JPS60113983A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- JPS60113983A JPS60113983A JP22268683A JP22268683A JPS60113983A JP S60113983 A JPS60113983 A JP S60113983A JP 22268683 A JP22268683 A JP 22268683A JP 22268683 A JP22268683 A JP 22268683A JP S60113983 A JPS60113983 A JP S60113983A
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- crystal thin
- thin film
- film
- emitting device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
- H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体発光装置およびその製造方法に関する
ものである。
ものである。
いわゆる、ＤＡＤ（Ｄｉｄｉｔａｌ Ａｕｄｉｏ Ｄｉ
ｓｋ ） 。
ｓｋ ） 。
ＶＤ （Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｋ ）などの信号読取りと
が、光通信に使用される半導体レーザ（以下単にレーザ
と呼ぶ）には高い信頼性が要求されておシ、一般にこれ
らの用途にはＡｔＧａＡｓ系レーザ（短波長レーザ）が
適用されているのであるが、この種のレーザの場合、現
段階にあってはレーザチップの発光部端面がへき開面に
よっていて、この端面には表面再結合中心が分布してい
るために、レーザ光を吸収し易くて発熱（または溶解）
による劣化を生じ、この端面劣化を原因とする故障が極
めて多い現況にある。
が、光通信に使用される半導体レーザ（以下単にレーザ
と呼ぶ）には高い信頼性が要求されておシ、一般にこれ
らの用途にはＡｔＧａＡｓ系レーザ（短波長レーザ）が
適用されているのであるが、この種のレーザの場合、現
段階にあってはレーザチップの発光部端面がへき開面に
よっていて、この端面には表面再結合中心が分布してい
るために、レーザ光を吸収し易くて発熱（または溶解）
による劣化を生じ、この端面劣化を原因とする故障が極
めて多い現況にある。
しかしてこの端面劣化を改善させる手段とじては、従来
からへき開面を保護膜で覆う（ｐａｓｓ １ｖａ−ｔｉ
ｏｎ ）とか、端面近傍でのバンドギャップを広けて（
窓構造）光の吸収を少なくするなどの方法がある。
からへき開面を保護膜で覆う（ｐａｓｓ １ｖａ−ｔｉ
ｏｎ ）とか、端面近傍でのバンドギャップを広けて（
窓構造）光の吸収を少なくするなどの方法がある。
第１図はこの従来例での前者ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ構
造を模式的に示す断面図である。この第１図において、
符号１０はレーザチップ、１１はその発光端面（へき開
面）、１２は保護膜ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜）、１３
はリードワイヤ、１４はヒートシンクである。ここで前
記保乃膜１２としては、通常、１／２波長の厚みをもつ
５ｔ３Ｎ４膜が用いられておシ、この膜は３００％以上
の高温でプラズマＣＶＤ法によシ形成され、波長８ 、
３００Ｘ付近における５ｉ３Ｎａ膜の屈折率は約１．９
であるから、１／２波長の厚さは約２，２００Ｘと々シ
、この程度の膜厚での成膜時間は約１時間である。そし
てこの構成のレーザでは、保護膜１３の形成によシ、表
面再結合中心が減少して端面劣化に起因する故障を排除
できるのであるが、一方この保護膜１３の膜質を一定に
すること、および膜厚を正確に制御するのが困難であシ
、この膜質、膜厚を一定にし得ないと屈折率がゆらいで
成膜後のレーザ端面反射率が不安定になって、しきい値
電流が上昇したり、著しい場合には保護膜１３に穴がで
きて、保獲機能を果さ々くなる惧れすらあった。
造を模式的に示す断面図である。この第１図において、
符号１０はレーザチップ、１１はその発光端面（へき開
面）、１２は保護膜ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜）、１３
はリードワイヤ、１４はヒートシンクである。ここで前
記保乃膜１２としては、通常、１／２波長の厚みをもつ
５ｔ３Ｎ４膜が用いられておシ、この膜は３００％以上
の高温でプラズマＣＶＤ法によシ形成され、波長８ 、
３００Ｘ付近における５ｉ３Ｎａ膜の屈折率は約１．９
であるから、１／２波長の厚さは約２，２００Ｘと々シ
、この程度の膜厚での成膜時間は約１時間である。そし
てこの構成のレーザでは、保護膜１３の形成によシ、表
面再結合中心が減少して端面劣化に起因する故障を排除
できるのであるが、一方この保護膜１３の膜質を一定に
すること、および膜厚を正確に制御するのが困難であシ
、この膜質、膜厚を一定にし得ないと屈折率がゆらいで
成膜後のレーザ端面反射率が不安定になって、しきい値
電流が上昇したり、著しい場合には保護膜１３に穴がで
きて、保獲機能を果さ々くなる惧れすらあった。
壕だ第２図（ａ） 、 （ｂ）は前記従来例での後者窓
構造によるＴＪＳレーザを模式的に示す斜面および部分
断面図である。これらの第２図（ａ） 、 （ｂ）にお
いても、符号１０はレーザチップ、１１はその発光端面
（へき開面）、１６はクランク部、１７は活性層、１８
は正電極、１９は負電極、２０はレーザ出射光であり、
前記クランク部１６の長さは約１０μｍである。そして
この構成のＴＪＳレーザでは、いわゆるＺｎのｐ拡散層
２１がチップ端面にまで達していないために、クランク
部１６の活性層がｎ″−型のままで、この部分のバンド
ギャップは内部よりも大きくなって、レーザ光の吸収が
少なくなシ、端面劣化が減少するのであるが、クランク
部１６の長さが約１０μｍと短かいことから、へき開面
の位置を正確に出すのがむずかしく、Ｚ−ｐ＋拡散パタ
ーンも複雑になるなどの、その製作上に高度の技術を必
要とするものであった。
構造によるＴＪＳレーザを模式的に示す斜面および部分
断面図である。これらの第２図（ａ） 、 （ｂ）にお
いても、符号１０はレーザチップ、１１はその発光端面
（へき開面）、１６はクランク部、１７は活性層、１８
は正電極、１９は負電極、２０はレーザ出射光であり、
前記クランク部１６の長さは約１０μｍである。そして
この構成のＴＪＳレーザでは、いわゆるＺｎのｐ拡散層
２１がチップ端面にまで達していないために、クランク
部１６の活性層がｎ″−型のままで、この部分のバンド
ギャップは内部よりも大きくなって、レーザ光の吸収が
少なくなシ、端面劣化が減少するのであるが、クランク
部１６の長さが約１０μｍと短かいことから、へき開面
の位置を正確に出すのがむずかしく、Ｚ−ｐ＋拡散パタ
ーンも複雑になるなどの、その製作上に高度の技術を必
要とするものであった。
この発明は従来のこのようが欠点に鑑み、レーザチップ
のへき開端面に単結晶薄膜を形成させることによシ、製
作が容易で端面劣化の力い高信頼性の半導体発光装置お
よびその製造方法を提供するものである。
のへき開端面に単結晶薄膜を形成させることによシ、製
作が容易で端面劣化の力い高信頼性の半導体発光装置お
よびその製造方法を提供するものである。
以下この発明に係る半導体発光装置およびその製造方法
の実施例につき、第３図（ａ） 、 （ｂ）を参照して
詳細に説明する。
の実施例につき、第３図（ａ） 、 （ｂ）を参照して
詳細に説明する。
第３図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の各別の実施例を
適用したレーザチップをそれぞれ模式的に表わしたもの
で、まず第３図（ａ）実施例において、符号３１はＡｊ
ＧａＡｓ系レーザチップ、３２はそのへき開端面、３３
はこのへき開端面３２にＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成
長法）によシ成長させた１／２波長の膜厚（波長８，３
００Ｘに対し、１，４８０Ｘ；屈折率２，８）をもつＺ
ｎ５ｅの単結晶薄膜である。
適用したレーザチップをそれぞれ模式的に表わしたもの
で、まず第３図（ａ）実施例において、符号３１はＡｊ
ＧａＡｓ系レーザチップ、３２はそのへき開端面、３３
はこのへき開端面３２にＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成
長法）によシ成長させた１／２波長の膜厚（波長８，３
００Ｘに対し、１，４８０Ｘ；屈折率２，８）をもつＺ
ｎ５ｅの単結晶薄膜である。
ここで前記Ｚｎ５ｅはＧａＡｓと格子間隔が近く、ＤＥ
Ｚｎ（ジエチル亜鉛）とＨ２Ｓｅ（セレン化水素）とを
数百度で反応させることによシ、へき開端面３２上に容
易に成長できると共に、このＺｎ５ｅのバンドギヤ７プ
は約２．５８ｅ■（遷移波長４．８００Ｘ）とＧａ Ａ
Ｂのバンドギャップ約１．４ｅＶに比較して大きいの
で、Ｉ／−ザ端面での光の吸収を防止できるのである。
Ｚｎ（ジエチル亜鉛）とＨ２Ｓｅ（セレン化水素）とを
数百度で反応させることによシ、へき開端面３２上に容
易に成長できると共に、このＺｎ５ｅのバンドギヤ７プ
は約２．５８ｅ■（遷移波長４．８００Ｘ）とＧａ Ａ
Ｂのバンドギャップ約１．４ｅＶに比較して大きいの
で、Ｉ／−ザ端面での光の吸収を防止できるのである。
また製造方法としてのＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長
法）は、膜厚制御性がよいため（数＋Ａ）、１／２波長
の膜厚を容易に実現でき、その成膜後もチップ端面の反
射率が殆んど変化せず、しかも形成される単結晶薄膜は
ＣＶＤ膜に比較するとき、成膜の均一性がよくて膜質が
安定し、レーザ端面保護機能を充分に果し得るのであり
、この方法に対して液相成長では、メルトバックによシ
へき開端面が荒れるために、同端面上に単結晶薄膜を成
長させるのは原理的に困難である。
法）は、膜厚制御性がよいため（数＋Ａ）、１／２波長
の膜厚を容易に実現でき、その成膜後もチップ端面の反
射率が殆んど変化せず、しかも形成される単結晶薄膜は
ＣＶＤ膜に比較するとき、成膜の均一性がよくて膜質が
安定し、レーザ端面保護機能を充分に果し得るのであり
、この方法に対して液相成長では、メルトバックによシ
へき開端面が荒れるために、同端面上に単結晶薄膜を成
長させるのは原理的に困難である。
また以上の第３図（ａ）実施例はＺｎ５ｅの１／２波長
膜厚の場合であるが、同１／４波長膜厚の場合に無反射
膜（ＧａＡｓに対して反射率約１４係）を実現できるも
のであシ、かつまたこのＺｎ５ｅＯ１／４波長膜厚の単
結晶薄膜上に、さらにＡＡＧａＡｓの１／４波長膜厚の
高抵抗単結晶薄膜をＭＯＣＶＤ法によシ成長させれば、
これらの２層単結晶薄膜構造によりＧａＡｓに対して約
４７％の反射率を実現できるのであって、この場合の構
成態様を第３図（ｂ）に示しである。すなわち、同図中
、３４はＺｎ５ｅの１／４波長膜厚の単結晶薄膜、３５
はＡｔＧａＡｓの１／４波長膜厚の高抵抗単結晶薄膜で
ある。
膜厚の場合であるが、同１／４波長膜厚の場合に無反射
膜（ＧａＡｓに対して反射率約１４係）を実現できるも
のであシ、かつまたこのＺｎ５ｅＯ１／４波長膜厚の単
結晶薄膜上に、さらにＡＡＧａＡｓの１／４波長膜厚の
高抵抗単結晶薄膜をＭＯＣＶＤ法によシ成長させれば、
これらの２層単結晶薄膜構造によりＧａＡｓに対して約
４７％の反射率を実現できるのであって、この場合の構
成態様を第３図（ｂ）に示しである。すなわち、同図中
、３４はＺｎ５ｅの１／４波長膜厚の単結晶薄膜、３５
はＡｔＧａＡｓの１／４波長膜厚の高抵抗単結晶薄膜で
ある。
そして前記高抵抗ＡｔＧａＡｓはＴＭＡｔ （）リメチ
ルアルミニウム）、ＴＭＧａ （）リメチルガリウム）
＋ Ａｓｈｓ （アルシン）に微小の０２ （酸素）
を加えて反応させることにより容易に成長できるもので
あり、またＭＯＣＶＤ法によれば、１／′４波長のＺｎ
５ｅ単結晶薄膜、１／４波長の高抵抗ＡｔＧａＡｓ単結
晶薄膜を順次何層にも亘って成長させることが可能であ
り、その層数に応じて種々の端面反射率を実現できるの
である。
ルアルミニウム）、ＴＭＧａ （）リメチルガリウム）
＋ Ａｓｈｓ （アルシン）に微小の０２ （酸素）
を加えて反応させることにより容易に成長できるもので
あり、またＭＯＣＶＤ法によれば、１／′４波長のＺｎ
５ｅ単結晶薄膜、１／４波長の高抵抗ＡｔＧａＡｓ単結
晶薄膜を順次何層にも亘って成長させることが可能であ
り、その層数に応じて種々の端面反射率を実現できるの
である。
なお、前記実施例においては、チップ坦体の端面（へき
開面）に単結晶薄膜を成長させる場合について述べたが
、バー状態でへき開面に単結晶薄膜を成長させることも
でき、この方法においては単結晶薄膜付チップの量産が
容易になる。−また前記実施例においては、Ｚｎ５ｅと
高抵抗ＡｔＧａＡｓの単結晶薄膜を形成する場合につい
て述べたが、Ｚｎ５ｅＯ代りにＧａＰを用いても同様に
単層または多層膜を実現できるもので、とのＧａＰにつ
いてもその格子間隔がＧａＡｓに近く、かつバンドギャ
ップが２．２４ｅＶと大きくてＧａＡｓの保駿膜に適し
ており、しかも屈折率が約３．４でＺ ｎ Ｓ ｅよシ
も大きいために、とのＧａＰを高抵抗ＡｔＧａＡｓの１
／４波長単結晶薄級と組み合わせて多層膜を形成させれ
ば、その端面保蔽を兼ねてここでも種々の端面反射率を
実現できるのである。さらに発振波長が１２〜１．５１
の長波長帯レーザはＩｎＧａＡｓＰ系結晶で構成されて
いるが、このレーザに対する保護膜とし７ては、高抵抗
ＩｎＰの単結晶薄膜を用いることによシ、前記Ｚｎ５ｅ
に関して述べたのと同様な作用効果が得られる。すなわ
ち、この長波長帯レーザにおいては活性層がＩｎＧａＡ
ｇＰから在っていて、そのバンドギャップがＩｎＰに比
較して小さいからである。そしてこの高抵抗ＩｎＰの単
結晶薄膜はＣ。
開面）に単結晶薄膜を成長させる場合について述べたが
、バー状態でへき開面に単結晶薄膜を成長させることも
でき、この方法においては単結晶薄膜付チップの量産が
容易になる。−また前記実施例においては、Ｚｎ５ｅと
高抵抗ＡｔＧａＡｓの単結晶薄膜を形成する場合につい
て述べたが、Ｚｎ５ｅＯ代りにＧａＰを用いても同様に
単層または多層膜を実現できるもので、とのＧａＰにつ
いてもその格子間隔がＧａＡｓに近く、かつバンドギャ
ップが２．２４ｅＶと大きくてＧａＡｓの保駿膜に適し
ており、しかも屈折率が約３．４でＺ ｎ Ｓ ｅよシ
も大きいために、とのＧａＰを高抵抗ＡｔＧａＡｓの１
／４波長単結晶薄級と組み合わせて多層膜を形成させれ
ば、その端面保蔽を兼ねてここでも種々の端面反射率を
実現できるのである。さらに発振波長が１２〜１．５１
の長波長帯レーザはＩｎＧａＡｓＰ系結晶で構成されて
いるが、このレーザに対する保護膜とし７ては、高抵抗
ＩｎＰの単結晶薄膜を用いることによシ、前記Ｚｎ５ｅ
に関して述べたのと同様な作用効果が得られる。すなわ
ち、この長波長帯レーザにおいては活性層がＩｎＧａＡ
ｇＰから在っていて、そのバンドギャップがＩｎＰに比
較して小さいからである。そしてこの高抵抗ＩｎＰの単
結晶薄膜はＣ。
（コバルト）をドープすることにょシ容易に実現できる
のである。
のである。
以上詳述したようにこの発明によれば、レーザチップの
へき開端面に高品質の単結晶薄膜を形成させたから、製
作が容易で端面劣化のない高信頼性の半導体発光装置１
ｔを得ることができ、しかもその多層膜形成によシ、信
頼性を低下させずにレーザ端面反射率を種々に変化させ
得るなどの特長を有するものである。
へき開端面に高品質の単結晶薄膜を形成させたから、製
作が容易で端面劣化のない高信頼性の半導体発光装置１
ｔを得ることができ、しかもその多層膜形成によシ、信
頼性を低下させずにレーザ端面反射率を種々に変化させ
得るなどの特長を有するものである。
第１図および第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来例による
各別の半導体発光装置の概要を模式的に示す断面図。 斜面および部分断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）はこ
の発明に係る半導体発光装置の各別の実施例による概要
をそれぞれ模式的に示す断面図である。 ３１・・愉・Ｖ −ｆ チップ、３２Φ・・拳ヘキ開端
面、３３・・・・Ｚｎ５ｅの１／２波長膜厚の単結晶薄
膜、３４・φ會・Ｚｎ５ｅの１／４波長膜厚の単結晶薄
膜、３５ｅ・・−ＡｔＧａＡｓの１／４波長膜厚の高抵
抗単結晶薄膜。 代理人 大岩増雄 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭５８−２２２６８６号２ 発明
ノ名称 半導体発光装置およびその製造方法：３ 補正
をする各 （１）明細書第３頁第８行〜９行のｒ Ｐａ５ｓｉｖａ
ｔｌｏｎ膜）」をｒ （Ｐａ５ｓｉｖａｔｉｏｎ膜）」
と補正する。 （２）同書第３頁第１２行の「％」を「℃」と補正する
。 （３）同１第３頁第１７行の［１３］を「１２」と補正
する。 （４）同書第３頁第１９行の「１３」を「１２」と補正
する。 （５）同書第３頁第１２のｒ １３ Ｊを「１２」と補
正する。 （６）同書第４頁第２０行のｒｚ−ｐ重拡散」をｒＺｎ
−Ｐ＋重拡散と補正する。 （７）同書第６頁第１０行の「Ａ」を「Ｘ」と補正する
。 （８）同書第７頁第１２行の「微小」を１−微少」と補
正する。 （９）同書第７頁第１９行の１チップ坦体」を「チップ
単体」と補正する。 ００）同書第８頁第１５行のＩ−１，５１ｊをｒｌ、５
５ｊと補正する。 （Ｉｌｌ 図面の第２図（ａ）を別紙の通シ補正する。 以上 簡２図 （Ｇ）
各別の半導体発光装置の概要を模式的に示す断面図。 斜面および部分断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）はこ
の発明に係る半導体発光装置の各別の実施例による概要
をそれぞれ模式的に示す断面図である。 ３１・・愉・Ｖ −ｆ チップ、３２Φ・・拳ヘキ開端
面、３３・・・・Ｚｎ５ｅの１／２波長膜厚の単結晶薄
膜、３４・φ會・Ｚｎ５ｅの１／４波長膜厚の単結晶薄
膜、３５ｅ・・−ＡｔＧａＡｓの１／４波長膜厚の高抵
抗単結晶薄膜。 代理人 大岩増雄 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭５８−２２２６８６号２ 発明
ノ名称 半導体発光装置およびその製造方法：３ 補正
をする各 （１）明細書第３頁第８行〜９行のｒ Ｐａ５ｓｉｖａ
ｔｌｏｎ膜）」をｒ （Ｐａ５ｓｉｖａｔｉｏｎ膜）」
と補正する。 （２）同書第３頁第１２行の「％」を「℃」と補正する
。 （３）同１第３頁第１７行の［１３］を「１２」と補正
する。 （４）同書第３頁第１９行の「１３」を「１２」と補正
する。 （５）同書第３頁第１２のｒ １３ Ｊを「１２」と補
正する。 （６）同書第４頁第２０行のｒｚ−ｐ重拡散」をｒＺｎ
−Ｐ＋重拡散と補正する。 （７）同書第６頁第１０行の「Ａ」を「Ｘ」と補正する
。 （８）同書第７頁第１２行の「微小」を１−微少」と補
正する。 （９）同書第７頁第１９行の１チップ坦体」を「チップ
単体」と補正する。 ００）同書第８頁第１５行のＩ−１，５１ｊをｒｌ、５
５ｊと補正する。 （Ｉｌｌ 図面の第２図（ａ）を別紙の通シ補正する。 以上 簡２図 （Ｇ）
Claims (6)
- （１）へき開端面を有する半導体発光装置において、前
記へき開端面に単結晶薄膜を単層もしくは多層に亘って
形成したことを特徴とすと半導体発光装置。 - （２）単結晶薄膜がＺｎ５ｅ の単結晶薄膜の単層膜で
あるｆ１テ許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。 - （３）単結晶薄膜がＧａＰの単結晶薄膜の単層膜である
特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。 - （４）単結晶薄膜が高抵抗ＩｎＰの単結晶薄膜の単層膜
である特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。 - （５）単結晶薄膜がＺｎ５ｅの単結晶薄膜と高抵抗、Ｉ
ｋｚＧａＡｓの単結晶薄膜との多層膜である肪許誼求の
範囲第１項記載の半導体発光装置。 - （６）へき開端面を有する半導体発光装置において、前
記へき開端面にＭＯＣＶＤ 法（有機金属気相成長法）
によシ単結晶薄膜を成畏させることを特徴とする半導体
発光装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22268683A JPS60113983A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22268683A JPS60113983A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113983A true JPS60113983A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=16786320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22268683A Pending JPS60113983A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113983A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114586A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| EP0388149A2 (en) * | 1989-03-13 | 1990-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
| EP0450902A2 (en) * | 1990-04-02 | 1991-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for the production of a semiconductor laser device |
| WO2000021168A1 (en) * | 1998-10-08 | 2000-04-13 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet |
| KR100453962B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-10-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 소자 및 그의 벽개면에 윈도우층을형성하는 방법 |
| WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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