JPH04296066A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH04296066A JPH04296066A JP3061478A JP6147891A JPH04296066A JP H04296066 A JPH04296066 A JP H04296066A JP 3061478 A JP3061478 A JP 3061478A JP 6147891 A JP6147891 A JP 6147891A JP H04296066 A JPH04296066 A JP H04296066A
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- electric field
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に用いる半導体受
光装置に係り、特に Ｇｂ／ｓ 伝送システムに対応す
る超格子アバランシェフォトダイオ−ド（ＳＬＡＰＤ）
の構造に関する。
光装置に係り、特に Ｇｂ／ｓ 伝送システムに対応す
る超格子アバランシェフォトダイオ−ド（ＳＬＡＰＤ）
の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、Ｇｂ／ｓ帯光通信システムに用い
る受光素子として、広帯域、低雑音特性の観点から、増
倍層に超格子構造を持つアバランシェフォトダイオ−ド
（以下ＳＬＡＰＤ）の開発が進められている。これらの
ＳＬＡＰＤに用いられている超格子の代表的な構造は、
井戸層幅（Ｌｗ）２０−５０ｎｍ、障壁層幅（Ｌｂ）２
０−５０ｎｍ、超格子層の全膜厚（Ｌｔ）１μｍ程度で
ある。香川等は上記構造のＳＬＡＰＤにより、利得帯域
積ＧＢ積＝５０ＧＨｚ，イオン化率比ｋ＝１０（条件：
増倍率Ｍ＝１０）暗電流 Ｉｄ＝数１００μＡ（条件：
Ｍ＝１０）を報告している（サード オプトエレクト
ロニクス カンファレンス、１３Ａ２−７、オ−エフ
シー’９０［Ｔｈｉｒｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ １３Ａ２−７ （ＯＦＣ
’９０）］）。
る受光素子として、広帯域、低雑音特性の観点から、増
倍層に超格子構造を持つアバランシェフォトダイオ−ド
（以下ＳＬＡＰＤ）の開発が進められている。これらの
ＳＬＡＰＤに用いられている超格子の代表的な構造は、
井戸層幅（Ｌｗ）２０−５０ｎｍ、障壁層幅（Ｌｂ）２
０−５０ｎｍ、超格子層の全膜厚（Ｌｔ）１μｍ程度で
ある。香川等は上記構造のＳＬＡＰＤにより、利得帯域
積ＧＢ積＝５０ＧＨｚ，イオン化率比ｋ＝１０（条件：
増倍率Ｍ＝１０）暗電流 Ｉｄ＝数１００μＡ（条件：
Ｍ＝１０）を報告している（サード オプトエレクト
ロニクス カンファレンス、１３Ａ２−７、オ−エフ
シー’９０［Ｔｈｉｒｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ １３Ａ２−７ （ＯＦＣ
’９０）］）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＬＡＰＤを将来の高
速光通信システムへ適用するためには、高いイオン化率
比を保持したまま（ｋ＝５−１０ 条件：増倍率Ｍ＝１
０）、利得帯域積、暗電流 のより一層の向上（ＧＢ積
＞１００ＧＨｚ、Ｉｄ＜１μＡ 条件：Ｍ＝１０）が望
まれる。ＧＢ積を向上するためには、超格子層の全膜厚
（Ｌｔ）を薄くすることが有力である。しかし、Ｌｔを
薄くすると一定の増倍を得るための電界が増加し、その
結果Ｉｄ、ｋの劣化を生じる。そのため、従来の超格子
構造でＬｔを薄くする方法では上記特性を改善すること
は不可能である。
速光通信システムへ適用するためには、高いイオン化率
比を保持したまま（ｋ＝５−１０ 条件：増倍率Ｍ＝１
０）、利得帯域積、暗電流 のより一層の向上（ＧＢ積
＞１００ＧＨｚ、Ｉｄ＜１μＡ 条件：Ｍ＝１０）が望
まれる。ＧＢ積を向上するためには、超格子層の全膜厚
（Ｌｔ）を薄くすることが有力である。しかし、Ｌｔを
薄くすると一定の増倍を得るための電界が増加し、その
結果Ｉｄ、ｋの劣化を生じる。そのため、従来の超格子
構造でＬｔを薄くする方法では上記特性を改善すること
は不可能である。
【０００４】本発明の目的は、上記仕様を満たすＳＬＡ
ＰＤの超格子構造を提供することである。
ＰＤの超格子構造を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、井戸層幅（Ｌｗ）、障壁層幅（Ｌｂ）が従
来構造より薄い超格子構造を提案するものである。本発
明で採用する狭い井戸幅の超格子構造はイオン化率比向
上の観点からは適当ではないと通常は考えられるが、本
発明者等の実験確認結果、従来の知識から予測される以
外の効果を確認したため、ここに開示するものである。
決するため、井戸層幅（Ｌｗ）、障壁層幅（Ｌｂ）が従
来構造より薄い超格子構造を提案するものである。本発
明で採用する狭い井戸幅の超格子構造はイオン化率比向
上の観点からは適当ではないと通常は考えられるが、本
発明者等の実験確認結果、従来の知識から予測される以
外の効果を確認したため、ここに開示するものである。
【０００６】すなわち、本発明によればＳＬＡＰＤにお
いて、キャリア増倍領域内の超格子構造を構成する第１
のバンドギャップを有する第１の半導体薄膜の膜厚Ｌｗ
と、この第１のバンドギャップより大きい第２のバンド
ギャップを有する第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂが、１ｎ
ｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足する半導体受光装置の構成を提供す
る。
いて、キャリア増倍領域内の超格子構造を構成する第１
のバンドギャップを有する第１の半導体薄膜の膜厚Ｌｗ
と、この第１のバンドギャップより大きい第２のバンド
ギャップを有する第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂが、１ｎ
ｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足する半導体受光装置の構成を提供す
る。
【０００７】後述するとおり、本超格子構造により高い
ＧＢ積の期待できるＬｔ≦０．５μｍの薄膜超格子増倍
層においてもｋ、Ｉｄ（イオン化率比、暗電流特性）の
改善が可能である。
ＧＢ積の期待できるＬｔ≦０．５μｍの薄膜超格子増倍
層においてもｋ、Ｉｄ（イオン化率比、暗電流特性）の
改善が可能である。
【０００８】
【作用】初めに本発明の超格子構造により暗電流が抑制
される機構を示す。増倍が生じる高電界下で超格子増倍
層を流れる電流は、バンド間のトンネル電流が支配的で
ある。図２に超格子構造をパラメ−タとしたバンド間の
トンネル電流と超格子増倍層に加わる電界Ｅ（ＳＬ）の
計算値を示す。超格子構造はＬｂ＝１５ｎｍ（一定）の
もとで、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍとし、Ｌｔ＝
０．５μｍ、接合径５０μｍとした。図より超格子増倍
層のバンド間トンネル電流は極めて大きなＬｗ依存性を
持つこと、Ｌｗ＝５ｎｍとすることで Ｅ（ＳＬ）＝５
００ｋＶ／ｃｍ（本発明の超格子構造で１０程度の増倍
を生じる電界）といった高電界までトンネル電流を１０
０ｎＡ以下に抑制できることが判る。また、図３にＬｗ
＝５ｎｍ（一定）のもとで、Ｌｂ＝５、１０、１５、２
０ｎｍの場合の同様な計算結果を示す。トンネル電流の
抑制にはＬｂ＞１０ｎｍ、Ｌｗ＜１０ｎｍとすることが
効果的であり、特にＬｂ＞１５ｎｍとすることにより顕
著なトンネル電流抑制効果が生じることが判る。Ｌｗ≦
１ｎｍでは、充分な増倍が得られない。
される機構を示す。増倍が生じる高電界下で超格子増倍
層を流れる電流は、バンド間のトンネル電流が支配的で
ある。図２に超格子構造をパラメ−タとしたバンド間の
トンネル電流と超格子増倍層に加わる電界Ｅ（ＳＬ）の
計算値を示す。超格子構造はＬｂ＝１５ｎｍ（一定）の
もとで、Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍとし、Ｌｔ＝
０．５μｍ、接合径５０μｍとした。図より超格子増倍
層のバンド間トンネル電流は極めて大きなＬｗ依存性を
持つこと、Ｌｗ＝５ｎｍとすることで Ｅ（ＳＬ）＝５
００ｋＶ／ｃｍ（本発明の超格子構造で１０程度の増倍
を生じる電界）といった高電界までトンネル電流を１０
０ｎＡ以下に抑制できることが判る。また、図３にＬｗ
＝５ｎｍ（一定）のもとで、Ｌｂ＝５、１０、１５、２
０ｎｍの場合の同様な計算結果を示す。トンネル電流の
抑制にはＬｂ＞１０ｎｍ、Ｌｗ＜１０ｎｍとすることが
効果的であり、特にＬｂ＞１５ｎｍとすることにより顕
著なトンネル電流抑制効果が生じることが判る。Ｌｗ≦
１ｎｍでは、充分な増倍が得られない。
【０００９】次に本発明の超格子構造とイオン化率比の
関係について述べる。詳細なデ−タは実施例で述べるが
、本発明により１０程度の高いイオン化率比を得ること
が可能である。通常、超格子ＡＰＤでの高いイオン化率
比は価電子帯、伝導帯でのバンド不連続値の違いにより
引き起こされる。本発明ではバンド不連続値の違いと合
わせて、電子、正孔での衝突電離の空間的な分布の違い
が大きなイオン化率比を生じさせているものと考えられ
る。
関係について述べる。詳細なデ−タは実施例で述べるが
、本発明により１０程度の高いイオン化率比を得ること
が可能である。通常、超格子ＡＰＤでの高いイオン化率
比は価電子帯、伝導帯でのバンド不連続値の違いにより
引き起こされる。本発明ではバンド不連続値の違いと合
わせて、電子、正孔での衝突電離の空間的な分布の違い
が大きなイオン化率比を生じさせているものと考えられ
る。
【００１０】
【実施例】図１に本発明の超格子ＡＰＤの断面図を示す
。本素子は増倍層に超格子構造５を持つ光吸収層７、増
倍層分離型のメサ型裏面入射方式のＡＰＤである。本発
明の特徴となる超格子増倍層はＩｎＧａＡｓ井戸層幅Ｌ
ｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡｓ障壁層幅Ｌｂ＝１５ｎｍであ
り、超格子増倍層の全膜厚は０．３５μｍとした。図で
１−１０は、それぞれＮ電極、Ｐ電極、Ｎ−ＩｎＰ基板
（膜厚ｄ＝１５０μｍ、キャリア濃度Ｎ＝２×１０１８
／ｃｍ３）、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ
、Ｎ＝２×１０１８／ｃｍ３）、アンド−プ−超格子増
倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜１×１０１５／ｃｍ３）、
Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ＝１
．３×１０１７／ｃｍ３）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層
（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝２×１０１５／ｃｍ３）、Ｐ−
ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２×１０１
８／ｃｍ３）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０
．２μｍ、Ｐ＝２×１０１９／ｃｍ３）、及びポリイミ
ドパッシベ−ション膜である。接合径は５０μｍである
。
。本素子は増倍層に超格子構造５を持つ光吸収層７、増
倍層分離型のメサ型裏面入射方式のＡＰＤである。本発
明の特徴となる超格子増倍層はＩｎＧａＡｓ井戸層幅Ｌ
ｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡｓ障壁層幅Ｌｂ＝１５ｎｍであ
り、超格子増倍層の全膜厚は０．３５μｍとした。図で
１−１０は、それぞれＮ電極、Ｐ電極、Ｎ−ＩｎＰ基板
（膜厚ｄ＝１５０μｍ、キャリア濃度Ｎ＝２×１０１８
／ｃｍ３）、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ
、Ｎ＝２×１０１８／ｃｍ３）、アンド−プ−超格子増
倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜１×１０１５／ｃｍ３）、
Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ＝１
．３×１０１７／ｃｍ３）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層
（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝２×１０１５／ｃｍ３）、Ｐ−
ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２×１０１
８／ｃｍ３）、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０
．２μｍ、Ｐ＝２×１０１９／ｃｍ３）、及びポリイミ
ドパッシベ−ション膜である。接合径は５０μｍである
。
【００１１】本素子の結晶成長には分子線エピタキシ法
を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系の溶液によるウェッ
トエッチングを用いた。電極にはＰ型、Ｎ型共に真空蒸
着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを用いた。
を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系の溶液によるウェッ
トエッチングを用いた。電極にはＰ型、Ｎ型共に真空蒸
着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを用いた。
【００１２】本素子の特性を以下に示す。増倍率Ｍ＝１
０での暗電流、素子容量、イオン化率比は、それぞれ８
００ｎＡ、０．１３ｐＦ、１０であった。また、入射光
波長１．５５μｍでの量子効率は８５％であった。本素
子の周波数特性をスペクトラムアナライザで評価した結
果、利得帯域積１０５ＧＨｚ、増倍率１０での遮断周波
数１０ＧＨｚを得た。
０での暗電流、素子容量、イオン化率比は、それぞれ８
００ｎＡ、０．１３ｐＦ、１０であった。また、入射光
波長１．５５μｍでの量子効率は８５％であった。本素
子の周波数特性をスペクトラムアナライザで評価した結
果、利得帯域積１０５ＧＨｚ、増倍率１０での遮断周波
数１０ＧＨｚを得た。
【００１３】本素子を用いた伝送実験から受信感度を求
めた。光源には発振波長１．５５μｍのＤＦＢレ−ザを
用い、光ファイバ長１００ｋｍ、ビットエラレ−ト／１
０１１での最小受信感度−２８ｄＢｍを得た。
めた。光源には発振波長１．５５μｍのＤＦＢレ−ザを
用い、光ファイバ長１００ｋｍ、ビットエラレ−ト／１
０１１での最小受信感度−２８ｄＢｍを得た。
【００１４】これまで述べたように本発明は超格子ＡＰ
Ｄの超格子構造に関するものであり、本発明が本実施例
に示した素子構造（メサ型、裏面入射方式、超格子増倍
層以外の層の仕様等）に限定されるものではないことは
明らかである。
Ｄの超格子構造に関するものであり、本発明が本実施例
に示した素子構造（メサ型、裏面入射方式、超格子増倍
層以外の層の仕様等）に限定されるものではないことは
明らかである。
【００１５】また、本発明の超格子増倍層の仕様を限定
した理由は、すでに暗電流の観点より図２、３に示した
。次に、増倍率、イオン化率比の観点からの実験結果を
示す。図４、図５に最大増倍率、イオン化率比の超格子
構造依存性を示す。図４は、Ｌｂ＝１５ｎｍ（一定）、
Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍの
場合を、また、図５は、Ｌｗ＝５ｎｍ（一定）、Ｌｂ＝
１０、１５、２０、２５ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍの場合
を示す。素子構造、素子作成方法は基本的に上述の実施
例と同様である。図４、図５の最大増倍率を決める主要
因は、トンネル電流の増加に伴うトンネルブレ−クダウ
ンであると考えられ、図２、図３との相関が認められる
。また、両図のイオン化率比（最大増倍率でのイオン化
率比）は、ＩｎＧａＡｓ 井戸層の膜厚の違いによる電
界の違い等にもとずくものと考えられる。両図、及び図
２、図３を合わせて考えると、暗電流低減、最大増倍率
の増大、イオン化率比向上のために本発明の超格子構造
、即ち１ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍかつ１０ｎｍ＜Ｌｗ＜２
０ｎｍ、が有効であることが判る。
した理由は、すでに暗電流の観点より図２、３に示した
。次に、増倍率、イオン化率比の観点からの実験結果を
示す。図４、図５に最大増倍率、イオン化率比の超格子
構造依存性を示す。図４は、Ｌｂ＝１５ｎｍ（一定）、
Ｌｗ＝５、１０、１５、２０ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍの
場合を、また、図５は、Ｌｗ＝５ｎｍ（一定）、Ｌｂ＝
１０、１５、２０、２５ｎｍ、Ｌｔ＝０．４μｍの場合
を示す。素子構造、素子作成方法は基本的に上述の実施
例と同様である。図４、図５の最大増倍率を決める主要
因は、トンネル電流の増加に伴うトンネルブレ−クダウ
ンであると考えられ、図２、図３との相関が認められる
。また、両図のイオン化率比（最大増倍率でのイオン化
率比）は、ＩｎＧａＡｓ 井戸層の膜厚の違いによる電
界の違い等にもとずくものと考えられる。両図、及び図
２、図３を合わせて考えると、暗電流低減、最大増倍率
の増大、イオン化率比向上のために本発明の超格子構造
、即ち１ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍかつ１０ｎｍ＜Ｌｗ＜２
０ｎｍ、が有効であることが判る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、高速光通信用の広帯域
、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオ−ドを得る
ことができる。具体的には、低暗電流、高イオン化率比
を維持したまま、高い利得帯域積を実現できる。
、低雑音の超格子アバランシェフォトダイオ−ドを得る
ことができる。具体的には、低暗電流、高イオン化率比
を維持したまま、高い利得帯域積を実現できる。
【図１】本発明実施例に係る超格子ＡＰＤの断面構造図
。
。
【図２】超格子構造をパラメ−タとしたバンド間のトン
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す図
。
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す図
。
【図３】超格子構造をパラメ−タとしたバンド間のトン
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す図
。
ネル電流と超格子増倍層に加わる電界の計算値を示す図
。
【図４】最大増倍率、イオン化率比の超格子構造依存性
を説明するための図。
を説明するための図。
【図５】最大増倍率、イオン化率比の超格子構造依存性
を説明するための図。
を説明するための図。
１…Ｎ電極、２…Ｐ電極、
３…Ｎ−ＩｎＰ基板（ｄ＝１５０μｍ、Ｎ＝２×１０１
８／ｃｍ３）、 ４…Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２
×１０１８／ｃｍ３）、 ５…アンド−プ−超格子増倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜
１×１０１５／ｃｍ３）、 ６…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ
＝１．３×１０１７／ｃｍ３）、 ７…Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝
２×１０１５／ｃｍ３）、 ８…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２
×１０１８／ｃｍ３）、 ９…Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０．２μｍ、
Ｐ＝２×１０１９／ｃｍ３、） １０…ポリイミドパッシベ−ション膜。
８／ｃｍ３）、 ４…Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２
×１０１８／ｃｍ３）、 ５…アンド−プ−超格子増倍層（ｄ＝０．５μｍ、Ｎ＜
１×１０１５／ｃｍ３）、 ６…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．２μｍ、Ｐ
＝１．３×１０１７／ｃｍ３）、 ７…Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝１．７μｍ、Ｐ＝
２×１０１５／ｃｍ３）、 ８…Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ＝２
×１０１８／ｃｍ３）、 ９…Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｄ＝０．２μｍ、
Ｐ＝２×１０１９／ｃｍ３、） １０…ポリイミドパッシベ−ション膜。
Claims (7)
- 【請求項１】半導体基板と、この半導体基板上に設けら
れた半導体積層構造と、この半導体積層構造内に電界を
印加するための１対の電極とを有し、上記半導体積層構
造は入射した光を光電変換するための光吸収領域と、こ
の光吸収領域で生成したキャリアを増倍するための増倍
領域とを有し、この増倍領域は第１のバンドギャップを
有する第１の半導体薄膜と、この第１のバンドギャップ
より大きい第２のバンドギャップを有する第２の半導体
薄膜とを積層した超格子構造を含み、上記第１の半導体
薄膜の膜厚Ｌｗ及び上記第２の半導体薄膜の膜厚Ｌｂが
、 １ｎｍ＜Ｌｗ＜１０ｎｍ １０ｎｍ＜Ｌｂ＜２０ｎｍ の関係を同時に満足することを特徴とする半導体受光装
置。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体受光装置において
、前記半導体積層構造は前記１対の電極により印加され
る電界を緩和するための電界緩和層を更に有する半導体
受光装置。 - 【請求項３】バンドギャップの異なる２種類以上の半導
体の積層構造より構成される増倍層を有して、上記積層
構造の内、最もバンドギャップの小さな半導体の膜厚を
１０ｎｍ未満とし、最もバンドギャップの大きな半導体
の膜厚を１０ｎｍをこえ、２０ｎｍ未満とすることを特
徴とする半導体受光装置。 - 【請求項４】バンドギャップの異なる２種類以上の半導
体の積層構造より構成される増倍層を有し、井戸層の膜
厚を１０ｎｍ未満とし、障壁層の膜厚を１０ｎｍをこえ
２０ｎｍ未満とすることを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項５】請求項３若しくは４に記載の半導体受光装
置において、前記積層構造より構成される増倍層の全膜
厚を０．５μｍ以下にすることを特徴とする半導体受光
装置。 - 【請求項６】請求項３、４若しくは５に記載の半導体受
光装置は、光吸収層、前記増倍層、及びこれら光吸収層
及び増倍層の電界を調整するための電界緩和層とを有し
、更にこれら３層に電界を印加するための２種類以上の
電極を持つことを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項７】請求項３、４、５若しくは６に記載の半導
体受光装置を構成する半導体材料として、ＩｎＰに格子
整合したＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｓＰを含むことを特徴とする半導体受光装置
。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3061478A JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061478A JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
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ID=13172220
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3061478A Expired - Lifetime JP3061203B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体受光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061203B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046276A1 (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | アバランシェフォトダイオード |
| JP2008028421A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード |
| JP2011165848A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | 面入射型フォトダイオード |
| RU2627146C1 (ru) * | 2016-10-04 | 2017-08-03 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP |
| CN114497263A (zh) * | 2018-07-11 | 2022-05-13 | 斯坦福国际研究院 | 无过量噪声的光电二极管 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3061478A patent/JP3061203B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US9640703B2 (en) | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
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