JPH04299874A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH04299874A JPH04299874A JP3064266A JP6426691A JPH04299874A JP H04299874 A JPH04299874 A JP H04299874A JP 3064266 A JP3064266 A JP 3064266A JP 6426691 A JP6426691 A JP 6426691A JP H04299874 A JPH04299874 A JP H04299874A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理、
光計測等で用いられる半導体受光素子に関し、特に、低
雑音及び高速応答に優れたアバランシェ増倍型半導体受
光素子に関するものである。
光計測等で用いられる半導体受光素子に関し、特に、低
雑音及び高速応答に優れたアバランシェ増倍型半導体受
光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、波長1〜1.6μm帯の光通信用
半導体受光素子として、InP基板上に格子整合したI
n0.53Ga0.47As層(以下InGaAs層と
略す)を光吸収層とするPIN型半導体受光素子(エレ
クトロニクス・レターズ(Electronics
Letters)1984年、20巻、pp653−6
54に記載)、アバランシェ増倍型半導体受光素子(ア
イ イーイーイー・エレクトロンデバイス・レターズ
(IEEE.Electron.Device.Let
ters)1986年、7巻、pp257−258に記
載)が知られている。特に、後者は、アバランシェ増倍
作用による内部利得効果及び高速応答を有する点で、長
距離通信用として実用化されている。
半導体受光素子として、InP基板上に格子整合したI
n0.53Ga0.47As層(以下InGaAs層と
略す)を光吸収層とするPIN型半導体受光素子(エレ
クトロニクス・レターズ(Electronics
Letters)1984年、20巻、pp653−6
54に記載)、アバランシェ増倍型半導体受光素子(ア
イ イーイーイー・エレクトロンデバイス・レターズ
(IEEE.Electron.Device.Let
ters)1986年、7巻、pp257−258に記
載)が知られている。特に、後者は、アバランシェ増倍
作用による内部利得効果及び高速応答を有する点で、長
距離通信用として実用化されている。
【0003】図8に、典型的なInGaAs−APDの
構造図(アバランシェ増倍型半導体受光素子は以下AP
Dと略す。)を示す。動作原理は、InGaAs光吸収
層3で発生した光キャリアの中で、正孔キャリアが電界
によりInPアバランシェ層4に注入される。InPア
バランシェ層4は、高電界が印加されているのでイオン
化衝突が生じ、増倍特性に至る。この場合、素子特性上
重要な雑音・高速応答特性は、増倍過程でのキャリアの
ランダムなイオン化プロセスに支配されていることが知
られている。具体的には、増倍層であるInP層の電子
と正孔のイオン化率に差がある程、イオン化率比が大き
くとれ(電子及び正孔のイオン化率をそれぞれα、βと
すると、α/β>1の時には電子、β/α>1の時には
正孔が、イオン化衝突を起こす主キャリアとなるべきで
ある。)、素子特性上望ましい。ところが、イオン化率
比(α/βまたはβ/α)は、材料物性的に決定されて
おり、InPでは高々β/α=2程度である。これは、
低雑音特性を有するSiのα/β=20と大きな違いが
あり、より低雑音及び高速応答特性を実現するために、
画期的な材料技術が要求されている。
構造図(アバランシェ増倍型半導体受光素子は以下AP
Dと略す。)を示す。動作原理は、InGaAs光吸収
層3で発生した光キャリアの中で、正孔キャリアが電界
によりInPアバランシェ層4に注入される。InPア
バランシェ層4は、高電界が印加されているのでイオン
化衝突が生じ、増倍特性に至る。この場合、素子特性上
重要な雑音・高速応答特性は、増倍過程でのキャリアの
ランダムなイオン化プロセスに支配されていることが知
られている。具体的には、増倍層であるInP層の電子
と正孔のイオン化率に差がある程、イオン化率比が大き
くとれ(電子及び正孔のイオン化率をそれぞれα、βと
すると、α/β>1の時には電子、β/α>1の時には
正孔が、イオン化衝突を起こす主キャリアとなるべきで
ある。)、素子特性上望ましい。ところが、イオン化率
比(α/βまたはβ/α)は、材料物性的に決定されて
おり、InPでは高々β/α=2程度である。これは、
低雑音特性を有するSiのα/β=20と大きな違いが
あり、より低雑音及び高速応答特性を実現するために、
画期的な材料技術が要求されている。
【0004】これに対し、カパッソ(F.Capass
o)らは、伝導帯のバンド不連続エネルギー(ΔEc
)を電子のイオン化促進に利用し、イオン化率比α/β
の増大による高感度・高帯域を目的とした超格子APD
を提案している。その例は、アプライド・フィジックス
・レターズ(Appl.Phys.Lett.),19
82年、40巻、p38に記載されている。
o)らは、伝導帯のバンド不連続エネルギー(ΔEc
)を電子のイオン化促進に利用し、イオン化率比α/β
の増大による高感度・高帯域を目的とした超格子APD
を提案している。その例は、アプライド・フィジックス
・レターズ(Appl.Phys.Lett.),19
82年、40巻、p38に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の欄で述べ
たように、超格子APDでは、伝導帯のバンド不連続エ
ネルギー(ΔEc )の値が、イオン化率比の改善に大
きく寄与する。しかしながら、このΔEc は、ヘテロ
周期構造に用いる半導体材料に依って一義的に決ってし
まう。
たように、超格子APDでは、伝導帯のバンド不連続エ
ネルギー(ΔEc )の値が、イオン化率比の改善に大
きく寄与する。しかしながら、このΔEc は、ヘテロ
周期構造に用いる半導体材料に依って一義的に決ってし
まう。
【0006】また、超格子APDにおいては、価電子帯
のバンド不連続エネルギー(ΔEv においてホールが
パイルアップされ、帯域が抑圧されているという弊害も
ある。これを防ぐために、該ヘテロ周期構造をInAl
As/InGaAsPあるいは、AlGaAsSb/A
lGaInAs等で形成し、ΔEv を0にすることが
できるが、反面ΔEc が減少しイオン化率比が低下し
てしまう。
のバンド不連続エネルギー(ΔEv においてホールが
パイルアップされ、帯域が抑圧されているという弊害も
ある。これを防ぐために、該ヘテロ周期構造をInAl
As/InGaAsPあるいは、AlGaAsSb/A
lGaInAs等で形成し、ΔEv を0にすることが
できるが、反面ΔEc が減少しイオン化率比が低下し
てしまう。
【0007】本発明の目的は、上述の課題を解決し、低
雑音かつ高速応答を有するアバランシェ増倍型半導体受
光素子を提供することにある。
雑音かつ高速応答を有するアバランシェ増倍型半導体受
光素子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の受光素子は、半
導体基板上に、光吸収層、ヘテロ周期構造アバランシェ
増倍半導体層を備える半導体受光素子において、該ヘテ
ロ周期構造アバランシェ増倍層を構成する障壁層が電子
透過防止層及び多重量子障壁の2領域で形成され、且つ
、該電子透過防止層及び2つの半導体層からなる多重量
子障壁の障壁層のIII族原子の平均イオン化エネルギ
ーをEA 、禁制帯幅をEgA、 またアバランシェ増
倍層を構成する井戸層のIII族原子の平均イオン化エ
ネルギーをEB 、禁制帯幅をEgBとした場合、EA
<EB および EA +EgA<EB +E
gBが成り立つことを特徴とする。
導体基板上に、光吸収層、ヘテロ周期構造アバランシェ
増倍半導体層を備える半導体受光素子において、該ヘテ
ロ周期構造アバランシェ増倍層を構成する障壁層が電子
透過防止層及び多重量子障壁の2領域で形成され、且つ
、該電子透過防止層及び2つの半導体層からなる多重量
子障壁の障壁層のIII族原子の平均イオン化エネルギ
ーをEA 、禁制帯幅をEgA、 またアバランシェ増
倍層を構成する井戸層のIII族原子の平均イオン化エ
ネルギーをEB 、禁制帯幅をEgBとした場合、EA
<EB および EA +EgA<EB +E
gBが成り立つことを特徴とする。
【0009】また、本発明の受光素子は、請求項1の受
光素子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層
を構成する障壁層がInAlAs電子透過防止層及びI
nAlAs/InGaAsP多重量子障壁層の2領域で
形成され、アバランシェ増倍層を構成する井戸層がIn
GaAsPで形成され、且つ、その両方の価電子帯のエ
ネルギー差が0に近いことを特徴とする。
光素子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層
を構成する障壁層がInAlAs電子透過防止層及びI
nAlAs/InGaAsP多重量子障壁層の2領域で
形成され、アバランシェ増倍層を構成する井戸層がIn
GaAsPで形成され、且つ、その両方の価電子帯のエ
ネルギー差が0に近いことを特徴とする。
【0010】あるいは、本発明の受光素子は、半導体基
板上に、光吸収層、ヘテロ周期構造アバランシェ増倍半
導体層を備える半導体受光素子において、該ヘテロ周期
構造アバランシェ増倍層を構成する障壁層が電子透過防
止層及び多重量子障壁の2領域で形成され、且つ、該電
子透過防止層及び2つの半導体層からなる多重量子障壁
の障壁層のIII族原子の平均イオン化エネルギーをE
C 、禁制帯幅をEgC、またアバランシェ増倍層を構
成する井戸層のIII族原子の平均イオン化エネルギー
をED 、禁制帯幅をEgDとした場合、 EC <ED および EC +EgC<ED
+EgDが成り立つことを特徴とする。
板上に、光吸収層、ヘテロ周期構造アバランシェ増倍半
導体層を備える半導体受光素子において、該ヘテロ周期
構造アバランシェ増倍層を構成する障壁層が電子透過防
止層及び多重量子障壁の2領域で形成され、且つ、該電
子透過防止層及び2つの半導体層からなる多重量子障壁
の障壁層のIII族原子の平均イオン化エネルギーをE
C 、禁制帯幅をEgC、またアバランシェ増倍層を構
成する井戸層のIII族原子の平均イオン化エネルギー
をED 、禁制帯幅をEgDとした場合、 EC <ED および EC +EgC<ED
+EgDが成り立つことを特徴とする。
【0011】また、本発明の受光素子は、請求項3の受
光素子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層
を構成する障壁層がAlGaAsSb電子透過防止層及
びAlGaAsSb/AlGaInAs多重量子障壁層
の2領域で形成され、アバランシェ増倍層を構成する井
戸層がAlGaAsSbで形成され、且つ、その両方の
価電子帯のエネルギー差が0に近いことを特徴とする。
光素子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層
を構成する障壁層がAlGaAsSb電子透過防止層及
びAlGaAsSb/AlGaInAs多重量子障壁層
の2領域で形成され、アバランシェ増倍層を構成する井
戸層がAlGaAsSbで形成され、且つ、その両方の
価電子帯のエネルギー差が0に近いことを特徴とする。
【0012】
【作用】図1は、本発明の第1の受光素子のバンド構造
である。アバランシェ増倍層はヘテロ周期構造からなり
、上述のバンド構造を満たす具体例として、一例として
、アバランシェ増倍層を構成する障壁層にInx Al
1−x As(0≦x≦1)、井戸層にIny Ga1
−y As(0≦y≦1)、を用いている。該ヘテロ周
期構造の障壁層には、InAlAs電子透過防止層及び
InAlAs/InGaAs多重量子障壁層の2つの領
域から構成されている。これより、走行する電子は、多
重量子障壁で得たエネルギーΔEMQB 及びInAl
AsとInGaAsの伝導帯エネルギー差ΔEC を一
度に感じるので、大きなイオン化エネルギーを得ること
が出来る。
である。アバランシェ増倍層はヘテロ周期構造からなり
、上述のバンド構造を満たす具体例として、一例として
、アバランシェ増倍層を構成する障壁層にInx Al
1−x As(0≦x≦1)、井戸層にIny Ga1
−y As(0≦y≦1)、を用いている。該ヘテロ周
期構造の障壁層には、InAlAs電子透過防止層及び
InAlAs/InGaAs多重量子障壁層の2つの領
域から構成されている。これより、走行する電子は、多
重量子障壁で得たエネルギーΔEMQB 及びInAl
AsとInGaAsの伝導帯エネルギー差ΔEC を一
度に感じるので、大きなイオン化エネルギーを得ること
が出来る。
【0013】図3には、その多重量子障壁およびバルク
界面における電子反射率の計算例を示す。多重量子障壁
に入射した電子は、干渉効果により多重量子障壁を構成
する半導体のヘテロ障壁以上のエネルギーを有している
場合にも、有限の反射率を感じる。つまり、実効的なヘ
テロ障壁の増大を図ることができる。図3は、InAl
As/InGaAsの多重量子障壁の計算例の一例であ
る。この図3から、電子の反射率は、古典障壁の1.7
倍まで増大することが分かる。
界面における電子反射率の計算例を示す。多重量子障壁
に入射した電子は、干渉効果により多重量子障壁を構成
する半導体のヘテロ障壁以上のエネルギーを有している
場合にも、有限の反射率を感じる。つまり、実効的なヘ
テロ障壁の増大を図ることができる。図3は、InAl
As/InGaAsの多重量子障壁の計算例の一例であ
る。この図3から、電子の反射率は、古典障壁の1.7
倍まで増大することが分かる。
【0014】動作原理は、図1において、まずInGa
As光吸収層で発生した光キャリアの中で、電子キャリ
アのみが逆電界によりヘテロ構造アバランシェ増倍層に
注入される。このとき、通常の超格子APDの場合、注
入された電子は、該ヘテロ周期構造の伝導帯の不連続エ
ネルギー(ΔEC )を感じて、イオン化が促進される
。 しかしがら、本発明による多重量子障壁を備えた障壁層
を有するアバランシェ増倍層においては、上述したよう
に実効的なヘテロ障壁の増大ΔEMQB が得られるの
で、更に大きなエネルギー差を感じて、イオン化率の促
進が図れる。しかも、価電子帯を奏功する正孔は、その
質量が電子に比べ大きいので、該多重量子障壁を感じず
、即ち一方的な電子の増倍を促進することができる。こ
れより、図8の従来例のAPDより、高感度低雑音特性
を有するを得ることができる。
As光吸収層で発生した光キャリアの中で、電子キャリ
アのみが逆電界によりヘテロ構造アバランシェ増倍層に
注入される。このとき、通常の超格子APDの場合、注
入された電子は、該ヘテロ周期構造の伝導帯の不連続エ
ネルギー(ΔEC )を感じて、イオン化が促進される
。 しかしがら、本発明による多重量子障壁を備えた障壁層
を有するアバランシェ増倍層においては、上述したよう
に実効的なヘテロ障壁の増大ΔEMQB が得られるの
で、更に大きなエネルギー差を感じて、イオン化率の促
進が図れる。しかも、価電子帯を奏功する正孔は、その
質量が電子に比べ大きいので、該多重量子障壁を感じず
、即ち一方的な電子の増倍を促進することができる。こ
れより、図8の従来例のAPDより、高感度低雑音特性
を有するを得ることができる。
【0015】図2は、本発明の請求項3の受光素子のバ
ンドン構造である。アバランシェ増倍層はヘテロ周期構
造からなり、上述のバンド構造を満たす具体例として、
一例として、第1の半導体にAlx Ga1−x As
y Sb1−y (0≦x≦1)(0≦y≦1)、第2
の半導体にInz Ga1−z As(0≦z≦1)を
用いている。該ヘテロ周期構造の障壁層は、AlGaA
sSb電子透過防止層及びAlGaAsSb/InGa
As多重量子障壁層の2つの領域から構成されている。 これより、走行する電子は、多重量子障壁で得たΔEM
QB 及びAlGaAsSbとInGaAsの伝導帯エ
ネルギー差ΔEC を一度に感じるので、大きなイオン
化エネルギーを得ることが出来る。
ンドン構造である。アバランシェ増倍層はヘテロ周期構
造からなり、上述のバンド構造を満たす具体例として、
一例として、第1の半導体にAlx Ga1−x As
y Sb1−y (0≦x≦1)(0≦y≦1)、第2
の半導体にInz Ga1−z As(0≦z≦1)を
用いている。該ヘテロ周期構造の障壁層は、AlGaA
sSb電子透過防止層及びAlGaAsSb/InGa
As多重量子障壁層の2つの領域から構成されている。 これより、走行する電子は、多重量子障壁で得たΔEM
QB 及びAlGaAsSbとInGaAsの伝導帯エ
ネルギー差ΔEC を一度に感じるので、大きなイオン
化エネルギーを得ることが出来る。
【0016】図4には、該多重量子障壁およびバルク界
面における電子反射率の計算例を示す。多重量子障壁に
入射した電子は、多重量子障壁を構成する半導体のヘテ
ロ障壁以上のエネルギーを有している場合にも、有限の
反射率を感じる。つまり、実効的なヘテロ障壁の増大を
図ることができる。図4は、AlGaAsSb/InG
aAsの多重ヘテロ障壁の計算例の一例である。この図
4から、電子の反射率は、古典障壁の1.6倍まで増大
することが分かる。
面における電子反射率の計算例を示す。多重量子障壁に
入射した電子は、多重量子障壁を構成する半導体のヘテ
ロ障壁以上のエネルギーを有している場合にも、有限の
反射率を感じる。つまり、実効的なヘテロ障壁の増大を
図ることができる。図4は、AlGaAsSb/InG
aAsの多重ヘテロ障壁の計算例の一例である。この図
4から、電子の反射率は、古典障壁の1.6倍まで増大
することが分かる。
【0017】動作原理は、まずInGaAs光吸収層で
発生した光キャリアの中で、電子キャリアのみが逆電界
によりヘテロ構造アバランシェ増倍層に注入される。こ
のとき、通常の超格子APDの場合、注入された電子は
、該ヘテロ周期構造の伝導帯の不連続エネルギー(ΔE
C )を感じて、イオン化が促進される。しかしながら
、本発明による多重ヘテロ障壁を備えた障壁層を有する
アバランシェ増倍層においては、上述したように実効的
なヘテロ障壁の増大ΔEMQB が得られるので、更に
大きなエネルギー差を感じて、イオン化率の促進が図れ
る。しかも、価電子帯を走行する正孔は、その質量が電
子に比べ大きいので、該多重量子障壁を感じず、即ち一
方的な電子の増倍を促進することができる。これより、
図8の従来例のAPDより高感度低雑音特性を有するA
PDを得ることができる。
発生した光キャリアの中で、電子キャリアのみが逆電界
によりヘテロ構造アバランシェ増倍層に注入される。こ
のとき、通常の超格子APDの場合、注入された電子は
、該ヘテロ周期構造の伝導帯の不連続エネルギー(ΔE
C )を感じて、イオン化が促進される。しかしながら
、本発明による多重ヘテロ障壁を備えた障壁層を有する
アバランシェ増倍層においては、上述したように実効的
なヘテロ障壁の増大ΔEMQB が得られるので、更に
大きなエネルギー差を感じて、イオン化率の促進が図れ
る。しかも、価電子帯を走行する正孔は、その質量が電
子に比べ大きいので、該多重量子障壁を感じず、即ち一
方的な電子の増倍を促進することができる。これより、
図8の従来例のAPDより高感度低雑音特性を有するA
PDを得ることができる。
【0018】
【実施例】本発明の第1の実施例について、図面を用い
て詳細に説明する。図5(a)は、請求項1の本発明の
一実施例のアバランシェ増倍型受光素子の断面図である
。構造としては、p型InP基板12上に、p型InP
バッファ層13を0.5μm、p型InGaAs光吸収
層14を1.5μm、InAlAs500A(オングス
トローム)/InGaAs250Aの16周期ヘテロ周
期構造アバランシェ増倍層15を1.0μm積層する。 ここで、該アバランシェ増倍層の障壁層であるInAl
As層は、多重量子障壁層を含んでいる。該アバランシ
ェ増倍層の障壁層の構造は、電子透過防止層20及び多
重量子障壁層21からなり、この部分の構造のバンド図
を図5(b)に示す。電子透過防止層は、100AのI
nAlAs層及び多重量子障壁層はInAlAs30A
/InGaAs20Aの5層からなる。その後、p型I
nPキャップ層16を0.5μm順次積層する。
て詳細に説明する。図5(a)は、請求項1の本発明の
一実施例のアバランシェ増倍型受光素子の断面図である
。構造としては、p型InP基板12上に、p型InP
バッファ層13を0.5μm、p型InGaAs光吸収
層14を1.5μm、InAlAs500A(オングス
トローム)/InGaAs250Aの16周期ヘテロ周
期構造アバランシェ増倍層15を1.0μm積層する。 ここで、該アバランシェ増倍層の障壁層であるInAl
As層は、多重量子障壁層を含んでいる。該アバランシ
ェ増倍層の障壁層の構造は、電子透過防止層20及び多
重量子障壁層21からなり、この部分の構造のバンド図
を図5(b)に示す。電子透過防止層は、100AのI
nAlAs層及び多重量子障壁層はInAlAs30A
/InGaAs20Aの5層からなる。その後、p型I
nPキャップ層16を0.5μm順次積層する。
【0019】その後、n− 型ガードリング領域17形
成のため、100kVの加速電圧でSiを1×1013
cm−2、3000の深さまでイオン注入し、5×10
16cm−3の濃度領域を得る。同様にn+ 受光領域
18形成のため、200kVの加速電圧でSiを1×1
014cm−2、0.5μmの深さまでイオン注入し、
1×1018cm−3の濃度領域を得る。更に、パッシ
ベーション膜8を1500A形成し、n側電極9として
、AuGe/Niを1500A、TiPtAuを500
A堆積する。また、p側電極10としてAuZnを15
00A堆積することにより、図5(a)の素子構造を完
成する。
成のため、100kVの加速電圧でSiを1×1013
cm−2、3000の深さまでイオン注入し、5×10
16cm−3の濃度領域を得る。同様にn+ 受光領域
18形成のため、200kVの加速電圧でSiを1×1
014cm−2、0.5μmの深さまでイオン注入し、
1×1018cm−3の濃度領域を得る。更に、パッシ
ベーション膜8を1500A形成し、n側電極9として
、AuGe/Niを1500A、TiPtAuを500
A堆積する。また、p側電極10としてAuZnを15
00A堆積することにより、図5(a)の素子構造を完
成する。
【0020】上述した素子構造のもとで、作用に述べた
原理により、電子のイオン化が誇張され、実効イオン化
率比(α/β比)120、また量子効率80%の低雑音
、高速応答特性を有するアバランシェ増倍型半導体受光
素子を実現した。本発明による素子構造は、具体的には
、MOVPE、MBE、ガスソースMBE等の成長技術
により、作製することができる。
原理により、電子のイオン化が誇張され、実効イオン化
率比(α/β比)120、また量子効率80%の低雑音
、高速応答特性を有するアバランシェ増倍型半導体受光
素子を実現した。本発明による素子構造は、具体的には
、MOVPE、MBE、ガスソースMBE等の成長技術
により、作製することができる。
【0021】次に、本発明の第2の実施例について、図
面を用いて詳細に説明する。図6(a)は、請求項3の
本発明の一実施例のアバランシェ増倍型受光素子の断面
図である。構造としてはp型InP基板12上に、p型
InPバッファ層13を0.5μm、p型InGaAs
光吸収層14を1.5μm、AlGaAsSb500A
/InGaAs250Aの16周期ヘテロ周期構造アバ
ランシェ増倍層22を1.0μm積層する。ここで、こ
のアバランシェ増倍層の障壁層であるAlGaAsSb
層は、多重量子障壁層を含んでいる。このアバランシェ
増倍層の障壁層の構造は、電子透過防止層23及び多重
量子障壁層24からなり、この構造のバンド図を図6(
b)に示す。電子透過防止層は、100AのAlGaA
sSb層及び多重量子障壁層はAlGaAsSb30A
/InGaAs20Aの5層からなる。その後、p型I
nPキャップ層16を0.5μm順次積層する。
面を用いて詳細に説明する。図6(a)は、請求項3の
本発明の一実施例のアバランシェ増倍型受光素子の断面
図である。構造としてはp型InP基板12上に、p型
InPバッファ層13を0.5μm、p型InGaAs
光吸収層14を1.5μm、AlGaAsSb500A
/InGaAs250Aの16周期ヘテロ周期構造アバ
ランシェ増倍層22を1.0μm積層する。ここで、こ
のアバランシェ増倍層の障壁層であるAlGaAsSb
層は、多重量子障壁層を含んでいる。このアバランシェ
増倍層の障壁層の構造は、電子透過防止層23及び多重
量子障壁層24からなり、この構造のバンド図を図6(
b)に示す。電子透過防止層は、100AのAlGaA
sSb層及び多重量子障壁層はAlGaAsSb30A
/InGaAs20Aの5層からなる。その後、p型I
nPキャップ層16を0.5μm順次積層する。
【0022】その後、n− 型ガードリング領域17形
成のため、100kVの加速電圧でSiを1×1013
cm−2、3000Aの深さまでイオン注入し、5×1
016cm−3の濃度領域を得る。同様に、n+ 受光
領域18形成のため、200kvの加速電圧でSiを1
×1014cm−2、0.5μmの深さまでイオン注入
し、1×1018cm−3の濃度領域を得る。更に、パ
ッシベーション膜8を1500A形成し、n側電極とし
て、AuGe/Niを1500A、TiPtAuを50
0A堆積する。また、p側電極10として、AuZnを
1500A堆積することにより、図6(a)の素子構造
を完成する。
成のため、100kVの加速電圧でSiを1×1013
cm−2、3000Aの深さまでイオン注入し、5×1
016cm−3の濃度領域を得る。同様に、n+ 受光
領域18形成のため、200kvの加速電圧でSiを1
×1014cm−2、0.5μmの深さまでイオン注入
し、1×1018cm−3の濃度領域を得る。更に、パ
ッシベーション膜8を1500A形成し、n側電極とし
て、AuGe/Niを1500A、TiPtAuを50
0A堆積する。また、p側電極10として、AuZnを
1500A堆積することにより、図6(a)の素子構造
を完成する。
【0023】上述した素子構造のもとで、作用に述べた
原理により、電子イオン化が誇張され、実効イオン化率
比(α/β比)110、また量子効率が80%の低雑音
・高速応答特性を有するアバランシェ増倍型半導体受光
素子を実現した。本発明による素子構造は、具体的には
、MOVPE、MBE、ガスソースMBE等の成長技術
により、作製することができる。
原理により、電子イオン化が誇張され、実効イオン化率
比(α/β比)110、また量子効率が80%の低雑音
・高速応答特性を有するアバランシェ増倍型半導体受光
素子を実現した。本発明による素子構造は、具体的には
、MOVPE、MBE、ガスソースMBE等の成長技術
により、作製することができる。
【0024】また、従来の超格子APDの場合、価電子
帯エネルギー差にホールがパイルアップし、高速動作が
阻害されるという問題点があった。これ解決するには、
価電子帯エネルギー差が0となる材料系を用いれば良い
。これが請求項2または4に記載した発明である。
帯エネルギー差にホールがパイルアップし、高速動作が
阻害されるという問題点があった。これ解決するには、
価電子帯エネルギー差が0となる材料系を用いれば良い
。これが請求項2または4に記載した発明である。
【0025】第3の実施例として図7を用いて説明する
。図5を用いて説明した第1の実施例において、アバラ
ンシェ増倍層15の中の井戸層のInGaAs250A
の代りにInGaAsP250Aを用いたもののバンド
図が図7(b)である。他の構造は図7(a)に示すよ
うに同様でよい。この場合Ev の差は障壁層と井戸層
の間でほぼなくなるのでホールのパイルアップがなく、
第1の実施例より一層高速化した高感度低雑音受光素子
が得られた。
。図5を用いて説明した第1の実施例において、アバラ
ンシェ増倍層15の中の井戸層のInGaAs250A
の代りにInGaAsP250Aを用いたもののバンド
図が図7(b)である。他の構造は図7(a)に示すよ
うに同様でよい。この場合Ev の差は障壁層と井戸層
の間でほぼなくなるのでホールのパイルアップがなく、
第1の実施例より一層高速化した高感度低雑音受光素子
が得られた。
【0026】請求項4の実施例としては図6(a)(b
)のInGaAs井戸層の代りにAlGaInAs層を
用いれば同様に価電子帯のエネルギー差をなくすことが
でき、第2の実施例に比べより一層高速化できた。
)のInGaAs井戸層の代りにAlGaInAs層を
用いれば同様に価電子帯のエネルギー差をなくすことが
でき、第2の実施例に比べより一層高速化できた。
【0027】
【発明の効果】本発明による半導体受光素子は、ヘテロ
周期アバランシェ増倍層の障壁層が多重量子障壁層を含
むことにより、実効的な伝導帯エネルギー差を増加させ
、よりイオン化率比を大きくすることができる。これよ
り、高感度低雑音特性を有する半導体受光素子を実現で
きる。
周期アバランシェ増倍層の障壁層が多重量子障壁層を含
むことにより、実効的な伝導帯エネルギー差を増加させ
、よりイオン化率比を大きくすることができる。これよ
り、高感度低雑音特性を有する半導体受光素子を実現で
きる。
【図1】本発明による受光素子のバンド構造図である。
【図2】本発明による受光素子のバンド構造図である。
【図3】InAlAs/InGaAs多重量子井戸の場
合の計算例を説明する図である。
合の計算例を説明する図である。
【図4】AlGaAsSb/InGaAs多重量子井戸
の場合の計算例を説明する図である。
の場合の計算例を説明する図である。
【図5】本発明の第1の実施例の受光素子を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図6】本発明の第2の実施例の受光素子を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図7】本発明の第3の実施例の受光素子を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図8】従来例のAPDの構造図である。
1 n型InP基板
2 n型InPバッファ層
3 n型InGaAs光吸収層
4 n型InP基板(アバランシェ増倍層)5 n
型InPキャップ層 6 p型受光領域 7 p型ガードリング領域 8 パッシベーション膜 9 n側オーミック電極 10 p側オーミック電極 11 入射光 12 p型InP基板 13 p型InPバッファ 14 p型InGaAs光吸収層 15 p型多重量子障壁を含むInAlAs/InG
aAsヘテロ周期構造アバランシェ増倍層16 p型
InPキャップ層 17 n型ガードリング層 18 n型受光領域 19 パッシベーション膜 20 InAlAs電子透過防止層 21 InAlAs/InGaAs多重量子障壁層2
2 p型多重量子障壁を含むAlGaAsSb/In
GaAsヘテロ周期構造アバランシェ増倍層23 A
lGaAsSb電子透過防止層24 AlGaAsS
b/InGaAs多重量子障壁層25 p型多重量子
障壁を含むInAlAs/InGaAsPヘテロ周期構
造アバランシェ増倍層26 InAlAs電子透過防
止層 27 InAlGaAs/InGaAsP多重量子障
壁層
型InPキャップ層 6 p型受光領域 7 p型ガードリング領域 8 パッシベーション膜 9 n側オーミック電極 10 p側オーミック電極 11 入射光 12 p型InP基板 13 p型InPバッファ 14 p型InGaAs光吸収層 15 p型多重量子障壁を含むInAlAs/InG
aAsヘテロ周期構造アバランシェ増倍層16 p型
InPキャップ層 17 n型ガードリング層 18 n型受光領域 19 パッシベーション膜 20 InAlAs電子透過防止層 21 InAlAs/InGaAs多重量子障壁層2
2 p型多重量子障壁を含むAlGaAsSb/In
GaAsヘテロ周期構造アバランシェ増倍層23 A
lGaAsSb電子透過防止層24 AlGaAsS
b/InGaAs多重量子障壁層25 p型多重量子
障壁を含むInAlAs/InGaAsPヘテロ周期構
造アバランシェ増倍層26 InAlAs電子透過防
止層 27 InAlGaAs/InGaAsP多重量子障
壁層
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板上に、光吸収層、ヘテロ周
期構造アバランシェ増倍半導体層を備える半導体受光素
子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層を構
成する障壁層が電子透過防止層及び多重量子障壁の2領
域で形成され、且つ、該電子透過防止層及び2つの半導
体層からなる多重量子障壁の障壁層のIII族原子の平
均イオン化エネルギーをEA 、禁制帯幅をEgA、ま
たアバランシェ増倍層を構成する井戸層のIII族原子
の平均イオン化エネルギーをEB 、禁制帯幅をEgB
とした場合、 EA <EB および EA +EgA<EB
+EgBが成り立つことを特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項2】 半導体基板上に光吸収層、ヘテロ周期
構造アバランシェ増倍半導体層を備える半導体受光素子
において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層を構成
する障壁層がInAlAs電子透過防止層及びInAl
As/InGaAsP多重量子障壁層の2領域で形成さ
れ、アバランシェ増倍層を構成する井戸層がInGaA
sPで形成され、且つ、その両方の価電子帯のエネルギ
ー差が0に近いことを特徴とする請求項1記載の半導体
受光素子。 - 【請求項3】 半導体基板上に、光吸収層、ヘテロ周
期構造アバランシェ増倍半導体層を備える半導体受光素
子において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層を構
成する障壁層が電子透過防止層及び多重量子障壁の2領
域で形成され、且つ、該電子透過防止層及び2つの半導
体層からなる多重量子障壁の障壁層のIII族原子の平
均イオン化エネルギーをEC 、禁制帯幅をEgC、ま
たアバランシェ増倍層を構成する井戸層のIII族原子
の平均イオン化エネルギーをED 、禁制帯幅をEgD
とした場合、 EC <ED および EC +EgC<ED
+EgDが成り立つことを特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項4】 半導体基板上に光吸収層、ヘテロ周期
構造アバランシェ増倍半導体層を備える半導体受光素子
において、該ヘテロ周期構造アバランシェ増倍層を構成
する障壁層がAlGaAsSb電子透過防止層及びAl
GaAsSb/AlGaInAs多重量子障壁層の2領
域で形成され、アバランシェ増倍層を構成する井戸層が
AlGaAsSbで形成され、且つ、その両方の価電子
帯のエネルギー差が0に近いことを特徴とする請求項3
記載の半導体受光素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064266A JP2936770B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体受光素子 |
US07/826,494 US5204539A (en) | 1991-01-28 | 1992-01-27 | Avalanche photodiode with hetero-periodical structure |
DE69218474T DE69218474T2 (de) | 1991-01-28 | 1992-01-28 | Lawinenfotodiode |
EP92101356A EP0497279B1 (en) | 1991-01-28 | 1992-01-28 | Avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064266A JP2936770B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04299874A true JPH04299874A (ja) | 1992-10-23 |
JP2936770B2 JP2936770B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=13253234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3064266A Expired - Fee Related JP2936770B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-03-28 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2936770B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06291357A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
US8842392B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064266A patent/JP2936770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06291357A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
US8842392B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2936770B2 (ja) | 1999-08-23 |
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---|---|---|---|
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