JP3647381B2

JP3647381B2 - 半導体レーザ

Info

Publication number: JP3647381B2
Application number: JP2001083421A
Authority: JP
Inventors: 浩浅香; 敏也河田
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-03-22
Filing date: 2001-03-22
Publication date: 2005-05-11
Anticipated expiration: 2021-03-22
Also published as: JP2002280670A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクシステムの光源などに用いられる埋め込みリッジ型の半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ（λ＝６６０ｎｍ）は、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤプレーヤーの光ピックアップ光源などに用いられている。一般的にこのレーザはリッジ型ストライプ構造を用いている。この場合、電流ブロック層に用いているｎ型ＧａＡｓの光の吸収を利用して横モードの制御を行なっている。
【０００３】
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層は光を吸収し、このレーザの構造では導波損失が発生しロスが生じる。このため、閾値電流が増加し、外部微分量子効率が低減するため動作電流が大きくなり、その結果レーザの信頼性の低下をもたらす。従って、高信頼性のレーザを作製するためには、導波損失をなくして動作電流を低減させる必要がある。導波損失をなくすためには、活性層よりバンドギャップが大きく且つクラッド層より屈折率の小さいＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓをＧａＡｓの代わりに電流ブロック層に用いた、実屈折率導波型レーザを作製することが有効である。
【０００４】
一般的な実屈折率導波型レーザの構造図を図８に示す。図８に示すレーザは、多重量量子井戸活性層８０５をｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８０３とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８０７で挟み込んだダブルへテロ構造を用いている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８０７の両サイドにｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層８０９を設けている。なお、図８において、８０１はｎ型ＧａＡｓ基板、８０２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、８０４はノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層、８０６はノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層、８０８はｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層、８１０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、８１１はｎ側電極、８１２はｐ側電極である。
【０００５】
しかしながら、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰは格子定数のＡｌ組成依存性が大きく、リッジストライプ型レーザの電流ブロック層に用いた場合、（１１１）面で構成されるリッジ斜面部Ａ（図９）と、（００１）面で構成される平坦部Ｂ（図９）でＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの取り込まれる率がそれぞれ異なるため成長層の組成が異なる。
【０００６】
通常、電流ブロック層の格子定数は基板と同じ面方位を持つ平坦部（００１）面に一致する条件で結晶成長するため、リッジ斜面部（１１１）面からの成長は格子不整が発生し、界面で歪みが発生する。リッジ斜面部は平坦部から成長したＡｌＩｎＰよりＡｌ組成が約１０％高く、格子不整は−０．７％と非常に大きい。ここで、格子不整は（（ＡｌＩｎＰの格子定数−ＧａＡｓ基板の格子定数）／ＧａＡｓ基板の格子定数×１００）と定義する。この歪みによる転位が活性層まで影響を及ぼし、レーザの信頼性を低下させることになる。従って、高信頼性のレーザを作製するためリッジ斜面部の転位の低減は必須である。従来、これに関しては以下のようなことが知られている。
【０００７】
第１の従来例として特開平８−３２１６５６号公報には、電流ブロック層にＡｌＩｎＰを用いた実屈折率導波型半導体レーザは、そのＡｌＩｎＰ膜厚を０．５μｍ以下にすることで、転位の発生を抑制し、作製したレーザは、雰囲気温度５０℃、光出力５ｍＷの条件で駆動すると、推定寿命は１００００時間に達したとの記載がある。
【０００８】
第２の従来例として特開平９−１４８６７４号公報には、電流ブロック層であるＡｌＩｎＰの格子定数をリッジ斜面部（１１１）面に一致する条件で結晶成長させることにより、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰの転位の発生を抑制し、信頼性を向上したとの記載がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光出力が５０ｍＷ級の高出力レーザは、低出力レーザと比較すると高動作電流であるため、レーザ発振部に近いリッジ斜面部は高温になる。この高温雰囲気中では転位が発生しやすく、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰの転位が活性層まではしるためレーザの信頼性が低下するという問題がある。
【００１０】
前記第１の従来例では、ＡｌＩｎＰ膜厚を０．５μｍ以下にすることで転位の発生を抑制しているが、高出力動作に対しては転位の抑制が不十分であるため信頼性の低下が生じる。また、前記第２の従来例では、リッジ斜面部の結晶性は改善されるが、その反面、平坦部（００１）面から成長したＡｌＩｎＰは格子整合条件とずれるため転位が発生し信頼性の低下が生じる。
【００１１】
そこで、本発明は前記従来の問題を解決するため、ＡｌＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＰなどＡｌを含み且つ組成によって格子定数が変化する半導体を電流ブロック層に用いたレーザにおいて、信頼性の高いレーザを歩留まりよく提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の半導体レーザは、第１導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第２導電型クラッド層と、前記第２導電型クラッド層より屈折率の小さい第１導電型のＡｌを含む半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層が、リッジ斜面部に格子整合する第１のＡｌＩｎＰ層と、平坦部に格子整合し、かつ前記第１のＡｌＩｎＰ層と組成の異なる第２のＡｌＩｎＰ層とを交互に積層してなる構造であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体レーザは、前記電流ブロック層を構成する各層の膜厚が、１５ｎｍ以下であることが好ましいが、より好ましくは１０ｎｍ以下である。但し、界面の急峻性の理由から２ｎｍ以上であることが必要である。
【００１９】
また、本発明の半導体レーザは、第１導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第２導電型クラッド層と、前記第２導電型クラッド層より屈折率の小さい第１導電型のＡｌを含む半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層が、Ａｌの組成が、リッジ斜面部に格子整合するＡｌの組成と、平坦部に格子整合するＡｌの組成との間で連続的且つ周期的に変化するＡｌＩｎＰからなることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００２２】
(実施の形態１)
図１は本発明の実施の形態１を示すＡｌＧａＩｎＰ系レーザの断面図である。同図に示されるように、本実施形態の半導体レーザは、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２（Ｓｉ濃度：ｎ＝２×１０¹⁸ｃｍ^-3、膜厚：ｔ＝０．５μｍ）、第１導電型クラッド層としてＳｉドープのｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３（ｎ＝１×１０¹⁸ｃｍ^-3、ｔ＝１．５μｍ）、ノンドープの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１０４（ｔ＝２０ｎｍ）、活性層１０５としてノンドープの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐウェル（ｔ＝５ｎｍ：２層）とノンドープのＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐウェル（ｔ＝５ｎｍ：３層）からなる多重量子井戸層、ノンドープの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１０６（ｔ＝２０ｎｍ）、第２導電型クラッド層としてＺｎドープのｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０７（Ｚｎ濃度：ｐ＝５×１０¹⁷ｃｍ^-3、ｔ＝０．２μｍ）、Ｚｎドープのｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐヘテロバッファ層１０８（ｐ＝１×１０¹⁸ｃｍ^-3、ｔ＝５０ｎｍ）、ＳｉドープのＡｌ_0.5Ｉｎ_0.5ＰとＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓのｎ型電流ブロック層１０９（ｎ＝１×１０¹⁸ｃｍ^-3、ｔ＝０．３μｍ）、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓキャップ層１１０、Ｚｎドープのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を有し、さらに基板裏面にｎ側電極１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１上にｐ側電極１１３を有する埋め込み型ダブルへテロ構造となっている。
【００２３】
次に、図１に示した本実施形態の半導体レーザの製造方法について説明する。図２（ａ）、（ｂ）は本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明するための工程断面図である。結晶成長には縦型ＭＯＣＶＤ装置を用いた。原料ガスとしてＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｓを結晶成長させる際には、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、ホスフィン（ＰＨ₃）、アルシン（ＡｓＨ₃）を用いた。ｐ、ｎ型ドーピングを行なう際には、それぞれジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、シラン（ＳｉＨ₄）を用いた。基板の熱源としては抵抗加熱式ヒータを用いた。成長温度は６６０℃、成長雰囲気圧力は４．７ｋＰａとした。また、成長速度は２μｍ／ｈである。
【００２４】
先ず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１をＭＯＣＶＤ反応炉に設置し、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３、ノンドープの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ノンドープの（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１０６、ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０７、ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐヘテロバッファ層１０８、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１４を順次成長させ、図２（ａ）に示すヘテロ構造基板を作製する。
【００２５】
ＭＯＣＶＤ反応炉から取り出した後、大気圧熱ＣＶＤ法（３７０℃）を用いて酸化シリコン膜を０．３μｍ堆積する。次に、この酸化シリコン膜をフォトリソグラフィーとドライエッチング技術により、幅１．５μｍのストライプ状の酸化シリコンマスク１１５を形成する。その酸化シリコンをマスクとして、硫酸系エッチャントを用いてｐ型ＧａＡｓキャップ層１１４を、塩酸系エッチャントを用いてｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１０８を、硫酸系又は塩酸系エッチング液を用いてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０７を、それぞれ選択的にエッチングして図２（ｂ）に示されるようにヘテロ構造基板にメサ構造を形成する。
【００２６】
この基板を再びＭＯＣＶＤ反応炉に設置し、酸化シリコンマスク１１５を用いて、ｎ型電流ブロック層１０９（０．３μｍ）、ｎ型ＧａＡｓキャップ層１１０（０．１μｍ）を選択成長させる。ｎ型電流ブロック層１０９の詳細な構造は後ほど述べる。
【００２７】
その後、ＭＯＣＶＤ反応炉から取り出して酸化シリコンマスク１１５をバッファード弗酸を用いて除去し、再びＭＯＣＶＤ反応炉に設置してｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を成長させた。最後に、基板裏面にＡｕ、Ｇｅ、Ｎｉからなるｎ側電極１１２を、基板表面にＣｒ／Ａｕ／Ｐｔからなるｐ側電極１１３を形成して、図１の構造を持つ半導体レーザを得た。
【００２８】
次に、本発明の半導体レーザの特徴について述べる。図３は図１の電流ブロック層の要部断面図である。なお、図３において、３０７はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３０９はｎ型電流ブロック層、３１０はｎ型ＧａＡｓキャップ層である。
【００２９】
ｎ型電流ブロック層３０９をＡｌ_0.5Ｉｎ_0.5ＰとＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓを交互に成長させることにより、リッジ斜面部のＡｌ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐの歪みを格子整合系であるＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓで緩和させる。ＡｌＩｎＰは前述したとおり、平坦部とリッジ斜面部で組成が１０％異なるため格子不整は−０．７％あり、リッジ斜面部に歪みが発生して転位が生じやすい環境にある。Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓは格子整合系であるので、平坦部とリッジ斜面部のＡｌ組成が１０％異なっても格子不整は−０．０１４％とＡｌＩｎＰと比較すると５０分の１であり、歪みが小さいため転位の発生を抑制することができる。
【００３０】
図４に歪みによりリッジ斜面部に加わる応力と電流ブロック層を占めるＡｌＧａＡｓ層の割合の依存性を示す。電流ブロック層が全てＡｌＩｎＰの場合にリッジ斜面部に加わる応力を１とする。この図４から、ＡｌＧａＡｓ層の割合が多いほどリッジ斜面部に加わる応力が小さくなることがわかる。十分にリッジ斜面部に加わる応力を低減するためには、ＡｌＧａＡｓ層の割合が３０％以上必要である。しかし、ＡｌＧａＡｓ層の割合が多いとリッジ内外の実効屈折率差が小さくなり、水平拡がり角の制御が困難になることからＡｌＧａＡｓ層の割合は７０％以下が望ましい。この２点を考慮するとＡｌＧａＡｓ層の割合は３０％〜７０％が適当である。
【００３１】
また、全体の電流ブロック層の膜厚は一定で、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓそれぞれ１層の膜厚を薄くし、全体の層数を多くすることにより、さらに転位の発生を抑制することができる。しかし、ＡｌＩｎＰ／ＡｌＧａＡｓの界面の急峻性を考慮すると、１層当たりの膜厚は２〜１５ｎｍが適当である。今回試作したレーザは、ＡｌＧａＡｓ層の割合を５０％とした。具体的には、それぞれ１０ｎｍを１セットとし、１５セット成長させ、電流ブロック層厚は３００ｎｍとした。最終的には、ＡｌＩｎＰとＡｌＧａＡｓの膜厚、膜厚比は、水平拡がり角の制御性と転位を抑制できる最適な値に設計すればよい。
【００３２】
上記で作製した半導体レーザの寿命試験を行なった。寿命は、雰囲気温度７０℃、一定光出力８０ｍＷの条件で駆動させ、動作電流が初期値の±２０％変化するまでの推定時間とした。作製したレーザの寿命時間は１００００時間に達し、信頼性の高い半導体レーザを作製することができた。
【００３３】
この実施形態によれば、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰに加わる歪みを緩和することで、リッジ斜面部の転位は抑制されレーザの信頼性は向上する。
【００３４】
(実施の形態２)
図５は本発明の実施の形態２に関する半導体レーザの電流ブロック層の要部断面図である。図５において、５０７はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５０９はｎ型電流ブロック層、５１０はｎ型ＧａＡｓキャップ層、αはリッジ斜面部に格子整合するＡｌＩｎＰ層、βは平坦部に格子整合するＡｌＩｎＰ層である。電流ブロック層の構成のみが実施の形態１と異なるのでそれ以外の構成の詳細な説明は省略する。本発明の特徴は、ｎ型電流ブロック層５０９が（１１１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰと、（００１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰ層で構成されていることである。具体的には、本成長条件ではＴＭＡｌの流量を、（１１１）面に格子整合させる場合には（００１）面に格子整合させる場合より１０％減少させた。前記実施の形態１では、電流ブロック層に用いているＡｌＧａＡｓとＡｌＩｎＰは屈折率が大きく異なるため、デバイス時の特性、特に水平拡がり角に影響を及ぼし歩留まりの低下を招く。一方、本実施の形態２では電流ブロック層に同じＡｌＩｎＰを用いるため、屈折率がほぼ同じであり水平拡がり角の制御が容易なことから、高歩留まりで赤色レーザを作製することができる。（１１１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰと、（００１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰ層の膜厚を制御することで、従来リッジ斜面部のみに加わっていた歪みをリッジ斜面部と平坦部に所望の割合で振り分けることができる。
【００３５】
図６にリッジ斜面部と平坦部に加わる応力の（１１１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰと、（００１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰ層の割合依存性を示す。横軸は電流ブロック層を占める（１１１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰ層の割合である。今回作製した半導体レーザは、転位が最も抑制されると思われるリッジ斜面部と平坦部に均等に応力が加わる構造を採用した。具体的には、それぞれの膜厚を１０ｎｍを１セットとし、１５セット成長させ、電流ブロック層厚を３００ｎｍとした。
【００３６】
上記で作製した半導体レーザの寿命試験を行なった。寿命は、雰囲気温度７０℃、一定光出力８０ｍＷの条件で駆動させ、動作電流が初期値の±２０％変化するまでの推定時間とした。作製したレーザの寿命時間は１００００時間に達し、信頼性の高い半導体レーザを作製することができた。
【００３７】
この実施形態によれば、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰに加わる歪みを緩和することで、リッジ斜面部の転位は抑制されレーザの信頼性は向上する。
【００３８】
(実施の形態３)
図７は本発明の実施の形態３に関する半導体レーザの電流ブロック層の要部断面図、及び電流ブロック層のＡｌＩｎＰ膜厚とＡｌ_xＩｎ_1-xＰのＡｌの組成との関係を示す図である。図７において、７０７はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７０９はｎ型電流ブロック層、７１０はｎ型ＧａＡｓキャップ層、αはＡｌＩｎＰでＡｌ組成が変化する１周期分の層である。
電流ブロック層の構成のみが実施の形態１と異なるのでそれ以外の構成の詳細な説明は省略する。本発明の特徴は、ＡｌＩｎＰ電流ブロック層のＡｌ組成を（１１１）面と（００１）面に格子整合したときのそれぞれのＡｌ組成の間で連続的且つ周期的に変化させる。このようにしてＡｌＩｎＰ電流ブロック層のＡｌ組成の平均値を制御することにより、従来リッジ斜面部のみに加わっていた歪みをリッジ斜面部と平坦部に所望の割合で振り分けることができる。前記実施の形態２では、異なる組成のＡｌＩｎＰの界面で応力が集中するため転位が発生しやすい。本実施の形態３では、組成の界面が存在しないようにＡｌＩｎＰの組成を連続的に変化させることにより転位の発生を抑制できる。
【００３９】
具体的には、ＡｌＩｎＰを１周期１０ｎｍで３０周期成長させ、電流ブロック層の膜厚を３００ｎｍとした。また、Ａｌの組成を連続的に変化させることによって、応力が集中しやすい界面を形成しない。
【００４０】
上記で作製した半導体レーザの寿命試験を行なった。寿命は、雰囲気温度８０℃、一定光出力８０ｍＷの条件で駆動させ、動作電流が初期値の±２０％変化するまでの推定時間とした。作製したレーザの寿命時間は１００００時間に達し、信頼性の高い半導体レーザを作製することができた。
【００４１】
この実施形態によれば、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰに加わる歪みを緩和することで、リッジ斜面部の転位は抑制されレーザの信頼性は向上する。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、実施の形態１では、リッジ斜面部のＡｌＩｎＰに加わる歪みを緩和させることによって、ＡｌＩｎＰの結晶性を向上させることができる。
【００４３】
実施の形態２では、リッジ斜面部と平坦部に所望の割合で歪みを振り分けることによって、リッジ斜面部に加わる歪みを緩和し、ＡｌＩｎＰの結晶性を向上させることができる。
【００４４】
実施の形態３では、リッジ斜面部と平坦部に所望の割合で歪みを振り分け、応力の集中しやすい界面を形成しないことで、リッジ斜面部に加わる歪みを緩和し、ＡｌＩｎＰの結晶性を向上させることができる。
【００４５】
以上のように本発明の半導体レーザによれば、リッジから発生する転位が抑制され、信頼性の高い実屈折率導波型半導体レーザを高歩留まりで製造できる顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体レーザの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】実施の形態１の電流ブロック層の要部断面図である。
【図４】リッジ斜面部に加わる応力と電流ブロック層を占めるＡｌＧａＡｓ層の割合の関係を示す図である。
【図５】実施の形態２の電流ブロック層の要部断面図である。
【図６】リッジ斜面部と平坦部に加わる応力と（１１１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰと（００１）面に格子整合させたＡｌＩｎＰ層の割合の関係を示す図である。
【図７】実施の形態３に関する半導体レーザの電流ブロック層の要部断面図、及び電流ブロック層のＡｌＩｎＰ膜厚と平坦部のＡｌ_xＩｎ_1-xＰのＡｌの組成との関係を示す図である。
【図８】従来の半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図９】リッジ付近の断面図である。
【符号の説明】
１０１、８０１ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２、８０２ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１０３、８０３ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０４、８０４ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層
１０５、８０５多重量子井戸活性層
１０６、８０６ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層
１０７、３０７、５０７、７０７、８０７ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０８、８０８ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層
１０９、３０９、５０９、７０９、８０９ｎ型電流ブロック層
１１０、３１０、５１０、７１０ｎ型ＧａＡｓキャップ層
１１１、８１０ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１１２、８１１ｎ側電極
１１３、８１２ｐ側電極
１１４ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１１５酸化シリコンマスク

Claims

第１導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第２導電型クラッド層と、前記第２導電型クラッド層より屈折率の小さい第１導電型のＡｌを含む半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、
前記電流ブロック層が、リッジ斜面部に格子整合する第１のＡｌＩｎＰ層と、平坦部に格子整合し、かつ前記第１のＡｌＩｎＰ層と組成の異なる第２のＡｌＩｎＰ層とを交互に積層してなる構造であることを特徴とする半導体レーザ。
前記電流ブロック層を構成する各層の膜厚が、１５ｎｍ以下である請求項１に記載の半導体レーザ。
第１導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第２導電型クラッド層と、前記第２導電型クラッド層より屈折率の小さい第１導電型のＡｌを含む半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、
前記電流ブロック層が、Ａｌの組成が、リッジ斜面部に格子整合するＡｌの組成と、平坦部に格子整合するＡｌの組成との間で連続的且つ周期的に変化するＡｌＩｎＰからなることを特徴とする半導体レーザ。