JPH01144687A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH01144687A JPH01144687A JP62303523A JP30352387A JPH01144687A JP H01144687 A JPH01144687 A JP H01144687A JP 62303523 A JP62303523 A JP 62303523A JP 30352387 A JP30352387 A JP 30352387A JP H01144687 A JPH01144687 A JP H01144687A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は低雑音・高速応答を示すアバランシ・フォート
タイオートに関する。
タイオートに関する。
（従来の技術）
現在、光通信用半導体受光素子としてＩｎＯ，５３Ｇａ
Ｏ，４７Ａｓを用いたアバランシ・フォトダイオード（
以下ＡＰＤと略す）の研究開発か進められている。低雑
音・高速応答を実現するために、第２図に示す様な構造
が採用されている。第２図（ａ）において、１はｎ＋−
Ｉｎｐは基板、２はｎ−Ｉｎｐバッファ層、３はｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層、
５はｎ−Ｉｎｐアバランシ増倍層、５′はアバランシ増
倍層ＴｎＰ中に選択的に設けられたＰ型導電領域である
。かかる構造において、逆バイアス電圧を印加し５た動
作時は、第２図（ｂ）に示すようなバンド図になってい
る。このハンド図は第２図（ａ）の八−Ａ ’間におけ
るものである。第２図（ｂ）に示した様に光入射によっ
て光吸収層３で発生した電子−正孔キャリア対のうち正
孔のみがアバランシ増倍領域５へ注入される。ここで中
間層４はＩｎＰ ５とＩｎＧａＡｓ ３との価電子帯不
連続ΔＥｖ（０，４〜０ 、６ｅＶ ）を２分割して正
孔かへテロ界面に蓄積する影響を抑制するために導入さ
れている。
Ｏ，４７Ａｓを用いたアバランシ・フォトダイオード（
以下ＡＰＤと略す）の研究開発か進められている。低雑
音・高速応答を実現するために、第２図に示す様な構造
が採用されている。第２図（ａ）において、１はｎ＋−
Ｉｎｐは基板、２はｎ−Ｉｎｐバッファ層、３はｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層、
５はｎ−Ｉｎｐアバランシ増倍層、５′はアバランシ増
倍層ＴｎＰ中に選択的に設けられたＰ型導電領域である
。かかる構造において、逆バイアス電圧を印加し５た動
作時は、第２図（ｂ）に示すようなバンド図になってい
る。このハンド図は第２図（ａ）の八−Ａ ’間におけ
るものである。第２図（ｂ）に示した様に光入射によっ
て光吸収層３で発生した電子−正孔キャリア対のうち正
孔のみがアバランシ増倍領域５へ注入される。ここで中
間層４はＩｎＰ ５とＩｎＧａＡｓ ３との価電子帯不
連続ΔＥｖ（０，４〜０ 、６ｅＶ ）を２分割して正
孔かへテロ界面に蓄積する影響を抑制するために導入さ
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
この正孔蓄積はＡＰＤの応答特性に大きく影響する。即
ち、特に増倍率の低いときには、蓄積された正孔が価電
子帯不連続ポテンシャル壁を乗り越える緩和時間で応答
速度が制限される。正孔蓄積による応答制限は単に中間
層４を挿入したたけでは大きくは改善されない。これは
以下の理由による。
ち、特に増倍率の低いときには、蓄積された正孔が価電
子帯不連続ポテンシャル壁を乗り越える緩和時間で応答
速度が制限される。正孔蓄積による応答制限は単に中間
層４を挿入したたけでは大きくは改善されない。これは
以下の理由による。
通常１ｎＰとＩｎＧａＡｓとの価電子帯不連続ΔＥｖに
よるポテンシャル障壁を緩和するために、波長１．３μ
ｍに相当する禁制帯幅を有するＴｎＧａＡｓＰを中間層
として導入するが、それでもれなおＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓＰとのΔＥｖは〜０ 、２５ｅＶ 、 Ｉ ｎＧａＡ
ｓＰとＩ ’ｎ Ｇ ａ Ａ ｓとのΔＥｖは〜０ 、
２ｅＶである。これらのポテンシャルを正孔が乗り越え
てＩｎＰアバランシ領域に走行するには、降伏電圧印加
時のへテロ界面電界強度として２００ Ｋ Ｖ ／ ｃ
ｍ程度を要する。しかしながら、特に降伏電圧に達しな
いバイアス印加時、即ち増倍率が低い（増倍率〈５）場
合には電界強度は更に小さくなり、従って０．２５ｅＶ
程度の△Ｅｖポテンシャル障壁を正孔は乗り越えられな
くなる。また増倍率の低い場合の電界強度を２００ Ｋ
Ｖ ／ ｃｍ程度に設定しても降伏電圧印加時にはそ
れが２５０ＫＶ／ｃｍ程度になってしまう。この場合に
はＩｎＧａＡｓ ３からのトンネル暗電流が発生し、こ
れはＡＰＤの雑音原因となってしまう。ポテンシャル障
壁を小さくするために、多種類の禁制帯幅を有するＩｎ
ＧａＡｓＰ中間層を挿入して、ヘテロ界面における価電
子帯不連続を多段の階段状にする事が有効であるが、こ
の場合ＩｎＰに格子整合ししかも組成が異なる ＩｎＧ
ａＡｓＰを多く積層することになり、結晶成長の困難を
引き起こす。
よるポテンシャル障壁を緩和するために、波長１．３μ
ｍに相当する禁制帯幅を有するＴｎＧａＡｓＰを中間層
として導入するが、それでもれなおＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓＰとのΔＥｖは〜０ 、２５ｅＶ 、 Ｉ ｎＧａＡ
ｓＰとＩ ’ｎ Ｇ ａ Ａ ｓとのΔＥｖは〜０ 、
２ｅＶである。これらのポテンシャルを正孔が乗り越え
てＩｎＰアバランシ領域に走行するには、降伏電圧印加
時のへテロ界面電界強度として２００ Ｋ Ｖ ／ ｃ
ｍ程度を要する。しかしながら、特に降伏電圧に達しな
いバイアス印加時、即ち増倍率が低い（増倍率〈５）場
合には電界強度は更に小さくなり、従って０．２５ｅＶ
程度の△Ｅｖポテンシャル障壁を正孔は乗り越えられな
くなる。また増倍率の低い場合の電界強度を２００ Ｋ
Ｖ ／ ｃｍ程度に設定しても降伏電圧印加時にはそ
れが２５０ＫＶ／ｃｍ程度になってしまう。この場合に
はＩｎＧａＡｓ ３からのトンネル暗電流が発生し、こ
れはＡＰＤの雑音原因となってしまう。ポテンシャル障
壁を小さくするために、多種類の禁制帯幅を有するＩｎ
ＧａＡｓＰ中間層を挿入して、ヘテロ界面における価電
子帯不連続を多段の階段状にする事が有効であるが、こ
の場合ＩｎＰに格子整合ししかも組成が異なる ＩｎＧ
ａＡｓＰを多く積層することになり、結晶成長の困難を
引き起こす。
本発明の目的は、ヘテロ界面電界強度の低い、即ち増倍
率の低い場合においても高速応答可能なアバランシ・フ
ォトダイオードを提供することである。
率の低い場合においても高速応答可能なアバランシ・フ
ォトダイオードを提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は少なくとも光吸収層と該光吸収層よりも広い禁
制帯幅を有するアバランシ増倍層を有し、該アバランシ
増倍層中に選択的にＰｎ接合を設けた半導体受光素子に
おいて、該光吸収層と該アバランシ増倍層との間に、禁
制帯幅が光吸収層とアバランシ増倍層との中間値を有す
る第１の半導体中間層及び、第１の半導体中間層を挾み
込む少なくとも２種類の多重量子井戸層を含んで構成さ
れる。
制帯幅を有するアバランシ増倍層を有し、該アバランシ
増倍層中に選択的にＰｎ接合を設けた半導体受光素子に
おいて、該光吸収層と該アバランシ増倍層との間に、禁
制帯幅が光吸収層とアバランシ増倍層との中間値を有す
る第１の半導体中間層及び、第１の半導体中間層を挾み
込む少なくとも２種類の多重量子井戸層を含んで構成さ
れる。
（作用）
本発明は上述の方法により、従来の欠点を解決した。以
下、図を用いて詳細に説明する。従来例との比較のため
、ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ系について説明するが、他の
半導体材料に対しても全く同様である。
下、図を用いて詳細に説明する。従来例との比較のため
、ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ系について説明するが、他の
半導体材料に対しても全く同様である。
第１図に示すように、第１のＩｎＧａＡｓＰ中間層４と
これを挾んだ２つの多重量子井戸層４′及び４”で全体
の中間層か構成される。第１図（ｂ）にＡ−Ａ ’間の
バンド図を示す。多重量子井戸にする事により、その実
効的な価電子帯端は図中点線で示すようになり、従って
中間層は、第１の中間層４を含め、みかけ上３層の異な
る禁制帯幅をもっＩｎＧａＡｓＰで構成される。これに
より、］−段あたりの価電子帯不連続が従来の１層１ｎ
ＧａＡｓＰ中間層の場合に比べて小さくなり、従って低
電界時或いは増倍率の小さい場合の正孔蓄積は緩和され
る。
これを挾んだ２つの多重量子井戸層４′及び４”で全体
の中間層か構成される。第１図（ｂ）にＡ−Ａ ’間の
バンド図を示す。多重量子井戸にする事により、その実
効的な価電子帯端は図中点線で示すようになり、従って
中間層は、第１の中間層４を含め、みかけ上３層の異な
る禁制帯幅をもっＩｎＧａＡｓＰで構成される。これに
より、］−段あたりの価電子帯不連続が従来の１層１ｎ
ＧａＡｓＰ中間層の場合に比べて小さくなり、従って低
電界時或いは増倍率の小さい場合の正孔蓄積は緩和され
る。
また、結晶成長の立場がらも、わずが１組成のＩｎＧａ
ＡｓＰのみで実効的に３つの組成のＩｎＧａＡｓＰ層を
成長する事に対応するので、エピタキシャル成長が容易
となる。
ＡｓＰのみで実効的に３つの組成のＩｎＧａＡｓＰ層を
成長する事に対応するので、エピタキシャル成長が容易
となる。
（実施例）
第１図（ａ）において、ＡＰＤは、ｎ＋−１ｎＰ基板１
の上に、ハイドライドＶＰＥ （気相成長）法により順
次積層したｎ−ＴｎＰバッファ層（〜１−μｍ厚）２．
３〜５×１０１５ｃｍ−３キャリア濃度のｎ−Ｉｎ０．
５３ＧａＯ，４７八Ｓ光吸収層（〜３μｍ厚）３、禁制
帯幅０．９２ｅＶのＩｎＧａＡｓＰとＩｎＧａＡｓとの
多重量子井戸＜５０へ１５〇八×１０周期）４“、禁制
帯幅０．９２ｅ、ＶのＩｎＧａＡｓＰ中間層（〜Ｏ，Ｉ
μｍ厚）４、Ｉｎｐと禁制帯幅０．９２ｅＶのＩｎＧａ
ＡｓＰとの多重量子井戸＜５０Ａ１５０ＡＸ １０周期
）じ、２〜３Ｘ１０１６ｃｍづキャリア濃度のｎ−１ｎ
Ｐアバラン−６＝ シ層５を含む。光吸収層３に近接する多重量子井戸４゛
は中間層４及び光吸収層３を構成するのと同し種類の半
導体層で構成され、一方アバランシ層５に近接する多重
量子井戸４”中間層４及びアバランシ層５を構成するの
と同じ種類の半導体層で構成されている。本実施例の多
重量子井戸４“４”の実効的禁制帯幅はそれぞれ、中間
層４と光吸収層３及び中間層４とアバランシ層５の中間
である。更に、ｎｌｎＰ層５には、表面から見て円形も
しくは卵形に選択的に設けられたＰ＋型導電領域５′、
Ｐ＋領域周縁部にリング状に設けられたＰ−型導電領域
であるがガードリング５”を含む。Ｐ側電極７はＰ＋型
導電領域５′内に選択的に窓あけされた反射防止膜６を
通してリング状にに設けられ、ｎ側電極８は基板１の裏
面全面に形成されている。各エピタキシャル層の成長は
７００°Ｃで行った。エピタキシャル層構造が形成され
た後、ベリリウムイオン注入によってカードリング５”
を形成し、しかる後、亜鉛の熱拡散によりＰ＋型領域５
゛を設けている。反射防止膜６はプラズマＣＶ’Ｄ法に
より、ＳｉＮｘ膜を堆積している。Ｐ側及びｎ側電極は
各々、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／及びＡｕＧｅ／Ｎｉである。
の上に、ハイドライドＶＰＥ （気相成長）法により順
次積層したｎ−ＴｎＰバッファ層（〜１−μｍ厚）２．
３〜５×１０１５ｃｍ−３キャリア濃度のｎ−Ｉｎ０．
５３ＧａＯ，４７八Ｓ光吸収層（〜３μｍ厚）３、禁制
帯幅０．９２ｅＶのＩｎＧａＡｓＰとＩｎＧａＡｓとの
多重量子井戸＜５０へ１５〇八×１０周期）４“、禁制
帯幅０．９２ｅ、ＶのＩｎＧａＡｓＰ中間層（〜Ｏ，Ｉ
μｍ厚）４、Ｉｎｐと禁制帯幅０．９２ｅＶのＩｎＧａ
ＡｓＰとの多重量子井戸＜５０Ａ１５０ＡＸ １０周期
）じ、２〜３Ｘ１０１６ｃｍづキャリア濃度のｎ−１ｎ
Ｐアバラン−６＝ シ層５を含む。光吸収層３に近接する多重量子井戸４゛
は中間層４及び光吸収層３を構成するのと同し種類の半
導体層で構成され、一方アバランシ層５に近接する多重
量子井戸４”中間層４及びアバランシ層５を構成するの
と同じ種類の半導体層で構成されている。本実施例の多
重量子井戸４“４”の実効的禁制帯幅はそれぞれ、中間
層４と光吸収層３及び中間層４とアバランシ層５の中間
である。更に、ｎｌｎＰ層５には、表面から見て円形も
しくは卵形に選択的に設けられたＰ＋型導電領域５′、
Ｐ＋領域周縁部にリング状に設けられたＰ−型導電領域
であるがガードリング５”を含む。Ｐ側電極７はＰ＋型
導電領域５′内に選択的に窓あけされた反射防止膜６を
通してリング状にに設けられ、ｎ側電極８は基板１の裏
面全面に形成されている。各エピタキシャル層の成長は
７００°Ｃで行った。エピタキシャル層構造が形成され
た後、ベリリウムイオン注入によってカードリング５”
を形成し、しかる後、亜鉛の熱拡散によりＰ＋型領域５
゛を設けている。反射防止膜６はプラズマＣＶ’Ｄ法に
より、ＳｉＮｘ膜を堆積している。Ｐ側及びｎ側電極は
各々、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／及びＡｕＧｅ／Ｎｉである。
本実施例では半導体材料としてＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ
系を用いたがＩｎＰ／ＡｌＧａ１ｎＡｓ系や、ＩｎＰ／
Ａ ｌＧａＡｓ５ｂ系でもよい。
系を用いたがＩｎＰ／ＡｌＧａ１ｎＡｓ系や、ＩｎＰ／
Ａ ｌＧａＡｓ５ｂ系でもよい。
（発明の効果）
前記、実施例によって作製された本発明のＡＰＤの応答
特性を調べた。第３図（ａ＞は２Ｇｂ／ｓパルス応答の
アイパターンを示している。応答特性の目安として、符
号量干渉量Ｐａ／Ｐ１で評価した。
特性を調べた。第３図（ａ＞は２Ｇｂ／ｓパルス応答の
アイパターンを示している。応答特性の目安として、符
号量干渉量Ｐａ／Ｐ１で評価した。
第３図（ｂ）は、増倍率Ｍに対するＰ。／ｐ＋量を示し
ている。本発明によるＡＰＤは、低増倍率においてもＰ
ｏ／Ｐ１＜０．１で高速応答を示した。即ち、従来のＡ
ＰＤ （図の点線〉に比べ、広い増倍率範囲で動作する
ＡＰＤが本発明によって得られた。
ている。本発明によるＡＰＤは、低増倍率においてもＰ
ｏ／Ｐ１＜０．１で高速応答を示した。即ち、従来のＡ
ＰＤ （図の点線〉に比べ、広い増倍率範囲で動作する
ＡＰＤが本発明によって得られた。
図は本発明の効果の一例でパルス応答のアイパターンと
符号量干渉量の増倍率依存性を示す図である。図におい
て、 １、半導体基板、２．１と同種の半導体バッファ層、３
、光吸収層、４．第１の半導体中間層、４゛４”、多重
量子井戸層、５．アバランシ増倍層、５′、Ｐ＋型導電
領域、５”、ガードリング、６１反射防止膜、７、 Ｐ
側電極、Ｂ、 ｎ側電極 である。
符号量干渉量の増倍率依存性を示す図である。図におい
て、 １、半導体基板、２．１と同種の半導体バッファ層、３
、光吸収層、４．第１の半導体中間層、４゛４”、多重
量子井戸層、５．アバランシ増倍層、５′、Ｐ＋型導電
領域、５”、ガードリング、６１反射防止膜、７、 Ｐ
側電極、Ｂ、 ｎ側電極 である。
Claims (2)
- （１）少なくとも光吸収層と該光吸収層よりも広い禁制
帯幅を有するアバランシ増倍層を有し、該アバランシ増
倍層中に選択的にｐｎ接合を設けた半導体受光素子にお
いて、該光吸収層と該アバランシ増倍層との間に、禁制
帯幅が光吸収層とアバランシ増倍層の中間値を有する第
１の半導体中間層、及び第１の半導体中間層を挾み込む
多重量子井戸層を含んで構成される半導体受光素子。 - （２）多重量子井戸層のうち、アバランシ増倍層に近接
するそれがアバランシ層及び第１の半導体中間層と同種
の半導体で構成され、かつ光吸収層に近接する他方の多
重量子井戸が、光吸収層及び第１の半導体中間層と同種
の半導体で構成されている特許請求範囲第一項に記載の
半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303523A JPH01144687A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303523A JPH01144687A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144687A true JPH01144687A (ja) | 1989-06-06 |
Family
ID=17922014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303523A Pending JPH01144687A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01144687A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075750A (en) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Avalanche photodiode with adjacent layers |
| JPH042176A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5204539A (en) * | 1991-01-28 | 1993-04-20 | Nec Corporation | Avalanche photodiode with hetero-periodical structure |
| WO2020189179A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および受光素子の製造方法ならびに撮像装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215084A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS61294879A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-25 | トムソン‐セーエスエフ | アバランシユ半導体光電検出素子の作製方法とそのようにして作製された素子 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62303523A patent/JPH01144687A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215084A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS61294879A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-25 | トムソン‐セーエスエフ | アバランシユ半導体光電検出素子の作製方法とそのようにして作製された素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075750A (en) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Avalanche photodiode with adjacent layers |
| JPH042176A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5187553A (en) * | 1990-04-18 | 1993-02-16 | Nec Corporation | Avalanche photodiode having a thin multilayer superlattice structure sandwiched between barrier and well layers to reduce energy loss |
| US5204539A (en) * | 1991-01-28 | 1993-04-20 | Nec Corporation | Avalanche photodiode with hetero-periodical structure |
| WO2020189179A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および受光素子の製造方法ならびに撮像装置 |
| US11804561B2 (en) | 2019-03-20 | 2023-10-31 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element, method of manufacturing light receiving element, and imaging apparatus |
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