JP2004031707A - アバランシ・フォトダイオード - Google Patents
アバランシ・フォトダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004031707A JP2004031707A JP2002186961A JP2002186961A JP2004031707A JP 2004031707 A JP2004031707 A JP 2004031707A JP 2002186961 A JP2002186961 A JP 2002186961A JP 2002186961 A JP2002186961 A JP 2002186961A JP 2004031707 A JP2004031707 A JP 2004031707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- electric field
- band gap
- avalanche
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】半絶縁性基板上に、半絶縁性バッファ層101とn型半導体電極層102と半絶縁性半導体なだれ増倍層103と電界制御層104とp型半導体電界緩衝層105とバンドギャップ傾斜層106とp型半導体光吸収層107とp型半導体拡散バリア層108とp型半導体電極層109とを順次積層し、バンドギャップ傾斜層および電界制御層の各々のドーパント濃度分布を、動作状態におけるp型半導体光吸収層の、バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定した。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アバランシ・フォトダイオードに関し、より詳細には、動作電圧と暗電流量が低く、かつ、素子内の電界制御が容易な、長波長帯の超高速アバランシ・フォトダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
アバランシ・フォトダイオード(APD)は、素子自体が増幅機能を有していることから、光計測用や光通信用の高感度の受光素子として広く用いられており、大容量長距離光通信に用いられる1.55μm帯のAPDには、化合物半導体を用いたヘテロ接合型のSAM(Separated Absorption and Multiplication)構造が採用されている。
【0003】
このSAM構造は、バルク、もしくはバンドギャップエネルギが互いに異なる化合物半導体層を交互に積層させた超格子層で形成されたアバランシ層(なだれ増倍領域)とInGaAsなどの光吸収層(光電変換層)とを機能的に分離独立させたものである。この構造によれば、なだれ増倍領域のバンドギャップエネルギを光吸収層のそれよりも大きくすることにより、pn接合の暗電流を低減することができる。
【0004】
すなわち、InGaAs光吸収層に高電界が印加されると、そのバンドギャップエネルギが小さいためにトンネル現象による暗電流が増大するので、pn接合の電圧のほとんどがなだれ増倍領域にかかるように設計される。光吸収層となだれ増倍領域の間に電界制御のための電荷層を導入して電界の制御性をあげ、暗電流を一層低減させることを目的としたSACM(Separated Absorption Charge and Multiplication)構造も提案されている。
【0005】
これらのSAM構造とSACM構造のいずれのAPDにおいても、所望のデバイス特性を得るためには光吸収層の厚みの決定が重要となる。なだれ増倍現象が生じない条件下で高いキャリア発生率(量子効率)が得られない素子でなだれ増倍現象を生じさせても高いS/N比と感度を確保することはできないため、周波数応答帯域を確保可能な範囲で光吸収層厚WAを充分に厚くする必要がある。このため、従来のSACM構造のAPDは、pin型のPDになだれ増倍層を接続して光吸収層を低不純物濃度化することで空乏層を広げる設計がなされている。
【0006】
ここで、光吸収層内で生成された光励起キャリアをなだれ増倍領域に引き出すためには光吸収層自体に一定の電界を印加する必要があるので、光吸収層の高純度化と高品質化が求められ、例えば、光吸収層の厚みが2μmの場合には、光吸収層内のp型不純物濃度をおおよそ1×1015cm−3以下に抑えなければならない。また、光吸収層となだれ増倍領域の間に設けられる電界制御層のp型不純物濃度と厚さに強く依存するため、電界制御層の形成には高精度の不純物濃度制御と層厚制御が求められる。
【0007】
図4は、従来型のAPDの構造例を説明するための図で、図4(a)はAPDの断面図、図4(b)はこのAPDに電圧を印加した状態でのバンドダイアグラムである。このAPDは、電極層401の上に、なだれ増倍層402と、電界制御層403と、電界緩衝層404と、バンドギャップ傾斜層405と、光吸収層406と電極層407が順次積層され、電極層401および407には各々の電極層に対応する金属電極408および409が設けられている。これらの電極層401および407から逆バイアスを印加すると、光吸収層406は空乏化して図4(b)に示すようなバンド状態となり、この状態のAPDに光吸収層406のバンドギャップ以上のエネルギをもつ光が入射するとその光は主に空乏化した光吸収層406で吸収され、そこで電子とホールの対が生成されて光電流が流れる。
【0008】
このような構造のAPDでは、応答速度の指標である周波数応答帯域(3dB帯域:f3dB)は、なだれ増倍が加わらないpin型PD動作の時に最大となる.キャリア走行時間(τD)がドリフト速度の遅いホールの走行時間で決まるものと仮定して電子の走行時間を無視すると、光吸収層厚をWA、ホールのドリフト速度をvhとして、キャリア走行時間τDは、
τD(pin)=WA/3vh (1)
で与えられ、また、3dB帯域f3dBは、
f3dB(pin)=1/(2πτD) (2)
と近似される。
【0009】
光吸収層にInGaAsを用いた場合には、ホールドリフト速度(ホール飽和速度)vhは5×106cm/sであるから、3dB帯域f3dBは、
f3dB(pin)=〔1/WA(μm)〕×24GHz (3)
となる。例えば、10Gbit/sの信号を受信するAPDであれば3dB帯域はf3dB(pin)=15GHzが目安となるから、光吸収層厚WAは1.6μm程度とする必要があり、この光吸収層の殆どの領域でホールの飽和速度を維持するためには、電界強度は50kV/cm以上が必要となる。この電界強度は電圧換算で8V以上に相当するから、なだれ増倍層の電圧を加えた素子バイアスは通常25V程度となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来のAPDは、pin−PDに比べて印加する逆バイアス値(動作電圧)が高いというAPDの一般的な問題に加え、光吸収層内の電界が電界制御層の厚みとドーピングレベルによって大きく左右されるという問題があった。すなわち、最適値よりも光吸収層内の電界が強くなると暗電流レベルが高くなり易く、逆に光吸収層内の電界が弱すぎると応答帯域が低くなり易いために、一般には、良好な再現性/制御性を実現するのは困難であるのが現状である。
【0011】
特に、光吸収層にバンドギャップの小さなInGaAsを用いたAPDでは、なだれ増倍層内のみならずInGaAs光吸収層内でもなだれ増倍現象が生じて暗電流がレベルが高くなり易いという問題があった。
【0012】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、動作電圧と暗電流量が低くかつ素子内の電界制御が容易な、長波長帯の超高速アバランシ・フォトダイオードを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、アバランシ・フォトダイオードであって、半絶縁性基板上に、半絶縁性バッファ層と、n型半導体電極層と、半絶縁性半導体なだれ増倍層と、電界制御層と、p型半導体電界緩衝層と、バンドギャップ傾斜層と、p型半導体光吸収層と、p型半導体拡散バリア層と、p型半導体電極層とが順次積層された積層構造を有し、前記n型半導体電極層と前記p型半導体電極層の各々に金属電極を備え、前記バンドギャップ傾斜層および前記電界制御層の各々のドーパント濃度分布が、動作状態における前記p型半導体光吸収層の、前記バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定されていることを特徴とする。
【0014】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記p型半導体光吸収層内の前記バンドギャップ傾斜層方向へのドーパント濃度が、均一分布もしくは傾斜分布を有することを特徴とする。
【0015】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記p型半導体光吸収層が、InGaAsP混晶からなることを特徴とする。
【0016】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記バンドギャップ傾斜層が、InGaAsP混晶またはInGaAlAs混晶からなることを特徴とする。
【0017】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記半絶縁性半導体なだれ増倍層、前記電界制御層および前記p型半導体電界緩衝層の少なくとも1層が、InPまたはInAlAs混晶からなることを特徴とする。
【0018】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記積層構造が、前記p型半導体電界緩衝層もしくは前記バンドギャップ傾斜層を上面とし前記半絶縁性半導体なだれ増倍層を下面とする第1のメサ構造と、前記p型半導体電極層を上面とし前記バンドギャップ傾斜層もしくは前記p型半導体光吸収層を下面とする第2のメサ構造とから構成されており、当該第2のメサ構造が、前記第1のメサ構造の上面の外周部に一定の幅を有するように配置されていることを特徴とする。
【0019】
さらに、請求項7に記載の発明は、請求項6に記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記第1のメサ構造の上面の外周部の領域にガードリングを備え、当該ガードリングが、前記p型半導体光吸収層の単層構造もしくは当該p型半導体光吸収層と前記バンドギャップ傾斜層の積層構造を有するメサストライプ状の第1のガードリング、または、前記第1のメサ構造の上面から前記電界制御層の一部または全部を掘り込んだ形状のリセス状の第2のガードリングのいずれか一方もしくは双方で構成されていることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【0021】
図1は、本発明のAPDの第1の構造例を説明するための図で、図1(a)はAPDの断面図、図1(b)はこのAPDに電圧を印加した状態でのバンドダイアグラムである。このAPDは、図示しない半絶縁性基板の上に、半絶縁性のバッファ層101を設け、この上に、電極特性を得るための充分なドーピングがなされたn型半導体の電極層102と、半絶縁性半導体からなるなだれ増倍層103と、電界制御層104と、p型半導体からなる電界緩衝層105と、バンドギャップ傾斜層106と、p型半導体の光吸収層107と、p型半導体の拡散バリア層108と、電極特性を得るための充分なドーピングがなされたp型半導体の電極層109とが順次積層され、n型電極層102およびp型電極層109には各々の電極層に対応する金属電極110および111が設けられている。
【0022】
バンドギャップ傾斜層106および電界制御層104の各々のドーパント濃度分布は、APD動作状態における光吸収層107の、バンドギャップ傾斜層106との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定されている。このため、このAPDに電極層102および109から逆バイアスを印加すると各層内のエネルギーバンドは図1(b)に示すような状態となり、非動作時においてp型を示す光吸収層107内のエネルギーバンドはバンドギャップ傾斜層106との界面近傍を除いて勾配をもたないフラットな状態となり、動作時における光吸収層107は、そのバンドギャップ傾斜層106との界面近傍以外の領域で電気的に中性となる。
【0023】
この状態のAPDに光吸収層107のバンドギャップ以上のエネルギをもつ信号光が入射すると、その光は主に電気的に中性化した光吸収層107で吸収されて電子とホールの対が生成される。生成したホールはp型半導体の拡散バリア層108を介してp型半導体の電極層109へと伝導電流として流れる一方、生成した電子は、p型半導体の拡散バリア層108によって形成されたポテンシャル障壁によってp型半導体の電極層109への逆拡散が阻止され、バンドギャップ傾斜層106に拡散し、電界緩衝層105、および、電界制御層104を経てなだれ増倍層103へとドリフトしインパクトイオン化によるなだれ増倍現象が生じる。
【0024】
光吸収層107で発生したホールは多数キャリアであるから、発生するホール電流は光吸収層107が電気的中性となるように振る舞うのみであり、光吸収層107内で発生するホールがAPDの応答速度に関与することはない。すなわち、このような構造のAPDの応答速度は、光吸収層107の多数キャリアであるホールには直接影響されず少数キャリアである電子の拡散でほぼ決まる。ここで、電子の拡散係数をDe、p型半導体の光吸収層107の厚みをWANとすると、キャリア走行時間τDNは、
τDN=WAN 2/3De (4)
で与えられ、また、3dB帯域f3dBは、
f3dB=1/(2πτDN) (5)
と近似される。
【0025】
光吸収層107にドーピングレベルが1×1017cm−3のp型InGaAsを用いた場合には、InGaAs内の電子の移動度を8000cm2/Vs、拡散係数を200cm2/sとして、3dB帯域f3dBは、
f3dB=〔1/WAN 2(μm2)〕×9.6GHz (6)
となり、10Gbit/sの信号を受信するAPDの3dB帯域f3dBの目安である15GHzを得るためには、p型半導体の光吸収層107の厚みを0.8μm程度と設定すればよいこととなる。この光吸収層107の厚みは通常のAPDとして求められる量子効率を得るために充分な値であるが、APDのデバイス構造を「導波路型」、もしくは、結晶面のファセットを用いて光を斜め方向から入射させる「屈折ファセット型」とすれば更に高い量子効率を得ることが可能となる。
【0026】
なお、APDの量子効率の観点からは、光吸収層107内のドーパント濃度は、バンドギャップ傾斜層106からp型半導体の拡散バリア層108の方向にドーピング濃度が増大する傾斜分布を有するように決定されて、上記の電子の拡散に加えドリフト効果が働くように設計されることが好ましい。光吸収層107内のバンドギャップが、バンドギャップ傾斜層106からp型半導体の拡散バリア層108の方向に増大するように半導体の組成も傾斜させることがより好ましい。
【0027】
材料構成に関しては、p型半導体の光吸収層107がInGaAsP混晶、バンドギャップ傾斜層106がInGaAsP混晶またはInGaAlAs混晶、なだれ増倍層103、電界制御層104およびp型半導体の電界緩衝層105の少なくとも1層がInPまたはInAlAs混晶とする。
【0028】
図1(b)に示した本発明のAPDの動作時のバンドダイアグラムと、図4(b)に示した従来のAPDの動作時のバンドダイアグラムとを比較すると、これらの光吸収層107、406内のバンド状態が大きく異なる。すなわち、従来のAPDの光吸収層406は印加された逆バイアスにより空乏化してそのバンドがp型407電極層からバンドギャップ傾斜層405へと傾斜しており、10Gbit/s用のAPDではこの光吸収層406には約8Vの電圧が印加されているのに対して、本発明のAPDの光吸収層107は動作時において電気的中性となるように設計されているためにそのバンドはバンドギャップ傾斜層106との界面近傍領域を除くほぼ全域に渡り平坦に近く,光吸収層107には電圧が印加されない状態で動作することとなる。このため、本発明のAPDでは、これらの光吸収層107へ印加される電圧の差分である8V程度の低電圧動作が可能となる。
【0029】
また、本発明のAPDと従来のAPDとはバンドプロファイルの制御性も異なる。すなわち、従来のAPDでは電界緩衝層404と光吸収層406の内部の電界を独立して変えようとすると、これらの層と電界制御層403およびバンドギャップ傾斜層405との界面近傍領域のドーピングレベルおよび層厚を制御することが必要となる。
【0030】
これに対して、本発明のAPDでは、動作中の光吸収層107のバンドプロファイルはフラットであるため電界緩衝層105内部の電界のみを設計すれば良く、従って、バンドギャップ傾斜層106および電界制御層104の各々のドーパント濃度分布(濃度および層厚)のみを制御すればよいため、APDの設計が単純化され構造制御性も向上することとなる。
【0031】
さらに、本発明のAPDの光吸収層107内ではバンドギャップ傾斜層106との界面近傍を除いてポテンシャル勾配が存在しないため、空乏化した光吸収層107内で発生し得る再結合電流やトンネル電流、さらには、なだれ増倍電流の発生が抑制され、動作バイアス状態での暗電流が低減される。
【0032】
このように、本発明のAPDは、従来のAPDとは異なり、光吸収層内で速度の遅い多数キャリアであるホールの影響を排除して少数キャリアである電子のみを活性なキャリアとして用いた「単一走行キャリア」のAPDであり、低電圧動作と容易なバンド制御とを実現可能としたものである。
【0033】
図2は、本発明のAPDの第2の構造例を説明するための図で、図2(a)はAPDの断面図、図2(b)はこのAPDの平面図である。このAPDの基本的な積層構造は図1(a)に示したAPDと同様であり、バッファ層201の上に、n型の電極層202と、なだれ増倍層203と、電界制御層204と、電界緩衝層205と、バンドギャップ傾斜層206と、p型の光吸収層207と、p型の拡散バリア層208と、p型の電極層209とが順次積層され、n型の電極層202およびp型の電極層209には各々の電極層に対応する金属電極210および211が設けられている。
【0034】
このAPDでは、電界緩衝層205を上面としなだれ増倍層203を下面とする第1のメサ構造の上に、p型の電極層209を上面としバンドギャップ傾斜層206を下面とする第2のメサ構造が、第1のメサ構造の上面である電界緩衝層205の表面外周部に一定の幅を有するように配置されて設けられた構造が採用されている。
【0035】
この構造を採用した場合には、電界緩衝層205は低濃度にドープされているために、第2のメサ構造が乗らない第1のメサ構造部分においても電界緩衝層205が横方向に広がって設けられることとなり、空乏化領域が広がる分だけなだれ増倍領域の周辺の電界強度が低減されると共に、第1のメサ構造表面の電界強度が低下して暗電流を低減させることができる。
【0036】
より詳細に説明するならば、この第1のメサ構造表面の電位は、第2のメサ構造の端から遠ざかるにつれ低下し、この低下に伴いp形の電界制御層204中に中性化領域が自動的に発生し、電界制御層204のドーピング濃度とリーク電流で決まるところの電位で固定される。しかしながら、電界緩衝層205は低濃度にドープされているゆえ、一定の電界強度の低下は期待できる。
【0037】
なお、この第1および第2のメサ構造は、図2に示した構成に限定されるものではなく、バンドギャップ傾斜層206を上面としなだれ増倍層203を下面とする第1のメサ構造と、p型の電極層209を上面とし光吸収層207を下面とする第2のメサ構造とから構成することとしても同様の効果が得られる。
【0038】
図3は本発明のAPDの第3の構造例を説明するための図で、図3(a)はAPDの断面図、図3(b)はこのAPDの平面図である。このAPDの基本的な積層構造は図1(a)に示したAPDと同様であり、バッファ層301の上に、n型の電極層302と、なだれ増倍層303と、電界制御層304と、電界緩衝層305と、バンドギャップ傾斜層306と、p型の光吸収層307と、p型の拡散バリア層308と、p型の電極層309とが順次積層され、n型の電極層302およびp型の電極層309には各々の電極層に対応する金属電極310および311が設けられている。
【0039】
この構造では、図2に示した構造に加え、電界緩衝層305を上面とする第1のメサの上に設けられたメサストライプ状のガードリング312と、電界緩衝層305の上面から堀り込んで形成されたリセス状のガードリング313が設けられている。図2に示した第2の構造例では、第1のメサの表面電位が電界制御層中に発生する中性化領域の影響を受けることを説明したが、この図に示した第3の構造例では、メサストライプ状のガードリング312部分の電位は、その下部にある電界制御層304の中性化が起こる電位降下がガードリング312がない部分よりも(不純物濃度分布の違いにより)小さくなるため、第2のメサ端からガードリング312のメサストライプまでの電位降下、および、ガードリング312のメサストライプ部分からその外側に向かっての電位降下が小さくなる。
【0040】
すなわち、2つに分割されたこれらの領域における電位降下が互いにバランスすることで暗電流が決定されるゆえ、結局シリーズ接続された暗電流パス全体の電流を低下させることが可能となる。なお、リセス状のガードリング313は、中性化層が誘起されない様に、電界制御層304中もしくは電界制御層304の下面までの深さとする。このようにすると、なだれ増倍層303の側面の露出がなくなると共に、リセス状のガードリング313部分の電界が横方向に広がるため、暗電流の発生を一層抑制することが可能となる。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、バンドギャップ傾斜層および電界制御層の各々のドーパント濃度分布を、動作状態におけるp型半導体光吸収層の、バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定決定して、少数キャリアである電子のみを活性なキャリアとして用いる「単一走行キャリア」構造としたので、光吸収層への電圧印加が不要となり逆バイアスの低電圧化が可能となるとともにバンド制御が容易となり、空乏化した光吸収層内で発生し得る再結合電流やトンネル電流、さらには、なだれ増倍電流の発生が抑制されて動作バイアス状態での暗電流が低減される。
【0042】
また、光吸収層部分のメサを、電界緩衝層もしくは組成傾斜層を上面とするメサの内側に配置することにより、さらにはメサガードリングとリセスガードリングを追加して設けることにより、暗電流を一層低減させることができる。
【0043】
以上の技術的な改善によりアバランシ・フォトダイオードのノイズを低減させ、より高感度の光レシーバを実現することに貢献することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のAPDの第1の構造例を説明するための図で、(a)はAPDの断面図、(b)はこのAPDに電圧を印加した状態でのバンドダイアグラムである。
【図2】本発明のAPDの第2の構造例を説明するための図で、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図3】本発明のAPDの第3の構造例を説明するための図で、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図4】従来型のAPDの構造例を説明するための図で、(a)はAPDの断面図、(b)はこのAPDに電圧を印加した状態でのバンドダイアグラムである。
【符号の説明】
101、201、301 バッファ層
102、202、302 n型の電極層
103、203、303、402 なだれ増倍層
104、204、304、403 電界制御層
105、205、305、404 電界緩衝層
106、206、306、405 バンドギャップ傾斜層
107、207、307、406 光吸収層
108、208、308 p型の拡散バリア層
109、209、309 p型電極層
110、111、210、211、310、311、408、409 金属電極
312 メサ状のガードリング
313 リセス状のガードリング
401、407 電極層
Claims (7)
- 半絶縁性基板上に、半絶縁性バッファ層と、n型半導体電極層と、半絶縁性半導体なだれ増倍層と、電界制御層と、p型半導体電界緩衝層と、バンドギャップ傾斜層と、p型半導体光吸収層と、p型半導体拡散バリア層と、p型半導体電極層とが順次積層された積層構造を有し、前記n型半導体電極層と前記p型半導体電極層の各々に金属電極を備え、
前記バンドギャップ傾斜層および前記電界制御層の各々のドーパント濃度分布が、動作状態における前記p型半導体光吸収層の、前記バンドギャップ傾斜層との界面近傍以外の領域が電気的中性となるように決定されていることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。 - 前記p型半導体光吸収層内の前記バンドギャップ傾斜層方向へのドーパント濃度が、均一分布もしくは傾斜分布を有することを特徴とする請求項1に記載のアバランシ・フォトダイオード。
- 前記p型半導体光吸収層が、InGaAsP混晶からなることを特徴とする請求項1または2に記載のアバランシ・フォトダイオード。
- 前記バンドギャップ傾斜層が、InGaAsP混晶またはInGaAlAs混晶からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオード。
- 前記半絶縁性半導体なだれ増倍層、前記電界制御層および前記p型半導体電界緩衝層の少なくとも1層が、InPまたはInAlAs混晶からなることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオード。
- 前記積層構造が、前記p型半導体電界緩衝層もしくは前記バンドギャップ傾斜層を上面とし前記半絶縁性半導体なだれ増倍層を下面とする第1のメサ構造と、前記p型半導体電極層を上面とし前記バンドギャップ傾斜層もしくは前記p型半導体光吸収層を下面とする第2のメサ構造とから構成されており、
当該第2のメサ構造が、前記第1のメサ構造の上面の外周部に一定の幅を有するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載のアバランシ・フォトダイオード。 - 前記第1のメサ構造の上面の外周部の領域にガードリングを備え、
当該ガードリングが、前記p型半導体光吸収層の単層構造もしくは当該p型半導体光吸収層と前記バンドギャップ傾斜層の積層構造を有するメサストライプ状の第1のガードリング、または、前記第1のメサ構造の上面から前記電界制御層の一部または全部を掘り込んだ形状のリセス状の第2のガードリングのいずれか一方もしくは双方で構成されていることを特徴とする請求項6に記載のアバランシ・フォトダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002186961A JP4093304B2 (ja) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | アバランシ・フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002186961A JP4093304B2 (ja) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | アバランシ・フォトダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031707A true JP2004031707A (ja) | 2004-01-29 |
JP4093304B2 JP4093304B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=31182139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002186961A Expired - Lifetime JP4093304B2 (ja) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | アバランシ・フォトダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4093304B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005076371A1 (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Ntt Electronics Corporation | アバランシ・フォトダイオード |
WO2005078809A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nec Corporation | 半導体受光素子 |
EP1811578A1 (en) * | 2004-10-25 | 2007-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Avalanche photodiode |
JP2007311455A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JP2008028421A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード |
WO2011127343A3 (en) * | 2010-04-08 | 2012-01-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm |
JP2014099467A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 |
JP2015149332A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 日本電信電話株式会社 | アバランシ・フォトダイオード |
WO2016017126A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Nttエレクトロニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
WO2016088668A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェ・フォトダイオード |
JP2017199935A (ja) * | 2012-05-17 | 2017-11-02 | ピコメトリクス、エルエルシー | 平面のアバランシェ・フォトダイオード |
EP2669934A4 (en) * | 2011-01-24 | 2018-01-24 | NTT Electronics Corporation | Semiconductor device |
CN109804472A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-24 | 夏普株式会社 | 雪崩光电二极管 |
CN116884981A (zh) * | 2023-06-07 | 2023-10-13 | 边际科技(珠海)有限公司 | 一种响应0.85微米雪崩二极管与平面透镜的集成结构及其制程 |
CN117276376A (zh) * | 2023-11-17 | 2023-12-22 | 粒芯科技(厦门)股份有限公司 | 薄层高频雪崩光电二极管及其应用 |
-
2002
- 2002-06-26 JP JP2002186961A patent/JP4093304B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7557387B2 (en) | 2004-02-03 | 2009-07-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Avalanche photodiode |
EP1713133A4 (en) * | 2004-02-03 | 2017-10-18 | Ntt Electronics Corporation | Avalanche photodiode |
WO2005076371A1 (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Ntt Electronics Corporation | アバランシ・フォトダイオード |
WO2005078809A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nec Corporation | 半導体受光素子 |
US7560751B2 (en) | 2004-02-13 | 2009-07-14 | Nec Corporation | Semiconductor photo-detecting element |
JP4609430B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
JPWO2006046276A1 (ja) * | 2004-10-25 | 2008-05-22 | 三菱電機株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
EP1811578A4 (en) * | 2004-10-25 | 2009-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | PHOTODIODE AVALANCHE |
US9640703B2 (en) | 2004-10-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
EP1811578A1 (en) * | 2004-10-25 | 2007-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Avalanche photodiode |
JP2007311455A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JP2008028421A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード |
WO2011127343A3 (en) * | 2010-04-08 | 2012-01-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm |
US8653434B2 (en) | 2010-04-08 | 2014-02-18 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm |
EP2669934A4 (en) * | 2011-01-24 | 2018-01-24 | NTT Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2017199935A (ja) * | 2012-05-17 | 2017-11-02 | ピコメトリクス、エルエルシー | 平面のアバランシェ・フォトダイオード |
JP2014099467A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 |
JP2015149332A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 日本電信電話株式会社 | アバランシ・フォトダイオード |
WO2016017126A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Nttエレクトロニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
JP2016032034A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | Nttエレクトロニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
CN107004734A (zh) * | 2014-12-05 | 2017-08-01 | 日本电信电话株式会社 | 雪崩光电二极管 |
WO2016088668A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェ・フォトダイオード |
JPWO2016088668A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2017-07-06 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェ・フォトダイオード |
JP2019024091A (ja) * | 2014-12-05 | 2019-02-14 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェ・フォトダイオード |
US10297705B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-05-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Avalanche photodiode |
CN109804472A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-24 | 夏普株式会社 | 雪崩光电二极管 |
CN116884981A (zh) * | 2023-06-07 | 2023-10-13 | 边际科技(珠海)有限公司 | 一种响应0.85微米雪崩二极管与平面透镜的集成结构及其制程 |
CN116884981B (zh) * | 2023-06-07 | 2024-04-23 | 边际科技(珠海)有限公司 | 一种响应0.85微米雪崩二极管与平面透镜的集成结构及其制程 |
CN117276376A (zh) * | 2023-11-17 | 2023-12-22 | 粒芯科技(厦门)股份有限公司 | 薄层高频雪崩光电二极管及其应用 |
CN117276376B (zh) * | 2023-11-17 | 2024-03-08 | 粒芯科技(厦门)股份有限公司 | 薄层高频雪崩光电二极管及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4093304B2 (ja) | 2008-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6963089B2 (en) | Avalanche photo-detector with high saturation power and high gain-bandwidth product | |
EP3229279B1 (en) | Avalanche photodiode | |
US7557387B2 (en) | Avalanche photodiode | |
US7202102B2 (en) | Doped absorption for enhanced responsivity for high speed photodiodes | |
JP4093304B2 (ja) | アバランシ・フォトダイオード | |
EP2808908B1 (en) | High-speed photodetector | |
JP2934294B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
JP2012513110A (ja) | アバランシェ・フォトダイオード | |
EP3447806B1 (en) | Optical waveguide integrated light receiving element and method for manufacturing same | |
JPWO2007086528A1 (ja) | 半導体受光素子 | |
JPH0738140A (ja) | アバランシェホトダイオード | |
JPH06224463A (ja) | 半導体受光装置 | |
JP3675223B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
JP3687700B2 (ja) | フォトダイオード | |
CA2873841C (en) | Planar avalanche photodiode | |
KR20130098404A (ko) | 이중 콜렉터 utc 포토다이오드 | |
US4816890A (en) | Optoelectronic device | |
CN115295646A (zh) | 一种高性能光探测器芯片外延片 | |
CN115224138A (zh) | 一种水平拉通型锗硅雪崩光电探测器 | |
JP7445152B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
JPS61170079A (ja) | 半導体受光素子 | |
WO2016017126A1 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
JPH0473310B2 (ja) | ||
JPH05121777A (ja) | 受光素子 | |
RU223273U1 (ru) | Гетероструктура однофотонного лавинного фотодиода |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080226 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4093304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |