RU2627146C1 - Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP - Google Patents
Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP Download PDFInfo
- Publication number
- RU2627146C1 RU2627146C1 RU2016139081A RU2016139081A RU2627146C1 RU 2627146 C1 RU2627146 C1 RU 2627146C1 RU 2016139081 A RU2016139081 A RU 2016139081A RU 2016139081 A RU2016139081 A RU 2016139081A RU 2627146 C1 RU2627146 C1 RU 2627146C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- type
- inp
- ingaas
- alinas
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 27
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000899 pressurised-fluid extraction Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к матричным фотоприемным устройствам (ФПУ) на основе фотодиодов (ФД), изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп InGaAs/AlInAs/InP, преобразующих излучение в коротковолновой инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм). Согласно изобретению в гетероэпитаксиальную структуру InGaAs/AlInAs/InP между слоем поглощения и барьерным слоем введен дополнительный слой с градиентным изменением состава для устранения разрыва в области валентной зоны структуры. По краям градиентного слоя формируются два дельта-легированных слоя для выравнивания энергетического уровня валентной зоны и повышения его однородности, что позволяет устранить барьер в валентной зоне и за счет этого увеличить квантовую эффективность, а как следствие и чувствительность в матричных ФПУ на основе соединений InGaAs/AlInAs/InP. 4 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к матричным фотоприемным устройствам (ФПУ) на основе фотодиодов (ФД), изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп InGaAs/AlInAs/InP, преобразующих излучение в коротковолновой инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм).
Фотоприемные устройства на основе фотодиодов, изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп полупроводниковых соединений InGaAs/AlInAs/InP, широко используются в различных применениях, связанных с построением изображений объектов наблюдения, характеризующихся сверхмалым уровнем сигнала. Они обладают малыми темновыми токами и высокой обнаружительной способностью.
Имеются различные конструкции фотодиодов в матрице фоточувствительных элементов (МФЧЭ). По типу формирования чувствительных элементов различают планарные и мезаструктурные ФД. Во всех конструкциях у фотодиодов имеется обратно смещенный p-n или p-i-n переход, который формируется путем использования слоев p-, n- и i-типа проводимости. ФД функционирует таким образом, чтобы формируемые под воздействием падающего излучения инфракрасной области спектра носители заряда, электроны и дырки, разделялись полем p-n перехода и принимали участие в процессе фотопроводимости.
Для повышения эффективности работы современные фотодиоды имеют барьерные слои, которые создаются в единой гетероэпитаксиальной структуре с помощью прогрессивных методов выращивания, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и мосгидридная эпитаксия (МОСГЭ). Барьерные слои являются более широкозонными по сравнению с поглощающими узкозонными слоями и за счет этого зонная диграмма полупроводниковых соединений имеет ряд особенностей, влиящих на выходные фотоэлектрические параметры матричных ФПУ. В качестве поглощающего слоя в гетероструктурах InGaAs/AlInAs/InP выступает полупроводниковый слой с узкой шириной запрещенной зоны, например In0,53Ga0,47As, в то время как слой с более широкой запрещенной зоной Al0,48In0,52As, является барьерным. Размещение широкозонного слоя в области p-n перехода существенно уменьшает темновые токи диффузии, генерации-рекомбинации и туннелирования, и таким образом, увеличивает отношение сигнал/шум.
Известен многоэлементный фотоприемник на основе эпитаксиальных структур InGaAs/InP [Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур InGaAs/InP, Болтарь К.О., Седнев М.В., Шаронов Ю.П., Смирнов Д.В., Киселева Л.В., Савостин А.В., патент на изобретение № RU 2530458 С1 от 23.04.2013, ОАО «НПО «Орион»], который формируется методом травления гетероструктуры InGaAs/InP на отдельные p-i-n фотодиоды с минимальным коэффициентом фотоэлектрической связи между ними. Изобретение обеспечивает формирование матриц фоточувствительных элементов с минимальными потерями светового потока, минимальным коэффициентом фотоэлектрической взаимосвязи и высоким быстродействием. Недостатком данного многоэлементного фотоприемника являются повышенные темновые токи p-i-n фотодиодов, поскольку мезаструктурное разделение элементов в матрицах, ограничивающее токи диффузии в боковых областях структуры, не обеспечивает ограничения других токовых составляющих темнового тока, таких как: токи диффузии, генерации-рекомбинации, туннелирования и утечки.
В качестве ближайшего аналога для представляемого изобретения выбран p-i-n фотодиод [Low dark current photodiode, Augusto Gutierrez-Aitken, Edward A. Rezek, Patent No: US 6 566 724 B1, Date of Patent 20.05.2003 г.], обеспечивающий существенное уменьшение темнового тока за счет использования широкозонного барьерного слоя в области p-n-перехода, который служит для подавления диффузионного тока электронов за счет использования барьера в зоне проводимости; тока генерации-рекомбинации за счет размещения области объемного заряда в широкозонном слое; туннельных токов и токов утечки за счет пассивации узкозонного поглощающего слоя широкозонным барьерным. Недостатком данного фотодиода с широкозонным барьерным слоем является дополнительный барьер и разрыв энергетического уровня в валентной зоне структуры, что приводит к снижению квантовой эффективности при рабочих напряжениях смещения.
Задачами настоящего изобретения являются устранение разрыва в валентной зоне, выравнивание энергетического уровня и как следствие увеличение квантовой эффективности и чувствительности в матричных мезаструктурных фотодиодах на основе полупроводниковых соединений InGaAs/AlInAs/InP с барьерными широкозонными слоями AlInAs при сохранении малых темновых токов и шумов.
Технический результат предлагаемого изобретения обеспечивается тем, что мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP, изготовленный по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах InGaAs/AlInAs/InP, работающих в коротковолновой области спектра, содержит:
- оптически прозрачную подложку InP n-типа;
- буферный слой InP n-типа проводимости, к которому формируется n-контакт;
- слой поглощения In0,53Ga0,47As n-типа с шириной запрещенной зоны, настроенной на заданный спектральный диапазон;
- барьерный слой In0,52Al0,48As p+-типа с шириной запрещенной зоны большей, чем ширина запрещенной зоны поглощающего слоя;
- контактный слой InGaAs p+-типа;
- в структуру между барьерным слоем и контактным слоем добавлен слой AlInGaAs n-типа с градиентным изменением ширины запрещенной зоны и двумя дельта-легированными слоями p- и n-типа проводимости, для достижения высокой квантовой эффективности и чувствительности при заданном времени считывания фотосигнала и минимальных темновых токах.
Технический результат предлагаемого изобретения достигается за счет введения в гетероэпитаксиальную структуру InGaAs/AlInAs/InP между слоем поглощения и барьерным слоем дополнительного слоя с градиентным изменением состава для устранения разрыва в области валентной зоны структуры. По краям градиентного слоя формируются два дельта-легированных слоя для выравнивания энергетического уровня валентной зоны и повышения его однородности, что позволяет устранить барьер в валентной зоне и за счет этого увеличить квантовую эффективность, а как следствие и чувствительность в матричных ФПУ на основе соединений InGaAs/AlInAs/InP.
На фиг. 1 показан мезаструктурный барьерный фотодиод p+-B-n-N+-типа на основе ГЭС InGaAs, он включает p-i-n-структуру, совмещенную с широкозонным барьерным слоем (В), использование которого в области p-n перехода позволяет эффективно подавлять ток диффузии электронов, токи генерации-рекомбинации, токи туннелирования и утечки, входящие в состав темнового тока.
Гетероэпитаксиальная структура p+-B-n-N+-типа, включает:
- высоколегированную оптически прозрачную подложку InP с антиотражающим покрытием нитрида кремния Si3N4 и концентрацией доноров в подложке InP ND=(1-2)⋅1018 см-3;
- высоколегированный буферный слой InP N+-типа проводимости толщиной ~0,3-1,0 мкм, используемый для согласования кристаллической решетки подложки со слоем поглощения и изготовления контактов к N+-области;
- активный поглощающий слой In0,53Ga0,47As n-типа проводимости толщиной 2,0-2,5 мкм с уровнем концентрации n=(1-2)⋅1016 см-3 и высоким значением подвижности носителей заряда;
- широкозонный барьерный слой In0,52Al0,48As (В) P-типа проводимости, толщина которого составляет 0,1-0,5 мкм с концентрацией акцепторов p=(1-2)⋅1015 см-3, пассивирующий поглощающий слой In0,53Ga0,47As (Eg=0,75 эВ) и уменьшающий токи поверхностной рекомбинации;
- контактный высоколегированный слой In0,53Ga0,47As p+-типа толщиной 0,1-0,5 мкм для создания омического контакта к p-области.
Параметры слоев, входящих в состав мезаструктурного фотодиода p+-B-n-N+-типа, сформированного на подложке InP, приведены в таблице 1.
На фиг. 2(а) схематично представлена область разрыва в зонной диаграмме между барьерным и поглощающим слоями p-In0.52Al0.48As/n-In0.53Ga0.47As.
Согласно модели Андерсона [Anderson, R. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions / R. Anderson // Solid-State Electronics. - 1962. - Vol. 5. - P. 341] на гетерогранице различных по составу слоев расхождение энергии для зоны проводимости ЕС и валентной зоны EV описываются формулами
ΔEC=χ1-χ2
ΔEV=ΔEg-ΔEC,
где Eg - ширина запрещенной зоны, EF - положение уровня Ферми, χ - энергия электронного сродства, которая определяется как энергия, необходимая для переноса электрона с состояния на краю зоны проводимости до энергетического уровня свободного электрона в вакууме.
На фиг. 2(б) показано примененное решение по устранению разрыва зонной диаграммы с помощью дополнительного четырехкомпонентного тонкого слоя AlInGaAs n- типа с градиентным изменением ширины запрещенной зоны для плавного перехода между кристаллическими структурами поглощающего (In0,53Ga0,47As) и барьерного (In0,52Al0,48As) слоев, что позволяет устранить разрыв между барьерным (p-In0.52Al0.48As) и поглощающим (n-In0.53Ga0.47As) слоями.
Необходимость дальнейшего выравнивания неоднородности энергетического уровня в валентной зоне (показано стрелочками на фиг. 2(б) приводит к необходимости введения в структуру двух сильно легированных тонких дельта-слоев n- и p-типа проводимости на границе слоя AlInGaAs с градиентным изменением ширины запрещенной зоны для устранения немонотонности энергетического уровня зонной структуры и беспрепятственного прохождения неосновных носителей заряда (дырок) к контакту при обратном напряжении смещения на структуре.
Подобные тонкие легированные слои можно математически описать с помощью дельта-функции Дирака, по названию которой данные слои получили обозначение дельта-легированных слоев. В идеале толщина дельта-слоев должна составлять один или насколько моноатомных слоев. На практике толщина данных слоев составляет 5-10 нм.
На фиг. 3 схематично представлена зонная диаграмма в области сопряжения барьерного и поглощающего слоев рассматриваемой полупроводниковой структуры p+-B-n-N+-типа с градиентным слоем и двумя дельта-легированными слоями при небольшом напряжении смещения. Введение в структуру дополнительного поля за счет использования двух дельта слоев n- и p-типа проводимости приводит к смещению и выравниванию уровня энергии валентной зоны. Показано полное устранение барьера в валентной зоне и выравнивание энергетического уровня.
Уменьшение наклона валентной зоны в градиентном слое можно оценить по формуле
откуда можно получить оценку концентрации дельта-слоя Ns, необходимой для выравнивания валентной зоны на потенциал, равный Δϕ=0.2 эВ.
Возможные параметры реализованного мезаструктурного фотодиода (концентрации слоев и их толщины) на основе гетероструктуры на основе четырехслойной архитектуры с тонким четырехкомпонентным слоем AlInGaAs переменного состава и дельта-слоями, приведены в таблице 2.
Гетероструктуры на основе четырехслойной архитектуры p+-B-n-N+-типа с варизонным четырехкомпонентным слоем AlInGaAs n-типа с градиентным изменением ширины запрещенной зоны и дельта-слоями выращивалась методом мосгидридной эпитаксии на согласованной с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As по кристаллической структуре подложке InP n+-типа проводимости. Для формирования матрицы фотодиодов формата 320×256 элементов гетероструктура разделялась на мезаэлементы методом ионного и финишного жидкостного травления. Шаг элементов в матрице составлял 30 мкм, размеры ФЧЭ - 20×20 мкм2. Глубина травления мезаструктуры задавалась временем и скоростью травления ионами аргона до широкозонного барьерного слоя Al0.48In0.52As через маску фоторезиста, что позволяло формировать отдельные ФЧЭ, пассивируя узкозонный поглощающий слой. Затем формировались контактные слои к фотодиодам и подложке.
Проведены исследования параметров образцов ФПУ на основе четырехслойных ГЭС InGaAs с архитектурой n+-В-n-P+-типа с широкозонным барьерным слоем, градиентным четырехкомпонентным слоем и дельта-легированными слоями p- и n-типа. На фиг. 4(а, б) представлены (а) - диаграмма распределения темнового тока и (б) - ИК-изображение. Контроль темновых токов фотодиодов показал, что среднее по МФЧЭ значение темнового тока при напряжении обратного смещения (Vфчэ=-0,35 В) составило Iт=8,5 фА.
Claims (8)
- Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP, изготовленный по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах InGaAs/AlInAs/InP, работающих в коротковолновой области спектра, содержащий:
- - оптически прозрачную подложку InP n-типа;
- - буферный слой InP n-типа проводимости, к которому формируется n-контакт;
- - слой поглощения In0,53Ga0,47As n-типа с шириной запрещенной зоны, настроенной на заданный спектральный диапазон;
- - барьерный слой In0,52Al0,48As р+-типа с шириной запрещенной зоны большей, чем ширина запрещенной зоны поглощающего слоя;
- - контактный слой InGaAs p+-типа,
- отличающийся тем,
- что в структуру между барьерным слоем и контактным слоем добавлен слой AlInGaAs n-типа с градиентным изменением ширины запрещенной зоны и двумя дельта-легированными слоями р- и n-типа проводимости, что обеспечивает достижение высокой квантовой эффективности и чувствительности при заданном времени считывания фотосигнала и минимальных темновых токах.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139081A RU2627146C1 (ru) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139081A RU2627146C1 (ru) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2627146C1 true RU2627146C1 (ru) | 2017-08-03 |
Family
ID=59632695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016139081A RU2627146C1 (ru) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2627146C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2791206C1 (ru) * | 2022-09-15 | 2023-03-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Способ формирования сквозных металлизированных отверстий в подложке карбида кремния |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215680A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置 |
| JPH04296066A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置 |
| US6566724B1 (en) * | 2000-12-19 | 2003-05-20 | Northrop Grumman Corporation | Low dark current photodiode |
| RU2530458C1 (ru) * | 2013-04-23 | 2014-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP |
-
2016
- 2016-10-04 RU RU2016139081A patent/RU2627146C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215680A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置 |
| JPH04296066A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置 |
| US6566724B1 (en) * | 2000-12-19 | 2003-05-20 | Northrop Grumman Corporation | Low dark current photodiode |
| RU2530458C1 (ru) * | 2013-04-23 | 2014-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2791206C1 (ru) * | 2022-09-15 | 2023-03-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Способ формирования сквозных металлизированных отверстий в подложке карбида кремния |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5942068B2 (ja) | 化合物半導体受光素子アレイ | |
| US8274096B2 (en) | Semiconductor device and method | |
| US10079262B2 (en) | Semiconductor photo-detector | |
| US7504672B1 (en) | Separate absorption and detection diode | |
| US8441032B2 (en) | Low-level signal detection by semiconductor avalanche amplification | |
| US7368762B2 (en) | Heterojunction photodiode | |
| EP3306679B1 (en) | Light-receiving element and optical integrated circuit | |
| US7915639B2 (en) | InGaAsSbN photodiode arrays | |
| WO2011008979A2 (en) | Strain-balanced extended-wavelength barrier detector | |
| US20150243825A1 (en) | Simultaneous dual-band detector | |
| Arslan et al. | \(640\times 512\) Extended Short Wavelength Infrared In 0.83 Ga 0.17 As Focal Plane Array | |
| US9647155B1 (en) | Long wave photo-detection device for used in long wave infrared detection, materials, and method of fabrication | |
| JP2020107901A (ja) | 平面のアバランシェ・フォトダイオード | |
| US20140217540A1 (en) | Fully depleted diode passivation active passivation architecture | |
| JP2012216727A (ja) | 受光素子、その製造方法および検出装置 | |
| Singh et al. | High performance of midwave infrared HgCdTe e-avalanche photodiode detector | |
| RU2627146C1 (ru) | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP | |
| Hipwood et al. | Affordable high-performance LW IRFPAs made from HgCdTe grown by MOVPE | |
| JPWO2015079763A1 (ja) | 受光素子 | |
| TW201501278A (zh) | 用於光電子材料中之垂直整合電荷轉移閘極技術之磊晶結構 | |
| US20150162471A1 (en) | Phototransistor device | |
| JP2015032796A (ja) | 受光素子、その製造方法、および光センサ装置 | |
| Iakovleva et al. | Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging | |
| WO2014002082A2 (en) | Photodetector device | |
| CN110518085B (zh) | 锑化物超晶格雪崩光电二极管及其制备方法 |