JP4609430B2 - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
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Description
プレーナ構造は、選択拡散領域を設けることによりpn接合を形成するものであるが、前記pn接合のエッジ部におけるエッジブレークダウンが問題となる。エッジ部で電流が流れると、電圧を増大させても中央に位置する受光部のpn接合の逆方向電圧はほとんど増加しないため、アバランシェフォトダイオードとしての機能を発揮できない。そのため例えば前記エッジ部に不純物注入などにより高抵抗のガードリングを設けるなどの対策がとられている(例えば特許文献2)。
傾斜型メサ構造において、メサ外周領域に埋め込み層を設けるためには、例えば有機金属気相成長法(MO−CVD)法などで、部分的に、かつ結晶面によらず均一に結晶再成長させるというプロセスが必要であるため、製造コストが上昇する、歩留まりが悪いという問題があった。また暗電流を低くする対策がとられているものの抑制効果が不十分であるという問題があった。
プレーナ構造において(特許文献2では擬似プレーナ構造と記載)、例えば受光領域周辺部の電界緩和層のp導電型を補償してガードリングを形成する方法では、トレンチを形成してTiなどのイオン注入を行なわなければならず、エッチングストッパー層を設ける必要があった。さらにその外周に不純物拡散層を設けるので、プロセスが複雑となり製造コストが上昇するとともに、歩留まりにも問題があった。また光吸収層中のガードリングの電界強度が高くなるのでトンネル暗電流が大きくなるなどの問題もあった。
図1は参考例1によるアバランシェフォトダイオードの概略構造を示す断面図である。ここでは第1導電型としてn型を、第2導電型としてp型を、第1電極としてn電極を、第2電極としてp電極を用いている。各半導体層の作製は、例えばn型InPなどのウエハ状の基板1上に、MO-CVDや分子線エピタキシャル成長法(MBE)などを用いて実現できる。本参考例1では次の工程順で作製した。基板1上に、例えばキャリア濃度0.2〜2×1019cm−3のn型InPなどの第1の半導体層2(以下バッファ層という)を厚み0.1〜1μmに、i型AlInAsのアバランシェ増倍層4を厚み0.15〜0.4μmに、キャリア濃度0.5〜1×1018cm−3のp型InPの電界緩和層5を厚み0.03〜0.06μmに、キャリア濃度1〜5×1015cm−3のp−型GaInAsの光吸収層6を厚み1〜1.5μmに、i型InPなどの前記光吸収層6よりバンドギャップの大きい第2の半導体層8を厚み1.0〜2μmに、i型GaInAsコンタクト層9を厚み0.1〜0.5μmに順次成長させた。ここでは被検出光を基板1と反対側から入射する構成(以下表面入射という)をとるため、前記第2の半導体層8のバンドギャップは被検出光のエネルギーより大きくしている。また第2の半導体層8は、被検出光を透過させるので以下第2の半導体層8を窓層という。
本参考例によるアバランシェフォトダイオードでは、上記参考例1で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層6と窓層8との間に、さらに遷移層7を設けた。形成方法としては、上記参考例1で光吸収層6を成長させた工程に続き、例えばi型GaInAsPを厚み0.01〜0.05μmに成長させ、遷移層7とした。
本参考例によるアバランシェフォトダイオードでは、上記参考例1、2で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、p型導電領域10の周辺にさらにp型周辺導電領域110を設けた。図6、図7は、本参考例によるアバランシェフォトダイオードの概略構造を示す断面図である。ここで6は光吸収層、3はストッパ層であり、ホール遷移および拡散ストッパを兼ねている。8は窓層、9はコンタクト層である。
図6に示すアバランシェフォトダイオードは、コンタクト層9の外周を超えた広い範囲に遷移層7に達しない程度に浅く選択熱拡散を行なってp型導電領域110を形成し、その後に、上記p型周辺導電領域110の領域より狭い範囲に遷移層7に達する程度に深く選択熱拡散を行なってp型導電領域10を形成したものである。上記p型導電領域10の領域は、重ねて選択熱拡散されている。このように、p型導電領域10の抵抗を十分上げることができ、さらにp型周辺導電領域110で周辺を取り囲むようにしているので、表面電界強度を下げることができる。したがってブレークダウンをさらに抑制でき、信頼性を増すことができる。
図8は、本参考例によるアバランシェフォトダイオードを示す概略構造を示す断面図であり、現象を説明するため、イメージ的に空乏化領域11を示している。本参考例では、上記参考例1で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、p型導電領域10を含み、上記p型導電領域10の周辺領域を径100μm程度の円形状に残し、その外周の窓層8、光吸収層6を電界緩和層5に達するまで除去し、側面25を形成した(以下側面除去という)。
本参考例では窓層8と光吸収層6とを接合させた例を示したが、上記参考例2あるいは参考例3で示したように、窓層8と光吸収層6との間に遷移層7あるいはストッパ層3を設けてもよい。
本参考例では導電領域10を形成した例を示したが、上記参考例3で示したようにさらに周辺導電領域110を形成してもよい。
図10は、参考例5によるアバランシェフォトダイオードの概略構成を示す断面図である。本参考例では、上記参考例4で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層6の幅が窓層8および電界緩和層5より小さくなるように側面25を形成した。例えば有機酸と過酸化水素水の混合溶液を用いれば、選択的に光吸収層6を深くエッチングできる。このようにして光吸収層6と電界緩和層5に段差を設けることにより、暗電流は流れにくくなり、前記暗電流を10−8Aレベル以下に低減できた。
図11は、本参考例によるアバランシェフォトダイオードの概略構成を示す断面図である。本参考例では、上記参考例4で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、窓層8を塩酸/リン酸溶液で側面除去し、有機酸/過酸化水素水溶液により光吸収層6を側面除去した後、光吸収層8の側面25より10μm程度離れた位置において電界緩和層5、アバランシェ増倍層4、バッファ層2の一部をHBr/過酸化水素水混合溶液を用いて除去して溝26を形成した。このように少なくとも光吸収層6を側面除去した上で、さらに上記溝26を設けることにより、光吸収層6から暗電流が流れにくくなり、前記暗電流を10−8Aレベル以下に低減できた。
溝26は、電界緩和層5、アバランシェ増倍層4、バッファ層2を除去して形成したが、少なくとも電界緩和層5を除去すればよい。電界緩和層5を設けない場合は、少なくとも最上層を除去すればよい。
図12は本参考例によるアバランシェフォトダイオードの概略構造を示す断面図である。本参考例では、上記参考例4〜6で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、少なくとも除去された光吸収層6の側面25を覆うようにSiNxにより保護膜12を形成した。
前記保護膜12を設けることにより、酸化や水分吸収を防止できるため、暗電流発生を抑制でき、長期信頼性を得ることができる。さらに素子取り扱い時の接触による破損の防止ができる効果もある。
本参考例の図12では、保護膜12を、光吸収層6の側面25のみでなく上面および他の層の側面にも設けた例を示したが、少なくとも除去された光吸収層6の側面25を覆えば、その他は必要な部位のみ部分的に設けてもよい。
図13は本参考例によるアバランシェフォトダイオードの概略構造を示す断面図である。上記参考例1と同様にして、n型InP基板1上に、キャリア濃度2×1018〜2×1019cm−3のn型AlInAs/GaInAs分布ブラッグ反射層23を所定の厚みに、n型AlInAs反射調整層24を所定の厚みに、i型AlInAsアバランシェ増倍層4を0.1〜0.3μmに、キャリア濃度1×1017〜2×1018cm−3のp型InP電界緩和層5を0.03〜0.06μmに、キャリア濃度1〜5×1015cm−3のp型GaInAs光吸収層6を1.0〜1.5μmに、i型GaInAs遷移層7を0.02〜0.2μmに、i型InP窓層8を1.0〜2.0μmに、i型GaInAsコンタクト層9を0.1〜0.4μmに順次成長させた。
また、反射調整層24の所定の厚みとは、該厚みをtr、屈折率をnr、アバランシェ増倍層4の厚みをta、屈折率をna、電界緩和層5の厚みをte、屈折率をneとすると、
tr=1/(4×nr)(k×λ−4×(ta×na+te×ne))>0
(kは奇数)
を満たすものである。好ましくは最小値を使用するのがよい。
特に逆バイアス電圧が充分に高い時、アバランシェ増倍層4に達した電子はイオン化して電子−ホール対を生成し、生成された電子、ホールもそれぞれ反対方向にドリフトする。これらの電子、ホールがさらにイオン化することにより電子、ホールが雪崩的に増倍することができる。
本参考例では、分布ブラッグ反射層23および反射調整層24を設けたので、光吸収層6において吸収されずに透過した光を再度光吸収層6へ向けて反射させることができるので、光吸収層6での光吸収量をより高めることができる。したがってアバランシェフォトダイオードの光感度を高めることが可能となる。
また、本参考例では、反射調整層24として屈折率の低いAlInAsを用いた例を示したが、InP、AlGaInAs、GaInAsPなどを用いてもよい。
分布ブラッグ反射層23、反射調整層24におけるn型キャリア濃度については、抵抗が動作速度に対し問題とならない範囲で変化させればよく大きいほどよい。
を満たす数値であればよい。
図15は、本発明の実施の形態1によるアバランシェフォトダイオードの概略構成を示す断面図である。本実施の形態では上記参考例4〜8で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、側面除去した後、外周部に絶縁膜15を設け、この絶縁膜15の一部を除去してn電極13を形成した。本実施の形態のアバランシェフォトダイオードは、素子表面にn電極13とp電極14とを配置させることができるため、n電極13、p電極14ともにワイヤ配線接合が可能となる。また、n電極13にAuZnなどを用いてバンプ電極を形成すれば、フリップチップ実装が可能となる。また、n電極13とp電極14を同材料にして同時に形成することもできる。
また本実施の形態において、反射調整層24上にn電極13を形成する例を示したが、反射調整層24およびブラッグ反射層23を構成する層のうち、バンドギャップの小さい層上に配置すればコンタクト抵抗を低減することができる。材質としてはGaInAsとコンタクトさせることが好ましい。
図19は、本参考例によるアバランシェフォトダイオードの概略構成を示す断面図である。本参考例では上記参考例1〜8で示したアバランシェフォトダイオードにおいて、基板1にFeドープなどによるInPなどの半絶縁性基板29を用いる。また光28を半絶縁性基板29基板側から入射させる。半導体の積層方法としては、例えば半絶縁性基板29上に、キャリア濃度2×1018〜2×1019cm-3のn型AlInAsバッファ層19、i型AlInAsアバランシェ増倍層4を0.1〜0.3μm、キャリア濃度1×1017〜2×1018cm-3のp型InP電界緩和層5を0.03〜0.06μm、キャリア濃度1×1015〜5×1015cm-3のp型GaInAs光吸収層6を1.0〜1.5μm、i型AlGaInAs遷移層7を0.02〜0.2μm、i型InPの第2の半導体層8(裏面より光入射させる場合はキャップ層として機能する)を1.0〜2.0μm、i型GaInAsコンタクト層9を0.1〜0.4μm順次成長させた後、p型導電領域10、GaInAsコンタクト層9、およびp電極14を形成した。さらにn型AlInAsバッファ層19に至るまで側面除去し、上面および側面25を覆うように保護膜12を設け、n型AlInAsバッファ層19にコンタクトさせるようにn型電極13を形成した。
n電極13、p電極14の材料としては、AuZn/Au、AuGe/Ni/Au,Ti/Auを用いてもよい。
アバランシェ増倍層4としては、GaInAsP、AlInAs/AlGaInAs超格子、AlInAs/GaInAsP超格子としてもよい。
なお上記実施の形態1において、アバランシェ増倍層4は、電子をより増倍するAl系材料を用いた例を示したが、増倍層側がp型の場合、ホールが増倍層に動くため、ホールをより増倍できるInP系材料をアバランシェ増倍層4として用いることができる。
電界緩和層5は、特に必要としない場合は省略できるが、バンドギャップが大きい材料が好ましい。InPはホール、AlInAsは電子のイオン化率が高いため、電子のイオン化率がより高い材料、例えばAlInAsなどのAl系材料をアバランシェ増倍層4に用いる際には、同じく電子のイオン化率が高いAlInAs電界緩和層5を用いれば、動作速度、雑音についてより優れた特性を得ることができる。
遷移層7については、AlInAs、GaInAsPとしてもよい。
窓層8については、AlInAs、AlGaInAsとしてもよい。またFeをドープした半絶縁性型としてもよい。
コンタクト層9については、非導電型であってもよい。窓層8の導電領域10とp電極14とが低抵抗でコンタクトできれば省略してもよい。
Claims (7)
- 第1電極と、これに電気的に接続された第1導電型からなる第1の半導体層を具備する基板とを備え、前記基板には、工程順に少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、前記光吸収層よりバンドギャップの大きい第2の半導体層とが順次積層され、前記第2の半導体層内には、第2導電型導電領域が形成され、かつ
前記第2導電型導電領域および前記第2導電型導電領域の周囲の第2の半導体層の一部を残し、その外周の基板上に積層された層のうち、少なくとも光吸収層が除去されるように上面から形成されたとまり孔が設けられ、前記第2導電型導電領域は、第2電極に電気的に接続されていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - とまり孔は、リング状あるいはトラック形状であることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- とまり孔には保護膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- とまり孔の外側には、第2のとまり孔が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 外周の基板上に積層された層には、第1導電型の層を含み、前記第1導電型の層上には絶縁膜が設けられ、上記絶縁膜上には第1電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 外周の基板上に積層された層のうち、光吸収層が他の層より狭く形成されて層間に段差が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 光吸収層の光出射面側にブラッグ反射層および反射調整層が所定の厚みで設けられ、
前記ブラッグ反射層の所定の厚みは、検出する光の波長をλ、前記ブラッグ反射層の屈折率をnとしたときに、λ/(4n)で表される数値の奇数倍であって、
前記反射調整層の所定の厚みtrは、前記反射調整層の屈折率をnr、前記光吸収層と前記ブラッグ反射層との間に挟まれる層の厚みをt1、t2、・・・tn、屈折率をn1、n2、n3、・・・nn、kを奇数としたときに、
tr=1/(4×nr)(k×λ−4×Σ(tn×nn))>0
を満たす数値であることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
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