JPS59202677A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS59202677A JPS59202677A JP7757383A JP7757383A JPS59202677A JP S59202677 A JPS59202677 A JP S59202677A JP 7757383 A JP7757383 A JP 7757383A JP 7757383 A JP7757383 A JP 7757383A JP S59202677 A JPS59202677 A JP S59202677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- active layer
- semiconductor laser
- laser device
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は量子井戸型構造を活性層とした半導体レーザ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
半導体レーザ装置は活性層の上下より活性層よりも禁制
帯幅が大きく、屈折率の小さい半鐘体層で挟んだ二重へ
テロ接合型が基本的な素子構造として知られているが、
近年、分子線エピタキシャル性成るいは有機金属熱分解
気相成長法の発達により薄膜の膜厚を１のオーダーで制
御が可能になるに及んで、活性層を半導体の単一層では
なく、超薄膜半導体の上下を超薄膜半導体よりも禁制帯
幅の大きな超薄膜半導体で挟んで、超薄膜半導体中の電
子が離散的なエネルギーを持つようにした量子井戸型構
造とする半導体レーザ装置が提案された。この量子井戸
型構造を活性層とする半導体レーザ装置は活性層を構成
する超薄膜半導体の厚さを変えることによって、発振す
るレーザ光の波長を変えることができ、また発振閾値電
流密度の温度変化が少ないというＩ！＃徴を有している
。しかし、この量子井戸が一つのみでは注入キャリアの
閉じ込め効果が充分ではない。このため、二種の超薄膜
半導体を交互に多数積み重ねた多重量子井戸型構造を活
性層として、注入キャリアの閉じ込め効果の向上を図っ
た。この半導体レーザ装置を第１図により説明すると、
ＧａＡｊなどの導電性基板結晶／上に下部クラッド層と
してＡｔＧａＡ３へテロ接合＃ユが形成している。この
下部クラッド層コの上にはＧαＡ８薄膜６とＧａ１ｕＡ
ｓ薄膜７が交互に三層以上積み重ねて多重量子井戸型構
造とし、活性層３を構成する。この−Ｇａｐｓ膜乙の厚
さは５０〜１００ Ａ ％ ＧａＡｔＡｓ膜の厚さは
２０〜Ｚｏｏ Ｘ程度であり、構成する膜の層数は１０
〜２０程度である。第１図の半導体レーザ装置のエネル
ギーバンド構造の概略は第２図の如くである。活性層３
の上部には上部クラッド層としてｈｔａａ八８へへロ接
合層ヶが形成し、その上にオーミック電極を設は易くす
るためにＧ（ＺＡＩＩ 層’；を形成する。
帯幅が大きく、屈折率の小さい半鐘体層で挟んだ二重へ
テロ接合型が基本的な素子構造として知られているが、
近年、分子線エピタキシャル性成るいは有機金属熱分解
気相成長法の発達により薄膜の膜厚を１のオーダーで制
御が可能になるに及んで、活性層を半導体の単一層では
なく、超薄膜半導体の上下を超薄膜半導体よりも禁制帯
幅の大きな超薄膜半導体で挟んで、超薄膜半導体中の電
子が離散的なエネルギーを持つようにした量子井戸型構
造とする半導体レーザ装置が提案された。この量子井戸
型構造を活性層とする半導体レーザ装置は活性層を構成
する超薄膜半導体の厚さを変えることによって、発振す
るレーザ光の波長を変えることができ、また発振閾値電
流密度の温度変化が少ないというＩ！＃徴を有している
。しかし、この量子井戸が一つのみでは注入キャリアの
閉じ込め効果が充分ではない。このため、二種の超薄膜
半導体を交互に多数積み重ねた多重量子井戸型構造を活
性層として、注入キャリアの閉じ込め効果の向上を図っ
た。この半導体レーザ装置を第１図により説明すると、
ＧａＡｊなどの導電性基板結晶／上に下部クラッド層と
してＡｔＧａＡ３へテロ接合＃ユが形成している。この
下部クラッド層コの上にはＧαＡ８薄膜６とＧａ１ｕＡ
ｓ薄膜７が交互に三層以上積み重ねて多重量子井戸型構
造とし、活性層３を構成する。この−Ｇａｐｓ膜乙の厚
さは５０〜１００ Ａ ％ ＧａＡｔＡｓ膜の厚さは
２０〜Ｚｏｏ Ｘ程度であり、構成する膜の層数は１０
〜２０程度である。第１図の半導体レーザ装置のエネル
ギーバンド構造の概略は第２図の如くである。活性層３
の上部には上部クラッド層としてｈｔａａ八８へへロ接
合層ヶが形成し、その上にオーミック電極を設は易くす
るためにＧ（ＺＡＩＩ 層’；を形成する。
上述の如き構成の半導体レーザ装置において、活性層３
に注入された電子及び正孔はＧａＡｇ膜６が極めて薄い
ために離散的なエネルギーを持ってＧａＡｓ膜のポテン
シャルの井戸の中に存在する。ポテンシャルが上述の如
く井戸型であるため伝導帯の電子の状態密度は従来の構
造よりも大きくなり、注入キャリアによる利得が太きく
なる。また活性層３の上下にはＧαＡｇＪｌ！ｔｌより
も禁制帯幅の大きいＡｔＧａＡｓ クラッド層２．ダが
設けられているためキャリアの閉じ込めが良い。このた
めこのような量子井戸型構造を活性層とする半導体レー
ザ装置は従来の単一半導体を活性層とする二重へテロ接
合型半導体レーザ装置に較べて低い発振閾値電流密度を
持ち、例えば、２００ Ｘ ３８０μｍの大きさの多重
量子井戸型構造を活性層とした半導体レーザ装置におい
て、２５ＯＡ／ｃｒＡという非常に低い閾値電流密度が
報告されている。
に注入された電子及び正孔はＧａＡｇ膜６が極めて薄い
ために離散的なエネルギーを持ってＧａＡｓ膜のポテン
シャルの井戸の中に存在する。ポテンシャルが上述の如
く井戸型であるため伝導帯の電子の状態密度は従来の構
造よりも大きくなり、注入キャリアによる利得が太きく
なる。また活性層３の上下にはＧαＡｇＪｌ！ｔｌより
も禁制帯幅の大きいＡｔＧａＡｓ クラッド層２．ダが
設けられているためキャリアの閉じ込めが良い。このた
めこのような量子井戸型構造を活性層とする半導体レー
ザ装置は従来の単一半導体を活性層とする二重へテロ接
合型半導体レーザ装置に較べて低い発振閾値電流密度を
持ち、例えば、２００ Ｘ ３８０μｍの大きさの多重
量子井戸型構造を活性層とした半導体レーザ装置におい
て、２５ＯＡ／ｃｒＡという非常に低い閾値電流密度が
報告されている。
上述のように量子井戸型構造を活性層とした半導体レー
ザ装置は大きな利点を持っているが、半導体レーザ装置
を光通信、情報処理、その信実用に供する場合、発振閾
値電流密度が低いことのみならず、発振モードが非常に
重要であり、横モード、縦モード共に単一であることが
望ましい。活性層に垂直な方向の垂直横モードは活性層
が薄いため単一であるが、活性層に平行な方向の水平横
モードは第１図に示すような活性層の構成では横方向に
光の閉じ込めを行っていないため、制限することができ
ず、水平横モードを単一にするためには活性層の横方向
に実効的に屈折率差を設けて、発振光を高屈折領域に閉
じ込める必要がある。
ザ装置は大きな利点を持っているが、半導体レーザ装置
を光通信、情報処理、その信実用に供する場合、発振閾
値電流密度が低いことのみならず、発振モードが非常に
重要であり、横モード、縦モード共に単一であることが
望ましい。活性層に垂直な方向の垂直横モードは活性層
が薄いため単一であるが、活性層に平行な方向の水平横
モードは第１図に示すような活性層の構成では横方向に
光の閉じ込めを行っていないため、制限することができ
ず、水平横モードを単一にするためには活性層の横方向
に実効的に屈折率差を設けて、発振光を高屈折領域に閉
じ込める必要がある。
この発明の目的は活性層を量子井戸型構造とした特徴を
備え、且つ、水平横モードが単一で安定に発振する半導
体レーザ装置を提供することにある。
備え、且つ、水平横モードが単一で安定に発振する半導
体レーザ装置を提供することにある。
このため、この発明による半導体レーザ装置は量子井戸
型活性層の発振領域の両側には不純物拡散領域を構成し
、上記発振領域と不純物波・散領域の間には低不純物濃
度領域を介在させるようにする。このため発振領域は禁
制帯幅の大きい、屈折率の低い半導体で囲まれたことと
なり、水平横モードが単一で安定して発振することとな
る。
型活性層の発振領域の両側には不純物拡散領域を構成し
、上記発振領域と不純物波・散領域の間には低不純物濃
度領域を介在させるようにする。このため発振領域は禁
制帯幅の大きい、屈折率の低い半導体で囲まれたことと
なり、水平横モードが単一で安定して発振することとな
る。
本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例を第３図
により説明すると、活性層／３は活性層よりも禁制帯幅
が大きく、屈折率の小さい上部クラッド層／ｌＩと下部
クラッド層／２によシ挾まれておシ、上部クラッド層の
上にはオーミック電極を形成するためのＧａｐｓ 層
／Ｓが設けらｔ、下部クラッド層の下面にはバッファ一
層／９を介してＧａｋ８ などの導電性結晶基板ｌが
設けらｎている。ＧａＡｓ 層／Ｓの中央にはストラ
イブ状の電流注入領域１ｇカＦ設けら扛ている。
により説明すると、活性層／３は活性層よりも禁制帯幅
が大きく、屈折率の小さい上部クラッド層／ｌＩと下部
クラッド層／２によシ挾まれておシ、上部クラッド層の
上にはオーミック電極を形成するためのＧａｐｓ 層
／Ｓが設けらｔ、下部クラッド層の下面にはバッファ一
層／９を介してＧａｋ８ などの導電性結晶基板ｌが
設けらｎている。ＧａＡｓ 層／Ｓの中央にはストラ
イブ状の電流注入領域１ｇカＦ設けら扛ている。
活性層／３は厚さが２０〜１００Ａの組成の異なる二種
の化合物半導体薄膜／４．／７’ｉ交互に三層以上積み
重ねた量子井戸型構造であってＧＧＡ、９ 。
の化合物半導体薄膜／４．／７’ｉ交互に三層以上積み
重ねた量子井戸型構造であってＧＧＡ、９ 。
Ｇａ、−、ＡＪ−、Ａ８． ＧＣＬＡｌ、−、Ｐ、 、
Ｉ７Ｌ、−、Ｇ（Ｌ、ＡＳ、Ｐ、−。
Ｉ７Ｌ、−、Ｇ（Ｌ、ＡＳ、Ｐ、−。
などの２元系、３元系成るいは４元系の禁制帯幅の異々
る二つの化合物半導体によシ構成さｎる。
る二つの化合物半導体によシ構成さｎる。
上述の活性層、上部、下部のクラッド層などは基板結晶
の上に分子線気相成長法、熱分解気相成長法などによ多
形成する。
の上に分子線気相成長法、熱分解気相成長法などによ多
形成する。
活性層１３の中央部分の発振領域Ｉの両側には亜鉛、カ
ドニウムなどの閉管法による拡散によ多形成した不純物
拡散領域２〕が６１）、更に、発振領域２０と不純物拡
散領域２／との間には領域コ／に較べて不純物濃度が低
い低不純物濃度領域２２が介在している。この低不純物
濃度領域は例えば不純物拡散領域の押し込み拡散によっ
て形成することができる。
ドニウムなどの閉管法による拡散によ多形成した不純物
拡散領域２〕が６１）、更に、発振領域２０と不純物拡
散領域２／との間には領域コ／に較べて不純物濃度が低
い低不純物濃度領域２２が介在している。この低不純物
濃度領域は例えば不純物拡散領域の押し込み拡散によっ
て形成することができる。
上述の如き半導体レーザ装置において、活性層／３は多
重量子井戸型層から成っているが、不純物拡散領域ユ／
では積層状態が消滅し、二つの半導体の平均組成となり
、屈折率が積層状態の発振領域２θよりも小さくなり、
光の横方向の閉じ込めを行うことになる。−例として、
上部クラッド層／４’はｐ型ＡＬ、、 Ｇａ Ｏ，’Ｆ
Ａｓ 層（厚さ２ ｐｍ ）、下部クラッド層／２は
ｎ型Ａｔ。、３ Ｇａ。、７へ８層（厚さ２μｍ）によ
り構成され、活性層／３はＧａｐｓ膜／４膜厚４１５０
Ｘ ）とＡＬｏ、２ Ｇ（Ｚ Ｏ，ｇ Ａｌｌ膜／７
（厚さ１００Ｘ）を交互に積み重ねた０１５μｍ厚さの
多重薄膜積層とし、発振領域のストライブ幅を約２μｍ
１低不純物濃度領域の幅を０５μｍとすると、活性層の
不純物拡散領域においては多重超薄膜間の合金化が生じ
て、この領域の禁制帯幅はＧａＡｓとＡｔ０．、Ｇａ０
，８ ＡＢ との間の値となる。従って発振領域〃はＡ
ｔＧａＡ８で囲まれたのと同じことになる。この場合の
発振波長はほぼＧ（ＺＡ５の禁制苗間隔であるから、結
局発振領域は周囲を禁制苗間隔の大きい屈折率の低い領
域で囲まれたことになる。従って、電流注入領域／ｇを
通って活性層に到達したキャリア及び発振光は共に発振
領域に閉じ込められ、水平横モードは制御されることと
なる。
重量子井戸型層から成っているが、不純物拡散領域ユ／
では積層状態が消滅し、二つの半導体の平均組成となり
、屈折率が積層状態の発振領域２θよりも小さくなり、
光の横方向の閉じ込めを行うことになる。−例として、
上部クラッド層／４’はｐ型ＡＬ、、 Ｇａ Ｏ，’Ｆ
Ａｓ 層（厚さ２ ｐｍ ）、下部クラッド層／２は
ｎ型Ａｔ。、３ Ｇａ。、７へ８層（厚さ２μｍ）によ
り構成され、活性層／３はＧａｐｓ膜／４膜厚４１５０
Ｘ ）とＡＬｏ、２ Ｇ（Ｚ Ｏ，ｇ Ａｌｌ膜／７
（厚さ１００Ｘ）を交互に積み重ねた０１５μｍ厚さの
多重薄膜積層とし、発振領域のストライブ幅を約２μｍ
１低不純物濃度領域の幅を０５μｍとすると、活性層の
不純物拡散領域においては多重超薄膜間の合金化が生じ
て、この領域の禁制帯幅はＧａＡｓとＡｔ０．、Ｇａ０
，８ ＡＢ との間の値となる。従って発振領域〃はＡ
ｔＧａＡ８で囲まれたのと同じことになる。この場合の
発振波長はほぼＧ（ＺＡ５の禁制苗間隔であるから、結
局発振領域は周囲を禁制苗間隔の大きい屈折率の低い領
域で囲まれたことになる。従って、電流注入領域／ｇを
通って活性層に到達したキャリア及び発振光は共に発振
領域に閉じ込められ、水平横モードは制御されることと
なる。
しかし、不純物拡散領域２／においては格子欠陥、転位
などによる非輻射中心が多数存在し得るために不純物拡
散領域ツ／と発振領域２０との境界においては注入キャ
リアは非輻射再結合することになり、発振閾値電流密度
は上昇し、微分効率は減少し、またレーザの動作寿命も
短かくなる。この欠点を除くため、本発明においては発
振領域と不純物拡散領域間に低不純物濃度領域２２を設
ける。この低不純物濃度領域においても、多重薄膜積層
は不純物拡散領域と同様に合金化するためキャリア及び
発振光の閉じ込め効果は存在するが、この領域は不純物
の濃度が低いために転位、格子欠陥などの非輻射再結合
中心の発生が軽減される。このため発振領域と低不純物
拡散領域との間の境界においてキャリアは非輻射的に再
結合することが少い。−従って発振の閾値電流密度は低
く、また微分効率の高い半導体レーザ装置が得られる。
などによる非輻射中心が多数存在し得るために不純物拡
散領域ツ／と発振領域２０との境界においては注入キャ
リアは非輻射再結合することになり、発振閾値電流密度
は上昇し、微分効率は減少し、またレーザの動作寿命も
短かくなる。この欠点を除くため、本発明においては発
振領域と不純物拡散領域間に低不純物濃度領域２２を設
ける。この低不純物濃度領域においても、多重薄膜積層
は不純物拡散領域と同様に合金化するためキャリア及び
発振光の閉じ込め効果は存在するが、この領域は不純物
の濃度が低いために転位、格子欠陥などの非輻射再結合
中心の発生が軽減される。このため発振領域と低不純物
拡散領域との間の境界においてキャリアは非輻射的に再
結合することが少い。−従って発振の閾値電流密度は低
く、また微分効率の高い半導体レーザ装置が得られる。
また動作寿命についても通常の半導体レーザ装置と同様
の長さとなり、高い信頼性が得られる。
の長さとなり、高い信頼性が得られる。
上述の如き低不純物濃度領域を発振領域と不純物拡散領
域の間に形成させる方法としては拡散の先端は不純物濃
度が低いので活性層を低濃度にしておき、拡散の先端が
丁度活性層と下部クラッド層／２との境界に接するよう
に拡散深さを制御すれば、不純物濃度の低い拡散領域が
発振領域との境界に形成することになる。しかし、活性
層が薄く拡散深さを正確に制御することが困難な場合は
活性層の左右に不純物拡散領域を先ず形成し、次いで押
し込み拡散などによって発振領域との境界に低不純物濃
度領域を設けるようにする。
域の間に形成させる方法としては拡散の先端は不純物濃
度が低いので活性層を低濃度にしておき、拡散の先端が
丁度活性層と下部クラッド層／２との境界に接するよう
に拡散深さを制御すれば、不純物濃度の低い拡散領域が
発振領域との境界に形成することになる。しかし、活性
層が薄く拡散深さを正確に制御することが困難な場合は
活性層の左右に不純物拡散領域を先ず形成し、次いで押
し込み拡散などによって発振領域との境界に低不純物濃
度領域を設けるようにする。
第４図は本発明による半導体レーザ装置の第２実施例を
示し、層の構造については、第１の実施例と同じである
が、量子井戸型構成の活性層１３へ不純物を拡散する際
に拡散の深さを活性層の途中で止まるように制御し、拡
散の先端が活性層／３、下部クラッド層／コの境界に達
するようにして、低不純物濃度領域２２を発振領域２０
との境界だけでなく、発振領域部分を除く活性層と下部
クラッド層の境界にも形成させる。このような構成にし
ても、水平横モードが単一で安定に発振させることがで
き、例えば、下部クラッド層まで不純物を拡散すること
が好ましくないような場合は上述の如き手法用いると良
い。
示し、層の構造については、第１の実施例と同じである
が、量子井戸型構成の活性層１３へ不純物を拡散する際
に拡散の深さを活性層の途中で止まるように制御し、拡
散の先端が活性層／３、下部クラッド層／コの境界に達
するようにして、低不純物濃度領域２２を発振領域２０
との境界だけでなく、発振領域部分を除く活性層と下部
クラッド層の境界にも形成させる。このような構成にし
ても、水平横モードが単一で安定に発振させることがで
き、例えば、下部クラッド層まで不純物を拡散すること
が好ましくないような場合は上述の如き手法用いると良
い。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば活性層を
量子井戸型構造とした半導体レーザ装置において、活性
層の発振領域と発振領域の両側の不純物拡散領域との間
に低不純物濃度領域を介在させることにより、発振閾値
電流密度が低いなどの特徴を備えると共に水平横モード
が単一で安定に発振し、光通信、情報処理などに好適に
使用できる半導体レーザ装置を実現することになる。
量子井戸型構造とした半導体レーザ装置において、活性
層の発振領域と発振領域の両側の不純物拡散領域との間
に低不純物濃度領域を介在させることにより、発振閾値
電流密度が低いなどの特徴を備えると共に水平横モード
が単一で安定に発振し、光通信、情報処理などに好適に
使用できる半導体レーザ装置を実現することになる。
第１図は従来の量子井戸型構造を活性層とした半導体レ
ーザ装置の概略断面図、第２図は第１図の半導体レーザ
装置のエネルギーφバンドを示す図、第３図は本発明に
よる半導体レーザ装置の第１の実施例を示す概略断面図
、第４図は本発明による半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す概略断面図である。 ／ハ・・基板結晶、／２・・・下部クラッド層、／３・
・・量子井戸型活性層、／ｌＩ・・・上部クラッド層、
２ｏ・・・発振領域、コか・・不純物拡散領域、２２・
・・低不純物濃度領域。
ーザ装置の概略断面図、第２図は第１図の半導体レーザ
装置のエネルギーφバンドを示す図、第３図は本発明に
よる半導体レーザ装置の第１の実施例を示す概略断面図
、第４図は本発明による半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す概略断面図である。 ／ハ・・基板結晶、／２・・・下部クラッド層、／３・
・・量子井戸型活性層、／ｌＩ・・・上部クラッド層、
２ｏ・・・発振領域、コか・・不純物拡散領域、２２・
・・低不純物濃度領域。
Claims (1)
- 禁制帯間隔の異なる二種の化合物半導体＃膜を交互に三
層以上積み重ねて構成した量子井戸型構造の活性層の上
下を活性層を構成する化合物半導体よりも禁制帯間隔の
大きい化合物半導体で構成した半導体レーザ装置におい
て、該活性層の発振領域の両側には不純物拡散領域を枯
成し、該発振領域と不純物拡散領域との間に低不純物濃
度領域を介在させることを特徴とする半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7757383A JPS59202677A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7757383A JPS59202677A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202677A true JPS59202677A (ja) | 1984-11-16 |
| JPH0159753B2 JPH0159753B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=13637742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7757383A Granted JPS59202677A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202677A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0213826A2 (en) * | 1985-08-12 | 1987-03-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| EP0319207A2 (en) * | 1987-11-28 | 1989-06-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice |
| US4980313A (en) * | 1989-01-24 | 1990-12-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5031185A (en) * | 1988-11-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a disordered superlattice |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP7757383A patent/JPS59202677A/ja active Granted
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0159753B2 (ja) | 1989-12-19 |
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