JPH04372188A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH04372188A JPH04372188A JP17715591A JP17715591A JPH04372188A JP H04372188 A JPH04372188 A JP H04372188A JP 17715591 A JP17715591 A JP 17715591A JP 17715591 A JP17715591 A JP 17715591A JP H04372188 A JPH04372188 A JP H04372188A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１μｍ付近で発振する
半導体レーザ素子に関する。
半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】化合物半導体レーザ素子は、材料の組み合
わせにより種々の波長での発振が可能である。例えば、
ＡｌＧａＡｓからなる活性層をＧａＡｓ基板上に形成し
た０．７８μｍ発振の半導体レーザ素子はコンパクトデ
ィスクプレイヤー（ＣＤ）の信号の読出しに利用されて
いる。また、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層をＩｎＰ基
板上に形成した１．３μｍあるいは１．５５μｍの発振
波長の半導体レーザ素子は、石英ガラス光ファイバーを
用いた光通信に用いられる。半導体レーザ素子は、半導
体基板の上に、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ） 、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）などのエピタキシャル成長法により、発光
を行わせる活性層、活性層に光およびキャリア、ホール
を有効に閉じ込めるクラッド層などからなるダブルヘテ
ロ構造を形成して成る。前記活性層およびクラッド層な
どのエピタキシャル成長層を良質な結晶にするためには
、エピタキシャル成長層の格子定数を基板の格子定数に
ほぼ等しくしなければならない。従って、用いる基板に
よってエピタキシャル成長層の組成が制限され、発振波
長もある範囲に制限される。現在入手可能な半導体レー
ザ素子は、ＧａＡｓまたはＩｎＰ基板上に形成されたも
のである。表１に、これらの基板を用いた場合にカバー
できる波長範囲を示す。
わせにより種々の波長での発振が可能である。例えば、
ＡｌＧａＡｓからなる活性層をＧａＡｓ基板上に形成し
た０．７８μｍ発振の半導体レーザ素子はコンパクトデ
ィスクプレイヤー（ＣＤ）の信号の読出しに利用されて
いる。また、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層をＩｎＰ基
板上に形成した１．３μｍあるいは１．５５μｍの発振
波長の半導体レーザ素子は、石英ガラス光ファイバーを
用いた光通信に用いられる。半導体レーザ素子は、半導
体基板の上に、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ） 、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）などのエピタキシャル成長法により、発光
を行わせる活性層、活性層に光およびキャリア、ホール
を有効に閉じ込めるクラッド層などからなるダブルヘテ
ロ構造を形成して成る。前記活性層およびクラッド層な
どのエピタキシャル成長層を良質な結晶にするためには
、エピタキシャル成長層の格子定数を基板の格子定数に
ほぼ等しくしなければならない。従って、用いる基板に
よってエピタキシャル成長層の組成が制限され、発振波
長もある範囲に制限される。現在入手可能な半導体レー
ザ素子は、ＧａＡｓまたはＩｎＰ基板上に形成されたも
のである。表１に、これらの基板を用いた場合にカバー
できる波長範囲を示す。
【０００３】
【表１】
【０００４】表１に示したように、一般的にＧａＡｓ基
板上の半導体レーザ素子の方が短波長域をカバーし、Ｉ
ｎＰ基板上の半導体レーザ素子は長波長域をカバーして
いる。Ｎｏ．４の半導体レーザ素子は、Ｉｎ１−Ｐ Ｇ
ａＰ ＡｓＱ Ｐ１−Ｑ 活性層のＰとＱを、活性層と
基板の格子定数が等しくなるように選ぶ必要はあるが、
かなり広い波長範囲で発振が可能である。しかし、１．
２μｍ以下の波長では、クラッド層として用いるＩｎＰ
と活性層の屈折率およびバンドギャップエネルギーが近
くなり、活性層内に光、キャリアおよびホールを閉じ込
め難くなり、発振しきい値電流、発光効率などの特性が
悪化する。また、Ｎｏ．３の半導体レーザ素子は、活性
層にＧａＡｓ基板よりも格子定数が最大３％程度大きい
ＩｎＲ Ｇａ１−ＲＡｓを用いている。この場合、活性
層の格子定数が基板の格子定数と異なるので、活性層を
通常の半導体レーザ素子の活性層の厚さに相当する０．
１μｍ程度の厚さの成長層にすると、転移が発生し、ま
ともな結晶が得られない。しかしながら、弾性変形のみ
で転移が生じない範囲（臨界膜厚以下）まで薄くすると
、良質の結晶を得ることができる。この膜厚は１００Å
〜５０Å程度であり、この厚さでは量子サイズ効果が現
れる。この量子効果により、格子定数を大きくするか、
膜厚を厚くすることによって長波長化することができる
が、いずれの場合も臨界膜厚に近づくため、発振の信頼
性が悪くなる。実用的な信頼性が得られる波長は１．０
μｍ程度までとなっている。
板上の半導体レーザ素子の方が短波長域をカバーし、Ｉ
ｎＰ基板上の半導体レーザ素子は長波長域をカバーして
いる。Ｎｏ．４の半導体レーザ素子は、Ｉｎ１−Ｐ Ｇ
ａＰ ＡｓＱ Ｐ１−Ｑ 活性層のＰとＱを、活性層と
基板の格子定数が等しくなるように選ぶ必要はあるが、
かなり広い波長範囲で発振が可能である。しかし、１．
２μｍ以下の波長では、クラッド層として用いるＩｎＰ
と活性層の屈折率およびバンドギャップエネルギーが近
くなり、活性層内に光、キャリアおよびホールを閉じ込
め難くなり、発振しきい値電流、発光効率などの特性が
悪化する。また、Ｎｏ．３の半導体レーザ素子は、活性
層にＧａＡｓ基板よりも格子定数が最大３％程度大きい
ＩｎＲ Ｇａ１−ＲＡｓを用いている。この場合、活性
層の格子定数が基板の格子定数と異なるので、活性層を
通常の半導体レーザ素子の活性層の厚さに相当する０．
１μｍ程度の厚さの成長層にすると、転移が発生し、ま
ともな結晶が得られない。しかしながら、弾性変形のみ
で転移が生じない範囲（臨界膜厚以下）まで薄くすると
、良質の結晶を得ることができる。この膜厚は１００Å
〜５０Å程度であり、この厚さでは量子サイズ効果が現
れる。この量子効果により、格子定数を大きくするか、
膜厚を厚くすることによって長波長化することができる
が、いずれの場合も臨界膜厚に近づくため、発振の信頼
性が悪くなる。実用的な信頼性が得られる波長は１．０
μｍ程度までとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、これま
では１．０〜１．２μｍの範囲で実用的な信頼性をもち
、低しきい値電流、高発光効率で発振する半導体レーザ
素子が得られなかった。
では１．０〜１．２μｍの範囲で実用的な信頼性をもち
、低しきい値電流、高発光効率で発振する半導体レーザ
素子が得られなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ＩｎＺ Ｇ
ａ１−Ｚ Ａｓ基板上に、ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ Ｐクラ
ッド層、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、Ｉｎ
Ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ単一歪量子井戸活性層、ＩｎＺ
Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ
Ｐクラッド層を順次積層したことを第１発明とし、第１
発明において、Ｘ≧Ｚであることを第２発明とし、第１
発明において、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板とＩｎＹ
Ｇａ１−Ｙ Ｐクラッド層の格子定数の比が、０．９
９９以上、１．００１以下であることを第３発明とする
ものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ＩｎＺ Ｇ
ａ１−Ｚ Ａｓ基板上に、ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ Ｐクラ
ッド層、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、Ｉｎ
Ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ単一歪量子井戸活性層、ＩｎＺ
Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ
Ｐクラッド層を順次積層したことを第１発明とし、第１
発明において、Ｘ≧Ｚであることを第２発明とし、第１
発明において、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板とＩｎＹ
Ｇａ１−Ｙ Ｐクラッド層の格子定数の比が、０．９
９９以上、１．００１以下であることを第３発明とする
ものである。
【０００７】
【作用】前述のように、活性層を構成する歪量子井戸層
の膜厚を厚くすると、発振波長は長くなる。そこで、本
発明では、ＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ歪量子井戸層の臨
界膜厚がＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板上では、ＧａＡ
ｓ基板上よりも厚くなるという新しい実験的知見を利用
したものである。即ち、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板
上に活性層としてＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ歪量子井戸
層を形成すると、活性層の厚さを従来のＧａＡｓ基板上
よりも厚くすることが可能になり、その結果、発振波長
を１．０μｍよりも長くすることができる。
の膜厚を厚くすると、発振波長は長くなる。そこで、本
発明では、ＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ歪量子井戸層の臨
界膜厚がＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板上では、ＧａＡ
ｓ基板上よりも厚くなるという新しい実験的知見を利用
したものである。即ち、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板
上に活性層としてＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ歪量子井戸
層を形成すると、活性層の厚さを従来のＧａＡｓ基板上
よりも厚くすることが可能になり、その結果、発振波長
を１．０μｍよりも長くすることができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。 実施例１．図１は本発明にかかる半導体レーザ素子の一
実施例の断面構造の説明図である。図中、１はＳ（硫黄
）をドープしたｎ型Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板
であり、面方位は（１００）とした。２は０．５μｍ厚
さのｎ型Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓバッファ層であ
り、３は前記Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓにほぼ格子
整合する１．５μｍ厚さのｎ型Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４
３Ｐクラッド層であり、４は厚さ５００ÅのＩｎ０．１
Ｇａ０．９ Ａｓからなる光閉じ込め層兼障壁層であ
り、５は７０Å厚さのＩｎ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓ単
一歪量子井戸活性層であり、６は５００Å厚さのＩｎ０
．１ Ｇａ０．９ Ａｓからなる光閉じ込め層兼障壁層
であり、７は１．５μｍ厚さのｐ型Ｉｎ０．５７Ｇａ０
．４３Ｐクラッド層であり、８は０．５μｍ厚さのｐ型
Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓコンタクト層である。と
ころで、ベガード則によれば、Ｉｎ１−ＸＧａＸ Ａｓ
Ｙ Ｐ１−Ｙ の組成で表される半導体結晶の格子定数
ａ（Å）は次式で表される。即ち、 ａ（Å）＝ ５．８６９ − ０．４２Ｘ ＋ ０．１
８Ｙ ＋ ０．０２ＸＹこの式によれば、基板１、バッ
ファ層２、光閉じ込め層４、６、コンタクト層８を構成
するＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓの格子定数は、Ｘ＝
０．９、Ｙ＝１として、５．６８９Åとなり、クラッド
層３、７を構成するＩｎ０．５７Ｇａ０．４３Ｐの格子
定数は５．６８８Åとなる。したがって、クラッド層３
、７と隣接する各層との格子不整合率は約０．０２％と
なり、格子定数の差は問題にならないほど小さい（通常
、０．１％以下なら問題はない）。また、単一歪量子井
戸活性層５を構成する７０Å厚さのＩｎ０．４ Ｇａ０
．６ Ａｓの格子定数は５．８０９Åとなり、基板１よ
りも２．１％大きいが、以下に述べるように、臨界膜厚
が９０Åであるため、７０Å厚さの単一歪み量子井戸活
性層５は、転位を生じることなく成長することができる
。ところで本実施例は、以下の実験事実に基づいている
。図２は、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板上にＩｎ
Ｚ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ（Ｚ＝０．４、０．５、０．６）
単一量子井戸層を形成し、転位の有無を調べた結果を示
したものである。実線は、Ｚを変えた場合の臨界膜厚を
示している。同様に、基板をＧａＡｓにした場合の臨界
膜厚を点線で示した。図２からわかるように、基板をＧ
ａＡｓからＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓに変えること
により、臨界膜厚は２０〜３０Å増加する。Ｚ＝０．４
では、臨界膜厚は９０Åになる。上記ダブルヘテロ構造
の上面および下面にそれぞれ、ＡｕＺｎ、ＡｕＧｅＮｉ
／Ａｕの合金電極を真空蒸着法により形成し、へき開し
て作製した幅２５０μｍ、共振器長６００μｍの全面電
極型半導体レーザ素子の発振しきい値電流密度は１３０
Ａ／ｃｍ２ であり、発振波長は１．１２μｍであった
。因みに、発振しきい値電流密度はＧａＡｓ基板上に形
成した０．９８μｍ発振の半導体レーザ素子と同様に低
い値であり、発振波長はＧａＡｓ基板上に形成したＩｎ
ＧａＡｓ歪量子井戸半導体レーザ素子では発振しえない
波長であった。 実施例２．前記実施例と同一構造のダブルヘテロ構造で
、１００Å厚さのＩｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ歪量子
井戸活性層をＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板とＧａ
Ａｓ基板上に形成し、幅５μｍのリッジ導波型で、共振
器長６００μｍの２種類の半導体レーザ素子を製作した
。発振波長は室温で何れも０．９８０±０．００５μｍ
であった。このようにして製作した２種類、各２０個の
素子について、７０℃、５０ｍＷの定出力駆動１０００
時間の信頼性試験を行った。その結果、１０００時間後
の駆動電流の上昇率は、ＧａＡｓ基板上のものは＋８．
８％であるのに対し、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基
板上のものは＋１．２％とはるかに小さかった。これは
、基板に対する活性層の格子不整合が小さくなるために
、ＤＬＤ（Ｄａｒｋ Ｌｉｎｅ Ｄｅｆｅｃｔ） の成
長速度が減少することによると考えられる。 このことから、従来のＧａＡｓ基板上に形成した歪量子
井戸半導体レーザ素子から得られた１μｍ付近の発振波
長域についても、本発明により信頼性が向上した半導体
レーザ素子をえることができる。なお、量子井戸活性層
はＩｎＧａＡｓ基板に格子整合していてもよい。また、
ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板の組成は実施例に限定さ
れることはない。また、量子井戸層は多層でもよい。ま
た、各層の組成、層厚は実施例に限定されることはない
。また、光閉じ込め層にＧＲＩＮ構造を用いても良い。
を詳細に説明する。 実施例１．図１は本発明にかかる半導体レーザ素子の一
実施例の断面構造の説明図である。図中、１はＳ（硫黄
）をドープしたｎ型Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板
であり、面方位は（１００）とした。２は０．５μｍ厚
さのｎ型Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓバッファ層であ
り、３は前記Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓにほぼ格子
整合する１．５μｍ厚さのｎ型Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４
３Ｐクラッド層であり、４は厚さ５００ÅのＩｎ０．１
Ｇａ０．９ Ａｓからなる光閉じ込め層兼障壁層であ
り、５は７０Å厚さのＩｎ０．４ Ｇａ０．６ Ａｓ単
一歪量子井戸活性層であり、６は５００Å厚さのＩｎ０
．１ Ｇａ０．９ Ａｓからなる光閉じ込め層兼障壁層
であり、７は１．５μｍ厚さのｐ型Ｉｎ０．５７Ｇａ０
．４３Ｐクラッド層であり、８は０．５μｍ厚さのｐ型
Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓコンタクト層である。と
ころで、ベガード則によれば、Ｉｎ１−ＸＧａＸ Ａｓ
Ｙ Ｐ１−Ｙ の組成で表される半導体結晶の格子定数
ａ（Å）は次式で表される。即ち、 ａ（Å）＝ ５．８６９ − ０．４２Ｘ ＋ ０．１
８Ｙ ＋ ０．０２ＸＹこの式によれば、基板１、バッ
ファ層２、光閉じ込め層４、６、コンタクト層８を構成
するＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓの格子定数は、Ｘ＝
０．９、Ｙ＝１として、５．６８９Åとなり、クラッド
層３、７を構成するＩｎ０．５７Ｇａ０．４３Ｐの格子
定数は５．６８８Åとなる。したがって、クラッド層３
、７と隣接する各層との格子不整合率は約０．０２％と
なり、格子定数の差は問題にならないほど小さい（通常
、０．１％以下なら問題はない）。また、単一歪量子井
戸活性層５を構成する７０Å厚さのＩｎ０．４ Ｇａ０
．６ Ａｓの格子定数は５．８０９Åとなり、基板１よ
りも２．１％大きいが、以下に述べるように、臨界膜厚
が９０Åであるため、７０Å厚さの単一歪み量子井戸活
性層５は、転位を生じることなく成長することができる
。ところで本実施例は、以下の実験事実に基づいている
。図２は、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板上にＩｎ
Ｚ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ（Ｚ＝０．４、０．５、０．６）
単一量子井戸層を形成し、転位の有無を調べた結果を示
したものである。実線は、Ｚを変えた場合の臨界膜厚を
示している。同様に、基板をＧａＡｓにした場合の臨界
膜厚を点線で示した。図２からわかるように、基板をＧ
ａＡｓからＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓに変えること
により、臨界膜厚は２０〜３０Å増加する。Ｚ＝０．４
では、臨界膜厚は９０Åになる。上記ダブルヘテロ構造
の上面および下面にそれぞれ、ＡｕＺｎ、ＡｕＧｅＮｉ
／Ａｕの合金電極を真空蒸着法により形成し、へき開し
て作製した幅２５０μｍ、共振器長６００μｍの全面電
極型半導体レーザ素子の発振しきい値電流密度は１３０
Ａ／ｃｍ２ であり、発振波長は１．１２μｍであった
。因みに、発振しきい値電流密度はＧａＡｓ基板上に形
成した０．９８μｍ発振の半導体レーザ素子と同様に低
い値であり、発振波長はＧａＡｓ基板上に形成したＩｎ
ＧａＡｓ歪量子井戸半導体レーザ素子では発振しえない
波長であった。 実施例２．前記実施例と同一構造のダブルヘテロ構造で
、１００Å厚さのＩｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ歪量子
井戸活性層をＩｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基板とＧａ
Ａｓ基板上に形成し、幅５μｍのリッジ導波型で、共振
器長６００μｍの２種類の半導体レーザ素子を製作した
。発振波長は室温で何れも０．９８０±０．００５μｍ
であった。このようにして製作した２種類、各２０個の
素子について、７０℃、５０ｍＷの定出力駆動１０００
時間の信頼性試験を行った。その結果、１０００時間後
の駆動電流の上昇率は、ＧａＡｓ基板上のものは＋８．
８％であるのに対し、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓ基
板上のものは＋１．２％とはるかに小さかった。これは
、基板に対する活性層の格子不整合が小さくなるために
、ＤＬＤ（Ｄａｒｋ Ｌｉｎｅ Ｄｅｆｅｃｔ） の成
長速度が減少することによると考えられる。 このことから、従来のＧａＡｓ基板上に形成した歪量子
井戸半導体レーザ素子から得られた１μｍ付近の発振波
長域についても、本発明により信頼性が向上した半導体
レーザ素子をえることができる。なお、量子井戸活性層
はＩｎＧａＡｓ基板に格子整合していてもよい。また、
ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板の組成は実施例に限定さ
れることはない。また、量子井戸層は多層でもよい。ま
た、各層の組成、層厚は実施例に限定されることはない
。また、光閉じ込め層にＧＲＩＮ構造を用いても良い。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板上に、ＩｎＹ Ｇａ１−
Ｙ Ｐクラッド層、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込
め層、ＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ単一歪量子井戸活性層
、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、ＩｎＹ Ｇ
ａ１−Ｙ Ｐクラッド層を順次積層してあるため、１．
０〜１．２μｍの発振波長を有する半導体レーザ素子が
得られ、また、０．９〜１．１μの発振波長域において
も信頼性の高い半導体レーザ素子が得られるという優れ
た効果がある。
ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板上に、ＩｎＹ Ｇａ１−
Ｙ Ｐクラッド層、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込
め層、ＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ単一歪量子井戸活性層
、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、ＩｎＹ Ｇ
ａ１−Ｙ Ｐクラッド層を順次積層してあるため、１．
０〜１．２μｍの発振波長を有する半導体レーザ素子が
得られ、また、０．９〜１．１μの発振波長域において
も信頼性の高い半導体レーザ素子が得られるという優れ
た効果がある。
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例の断
面構造説明図である。
面構造説明図である。
【図２】ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ歪量子井戸膜厚と転
位発生の関係を示す図である。
位発生の関係を示す図である。
１ 基板
２ バッファ層
３、７ クラッド層
４、６ 光閉じ込め層
５ 単一歪量子井戸活性層８
コンタクト層
コンタクト層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板上に、
ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ Ｐクラッド層、ＩｎＺ Ｇａ１−
Ｚ Ａｓ光閉じ込め層、ＩｎＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ単一
歪量子井戸活性層、ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ光閉じ込
め層、ＩｎＹ Ｇａ１−Ｙ Ｐクラッド層を順次積層し
たことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 Ｘ≧Ｚであることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 ＩｎＺ Ｇａ１−Ｚ Ａｓ基板とＩｎ
Ｙ Ｇａ１−Ｙ Ｐクラッド層の格子定数の比が、０．
９９９以上、１．００１以下であることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17715591A JPH04372188A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17715591A JPH04372188A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372188A true JPH04372188A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16026151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17715591A Pending JPH04372188A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372188A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2703188A1 (fr) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | Dispositif à semiconducteur optique doté d'un puits quantique contraint. |
| NL1000253C2 (nl) * | 1994-04-28 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Halfgeleiderlasertoestel en de wijze van vervaardiging daarvan. |
| JP2007066930A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP2008209863A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体変調器及び光半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP17715591A patent/JPH04372188A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2703188A1 (fr) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | Dispositif à semiconducteur optique doté d'un puits quantique contraint. |
| US5841152A (en) * | 1993-03-23 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device provided with strained quantum well layer formed on a ternary compound semiconductor substrate |
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| US5644587A (en) * | 1994-04-28 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2007066930A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP4641230B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-03-02 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
| JP2008209863A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体変調器及び光半導体装置 |
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