JPH0462195B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0462195B2
JPH0462195B2 JP58185954A JP18595483A JPH0462195B2 JP H0462195 B2 JPH0462195 B2 JP H0462195B2 JP 58185954 A JP58185954 A JP 58185954A JP 18595483 A JP18595483 A JP 18595483A JP H0462195 B2 JPH0462195 B2 JP H0462195B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
active layer
quantum well
light guide
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58185954A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6079785A (ja
Inventor
Hisao Nakajima
Tadashi Fukuzawa
Shigeru Semura
Tsuneaki Oota
Yoko Uchida
Keisuke Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP18595483A priority Critical patent/JPS6079785A/ja
Publication of JPS6079785A publication Critical patent/JPS6079785A/ja
Publication of JPH0462195B2 publication Critical patent/JPH0462195B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223Buried stripe structure
    • H01S5/2231Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3428Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers layer orientation perpendicular to the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光を発生する活性層と発生した光を
伝播、発振する光ガイド層とを独立に備えた半導
体レーザ装置に関するものである。
半導体レーザ装置は活性層の上下より禁制帯エ
ネルギー幅の広い化合物半導体層でクラツドした
ダブルヘテロ接合構造とすることにより発振閾値
電流が低減し、室温での連続発振ができるように
なつた。
上述の活性層を30〜100Å厚の組成の異なる二
種の化合物半導体極薄膜を交互に積み重ねた多層
量子井戸型構造とすることにより、レーザ装置の
発振閾値電流密度が更に低くなり、温度依存性が
小さく、多層を構成している半導体極薄膜の厚さ
を変えることにより発振するレーザ光の波長を変
えることができるなどの特徴をも具備するように
なつた。このように活性層を多層量子井戸型構造
とし、横モードを制御した半導体レーザ装置は既
に本出願人より提案しており(特願昭57−130279
号)、第1図に基いてこの半導体レーザ装置を説
明すると、半絶縁性基板結晶1の上に基板結晶と
殆ど格子定数が等しく且つ禁制帯エネルギー幅の
広い化合物半導体2を下部クラツド層として設
け、その上には活性層として、30〜100Å程度の
厚さの組成の異なる二種の化合物半導体極薄膜を
交互に三層以上積み重ねた多層量子井戸型構造3
を形成し、この活性層の上には上部クラツド層と
しての半導体層4を成長させる。上記の下部及び
上部クラツド層となる化合物半導体は量子井戸型
構造を形成する二種の半導体の平均組成よりも広
い禁制帯幅を有する半導体で構成する。
このように成長させた多層構造体の上部クラツ
ド層4の上面中央にはSi3N4などの帯状のマスク
5を設け、亜鉛(Zn)を閉管法により少くとも
下部クラツド層2に達する深さまで拡散する(斜
線部分は亜鉛の拡散領域を示す)。その結果、活
性層3の亜鉛の拡散された領域3bは二種の半導
体の積層状態が消滅し、量子井戸型構造がGaAs
層とGa1-xAlxAs層より構成している場合、亜鉛
を拡散した領域3bは二種の半導体の平均的な組
成となり、亜鉛を拡散されてない活性領域3aと
の間に屈折率に差が生じ、亜鉛を拡散した領域の
屈折率が小さくなり、且つ禁制帯幅が広くなる。
このように活性層の両側面に屈折率の小さい領
域3bを形成し、電流を印加してレーザ発振させ
ると、レーザ光は亜鉛の拡散していない量子井戸
型構造の領域3aにて光が発生し、領域3aの両
側に隣接した領域3bにより閉じ込められ、従つ
て、領域3aの幅を最適な値になるよう亜鉛の拡
散を調整することにより最低次の横モードの発振
が期待されることになる。
しかるに、半導体レーザ装置の劣化は種々の欠
陥から転位が増殖することにより生じ、このレー
ザ装置においても、電流を印加してレーザ発振が
起る領域3aが欠陥の多い亜鉛を拡散した領域3
bと隣接しているため、領域3aにおける転位の
増殖を抑制することができず、半導体レーザの寿
命を延伸することは困難であつた。
この発明の目的は低閾値電流密度で単一モード
のレーザ光を発振し、その発振寿命が飛躍的に改
善された半導体レーザ装置を提供することにあ
る。
このため、この発明による半導体レーザ装置は
光を発生する活性層と、発生した光を伝播、発振
する光ガイド層とを別個に多層量子井戸型構造で
形成し、光ガイド層は中央に光導波領域があり、
その両側に亜鉛の拡散による量子井戸型構造を形
成する二種の半導体の平均組成とした光閉じ込め
領域が設けられている。その結果活性層で電子と
正孔の再結合により発生した光は光ガイド層の亜
鉛の拡散されていない光導波領域へ移動し、伝播
してレーザ発振を起す。このように光を発生する
活性層には欠陥の多い亜鉛の拡散領域がないた
め、半導体レーザ装置の発振寿命は飛躍的に改善
されることになる。
第2図によりこの発明の半導体レーザ装置の一
実施例を説明すると、11はp型GaAs基板結晶
であつて、その上には下部クラツド層として活性
層を構成する半導体よりも禁制帯幅の広いp型
GaAlAs層12があり、下部クラツド層12の上
には第3図に詳細を示すように、30〜100Å程度
の厚さの組成の異なる二種類の化合物半導体極薄
膜、例えば、GaAlAs薄膜17とGaAs薄膜18
を交互に三層以上積層した多層量子井戸型構造の
活性層13がある。この活性層の上にはn型
GaAlAs層15を介して30〜100Å程度の厚さの
組成の異なる二種類の半導体薄膜、例えば、
GaAlAs薄膜19とGaAs薄膜20を交互に三層
以上積層した多層量子井戸型構造の光ガイド層1
6がある。この光ガイド層はレーザ光の吸収を防
ぐため、光ガイド層16を構成する量子井戸型構
造の二種の半導体19,20中の禁制帯幅の狭い
方の半導体の禁制帯幅を活性層13を構成する二
種の半導体17,18のうちの禁制帯幅の狭い方
の半導体の禁制帯幅よりも広くするか、また同じ
禁制帯幅の半導体を用いる場合光ガイド層を構成
する半導体の膜厚を活性層を構成する半導体の膜
厚よりも薄くする。具体的に説明すると、例えば
禁制帯幅の狭い半導体として、両層ともにGaAs
を用いる場合は光ガイド層のGaAs層の膜厚を活
性層に用いるGaAs層の膜厚より薄くするか、或
いは薄くする代りに活性層に用いるGaAs層に若
干のAlを入れ禁制帯幅を広くした半導体を用い
ることもできる。このようにして、光ガイド層1
6の禁制帯幅を活性層より広くすることにより、
レーザ光の光ガイド層での吸収が抑制される。
また上記二つの量子井戸型構造の活性層13と
光ガイド層14の間に介在するn型GaAlAs層1
5は後に説明する亜鉛の拡散領域を活性層に形成
するのを防ぐためのものであつて、その禁制帯幅
は活性層を形成する量子井戸型構造の半導体の平
均的組成のGaAlAs層よりも大きいものとし、厚
さはその目的が達成される範囲において、できる
だけ薄い方が良い。
上述の量子井戸型構造の活性層13、光ガイド
層16を構成する化合物半導体としてはGaAs,
Ga1-xAlxAs,GaAs1-xPx,In1-xGaxAsyP1-yなど
の2元系、3元系或るいは4元系の化合物半導体
が挙げられる。
上記光ガイド層16を構成する多層量子井戸型
構造の所定の幅の中央部分を除いた両側には亜鉛
などの拡散により量子井戸型構造を構成している
二種の半導体の平均的組成となつた領域16bが
隣接し、この領域16bの屈折率は中央領域16
aの屈折率よりも小さく、従つて量子井戸型構造
の領域16aは光導波領域となり両側の平均組成
の領域16bは領域16a内を伝播する光の横方
向への拡がりを阻止する(斜線部分は亜鉛の拡散
領域を示す。)。
上記光ガイド層16の上には活性層13及び光
ガイド層16を構成している半導体よりも禁制帯
幅の広いn型GaAlAs層14が上部クラツド層と
してあり、更にその上にはオーミツク電極の形成
を容易にするため、必要に応じてn型GaAs層2
1を設ける。基板結晶11の底面には金属を蒸着
したp型電極22があり、またn型GaAs層21
の上面にも金属を蒸着したn型電極23がある。
上述の構成の半導体レーザ装置の製造方法は基
板結晶11の上に分子線気相成長法、熱分解気相
成長法などを用いて下部クラツド層12、活性層
13、光ガイド層15,16、上部クラツド層、
n型GaAs層21を順次所定の厚さで成長させ、
多層構造体を構成した後にn型GaAs層21の上
面に所定の幅の帯状マスクを設け、亜鉛を閉管法
で二つの量子井戸型構造の間に介在するn型
GaAlAs層15に達するように拡散し、亜鉛の拡
散がn型GaAlAs層15内に留まるようにする。
その結果、光ガイド層16を構成する多層量子井
戸型構造の亜鉛の拡散された両側の領域16bは
量子井戸型構造を構成している二種の半導体1
9,20が合金化し、中央の亜鉛の非拡散領域1
6aよりも禁制帯幅が広くなり、屈折率は小さく
なる。次いでマスクを除去した後に基板結晶11
の底面及びn型GaAs層21の上面にそれぞれ金
層膜を真空蒸着法で付着してp型電極22とn型
電極23とし、最後にこの多層構造体の両端綿を
垂直に劈開し、反射面を形成し、半導体レーザ装
置となる。
上述の如き半導体レーザ装置において、p型電
極22、n型電極23へ電流を印加すると、電子
と正孔とは量子井戸型構造の活性層13で再結合
し、光を発生する。活性層13の上面にはn型
GaAlAs層15を介して光ガイド層16が存在
し、光ガイド層の中央には量子井戸型構造の光導
波領域16aがあり、その両側には光導波領域1
6aよりも禁制帯幅が広く、屈折率が小さな光閉
じ込め領域16bがあるため、活性層13で発生
した光は光導波領域16aへと広がる。光導波領
域16aの上面は禁制帯幅の広い上部クラツド層
14が存在し、両側には亜鉛の拡散により禁制帯
幅が大きく屈折率の小さくなつた光閉じ込め領域
16bが存在するため光は上部及び横両方向共に
拡がりが阻止され、小さな閾値電流で単一基本モ
ードの安定したレーザ光が発振する。また光を発
生する活性層と光を伝播する光ガイド層とは別個
に存在し、光を発生する活性層には欠陥の多い亜
鉛拡散領域が存在していないため劣化が最小限に
抑制され、半導体レーザ装置のレーザ発振寿命は
飛躍的に延びることとなる。
次にこの発明の半導体レーザ装置の具体的構成
例の一例を述べると、(100)p型GaAs結晶(キ
ヤリア濃度2×1018cm-3)上に分子線気相成長法
により下部クラツド層としてp型Ga0.6Al0.4As層
(Beドープ、キヤリア濃度1×1018cm-3)を1μm
の厚さ成長し、この上に60Å厚のGa0.7Al0.3As層
と60Å厚のGaAs層を交互に前者を6層、後者を
5層積み重ねるように成長させ、多層量子井戸型
構造の活性層を形成する。この活性層の上にn型
Ga0.75Al0.25As層(Siドープ、キヤリア濃度1×
1018cm-3)を0.5μm成長させ、続いて100Å厚のn
型Ga0.7Al0.3As層(Siドープ、キヤリア濃度1×
1018cm-3)と40Å厚のn型GaAs層(Siドープ、
キヤリア濃度1×1018cm-3)を交互に前者を31
層、後者を30層積み重ねるように成長して光ガイ
ド層を形成する。この光ガイド層の上には上部ク
ラツド層としてn型Ga0.6Al0.4As層(Siドープ、
キヤリア濃度1×1018cm-3)を1μmの厚さ成長さ
せ、続いてn型GaAs層(Siドープ、キヤリア濃
度1×1018cm-3)を0.2μmの厚さ成長させる。
その後n型GaAs層の上には化学気相成長法
(CVD法)によりSi3N4膜を2000Åの厚さ付着さ
せ、フオトリソグラフイ法を用い、200μm間隔
で6μm幅の帯状Si3N4膜を残し、他の部分を除去
する。この帯状Si3N4膜をマスクとして亜鉛を閉
管法を用い670℃で深さが2μmに達するように拡
散する。この結果、n型Ga0.7Al0.3As層とn型
GaAs層により構成されている量子井戸型構造の
亜鉛の拡散された領域はn型Ga0.79Al0.21As層と
なり、禁制帯幅が広く屈折率が小さくなる。この
後マスクとして用いたSi3N4膜を除去し、基板結
晶底面にはp型電極としてCr1000Å、Au5000Å
から成る金属膜を、n型GaAs層の上面にはn型
電極としてAu−Ge−Ni合金膜(Au70%、Ge20
%、Ni10%)をそれぞれ真空蒸着法で付着する。
次に端面を垂直に劈開して反射面を形成し、長さ
300μm、幅200μmの半導体レーザ装置が形成す
る。
この半導体レーザ装置の発振閾値電流値は
7mAであつて、発振するレーザ光は基本単一横
モードである。これは光ガイド層が接合に平行な
方向に屈折率分布を持つためレーザ光が帯状の光
ガイド領域に閉じ込められるからである。また電
子と正孔とが再結合する活性層には亜鉛を拡散領
域が存在していないため寿命が長くなり、第1図
の構造の半導体レーザ装置では室温で2000時間程
度であつたのに対し、本発明の半導体レーザ装置
では10万時間発振を続け、寿命が飛躍的に改善さ
れたことが判る。
尚、上記の説明ではn型半導体基板結晶上にn
型下部クラツド層、活性層、n型光ガイド層、p
型上部クラツド層を順次成長させ、亜鉛を拡散し
た実施例を述べたが、基板結晶としてp型半導体
を用い、その上に上記と逆の電導型の半導体によ
り下部クラツド層、光ガイド層、上部クラツド層
を形成し、亜鉛を拡散しても上述と同様の機能を
備えた半導体レーザ装置を構成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は量子井戸型構造を活性層とした半導体
レーザ装置の基本構造を示す正面図、第2図は本
発明による半導体レーザ装置の一実施例を示す斜
視図、第3図は第2図の半導体レーザ装置の要部
拡大図である。 11……基板結晶、12……下部クラツド層、
13……活性層、14……上部クラツド層、16
……光ガイド層、16a……光導波領域、16b
……光閉じ込め領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 組成の異なる複数種の化合物半導体よりなる
    薄膜を交互に三層以上積み重ねて構成した第1の
    量子井戸型構造の活性層と、この活性層の上面に
    位置し、組成の異なる複数種の化合物半導体より
    なる薄膜を交互に三層以上積み重ねて構成し、上
    記活性層よりも禁制帯幅の広い第2の量子井戸型
    構造の光導波領域とその両側に隣接しかつ不純物
    誘起混晶化により上記第2の量子井戸型構造を構
    成する上記複数種の化合物半導体の平均組成とし
    た光閉じ込め領域とからなる光ガイド層と、これ
    ら活性層と光ガイド層との間に位置し、上記第1
    の量子井戸型構造を構成する上記複数種の化合物
    半導体の平均組成より禁制帯幅の広い半導体層
    と、上記光ガイド層の上面に位置し、上記光ガイ
    ド層を構成している複数種の半導体の平均組成よ
    り広い禁制帯幅を有する半導体よりなる上部クラ
    ツド層と、上記活性層の下面に位置し、上記活性
    層を構成している複数種の半導体の平均組成より
    広い禁制帯幅を有する半導体よりなる下部クラツ
    ド層とを有することを特徴とする半導体レーザ装
    置。
JP18595483A 1983-10-06 1983-10-06 半導体レ−ザ装置 Granted JPS6079785A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18595483A JPS6079785A (ja) 1983-10-06 1983-10-06 半導体レ−ザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18595483A JPS6079785A (ja) 1983-10-06 1983-10-06 半導体レ−ザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6079785A JPS6079785A (ja) 1985-05-07
JPH0462195B2 true JPH0462195B2 (ja) 1992-10-05

Family

ID=16179779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18595483A Granted JPS6079785A (ja) 1983-10-06 1983-10-06 半導体レ−ザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6079785A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189280A (ja) * 1984-03-07 1985-09-26 Nec Corp 半導体レ−ザの製造方法
JPS60210892A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPH07107945B2 (ja) * 1985-01-25 1995-11-15 株式会社日立製作所 半導体発光装置
US4731789A (en) * 1985-05-13 1988-03-15 Xerox Corporation Clad superlattice semiconductor laser
US4827483A (en) * 1985-08-12 1989-05-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device and method of fabricating the same
JPS62149186A (ja) * 1985-12-23 1987-07-03 Nec Corp 埋め込み型半導体レ−ザの製造方法
GB2223351A (en) * 1988-09-28 1990-04-04 Philips Electronic Associated A method of manufacturing a semiconductor device having waveguide structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654083A (en) * 1979-10-05 1981-05-13 Nec Corp Semiconductor laser apparatus
JPS57152178A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light emitting device with super lattice structure

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3276979D1 (en) * 1981-05-06 1987-09-17 Univ Illinois Method of forming wide bandgap region within multilayer semiconductors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654083A (en) * 1979-10-05 1981-05-13 Nec Corp Semiconductor laser apparatus
JPS57152178A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light emitting device with super lattice structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6079785A (ja) 1985-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0132081B1 (en) Semiconductor laser device
JPS6215875A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US4720836A (en) Distributed feedback semiconductor laser
JPH0381317B2 (ja)
JPS6254489A (ja) 半導体発光素子
KR100232993B1 (ko) 반도체 레이저장치 및 그 제조방법
EP0843393A2 (en) Semiconductor laser diode
JPH0462195B2 (ja)
JPH06302908A (ja) 半導体レーザ
US4752933A (en) Semiconductor laser
JPH0416032B2 (ja)
US5518954A (en) Method for fabricating a semiconductor laser
US5805628A (en) Semiconductor laser
JPH10256647A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JPH02228087A (ja) 半導体レーザ素子
JP2679974B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH077232A (ja) 光半導体装置
JP2893990B2 (ja) 半導体レーザおよびその作製方法
JPH0572118B2 (ja)
JP2758597B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3865827B2 (ja) 斜面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2973215B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS6124839B2 (ja)
JPH0159753B2 (ja)
JPS59127892A (ja) 半導体レ−ザとその製造方法