第３図は本発明の超格子ＡＰＤ増倍額
域（１部）のエネルギーバンド図、第４図は従来の超格
子ＡＰＤの断面図、第５図は本発明の効果を示す周波数
応答特性図である。図において１・・・半導体基板、２
・・・バッファ層、３・・・バッファ層、４・・・超格
子アバランシェ増倍層、４１・・・障壁層、４２・・・
井戸層、４３・・・遷移層、５・・・電界緩和層、６・
・・光吸収層、７・・・窓層、８・・・表面保護膜、９
・・・ｐ側電極、１０・・・ｎ側電極である。
Claims (3)
- （１）大きな禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿１を有する第１の半導体
障壁層と小さな禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿２（Ｅ＿ｇ＿２＜Ｅ＿
ｇ＿１）を有する第２の半導体井戸層とが交互に積層さ
れた周期構造をアバランシェフオトダイオード増倍領域
とするアバランシェフオトダイオードにおいて、正孔キ
ャリヤが井戸層から障壁層へ乗り越える側の井戸層と障
壁層とのヘテロ界面に前記第１、第２の半導体層の禁制
帯幅の中間の禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿３（Ｅ＿ｇ＿２＜Ｅ＿ｇ
＿３＜Ｅ＿ｇ＿１）を有する厚さ１００Å以下の第３の
半導体層が挿入されている事を特徴とするアバランシェ
フオトダイオード。 - （２）大きな禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿１を有する第１の半導体
障壁層と小さな禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿２（Ｅ＿ｇ＿２＜Ｅ＿
ｇ＿１）を有する第２の半導体井戸層とが交互に積層さ
れた周期構造をアバランシェ増倍領域とするアバランシ
ェフオトダイオードにおいて、正孔キャリヤが井戸層か
ら障壁層へ乗り越える側の井戸層と障壁層とのヘテロ界
面に中間の禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿３（Ｅ＿ｇ＿２＜Ｅ＿ｇ＿
３＜Ｅ＿ｇ＿１）を有する第３の半導体層が挿入され、
電子キャリヤが井戸層から障壁層へ乗り越える側の井戸
層と障壁層とのヘテロ界面に中間の禁制帯幅Ｅ＿ｇ＿４
（Ｅ＿ｇ＿２＜Ｅ＿ｇ＿４＜Ｅ＿ｇ＿１）を有する第４
の半導体層が挿入されている事を特徴とするアバランシ
ェフオトダイオード。 - （３）請求項２記載のアバランシェフオトダイオードに
おいて第３の半導体層の厚さが１００Å以下であること
を特徴とする請求項２記載のアバランシェフオトダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211095A JPH0493088A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | アバランシェフォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211095A JPH0493088A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | アバランシェフォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493088A true JPH0493088A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16600333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211095A Pending JPH0493088A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | アバランシェフォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493088A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1990
- 1990-08-09 JP JP2211095A patent/JPH0493088A/ja active Pending
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