JP2015149332A - アバランシ・フォトダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
以下では、光吸収層109の層厚をWa=0.5μmとし、またGB積=300GHzとし、増倍率を8で動作させた場合を考え、実施の形態におけるアバランシ・フォトダイオードの帯域を計算し、従来の装荷型アバランシ・フォトダイオードと比較する。なお、ここでは、電子走行層105の層厚を、光吸収層109と同程度に設定することによって、本発明の実施の形態におけるアバランシ・フォトダイオードの空乏層厚を、従来の装荷型アバランシ・フォトダイオードと同程度にできるので、CR時定数の影響を無視し、キャリアの走行帯域のみを比較する。
Claims (2)
- 基板の上に形成された化合物半導体からなる下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に形成された化合物半導体からなるコア層と、
前記コア層の上に形成され、n型とされた化合物半導体からなるn型電界制御層と、
前記n型電界制御層の上に形成された化合物半導体からなるなだれ増倍層と、
前記なだれ増倍層の上に形成され、p型とされた化合物半導体からなるp型電界制御層と、
前記p型電界制御層の上に形成され、p型とされた化合物半導体からなる光吸収層と、
前記コア層より前記基板側に形成され、n型とされた化合物半導体からなるn型コンタクト層と、
前記光吸収層の上に形成され、p型とされた化合物半導体からなるp型コンタクト層と
を備え、
前記光吸収層は、動作時に電荷中性条件が保たれる不純物濃度とされ、
前記光吸収層は、前記p型電界制御層に近いほど低い不純物濃度とされていることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。 - 請求項1記載のアバランシ・フォトダイオードにおいて、
前記コア層と前記n型電界制御層との間に形成された化合物半導体からなる電子走行層を備えることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。
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