JP3061203B2 - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JP3061203B2 JP3061203B2 JP3061478A JP6147891A JP3061203B2 JP 3061203 B2 JP3061203 B2 JP 3061203B2 JP 3061478 A JP3061478 A JP 3061478A JP 6147891 A JP6147891 A JP 6147891A JP 3061203 B2 JP3061203 B2 JP 3061203B2
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- semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に用いる半導体受
光装置に係り、特に Gb/s 伝送システムに対応する超格
子アバランシェフォトダイオ−ド（ＳＬＡＰＤ）の構造
に関する。
光装置に係り、特に Gb/s 伝送システムに対応する超格
子アバランシェフォトダイオ−ド（ＳＬＡＰＤ）の構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、Ｇｂ／ｓ帯光通信システムに用い
る受光素子として、広帯域、低雑音特性の観点から、増
倍層に超格子構造を持つアバランシェフォトダイオ−ド
（以下ＳＬＡＰＤ）の開発が進められている。これらの
ＳＬＡＰＤに用いられている超格子の代表的な構造は、
井戸層幅(Lw)20-50nm、障壁層幅(Lb)20-50nm、超格子層
の全膜厚(Lt)１μｍ程度である。香川等は上記構造のＳ
ＬＡＰＤにより、利得帯域積ＧＢ積＝５０ＧＨｚ，イオ
ン化率比ｋ＝１０（条件：増倍率Ｍ＝１０）暗電流 Ｉ
ｄ＝数100μＡ（条件：Ｍ＝１０）を報告している（サ
ード オプトエレクトロニクス カンファレンス、１３
Ａ２−７、オ−エフシー'９０［Third Optoelectronics
Conference 13A2-7 (OFC'90)］)。
る受光素子として、広帯域、低雑音特性の観点から、増
倍層に超格子構造を持つアバランシェフォトダイオ−ド
（以下ＳＬＡＰＤ）の開発が進められている。これらの
ＳＬＡＰＤに用いられている超格子の代表的な構造は、
井戸層幅(Lw)20-50nm、障壁層幅(Lb)20-50nm、超格子層
の全膜厚(Lt)１μｍ程度である。香川等は上記構造のＳ
ＬＡＰＤにより、利得帯域積ＧＢ積＝５０ＧＨｚ，イオ
ン化率比ｋ＝１０（条件：増倍率Ｍ＝１０）暗電流 Ｉ
ｄ＝数100μＡ（条件：Ｍ＝１０）を報告している（サ
ード オプトエレクトロニクス カンファレンス、１３
Ａ２−７、オ−エフシー'９０［Third Optoelectronics
Conference 13A2-7 (OFC'90)］)。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＬＡＰＤを将来の高
速光通信システムへ適用するためには、高いイオン化率
比を保持したまま（ｋ＝５−１０ 条件：増倍率Ｍ＝１
０）、利得帯域積、暗電流 のより一層の向上（ＧＢ積
＞１００ＧＨｚ、Ｉｄ＜１μＡ 条件：Ｍ＝１０）が望
まれる。ＧＢ積を向上するためには、超格子層の全膜厚
(Lt)を薄くすることが有力である。しかし、Ｌｔを薄く
すると一定の増倍を得るための電界が増加し、その結果
Ｉｄ、ｋの劣化を生じる。そのため、従来の超格子構造
でＬｔを薄くする方法では上記特性を改善することは不
可能である。
速光通信システムへ適用するためには、高いイオン化率
比を保持したまま（ｋ＝５−１０ 条件：増倍率Ｍ＝１
０）、利得帯域積、暗電流 のより一層の向上（ＧＢ積
＞１００ＧＨｚ、Ｉｄ＜１μＡ 条件：Ｍ＝１０）が望
まれる。ＧＢ積を向上するためには、超格子層の全膜厚
(Lt)を薄くすることが有力である。しかし、Ｌｔを薄く
すると一定の増倍を得るための電界が増加し、その結果
Ｉｄ、ｋの劣化を生じる。そのため、従来の超格子構造
でＬｔを薄くする方法では上記特性を改善することは不
可能である。
【０００４】本発明の目的は、上記仕様を満たすＳＬＡ
ＰＤの超格子構造を提供することである。
ＰＤの超格子構造を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、井戸層幅(Lw)、障壁層幅(Lb)が従来構造よ
り薄い超格子構造を提案するものである。本発明で採用
する狭い井戸幅の超格子構造はイオン化率比向上の観点
からは適当ではないと通常は考えられるが、本発明者等
の実験確認結果、従来の知識から予測される以外の効果
を確認したため、ここに開示するものである。
決するため、井戸層幅(Lw)、障壁層幅(Lb)が従来構造よ
り薄い超格子構造を提案するものである。本発明で採用
する狭い井戸幅の超格子構造はイオン化率比向上の観点
からは適当ではないと通常は考えられるが、本発明者等
の実験確認結果、従来の知識から予測される以外の効果
を確認したため、ここに開示するものである。
【０００６】すなわち、本発明によればＳＬＡＰＤにお
いて、キャリア増倍領域内の超格子構造を構成する第１
のバンドギャップを有する第１の半導体薄膜の膜厚Ｌｗ
と、この第１のバンドギャップより大きい第２のバンド
ギャップを有する第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂが、 １ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足する半導体受光装置の構成を提供す
る。
いて、キャリア増倍領域内の超格子構造を構成する第１
のバンドギャップを有する第１の半導体薄膜の膜厚Ｌｗ
と、この第１のバンドギャップより大きい第２のバンド
ギャップを有する第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂが、 １ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足する半導体受光装置の構成を提供す
る。
【０００７】後述するとおり、本超格子構造により高い
ＧＢ積の期待できるＬｔ≦０．５μｍの薄膜超格子増倍
層においてもｋ、Ｉｄ（イオン化率比、暗電流特性）の
改善が可能である。
ＧＢ積の期待できるＬｔ≦０．５μｍの薄膜超格子増倍
層においてもｋ、Ｉｄ（イオン化率比、暗電流特性）の
改善が可能である。
【０００８】
【作用】初めに本発明の超格子構造により暗電流が抑制
される機構を示す。増倍が生じる高電界下で超格子増倍
層を流れる電流は、バンド間のトンネル電流が支配的で
ある。図２に超格子構造をパラメ−タとしたバンド間の
トンネル電流と超格子増倍層に加わる電界Ｅ(ＳＬ）の
計算値を示す。超格子構造はＬｂ＝１５ｎｍ（一定）の
もとで、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍとし、Ｌｔ＝
０．５μｍ、接合径５０μｍとした。図より超格子増倍
層のバンド間トンネル電流は極めて大きなＬｗ依存性を
持つこと、Ｌｗ＝５ｎｍとすることで Ｅ(ＳＬ）＝５０
０ｋＶ／ｃｍ（本発明の超格子構造で１０程度の増倍を
生じる電界）といった高電界までトンネル電流を１００
ｎＡ以下に抑制できることが判る。また、図３にＬｗ＝
５ｎｍ（一定）のもとで、Ｌｂ＝５、１０、１５、２０
ｎｍの場合の同様な計算結果を示す。トンネル電流の抑
制にはＬｂ＞１０ｎｍ、Ｌｗ＜１０ｎｍとすることが効
果的であり、特にＬｂ＞１５ｎｍとすることにより顕著
なトンネル電流抑制効果が生じることが判る。Ｌｗ≦１
ｎｍでは、充分な増倍が得られない。
される機構を示す。増倍が生じる高電界下で超格子増倍
層を流れる電流は、バンド間のトンネル電流が支配的で
ある。図２に超格子構造をパラメ−タとしたバンド間の
トンネル電流と超格子増倍層に加わる電界Ｅ(ＳＬ）の
計算値を示す。超格子構造はＬｂ＝１５ｎｍ（一定）の
もとで、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍとし、Ｌｔ＝
０．５μｍ、接合径５０μｍとした。図より超格子増倍
層のバンド間トンネル電流は極めて大きなＬｗ依存性を
持つこと、Ｌｗ＝５ｎｍとすることで Ｅ(ＳＬ）＝５０
０ｋＶ／ｃｍ（本発明の超格子構造で１０程度の増倍を
生じる電界）といった高電界までトンネル電流を１００
ｎＡ以下に抑制できることが判る。また、図３にＬｗ＝
５ｎｍ（一定）のもとで、Ｌｂ＝５、１０、１５、２０
ｎｍの場合の同様な計算結果を示す。トンネル電流の抑
制にはＬｂ＞１０ｎｍ、Ｌｗ＜１０ｎｍとすることが効
果的であり、特にＬｂ＞１５ｎｍとすることにより顕著
なトンネル電流抑制効果が生じることが判る。Ｌｗ≦１
ｎｍでは、充分な増倍が得られない。
【０００９】次に本発明の超格子構造とイオン化率比の
関係について述べる。詳細なデ−タは実施例で述べる
が、本発明により１０程度の高いイオン化率比を得るこ
とが可能である。通常、超格子ＡＰＤでの高いイオン化
率比は価電子帯、伝導帯でのバンド不連続値の違いによ
り引き起こされる。本発明ではバンド不連続値の違いと
合わせて、電子、正孔での衝突電離の空間的な分布の違
いが大きなイオン化率比を生じさせているものと考えら
れる。
関係について述べる。詳細なデ−タは実施例で述べる
が、本発明により１０程度の高いイオン化率比を得るこ
とが可能である。通常、超格子ＡＰＤでの高いイオン化
率比は価電子帯、伝導帯でのバンド不連続値の違いによ
り引き起こされる。本発明ではバンド不連続値の違いと
合わせて、電子、正孔での衝突電離の空間的な分布の違
いが大きなイオン化率比を生じさせているものと考えら
れる。
【００１０】
【実施例】図１に本発明の超格子ＡＰＤの断面図を示
す。本素子は増倍層に超格子構造５を持つ光吸収層７、
増倍層分離型のメサ型裏面入射方式のＡＰＤである。本
発明の特徴となる超格子増倍層はＩｎＧａＡｓ井戸層幅
Ｌｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡｓ障壁層幅Ｌｂ＝１５ｎｍで
あり、超格子増倍層の全膜厚は０．３５μｍとした。図
で１−１０は、それぞれＮ電極、Ｐ電極、Ｎ−ＩｎＰ基
板（膜厚ｄ＝１５０μｍ、キャリア濃度Ｎ＝２×１０18
／ｃｍ3）、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μ
ｍ、Ｎ＝２×１０18／ｃｍ3）、アンド−プ−超格子増
倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜１×１０15／ｃｍ3）、Ｐ
−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ＝１．
３×１０17／ｃｍ3）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ
＝１．７μｍ、Ｐ＝２×１０15／ｃｍ3）、Ｐ−ＩｎＡ
ｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２×１０18／ｃｍ
3）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０．２μ
ｍ、Ｐ＝２×１０19／ｃｍ3）、及びポリイミドパッシ
ベ−ション膜である。接合径は５０μｍである。
す。本素子は増倍層に超格子構造５を持つ光吸収層７、
増倍層分離型のメサ型裏面入射方式のＡＰＤである。本
発明の特徴となる超格子増倍層はＩｎＧａＡｓ井戸層幅
Ｌｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡｓ障壁層幅Ｌｂ＝１５ｎｍで
あり、超格子増倍層の全膜厚は０．３５μｍとした。図
で１−１０は、それぞれＮ電極、Ｐ電極、Ｎ−ＩｎＰ基
板（膜厚ｄ＝１５０μｍ、キャリア濃度Ｎ＝２×１０18
／ｃｍ3）、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μ
ｍ、Ｎ＝２×１０18／ｃｍ3）、アンド−プ−超格子増
倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜１×１０15／ｃｍ3）、Ｐ
−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ＝１．
３×１０17／ｃｍ3）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ
＝１．７μｍ、Ｐ＝２×１０15／ｃｍ3）、Ｐ−ＩｎＡ
ｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２×１０18／ｃｍ
3）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０．２μ
ｍ、Ｐ＝２×１０19／ｃｍ3）、及びポリイミドパッシ
ベ−ション膜である。接合径は５０μｍである。
【００１１】本素子の結晶成長には分子線エピタキシ法
を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系の溶液によるウェッ
トエッチングを用いた。電極にはＰ型、Ｎ型共に真空蒸
着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを用いた。
を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系の溶液によるウェッ
トエッチングを用いた。電極にはＰ型、Ｎ型共に真空蒸
着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを用いた。
【００１２】本素子の特性を以下に示す。増倍率Ｍ＝１
０での暗電流、素子容量、イオン化率比は、それぞれ８
００ｎＡ、０．１３ｐＦ、１０であった。また、入射光
波長１．５５μｍでの量子効率は８５％であった。本素
子の周波数特性をスペクトラムアナライザで評価した結
果、利得帯域積１０５ＧＨｚ、増倍率１０での遮断周波
数１０ＧＨｚを得た。
０での暗電流、素子容量、イオン化率比は、それぞれ８
００ｎＡ、０．１３ｐＦ、１０であった。また、入射光
波長１．５５μｍでの量子効率は８５％であった。本素
子の周波数特性をスペクトラムアナライザで評価した結
果、利得帯域積１０５ＧＨｚ、増倍率１０での遮断周波
数１０ＧＨｚを得た。
【００１３】本素子を用いた伝送実験から受信感度を求
めた。光源には発振波長１．５５μｍのＤＦＢレ−ザを
用い、光ファイバ長１００ｋｍ、ビットエラレ−ト／１
０11での最小受信感度−２８ｄＢｍを得た。
めた。光源には発振波長１．５５μｍのＤＦＢレ−ザを
用い、光ファイバ長１００ｋｍ、ビットエラレ−ト／１
０11での最小受信感度−２８ｄＢｍを得た。
【００１４】これまで述べたように本発明は超格子ＡＰ
Ｄの超格子構造に関するものであり、本発明が本実施例
に示した素子構造（メサ型、裏面入射方式、超格子増倍
層以外の層の仕様等）に限定されるものではないことは
明らかである。
Ｄの超格子構造に関するものであり、本発明が本実施例
に示した素子構造（メサ型、裏面入射方式、超格子増倍
層以外の層の仕様等）に限定されるものではないことは
明らかである。
【００１５】また、本発明の超格子増倍層の仕様を限定
した理由は、すでに暗電流の観点より図２、３に示し
た。次に、増倍率、イオン化率比の観点からの実験結果
を示す。図４、図５に最大増倍率、イオン化率比の超格
子構造依存性を示す。図４は、Ｌｂ＝１５ｎｍ（一
定）、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍ、Ｌｔ＝０．４
μｍの場合を、また、図５は、Ｌｗ＝５ｎｍ（一定）、
Ｌｂ＝１０、１５、２０、２５ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍ
の場合を示す。素子構造、素子作成方法は基本的に上述
の実施例と同様である。図４、図５の最大増倍率を決め
る主要因は、トンネル電流の増加に伴うトンネルブレ−
クダウンであると考えられ、図２、図３との相関が認め
られる。また、両図のイオン化率比（最大増倍率でのイ
オン化率比）は、InGaAs 井戸層の膜厚の違いによる電
界の違い等にもとずくものと考えられる。両図、及び図
２、図３を合わせて考えると、暗電流低減、最大増倍率
の増大、イオン化率比向上のために本発明の超格子構
造、即ち１ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍかつ１０ｎｍ＜Ｌｗ＜
２０ｎｍ、が有効であることが判る。
した理由は、すでに暗電流の観点より図２、３に示し
た。次に、増倍率、イオン化率比の観点からの実験結果
を示す。図４、図５に最大増倍率、イオン化率比の超格
子構造依存性を示す。図４は、Ｌｂ＝１５ｎｍ（一
定）、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍ、Ｌｔ＝０．４
μｍの場合を、また、図５は、Ｌｗ＝５ｎｍ（一定）、
Ｌｂ＝１０、１５、２０、２５ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍ
の場合を示す。素子構造、素子作成方法は基本的に上述
の実施例と同様である。図４、図５の最大増倍率を決め
る主要因は、トンネル電流の増加に伴うトンネルブレ−
クダウンであると考えられ、図２、図３との相関が認め
られる。また、両図のイオン化率比（最大増倍率でのイ
オン化率比）は、InGaAs 井戸層の膜厚の違いによる電
界の違い等にもとずくものと考えられる。両図、及び図
２、図３を合わせて考えると、暗電流低減、最大増倍率
の増大、イオン化率比向上のために本発明の超格子構
造、即ち１ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍかつ１０ｎｍ＜Ｌｗ＜
２０ｎｍ、が有効であることが判る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、高速光通信用の広帯
域、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオ−ドを得
ることができる。具体的には、低暗電流、高イオン化率
比を維持したまま、高い利得帯域積を実現できる。
域、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオ−ドを得
ることができる。具体的には、低暗電流、高イオン化率
比を維持したまま、高い利得帯域積を実現できる。
【図１】本発明実施例に係る超格子ＡＰＤの断面構造
図。
図。
【図２】超格子構造をパラメ−タとしたバンド間のトン
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す
図。
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す
図。
【図３】超格子構造をパラメ−タとしたバンド間のトン
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す
図。
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す
図。
【図４】最大増倍率、イオン化率比の超格子構造依存性
を説明するための図。
を説明するための図。
【図５】最大増倍率、イオン化率比の超格子構造依存性
を説明するための図。
を説明するための図。
１…Ｎ電極、２…Ｐ電極、 ３…Ｎ−ＩｎＰ基板（ｄ＝１５０μｍ、Ｎ＝２×１０18
／ｃｍ3）、 ４…Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２
×１０18／ｃｍ3）、 ５…アンド−プ−超格子増倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜
１×１０15／ｃｍ3）、 ６…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ＝
１．３×１０17／ｃｍ3）、 ７…Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝
２×１０15／ｃｍ3）、 ８…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２
×１０18／ｃｍ3）、 ９…Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ
＝２×１０19／ｃｍ3、） 10…ポリイミドパッシベ−ション膜。
／ｃｍ3）、 ４…Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２
×１０18／ｃｍ3）、 ５…アンド−プ−超格子増倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜
１×１０15／ｃｍ3）、 ６…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ＝
１．３×１０17／ｃｍ3）、 ７…Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝
２×１０15／ｃｍ3）、 ８…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２
×１０18／ｃｍ3）、 ９…Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ
＝２×１０19／ｃｍ3、） 10…ポリイミドパッシベ−ション膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 滋久 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松岡 康信 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 石田 宏司 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−206577（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54974（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−38888（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−137376（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板上に設け
られた半導体積層構造と、この半導体積層構造内に電界
を印加するための１対の電極とを有し、上記半導体積層
構造は入射した光を光電変換するための光吸収領域と、
この光吸収領域で生成したキャリアを増倍するための増
倍領域とを有し、この増倍領域は第１のバンドギャップ
を有する第１の半導体薄膜と、この第１のバンドギャッ
プより大きい第２のバンドギャップを有する第２の半導
体薄膜とを積層した超格子構造を含み、上記第１の半導
体薄膜の膜厚Ｌｗ及び上記第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂ
が、 １ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足することを特徴とする半導体受光装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体受光装置におい
て、前記半導体積層構造は前記１対の電極により印加さ
れる電界を緩和するための電界緩和層を更に有する半導
体受光装置。 - 【請求項３】 バンドギャップの異なる２種類以上の半
導体の積層構造より構成される増倍層を有して、上記積
層構造の内、最もバンドギャップの小さな半導体の膜厚
を１０ｎｍ未満とし、最もバンドギャップの大きな半導
体の膜厚を１０ｎｍをこえ、２０ｎｍ未満とすることを
特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項４】 バンドギャップの異なる２種類以上の半
導体の積層構造を含んで構成される量子井戸型の増倍層
を具備してなり、該増倍層は少なくとも井戸層および障
壁層を含んで構成され、前記井戸層の膜厚が１０ｎｍ未
満であり、前記障壁層の膜厚が１０ｎｍをこえ２０ｎｍ
未満である半導体受光装置。 - 【請求項５】 請求項３若しくは４に記載の半導体受光
装置において、前記積層構造より構成される増倍層の全
膜厚を０．５μｍ以下にすることを特徴とする半導体受
光装置。 - 【請求項６】 請求項３、４若しくは５に記載の半導体
受光装置は、光吸収層、前記増倍層、及びこれら光吸収
層及び増倍層の電界を調整するための電界緩和層とを有
し、更にこれら３層に電界を印加するための２種類以上
の電極を持つことを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項７】 請求項３、４、５若しくは６に記載の半
導体受光装置を構成する半導体材料として、ＩｎＰに格
子整合したＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓＰを含むことを特徴とする半導体受光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061478A JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061478A JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296066A JPH04296066A (ja) | 1992-10-20 |
| JP3061203B2 true JP3061203B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=13172220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061478A Expired - Lifetime JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061203B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100557826C (zh) * | 2004-10-25 | 2009-11-04 | 三菱电机株式会社 | 雪崩光电二极管 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4985298B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2012-07-25 | 三菱電機株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| JP2011165848A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | 面入射型フォトダイオード |
| RU2627146C1 (ru) * | 2016-10-04 | 2017-08-03 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP |
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