JPH02228077A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH02228077A JPH02228077A JP1048019A JP4801989A JPH02228077A JP H02228077 A JPH02228077 A JP H02228077A JP 1048019 A JP1048019 A JP 1048019A JP 4801989 A JP4801989 A JP 4801989A JP H02228077 A JPH02228077 A JP H02228077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- algaas
- gaas
- semi
- isolation groove
- photodiodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コヒーレント光通信システムの主構成要素と
なる半導体受光素子の改良に関する。
なる半導体受光素子の改良に関する。
（従来の技術）
コヒーレント光通信システムは、光の周波数や位相の情
報を用い直接検波システムと比べて論理上１０〜２０ｄ
Ｂの感度改善が見込まれるので、将来の光通信システム
として有望視されている。
報を用い直接検波システムと比べて論理上１０〜２０ｄ
Ｂの感度改善が見込まれるので、将来の光通信システム
として有望視されている。
その中で、デュアルバランス型受光素子は、局発光強度
雑音の抑圧が可能となるから、コヒーレント光通信用受
光素子として期待されている。局発光強度雑音をより効
果的に抑圧するためには、デュアルバランス型受光素子
を構成する２つのフォトダイオードの受光電流振幅と遅
延時間が等しいことが重要である。そのためには２つの
フォトダイオードにおいて、量子効率・容量・暗電流等
の特性が等しい必要がある。
雑音の抑圧が可能となるから、コヒーレント光通信用受
光素子として期待されている。局発光強度雑音をより効
果的に抑圧するためには、デュアルバランス型受光素子
を構成する２つのフォトダイオードの受光電流振幅と遅
延時間が等しいことが重要である。そのためには２つの
フォトダイオードにおいて、量子効率・容量・暗電流等
の特性が等しい必要がある。
これまでの報告例として、Ｂ、Ｌ。
Ｋａｓｐｅｒらによりエレクトロニクス・レターズ誌（
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔａｒｓ、ｖｏｌ、２
２．Ｎｏ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔａｒｓ、ｖｏｌ、２
２．Ｎｏ。
８、ｐｐ、４１３−４１５．１９８６）、又０．Ｗａｒ
ｄらにより同誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、ｖｏｌ、２４．Ｎｏ、９．ｐｐ、５１４−５１６
．１９８８）に詳しい記載がある。Ｋａｓｐｅｒらのデ
ュアルバランス型受光素子は、特性がそろった二つのＰ
ＩＮフォトダイオードを用いているが個別素子のハイブ
リット実装であるから、パッケージ容量などの寄生容量
が存在し入力容量は１．２ｐＦと大きい。このためＣＲ
帯域によりその動作速度はＩ Ｇ ｂ ／ ｓ程度に制
限されていた。
ｄらにより同誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、ｖｏｌ、２４．Ｎｏ、９．ｐｐ、５１４−５１６
．１９８８）に詳しい記載がある。Ｋａｓｐｅｒらのデ
ュアルバランス型受光素子は、特性がそろった二つのＰ
ＩＮフォトダイオードを用いているが個別素子のハイブ
リット実装であるから、パッケージ容量などの寄生容量
が存在し入力容量は１．２ｐＦと大きい。このためＣＲ
帯域によりその動作速度はＩ Ｇ ｂ ／ ｓ程度に制
限されていた。
一方、Ｗ ａ ｄ ａは動作速度に関するその制限域を
拡張するために二つのＰＩＮフォトダイオードを同一基
板上にモノリシック集積することを試み、０．３ｐＦの
低容量化と量子効率のばらつき土１．５％を得、４．２
Ｇｂ／ｓめ動作速度まで１５ｄＢ以上の局発光強度雑音
の抑圧を実現した。
拡張するために二つのＰＩＮフォトダイオードを同一基
板上にモノリシック集積することを試み、０．３ｐＦの
低容量化と量子効率のばらつき土１．５％を得、４．２
Ｇｂ／ｓめ動作速度まで１５ｄＢ以上の局発光強度雑音
の抑圧を実現した。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、第２図に示すようにＷ ａ ｄ ａらの
従来例に於いては、モノリシック集積により容量の低減
を図りながら容量と量子効率の均一化を実現しているも
のの、暗電流のばらつきが大きいという欠点があった。
従来例に於いては、モノリシック集積により容量の低減
を図りながら容量と量子効率の均一化を実現しているも
のの、暗電流のばらつきが大きいという欠点があった。
逆方向電圧１０ｖにおける二つのフォトダイオードの暗
電流は１２０ｎＡと３．８ｎＡであり、この差はおもに
分離溝を流れるリーク電流による。従来例では、半絶縁
性ＩｎＰ基板に達する分離溝を形成しその上をＳｉＮｘ
からなる保Ｍ膜で覆い素子分離を行っているが、ＩｎＰ
とＳｉＮｘの界面は電気的に不安定であり界面単位を介
して電流が流れやすいことが主な原因である。フォトダ
イオードの暗電流にばらつきがあると、局発光強度雑音
の抑圧が不十分となる。その結果、受信感度の劣化が生
じ素子の高性能化に限界があった。
電流は１２０ｎＡと３．８ｎＡであり、この差はおもに
分離溝を流れるリーク電流による。従来例では、半絶縁
性ＩｎＰ基板に達する分離溝を形成しその上をＳｉＮｘ
からなる保Ｍ膜で覆い素子分離を行っているが、ＩｎＰ
とＳｉＮｘの界面は電気的に不安定であり界面単位を介
して電流が流れやすいことが主な原因である。フォトダ
イオードの暗電流にばらつきがあると、局発光強度雑音
の抑圧が不十分となる。その結果、受信感度の劣化が生
じ素子の高性能化に限界があった。
本発明の目的は、これらの欠点を除去し二つのフォトダ
イオードの暗電流が少なく且つ等しい高性能なデュアル
バランス型受光素子を提供することにある。
イオードの暗電流が少なく且つ等しい高性能なデュアル
バランス型受光素子を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、ＩｎＰ系半導体からなる複数のフォトダイオ
ードが半絶縁性１ｎＰ基板上に形成されている半導体受
光素子に於いて、隣接する前記フォトダイオードの間に
前記半絶縁性１ｎＰ基板に達する分離溝があり、前記分
離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗半導
体層が形成されていることを特徴とするものである。
ードが半絶縁性１ｎＰ基板上に形成されている半導体受
光素子に於いて、隣接する前記フォトダイオードの間に
前記半絶縁性１ｎＰ基板に達する分離溝があり、前記分
離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗半導
体層が形成されていることを特徴とするものである。
（作用）
ＩｎＰとＧ ａ Ａ ｓ又はＡｌＧａＡｓの界面は電気
的に安定であり、ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓとＳｉＮｘ
の界面も電気的に安定である。半絶縁性１ｎＰ基板に達
する分離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵
抗半導体層を形成することによって、ＩｎＰの界面準位
を介してのリーク電流がなくなる。したがって、本発明
によりフォトダイオードの暗電流が少なくかつ等しい高
性能なデュアルバランス型受光素子が得られる。
的に安定であり、ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓとＳｉＮｘ
の界面も電気的に安定である。半絶縁性１ｎＰ基板に達
する分離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵
抗半導体層を形成することによって、ＩｎＰの界面準位
を介してのリーク電流がなくなる。したがって、本発明
によりフォトダイオードの暗電流が少なくかつ等しい高
性能なデュアルバランス型受光素子が得られる。
（実施例）
次に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の主要部を示す受
光素子の平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）の受光素子
の等価回路図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線
矢視断面図である。但し、第１図（ａ）におけるＡ−Ａ
線は、基板１０の表面に平行であって、Ｐ電極２０の中
線を通る線である。
光素子の平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）の受光素子
の等価回路図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線
矢視断面図である。但し、第１図（ａ）におけるＡ−Ａ
線は、基板１０の表面に平行であって、Ｐ電極２０の中
線を通る線である。
この実施例では、ＦｅドープのＩｒ１Ｐからなる半絶縁
性半導体基板１０上に選択的に形成された半導体層であ
る第１、第２のバッファー層１１゜１２、光吸収層１３
、ウィンド層１４を含んでなるＰＩＮフォトダイオード
の間に、半絶縁性ＩｎＰ基板１０に達する分離溝１５が
あり、その分離溝１５上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓか
らなる高抵抗半導体１１６が形成されているものである
。
性半導体基板１０上に選択的に形成された半導体層であ
る第１、第２のバッファー層１１゜１２、光吸収層１３
、ウィンド層１４を含んでなるＰＩＮフォトダイオード
の間に、半絶縁性ＩｎＰ基板１０に達する分離溝１５が
あり、その分離溝１５上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓか
らなる高抵抗半導体１１６が形成されているものである
。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
Ｆｅドープの半絶縁性１ｎＰ基板１０上に、液相成長法
、気相成長法又は分子線成長法によりｎ−ＩｎＰからな
る第１のバッファー層１１（厚さ１．０）ｔｍ、キャリ
ア濃度１ ｘ １０１７ｃｎ−’）、ｎ−１ｎＰからな
る第２のバッファー層１２（厚さ０．５μｍ、キャリア
濃度５ ｘ １０ ”ｃｍ−’）、ｎ Ｉ ｎ ０．
４７Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓからなる光吸収層１３（
厚さ２．５μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０１Ｓｃｎ−
’）ＩｎＰからなるウィンドウ層１４（厚さ１６０μｍ
、キャリア濃度１ ｘ １０１６ｃＩｌ−’）を成長さ
せる０次に、通常のフォトリソグラフィーとエツチング
技術により、選択的にウィンドウ層１４、光吸収層１３
、第２のバッファー層１２、第１のバッファー層１１を
除去して分離溝１５を形成する。
、気相成長法又は分子線成長法によりｎ−ＩｎＰからな
る第１のバッファー層１１（厚さ１．０）ｔｍ、キャリ
ア濃度１ ｘ １０１７ｃｎ−’）、ｎ−１ｎＰからな
る第２のバッファー層１２（厚さ０．５μｍ、キャリア
濃度５ ｘ １０ ”ｃｍ−’）、ｎ Ｉ ｎ ０．
４７Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓからなる光吸収層１３（
厚さ２．５μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０１Ｓｃｎ−
’）ＩｎＰからなるウィンドウ層１４（厚さ１６０μｍ
、キャリア濃度１ ｘ １０１６ｃＩｌ−’）を成長さ
せる０次に、通常のフォトリソグラフィーとエツチング
技術により、選択的にウィンドウ層１４、光吸収層１３
、第２のバッファー層１２、第１のバッファー層１１を
除去して分離溝１５を形成する。
この時ＩｎＰのエツチングには塩酸・燐酸の混合液をＩ
ｎＧａＡｓには硫酸・過酸化水素水・水の混合液を用い
た。さらにＭＯＶＰＥ又はＭＢＥ法をもちいて分離溝１
５上にＧ ａ Ａ ｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗
半導体層１６（厚さ１゜０μｍ、ノンドープ）を選択的
に形成する。
ｎＧａＡｓには硫酸・過酸化水素水・水の混合液を用い
た。さらにＭＯＶＰＥ又はＭＢＥ法をもちいて分離溝１
５上にＧ ａ Ａ ｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗
半導体層１６（厚さ１゜０μｍ、ノンドープ）を選択的
に形成する。
次に、通常のフォトリソグラフィー技術及び亜鉛拡散法
を用いて、ウィンドウ層１４の表面から選択的に亜鉛を
拡散してＰ形反転領域１７（拡散径３０μｍ）を形成す
る。更に、ウェハ全面にＳｉＮｘからなる保護膜１８（
厚さ２００ｎｍ）を形成後、Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉか
らなるｎ電！＃１１９、ＡｕＺｎからなるＰ電極２０、
Ａｕ／Ｔｉからなる配置１２１とポンディングパッド２
２を形成し、半導体受光素子が完成する。
を用いて、ウィンドウ層１４の表面から選択的に亜鉛を
拡散してＰ形反転領域１７（拡散径３０μｍ）を形成す
る。更に、ウェハ全面にＳｉＮｘからなる保護膜１８（
厚さ２００ｎｍ）を形成後、Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉか
らなるｎ電！＃１１９、ＡｕＺｎからなるＰ電極２０、
Ａｕ／Ｔｉからなる配置１２１とポンディングパッド２
２を形成し、半導体受光素子が完成する。
この様に隣接するフォトダイオードの間に半絶縁性ｒｎ
Ｐ基板に達する分離溝１５を設け、その分離溝１５上に
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗半導体層１６
を形成することによって分離溝１５を通るリーク電流が
なくなる。したがって、隣接する二つのフォトダイオー
ドの暗電流が少なくかつ等しい高性能なデュアルバラン
ス型受光素子が実現できる。
Ｐ基板に達する分離溝１５を設け、その分離溝１５上に
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗半導体層１６
を形成することによって分離溝１５を通るリーク電流が
なくなる。したがって、隣接する二つのフォトダイオー
ドの暗電流が少なくかつ等しい高性能なデュアルバラン
ス型受光素子が実現できる。
尚、上記の実施例に於いては寸法例も示したが、結晶成
長の様子は成長法や条件等で大幅に変化するからそれら
と共に適切な寸法を採用すべきことはいうまでもない。
長の様子は成長法や条件等で大幅に変化するからそれら
と共に適切な寸法を採用すべきことはいうまでもない。
また、本発明では電極金属、配線金属の種類に関して制
限はない。
限はない。
（発明の効果）
以上に詳述したように、本発明によれば、隣接するフォ
トダイオードの間に半絶縁性ＩｎＰ基板に達する分離溝
を設け、その分離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓから
なる高抵抗半導体層を形成することによって分離溝を通
るリーク電流がなくなるから、隣接する二つのフォトダ
イオードの暗電流が少なくかつ等しくなる。従って、本
発明の採用により高性能なデュアルバランス型受光素子
が実現できる。
トダイオードの間に半絶縁性ＩｎＰ基板に達する分離溝
を設け、その分離溝上にＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓから
なる高抵抗半導体層を形成することによって分離溝を通
るリーク電流がなくなるから、隣接する二つのフォトダ
イオードの暗電流が少なくかつ等しくなる。従って、本
発明の採用により高性能なデュアルバランス型受光素子
が実現できる。
ニ
第１図（ａ＞は本発明の一実施例の主要部を示す受光素
子の平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）の受光素子の等
価回路図、第１図（Ｃ）は同図（ａンのＡ−Ａｆ！矢視
断面図である。第２図は従来例の受光素子の斜視図であ
る。 １０・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、１１・・・第１のバッ
ファー層、１２・・・第２のバッファー層、１３・・、
光吸収層、１４・・・はウィンドウ層、１５・・・分離
溝、１６・・・は高抵抗半導体層、１７・・・ｐ形反転
領域、１８・・・ｉ護膜、１９・・・ｎ電極、２０・・
・Ｐ電極、２１・・・配線、２２・・・ポンディングパ
ッド。 （ａ） （ｂ）
子の平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）の受光素子の等
価回路図、第１図（Ｃ）は同図（ａンのＡ−Ａｆ！矢視
断面図である。第２図は従来例の受光素子の斜視図であ
る。 １０・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、１１・・・第１のバッ
ファー層、１２・・・第２のバッファー層、１３・・、
光吸収層、１４・・・はウィンドウ層、１５・・・分離
溝、１６・・・は高抵抗半導体層、１７・・・ｐ形反転
領域、１８・・・ｉ護膜、１９・・・ｎ電極、２０・・
・Ｐ電極、２１・・・配線、２２・・・ポンディングパ
ッド。 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- ＩｎＰ系半導体からなる複数のフォトダイオードが半絶
縁性ＩｎＰ基板上に形成されている半導体受光素子に於
いて、隣接する前記フォトダイオードの間に前記半絶縁
性ＩｎＰ基板に達する分離溝があり、前記分離溝上にＧ
ａＡｓ又はＡｌＧａＡｓからなる高抵抗半導体層が形成
されていることを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048019A JPH02228077A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048019A JPH02228077A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228077A true JPH02228077A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12791599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048019A Pending JPH02228077A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02228077A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343951A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置 |
| US9640703B2 (en) * | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1048019A patent/JPH02228077A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343951A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置 |
| JP4703031B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-06-15 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 化合物半導体装置 |
| US9640703B2 (en) * | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6635908B2 (en) | Burying type avalanche photodiode and fabrication method thereof | |
| US6683326B2 (en) | Semiconductor photodiode and an optical receiver | |
| WO2002007226A1 (fr) | Reseau de photo-dectecteurs | |
| JPH03156980A (ja) | 受光素子 | |
| JPH04111478A (ja) | 受光素子 | |
| JPH02228077A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH06268196A (ja) | 光集積装置 | |
| JP2570424B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2002344002A (ja) | 受光素子及び受光素子実装体 | |
| JPH04360585A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS639163A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP7485262B2 (ja) | 光導波路型受光素子 | |
| JP2646978B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2841876B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH09223816A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0582827A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2995751B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH01196182A (ja) | フォトダイオード | |
| JPS62282469A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2663842B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0555619A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS61224468A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH06132511A (ja) | 受光集積素子 | |
| JPS61128578A (ja) | ＩｎＰ系受光素子 | |
| JP2005086028A (ja) | 半導体受光装置 |