JPH0282658A - 半導体受光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要コ 半導体受光素子に係り、特に低雑音の光検知器として用
いられる半導体受光素子に関し、低電圧で動作すること
により、光検知の感度を高めると共に使用上の使い易さ
を向上させた半導体受光素子を提供することを目的とし
、ウェル層とバリア層とが交互に積層されている超格子
構造を有する半導体受光素子において、ウェル層からバ
リア層へ移る第１の境界に遷移領域を設けて、当該第１
の境界におけるイオン化の閾値エネルギーをバリア層か
らウェル層へ移る第２の境界におけるイオン化の閾値エ
ネルギーとほぼ同等にせしめるように構成する。

［産業上の利用分野Ｊ 本発明は半導体受光素子に係り、特に低雑音の光検知器
として用いられる半導体受光素子に関する。

［従来の技術］ 従来、低雑音の光検知器としては、光電子増倍管、アバ
ランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）が実用化ないしは
提案されている。

しかしながら、光電子増倍管は極めて大型である上に、
使用電圧が通常１００■以上と極めて高いという難点が
あった。そしてこうした難点を解決するものとして、小
型のアバランシェフォトダイオードがあるが、特に近年
、半導体超格子を用いたアバランシェフォトダイオード
が提案されている。

この半導体超格子アバランシェフォトダイオードは、第
５図（ａ＞のエネルギーバンド図に示されるように、通
常１５０〜２００人のバリアＪｉＡ４とウェル層Ｂ４と
を交互に積層させた超格子増倍層を有するものである。

ここで、バリア層とは相対的にエネルギーギャップが大
きい層であり、ウェル層とは相対的にエネルギーギャッ
プが小さい層である。従って、バリア層とウェル層とが
交互に積層された超格子構造のエネルギーバンドは凹凸
を繰り返す形状になっている。なお、第５図（ａ）にお
いて、エネルギーバンドが傾いているのは、このアバラ
ンシエフ第１〜ダイオードに電圧が印加されていること
を示している。

次に、第５図（ｂ）に示されるエネルギーバンド図を用
いて、動作を説明する。

半導体超格子アバランシェフォトダイオードにおけるア
バランシェすなわちイオン化は、キャリア例えば価電子
帯のポールがバリア層Ａ４からウェル層Ｂ４に進入する
とき、またウェル層Ｂ４からバリア層Ａ４に進入すると
き、これらバリア層Ａ４とウェル層Ｂ４との境界で発生
する。

すなわち、バリア層Ａ４とウェル層Ｂ４との境界Ｌ４に
おいて、イオン化の閾値エネルギーＥｉ１より大きなエ
ネルギーを有するホールがバリア層Ａ４からウェル層Ｂ
４に進入すると、そこでイオン化が起こる。このときの
イオン化の闇値エネルギーＥｉ１は、 Ｅｉｌ＝Ｅｔ−ΔＥｖ である、ただし、Ｅｉはウェル層Ｂ４におけるイオン化
の閾値エネルギー、ΔＢｖはバリア層Ａ４とウェル層Ｂ
４との価電子帯のエネルギー障壁の高さである。

また、ウェルＦＩＢ４とバリア層Ａ４との境界Ｍ４にお
いて、イオン化の閾値エネルギーＥｉ２より大きなエネ
ルギーを有するホールがウェル層Ｂ４に蓄積されたホー
ルに衝突すると、そこでイオン化が起こる。このときの
イオン化の１１１値エネルギーＥｉ２は、 Ｅ　ｉ２＝ΔＥｖ である。

このようにして、半導体超格子アバランシェフォトダイ
オードにおいては、バリア層Ａ４とつエル層Ｂ４との隣
り合う２つの境界Ｌ４およびＭ４において、それぞれ異
なるメカニズムによってイオン化すなわちアバランシェ
が発生する。

［発明が解決しようとする課題」 しかしながら、上記のような超格子アバランシエフオ）
・ダイオードにおいては、バリア層Ａ４とウェル層Ｂ４
との隣り合う２つの境界し４１Ｍ４におけるそれぞれの
イオン化の閾値エネルギーＥｉ１．Ｅｉ２は、−ｍ的に
異なる値をとる。そのために、どちらか一方のイオン化
の閾値エネルギーのより小さい境界でアバランシェが発
生することになる。このような条件において所要の増倍
率を得るには、通常バリア層Ａ４とウェル層Ｂ４とを交
互に２０〜３０層程度も積層させる必要がある。

従って、超格子アバランシェフォトダイオードにおける
使用電圧は、光電子増倍管のそれよりは低いものの通常
６０〜１００ｖに達し、そのために晴な流を増加させ、
感度の低下をもたらすという問題があった。

本発明は、低電圧で動作することにより、光検知の感度
を高めると共に使用上の使い易さを向上させた半導体受
光素子を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段１ 第１図は、本発明の原理説明図である。

バリア層Ａとウェル７１Ｂとが交互に積層されている超
格子′！Ｒ造の半導体受光素子において、ウェル層Ｂか
らバリア層Ａへ移る境界に遷移領域Ｃを設けて、ウェル
層Ｂとの境界Ｍにおけるイオン化の閾値エネルギーとバ
リア層Ａからウェル層Ｂへ移る境界Ｉ−におけるイオン
化の閾値エネルギーとをほぼ同等になるようにする。

なおここでは、キャリアとして価電子帯のホールを用い
て説明する。

第１図（ａ）のエネルギーバンド図に示されるように、
ウェル層Ｂと遷移領域Ｃとの境界Ｍにおける価電子帯の
エネルギー１１ｉ壁の高さΔＥｖ’がバリア層Ａとウェ
ル層Ｂとの境界りにおけるイオン化の閾値エネルギーＥ
ｉ１とほぼ等しくなるように、遷移領域Ｃｆ！：設ける
。すなわち、 ΔＥｖ＝Ｅ＋１ とする。

なお、遷移領域Ｃにおけるエネルギーバンドは、ウェル
層Ｂとの境界Ｍからバリア層Ａとの境界Ｎまで滑らかに
変化している。

［作　用］ すなわち本発明は、ウェル層Ｂの両側の境界り。

Ｍにおけるイオン化の閾値エネルギーＥｉＩ　　Ｅｉ２
がほぼ等しいために、これらの境界り、Ｍの両方におい
てイオン化が発生する。

これによって、所定の増倍率を得るために必要なバリア
層Ａとウェル層Ｂとの積層数が、従来例の少なくとも半
分程度に減少する。従って第１図（ｂ）の電界分布のグ
ラフに示されるように、印加電圧が従来例の半分で済む
ことになる。

［実施例１ 以下、本発明を図示する実施例に基づいて具体的に説明
する。

第２図（ａ）は本発明の第１の実施例による半導体受光
素子の断面を示す断面図、第２図（ｂ）はその超格子増
倍層におけるエネルギーバンドを示す図である。

第２図（ａ）において、ｎ型１ｎＰ基板２上にｎ型Ｇａ
　Ｉ　ｎＡｓ光吸収Ｎ４が形成されている。

このｎ型Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層４上には、Ａ」ＩｎＡｓ
からなるバリア層とＧａＡｓＳｂからなるウェル層とが
積層され、これら積層されたバリア層とウェル層との境
界に遷移領域が設けられているｎ型超格子増倍層６が形
成されている。さらにこのｎ型超格子増倍層６上には、
ｐ＋型Ａ」Ｉ　ｎＡｓＡｓバッフ８を介して、ρ“型Ｇ
ａ１ｎＡｓコンタクト層１０が形成されている。

ｎ型超格子増倍ＮＩ６は、第２図（ｂ）に示されるよう
に、例えば厚さ０．５μｍ以下でＡＪａ、ａｓＩｎｏ、
２Ａｓの組成を有するＡｊＩｎＡｓバリア層Ａ１と例え
ば厚さ１５０〜２０ＯＡでＧａＡＳｏ、、ｓ　Ｓｂｏ、
ｓの組成を有するＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１とか１０〜
１５層に積層されている。

この覆層数は、従来例の半数程度の数である。そしてこ
れら積層されたＡｊＩｎＡｓバリア層Ａ１とＧａＡｓＳ
ｂウェル層Ｂ１との隣り合う境界のＧａＡｓＳｂウェル
層Ｂ１からＡｊＩｎＡｓバリア層Ａ１へ遷移する境界に
例えば厚さ０．１μｍ程度のＧａＡＪ　ｒｎＡｓｓｂ５
元層からなるＧａＡｊＩｎＡｓＳｂ遷移領域Ｃ１が設け
られている。

このような組合わせにおいては、境界Ｌ１におけるＡｊ
ＩｎＡｓバリア層Ａ１とＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１との
価電子帯のエネルギー障壁の高さΔＥｖは、 ΔＥｖｘ０．７ｅＶ であり、ウェル層Ａ１のイオン化の閾値エネルギーＥｉ
は、推定で、 Ｅｉ＝１．２ｅＶ であるため、ホールがＡｊｌｎＡｓバリア層Ａ１からＧ
ａＡｓＳｂウェル層Ｂ１に進入する際の境界Ｌ１におけ
るイオン化の闇値エネルギーＥｉｌは、Ｅｉ１＝１．　
２ｅＶ−０，７ｅＶ ＝０　　５ｅＶ となる。

また、ＧａＡＪ　ＩｎＡｓＳｂ！移領域Ｃ１の層領域Ｃ
１Ｎ　ａ４ｓｌ　ｎｏ９２Ａｓ　）　ｇ　　（ＧａＡｓ
ｏ、５Ｓｂｏ、ｓ）＋−（０，７１≦Ｘ≦１）であり、
ＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１との境界Ｍ１においてｘ＝Ｏ
８７１、ＡｊｌｎＡｓバリア層Ａ１との境界Ｎ１におい
てｘ＝１である。そしてその間においてはＸの値は３！
！枕的に変化している。従って、エネルギーバンドも滑
らかに変化している。

このようなＧａＡＪ　ｔｎＡｓｓｂ遷移領域Ｃ１の組成
条件においては、境界Ｍ１におけるＧａＡｓＳｂウェル
層Ｂ１とＧａＡｊ　ＩｎＡｓ５ｂ３ｉ移領域Ｃ１との価
電子帯のエネルギー障壁の高さΔＥｖは、 ΔＥＶ’ｘ０．５ｅＶ となる、このためホールがＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１に
蓄積されたホールに衝突してイオン化が生じる際のＧ　
ａ　Ａ　ｓ　Ｓ　ｂウェル層Ｂ１とＧａＡ、１ｌＩｎＡ
ｓＳｂＪ移領域Ｃ１との境界Ｍ１におけるイオン化の閾
値エネルギーＥｉ２は、 Ｅｉ２〜０．５ｅＶ となる。

こうして、ＡｊｌｎＡｓ／＜リア層Ａ１とＧａＡｓＳｂ
ウェルＮＪＢ１との境界Ｌ１におけるイオン化の閾値エ
ネルギーＥｉ１とＧ　ａ　Ａ　ｓ　Ｓ　ｂウェル層Ｂ１
とＧａＡｆＪＩ　ｎＡｓ５ｂ遷移領域Ｃ１との境界Ｍ１
におけるイオン化の閾値エネルギーＥｉ２とは、はぼ等
しい値をとることになる。

なお、ＡＪＩＩｎＡｓバリア層Ａ１とＧａＡｓ５ｂウエ
ル層Ｂ１との伝導帯のエネルギー障壁の高さは極めて小
さいため、第２図（ｂ）においては表わされていない。

また、ＡｊＩｎＡｓバリア層Ａ１およびＧａＡｓ　Ｓｂ
ウェル層Ｂ１においてエネルギーバンドが傾いているの
は、この半導体受光素子に電圧が印加されているからで
ある。

いま、第２図（ａ）に示される半導体受光素子に、ｎ型
ＩｎＰ基板２側から例えば波長１．３μｍの光が入射さ
れると、ｎ型Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ａ　ｓ光吸収層４におい
て光電変換が起こり、ホールと電子との対が発生する。

ｎ型１ｎＰ基板２とｐ型ＧａＩ　ｎＡｓコンタクト層１
０との間に所定の電圧が印加されていると、ｎ型Ｇａ１
口Ａｓ光吸収層４に発生したホールはｎ型超格子増倍層
６に注入される。

この注入されたホールは、第２図（ｂ）に示されるよう
に、ｎ型超格子増倍層６のＡｊｌｎＡｓバリア層Ａ１と
ＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１との境界Ｌ１におけるイオン
化の閾値エネルギーＥ＋１とＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ１
とＧａＡｊ　ＩｎＡｓＳｂ遷移領域Ｃ１との境界Ｍ１に
おけるイオン化の閾値エネルギーＥｉ２とはほぼ等ｌ−
いために、これら画境界ＬＬ、Ｍｌにおいてイオン化す
なわちアバランシェを引き起こす。

従って、従来例の少なくとも半分程度のＡ」Ｉ　ｎＡｓ
バリア層Ａ層上１ａＡｓＳｂウェル層Ｂ１との積層数に
おいて、所要の増倍率を得ることができる。このために
超格子増倍層における空乏層体積が従来例の半分になり
、トンネル電流やｇ−ｒ（発生−再結合）を流等の暗を
流成分ら従来例の半分程度に減少して、その分だけ光検
知器としての感度か向上する。また、使用印加電圧も従
来例の半分程度に減少するために、使用上も使い易くな
る。

次に、第３図を用いて、本発明の第２の実施例を説明す
る。

第３図は、超格子増倍層における価電子帯のエネルギー
バンドを示す図である。

上記第１の実施例においては、そのＧａＡＪＩｎＡｓＳ
ｂｉＷ移領域Ｃ１が、ＡＪＩｎＡｓバリア層Ａ１を形成
するＡ　ｊ　ｏ、　＜ａ　Ｉ　ｎ　Ｏ，Ｓ２Ａ　ＳとＧ
ａＡｓＳｂウェル層Ｂ１を形成するＧａＡｓｏ、５Ｓｂ
ｏ、ｓとの混晶（Ａ、Ｑ　ｏ４６Ｉ　１ｏ、、２Ａｓ　
）　ｔ（ＧａＡｓ　　、　　　Ｓｂ　　、　　　）＋（
０，７１≦Ｘ≦１）によって形成されているが、この第
２の実施例におけるＡｌｌ　Ｉ　ｎＡｓ／ＧａＡｓＳｂ
チャープ超格子Ｍ移ｆｎ域Ｃ２は、Ａ】ＩｎＡｓバリア
層Ａ２全Ａ２するＡ１４８Ｉｎｏ、５ｚＡｓとＧａＡｓ
Ｓｂウェル層Ｂ２を形成するＧａＡＳｏ、ｓ　Ｓｂｏ、
ｓとのチャーブ超格子構造によって形成されている。

すなわち、第３図に示されるように、ＡｊＩｎＡ　ｓ　
／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｓ　ｂチャープ超格子＞１　移領
域Ｃ２においてＡＪ　ｏ４ａｌ　ｎ　Ｏ，Ｓ２Ａ　Ｓ層
とＧ　ａ　Ａ　ｓ　ｏ　、　５ｓｂｏ、ｓｌとが交互に
積層されているが、それらの厚さは、ＡＪＩｎＡｓバリ
ア層Ａ２とＡｊＩｎＡ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｓ　
ｂチャープ超格子遷移領域Ｃ２との境界Ｎ２側からＡＮ
　ａ、＜ａ　Ｉ　ｎｏ、ｓ２Ａ　ｓが５５人から５人刻
みに順に減少し、またＧａＡｓｏ、ｓｓｂ、、、が５八
から５人刻みに順に増大して、Ａ、Ｑ　ＩｎＡｓ／Ｇａ
ＡｓＳｂチャープ超格子遷移領域Ｃ２とＧａＡｓＳｂウ
ェル層Ｂ２との境界Ｍ２に達している。ただし、隣り合
うＡ１゜、８１　（１ｏ、　５２Ａ　Ｓ層とＧａＡｓｏ
５Ｓｂ、、、層とを対とする超格子の周期は一定の６０
六に保たれ、所定の周期繰り返されている。

このようなチャープ超格子１１造におけるエネルギーバ
ンドは多数の凹凸形状を生じているが、その平均をとる
と、第３図の破線に表されるように、滑らかな変化とな
る。従って、このようなチャーブ超格子構造を用いて、
境界Ｍ２におけるＡ、１ｌＩｎＡｓ／ＧａＡｓＳｂチヤ
ープ超格子遷移領域Ｃ２の価電子帯のエネルギーレベル
を境界Ｎ２におけるそれよりも約０．２ｅＶ低下させ、
ＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ２とＡＮ　Ｉ　ｎＡｓ／ＧａＡ
ｓ５ｂチヤープ超格子遷移領域Ｃ２との境界Ｍ２におけ
る価電子帯のエネルギー障壁の高さΔＥＶ’か第２図（
ｂ）に示した第１の実施例と同じ約０．５ｅＶとなるよ
うにする。

このようにして、上記第１の実施例と同様に、ＧａＡｓ
Ｓｂウェル層Ｂ２とＡ、ｌｌ　Ｉ　ｎＡｓ／ＧａＡｓＳ
ｂチャーブ超格子遷移領域Ｃ２との境界における価電子
帯のエネルギー障壁の高さΔＥｖ’かＡｊＩｎＡｓバリ
ア層Ａ２とＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ２との境界における
イオン化の閾値エネルギーＥＮとほぼ等しい値をとる。

すなわち、ＡｊＩ　ｎＡｓバリア屑Ａ２とＧａＡｓＳｂ
ウェル層Ｂ２との境界におけるイオン化の閾値エネルギ
ーＥｉ１とＧａＡｓＳｂウェル層Ｂ２とＡ、ｌ！ＩｎＡ
ｓ／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｓ　ｂチャーブ超格子遷移領域
Ｃ２との境界におけるイオン化の閾値エネルギーＥｉ２
とがほぼ等しくなる。

次に、第４図を用いて、本発明の第３の実施例を説明す
る。

第４図は、超格子増倍層における伝導帯のエネルギーバ
ンドを示す図である。

上記第１および第２の実施例では、共にＡｊＴ　ｎＡｓ
バリアＮＪＡＩ、Ａ２とＧａＡｓＳｂウェル層Ｂｌ、Ｂ
２との組合わせで超格子増倍層を構成しているが、第３
の実施例においては、Ｇａ５ｂバリア層Ａ３とＡＪＡｓ
Ｓｂウェル層Ｂ３との組合わせで超格子増倍層を構成し
ている。

ただし、ＡＪ！ＩｎＡｓバリア層Ａｔ、Ａ２とＧａＡｓ
Ｓｂウェル層Ｂｌ、Ｂ２との組合わせの場合、アバラン
シェを引き起こすキャリアは荷電子帯のホールであった
が、第３の実施例によるＧａＳｂバリア層Ａ３とＡｊＡ
ｓＳｂウェル層Ｂ３との組合わせの場合、第４図のエネ
ルギーバンド図に示されるように、伝導帯の電子がアバ
ランシェを引き起こす。

従って、Ｇａｒｂバリア層Ａ３とＡｊ！ＡｓＳｂウェル
層Ｂ３との隣り合う境界において、Ｂ３からＡ３に遷移
する領域にＧａＡＪＡｓＳｂ遷移領域Ｃ３を設け、ＡＪ
ＡｓＳｂウェル層Ｂ３とＧａＡｊＡｓＳｂ遷移領域Ｃ３
との境界Ｍ３における伝導帯のエネルギー障壁の高さΔ
Ｅｖ’をＧａＳｂバリア層Ａ３とＡｊＡｓＳｂウェル層
Ｂ３との境界Ｌ３におけるイオン化の閾値エネルギーと
をほぼ等しくすることによって、電子がＧａＳｂバリア
層Ａ３からＡＪＩＡｓＳｂウェル層Ｂ３へ進入する際の
境界Ｌ３におけるイオン化の閾値エネルギーとＡｊＡｓ
Ｓｂウェル層Ｂ３からＧａＡＪ！　Ａｓ５ｂ遷移領域Ｃ
３へ進入する際の境界Ｍ３におけるイオン化の閾値エネ
ルギーとをほぼ等しくすることができる。

なお、ＧａＳｂバリアＮＪＡ３とＡＪＩＡｓＳｂウェル
層Ｂ３との組合わせの代わりに、Ｃｄ　Ｔ　ｅバリア層
とＣｄ　Ｈｇ　Ｔ　ｅウェル層との組合わせを用いても
よい。

「発明の効果」 以上のように本発明によれば、超格子ｆＭ造を形成する
バリア層とウェル層との隣り合う２つの境界において、
ウェル層がらバリア層へ遷移する領域にバンドギャップ
エネルギーが順次変化する遷移領域を設けることによっ
て、バリアＪ４とウェル層との境界におけるそれぞれの
イオン化の闇値エネルギーとをほぼ等しくすることがで
きる。

これによって、所要の増倍率を得るために必要なバリア
層とウェル層と積層数を半減させ一１低電圧で動作する
ことにより、感度を高めると共に使用上の使い易さを向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の原理説明図、 第２図（ａ）は本発明の第１の実施例による半導体受光
素子の断面を示す断面図、第２図（ｂ）は同半導体受光
素子の超格子増倍層のエネルギーバンドを示す図、 第３図は本発明の第２の実施例による半導体受光素子の
超格子増倍層のエネルギーバンドを示す図、 第４図は本発明の第３の実施例による半導体受光素子の
超格子増倍層のエネルギーバンドを示す図、 第５図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の半導体受光素子
を説明するための図である。 図において、 ２・・・・・・ｎ型１ｎＰ基板、 ４・・・・・・ｎ型Ｇａ　Ｉ　ｎＡｓ光吸収層、６・・
・・・・ｎ型超格子増倍層、 ８・・・・・・Ｐ＋型ＡＪＩｎＡｓバッファ層、１０・
・・・・・Ｐ＋型Ｇａ　Ｉ　ｎＡｓコンタクト層、Ａ、
Ａ４・・・・・・バリア層、 Ａｌ　、Ａ２・＝−ＡＮ　Ｉ　ｎＡｓバリア層、Ａ３・
・・・・・Ｇａｒｂバリア層、 Ｂ、８４・・・・・・ウェル層、 Ｂ１．Ｂ２−−・−ＧａＡｓＳｂウェル層、Ｂ３・・・
・・・ＡＪＡｓＳｂウェル層、Ｃ・・・・・・遷移領域
、 Ｃ１−−−−−−ＧａＡＩ　ＩｎＡｓ５ｂ３Ｗ移領域、
Ｃ２−−−−−−Ａｊ　Ｉ　ｎＡｓ／ＧａＡｓＳｂチャ
ープ超格子遷移＠域、 Ｃ３＝−−−−ＧａＡｊ　ＡｓＳｂ３ｍ移領域、Ｌ、　
　Ｌｌ、　　Ｌ３．　　Ｌ４．Ｍ、Ｍｌ、　　Ｍ、２．
Ｍ３゜Ｍ４．Ｎ、Ｎｌ、Ｎ２・・・・・・境界。 し Ａバリア層 Ｂつ創し層 Ｃ遷移τ釦或 り、Ｍ、Ｎ　：を見Ｒ イ（埋入　弁理士　　　井　　桁　　貞距離 空弁日月の原ｉｉ説日月図 第１図 あよひその超＋増侶層のエネルキーハ“／１・を示百口
第２図 １硲２．Ｎ２壜界 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ウェル層とバリア層とが交互に積層されている超格
   子構造を有する半導体受光素子において、 ウェル層からバリア層へ移る第１の境界に遷移領域を設
   けて、当該第１の境界におけるイオン化の閾値エネルギ
   ーをバリア層からウェル層へ移る第２の境界におけるイ
   オン化の閾値エネルギーとほぼ同等にせしめる ことを特徴とする半導体受光素子。 ２、請求項１記載の半導体受光素子において、前記遷移
   領域が、前記バリア層を形成する物質と前記ウェル層を
   形成する物質との混晶によって形成されていることを特
   徴とする半導体受光素子。 ３、請求項１記載の半導体受光素子において、前記遷移
   領域が、前記バリア層を形成する物質と前記ウェル層を
   形成する物質とのチャープ超格子によって形成されてい
   ることを特徴とする半導体受光素子。