JP2970797B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2970797B2 JP2970797B2 JP33754293A JP33754293A JP2970797B2 JP 2970797 B2 JP2970797 B2 JP 2970797B2 JP 33754293 A JP33754293 A JP 33754293A JP 33754293 A JP33754293 A JP 33754293A JP 2970797 B2 JP2970797 B2 JP 2970797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- plane
- slope
- region along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に製造プロセスが簡単で高性能の半導体レーザ装
置とその製造方法に関する。
し、特に製造プロセスが簡単で高性能の半導体レーザ装
置とその製造方法に関する。
【０００２】たとえば、ポイントオブセールス（ＰＯ
Ｓ）システムのバーコード読出し用、光ディスク装置の
記憶、読出し用、レーザプリンタの潜像形成用等の光源
として半導体レーザ装置が用いられている。近年、０．
６μｍ帯の可視光半導体レーザ装置は、これら光情報処
理装置の高性能化を実現できる光源として期待されてい
る。
Ｓ）システムのバーコード読出し用、光ディスク装置の
記憶、読出し用、レーザプリンタの潜像形成用等の光源
として半導体レーザ装置が用いられている。近年、０．
６μｍ帯の可視光半導体レーザ装置は、これら光情報処
理装置の高性能化を実現できる光源として期待されてい
る。
【０００３】これらの用途に用いられる可視光半導体レ
ーザは、低価格で、低閾値電流、高光出力の特性を有す
ることが望まれている。さらに、光出力−駆動電流特性
のキンクレベルが高く、効率が高く、消費電力が低く、
遠視野像が単峰であり、非点収差が小さいこと等も要求
される。
ーザは、低価格で、低閾値電流、高光出力の特性を有す
ることが望まれている。さらに、光出力−駆動電流特性
のキンクレベルが高く、効率が高く、消費電力が低く、
遠視野像が単峰であり、非点収差が小さいこと等も要求
される。
【０００４】
【従来の技術】０．６μｍ帯可視光半導体レーザとして
ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いるものが知られている。
ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いるものが知られている。
【０００５】バンドギャップの広いＡｌＧａＩｎＰ系材
料を用いて０．６μｍ帯の発光を行なうＡｌＩｎＰ等の
活性層を埋め込もうとすると、活性層をＡｌを含むクラ
ッド層で挟んだ後、メサエッチを行ない、側面をＡｌを
含む材料で埋め込むことになる。
料を用いて０．６μｍ帯の発光を行なうＡｌＩｎＰ等の
活性層を埋め込もうとすると、活性層をＡｌを含むクラ
ッド層で挟んだ後、メサエッチを行ない、側面をＡｌを
含む材料で埋め込むことになる。
【０００６】ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、Ａｌの制御性の
点から有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）または分
子線エピタキシ（ＭＢＥ）で成長する。ところが、Ａｌ
を含む材料は極めて酸化されやすため、一旦大気に晒す
と、Ａｌを含む層の表面は酸化されてしまう。酸化され
たＡｌを含む材料の上にＡｌを含む材料を結晶成長させ
ることは極めて難しい。このため、Ａｌを含む材料をＡ
ｌを含む材料で埋め込むことは非現実的である。
点から有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）または分
子線エピタキシ（ＭＢＥ）で成長する。ところが、Ａｌ
を含む材料は極めて酸化されやすため、一旦大気に晒す
と、Ａｌを含む層の表面は酸化されてしまう。酸化され
たＡｌを含む材料の上にＡｌを含む材料を結晶成長させ
ることは極めて難しい。このため、Ａｌを含む材料をＡ
ｌを含む材料で埋め込むことは非現実的である。
【０００７】そこで、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた半
導体レーザは、一連の結晶成長でレーザ構造を作製する
ことが望まれる。しかし、半導体レーザにおいては、活
性層に光を閉じ込めることが必要である。
導体レーザは、一連の結晶成長でレーザ構造を作製する
ことが望まれる。しかし、半導体レーザにおいては、活
性層に光を閉じ込めることが必要である。
【０００８】下地上に屈折率の低い層、屈折率の高い
層、屈折率の低い層を連続的にエピタキシャル成長すれ
ば、縦方向の光閉じ込めは行なえる。ただし、平坦な下
地上にこのような積層を成長した場合、横方向の光閉じ
込めができない。
層、屈折率の低い層を連続的にエピタキシャル成長すれ
ば、縦方向の光閉じ込めは行なえる。ただし、平坦な下
地上にこのような積層を成長した場合、横方向の光閉じ
込めができない。
【０００９】表面に屈曲（折れ曲り）のある下地結晶を
用いると、その上に成長したエピタキシャル層も屈曲を
持つものになる。活性層が曲がると、活性層の延長上に
クラッド層が現れ、実効的屈折率が低下する。したがっ
て、活性層を曲げることにより、横方向の光閉じ込めも
可能となる。
用いると、その上に成長したエピタキシャル層も屈曲を
持つものになる。活性層が曲がると、活性層の延長上に
クラッド層が現れ、実効的屈折率が低下する。したがっ
て、活性層を曲げることにより、横方向の光閉じ込めも
可能となる。
【００１０】たとえば、基板表面をメサ状に加工し、そ
の上にエピタキシャル成長を行なうと、活性層はメサ表
面形状にならってメサ頂上部で平坦な部分を有し、メサ
側面でメサに沿って折れ曲がる。このような構成を用い
ると、縦方向および横方向で光閉じ込めを行なうことの
できるレーザ構造が実現できる。
の上にエピタキシャル成長を行なうと、活性層はメサ表
面形状にならってメサ頂上部で平坦な部分を有し、メサ
側面でメサに沿って折れ曲がる。このような構成を用い
ると、縦方向および横方向で光閉じ込めを行なうことの
できるレーザ構造が実現できる。
【００１１】しかしながら、半導体レーザにおいては、
光閉じ込めと同様、流れる電流も実効的に発光を行なう
実効活性領域に閉じ込めることが必要である。上述の構
造では、電流閉じ込めを行なうことができない。
光閉じ込めと同様、流れる電流も実効的に発光を行なう
実効活性領域に閉じ込めることが必要である。上述の構
造では、電流閉じ込めを行なうことができない。
【００１２】ところで、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の不
純物は、結晶の面方位によって取り込まれ確率が変化す
るものがある。たとえば、ｐ型不純物であるＺｎは、
（１００）面の取り込まれ率よりも（１１１）Ａ面の方
が取り込まれ率が高い。
純物は、結晶の面方位によって取り込まれ確率が変化す
るものがある。たとえば、ｐ型不純物であるＺｎは、
（１００）面の取り込まれ率よりも（１１１）Ａ面の方
が取り込まれ率が高い。
【００１３】逆に、ｎ型不純物であるＳｅは、（１０
０）面の取り込まれ率よりも（１１１）Ａ面の取り込ま
れ率が低い。したがって、このような取り込まれ率の異
なる不純物を用いることにより、一連の結晶成長で同一
層内にｐ型領域とｎ型領域を面方位に応じて選択的に形
成することができる。
０）面の取り込まれ率よりも（１１１）Ａ面の取り込ま
れ率が低い。したがって、このような取り込まれ率の異
なる不純物を用いることにより、一連の結晶成長で同一
層内にｐ型領域とｎ型領域を面方位に応じて選択的に形
成することができる。
【００１４】図８は、特開昭６２−５２９８５号公報に
提案されたＶ溝レーザの構成を示す。（１００）面を有
するｐ型ＧａＡｓ基板１１の表面に、（１１１）Ａ面を
斜面とするＶ字状の溝が化学エッチングにより形成され
ている。
提案されたＶ溝レーザの構成を示す。（１００）面を有
するｐ型ＧａＡｓ基板１１の表面に、（１１１）Ａ面を
斜面とするＶ字状の溝が化学エッチングにより形成され
ている。
【００１５】この基板上に、ｐ型ＧａＡｓ層１２Ａ、ｎ
型ＧａＡｓ層１２Ｂを交互に計４層積層し、さらにｐ型
Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１３、アンドープＧａ
0.9Ａｌ0.1 Ａｓ活性層１４、ｎ型Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａ
ｓクラッド層１５、ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６を順次
成長している。
型ＧａＡｓ層１２Ｂを交互に計４層積層し、さらにｐ型
Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１３、アンドープＧａ
0.9Ａｌ0.1 Ａｓ活性層１４、ｎ型Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａ
ｓクラッド層１５、ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６を順次
成長している。
【００１６】結晶成長法は有機金属気相成長（ＭＯＶＰ
Ｅ）であり、ｐ型ドーパントとしてジエチル亜鉛（ＤＥ
Ｚｎ）を用い、ｎ型ドーパントとしてセレン化水素（Ｈ
2 Ｓｅ）を用いている。
Ｅ）であり、ｐ型ドーパントとしてジエチル亜鉛（ＤＥ
Ｚｎ）を用い、ｎ型ドーパントとしてセレン化水素（Ｈ
2 Ｓｅ）を用いている。
【００１７】溝上に成長したｐ型、ｎ型各々のＧａＡｓ
層においては、ｐ型ドーパントであるＺｎの拡散によ
り、ｎ型ＧａＡｓ層がｐ型に反転する。一方、平坦部で
は、ｎ型ＧａＡｓ層のｐ型反転は起こらず、複数のｐｎ
接合が形成される。これによって平坦部の上にｐｎ多層
膜が電流ブロック層として自己整合的に形成される。し
たがって、一連の結晶成長工程によって電流閉じ込め構
造を形成することができる。この製造方法をＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザに応用することができる。
層においては、ｐ型ドーパントであるＺｎの拡散によ
り、ｎ型ＧａＡｓ層がｐ型に反転する。一方、平坦部で
は、ｎ型ＧａＡｓ層のｐ型反転は起こらず、複数のｐｎ
接合が形成される。これによって平坦部の上にｐｎ多層
膜が電流ブロック層として自己整合的に形成される。し
たがって、一連の結晶成長工程によって電流閉じ込め構
造を形成することができる。この製造方法をＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザに応用することができる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた半導体レーザは、一連の
結晶成長工程でレーザ構造を作製することが望まれる。
このため、通常のメサ型埋込構造を有するレーザ構造は
採用することが難しい。
ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた半導体レーザは、一連の
結晶成長工程でレーザ構造を作製することが望まれる。
このため、通常のメサ型埋込構造を有するレーザ構造は
採用することが難しい。
【００１９】Ｖ溝等を有する基板を用い、一連の結晶成
長工程で自動的に電流ブロック層を作り付ける技術が提
案されているが、高性能の半導体レーザを作製すること
は難しかった。
長工程で自動的に電流ブロック層を作り付ける技術が提
案されているが、高性能の半導体レーザを作製すること
は難しかった。
【００２０】本発明の目的は、一連の結晶成長工程でレ
ーザ構造を作製でき、かつ高性能の半導体レーザを実現
することのできる半導体レーザ装置製造方法を提供する
ことである。
ーザ構造を作製でき、かつ高性能の半導体レーザを実現
することのできる半導体レーザ装置製造方法を提供する
ことである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置の製造方法は、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板を準備する工程と、前記段差基板上
に、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面が表出した平
坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３≦ｋ≦７の実数）が表出
した斜面を有する活性層をエピタキシャルに結晶成長す
る工程と、前記活性層の斜面に沿う領域で高いｐ型キャ
リア濃度を有し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低い
ｐ型キャリア濃度を有するｐ側第１クラッド層を前記活
性層に接してエピタキシャルに成長する工程と、斜面に
沿う領域で高いｐ型不純物濃度を有し、平坦面に沿う領
域で低いｐ型不純物濃度を有するｐ型薄層と、前記斜面
に沿う領域で低いｎ型不純物濃度を有し、前記平坦面に
沿う領域で高いｎ型不純物濃度を有するｎ型薄層とを交
互に２周期以上前記ｐ側第１クラッド層上にエピタキシ
ャルに成長する工程とを含む。
置の製造方法は、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板を準備する工程と、前記段差基板上
に、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面が表出した平
坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３≦ｋ≦７の実数）が表出
した斜面を有する活性層をエピタキシャルに結晶成長す
る工程と、前記活性層の斜面に沿う領域で高いｐ型キャ
リア濃度を有し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低い
ｐ型キャリア濃度を有するｐ側第１クラッド層を前記活
性層に接してエピタキシャルに成長する工程と、斜面に
沿う領域で高いｐ型不純物濃度を有し、平坦面に沿う領
域で低いｐ型不純物濃度を有するｐ型薄層と、前記斜面
に沿う領域で低いｎ型不純物濃度を有し、前記平坦面に
沿う領域で高いｎ型不純物濃度を有するｎ型薄層とを交
互に２周期以上前記ｐ側第１クラッド層上にエピタキシ
ャルに成長する工程とを含む。
【００２２】また、本発明の他の半導体レーザ装置の製
造方法は、前記活性層を結晶成長する工程の前に、前記
基板上に基板と同一組成のバッファ層を厚さ約１μｍ以
上成長する工程を有する。
造方法は、前記活性層を結晶成長する工程の前に、前記
基板上に基板と同一組成のバッファ層を厚さ約１μｍ以
上成長する工程を有する。
【００２３】
【作用】（ｎ１１）Ａ面が表出した主面と、（ｍ１１）
Ａ面が表出した斜面を有する段差基板を用い、面方位に
よって結晶中への取り込まれ率の異なるｐ型不純物とｎ
型不純物を用い、ｐ型薄層とｎ型薄層を交互に２周期以
上成長することにより、クラッド兼ブロック層を形成し
て、高性能の半導体レーザ装置を実現することができ
る。
Ａ面が表出した斜面を有する段差基板を用い、面方位に
よって結晶中への取り込まれ率の異なるｐ型不純物とｎ
型不純物を用い、ｐ型薄層とｎ型薄層を交互に２周期以
上成長することにより、クラッド兼ブロック層を形成し
て、高性能の半導体レーザ装置を実現することができ
る。
【００２４】実効的な活性層は、折れ曲りのない斜面領
域で形成される。（ｋ１１）Ａ面を有する活性層の上に
クラッド層を形成する場合は、均一なドーピングが可能
となる。ペアリングを防止して半導体レーザ装置として
高い特性を示すことができる。
域で形成される。（ｋ１１）Ａ面を有する活性層の上に
クラッド層を形成する場合は、均一なドーピングが可能
となる。ペアリングを防止して半導体レーザ装置として
高い特性を示すことができる。
【００２５】さらに、ｐ型不純物としてＺｎまたはＣｄ
を用い、ｎ型不純物としてＳを用いると、両型不純物の
取り込まれ率の面方位依存性が高く、同時ドーピングを
行なってもペアリングを有効に低減することができる。
を用い、ｎ型不純物としてＳを用いると、両型不純物の
取り込まれ率の面方位依存性が高く、同時ドーピングを
行なってもペアリングを有効に低減することができる。
【００２６】
【実施例】本発明の理解を容易にするため、従来技術と
本発明者らの先の研究から説明する。
本発明者らの先の研究から説明する。
【００２７】図８に示す構成の半導体レーザ装置におい
ては、実効的な活性層となるＶ溝内の領域を均一に発光
させることが困難であった。その原因を究明すると、Ｖ
溝の最底部においては、（１１１）Ａ面のみでなく、他
の様々な面方位が現れる。このため、Ｖ溝内で均一なド
ーピングを実現することが容易でなかった。Ｖ溝内で均
一なドーピングを実現しようとすると、ｐ型ドーパント
の濃度を増大し、ｐ型ドーパントの拡散を促進する必要
がある。
ては、実効的な活性層となるＶ溝内の領域を均一に発光
させることが困難であった。その原因を究明すると、Ｖ
溝の最底部においては、（１１１）Ａ面のみでなく、他
の様々な面方位が現れる。このため、Ｖ溝内で均一なド
ーピングを実現することが容易でなかった。Ｖ溝内で均
一なドーピングを実現しようとすると、ｐ型ドーパント
の濃度を増大し、ｐ型ドーパントの拡散を促進する必要
がある。
【００２８】ところが、Ｖ溝内で均一なドーピングが実
現されるほどｐ型ドーパントの濃度を増大すると、不純
物の拡散に伴い、空格子が現れる。空格子は、非発光中
心となり、半導体レーザ装置の効率を低下させ、寿命を
短くさせる。
現されるほどｐ型ドーパントの濃度を増大すると、不純
物の拡散に伴い、空格子が現れる。空格子は、非発光中
心となり、半導体レーザ装置の効率を低下させ、寿命を
短くさせる。
【００２９】このような問題は、Ｖ溝によって実効的活
性層を画定しようとしたことに起因している。図１は、
本発明者らの先の提案および本発明の実施例による半導
体レーザを示す斜視図である。ＧａＡｓ基板１は、（１
００）面から（１１１）Ａ面へ６°オフした主面を有
し、４×１０18ｃｍ-3のＳｉをドープしたｎ型基板であ
る。ＧａＡｓ基板１の主面には段差が形成され、段差間
の領域は（４１１）Ａ面の斜面である。この斜面は、
〔０１−１〕方向に延在する。段差の高さは約０．５μ
ｍである。
性層を画定しようとしたことに起因している。図１は、
本発明者らの先の提案および本発明の実施例による半導
体レーザを示す斜視図である。ＧａＡｓ基板１は、（１
００）面から（１１１）Ａ面へ６°オフした主面を有
し、４×１０18ｃｍ-3のＳｉをドープしたｎ型基板であ
る。ＧａＡｓ基板１の主面には段差が形成され、段差間
の領域は（４１１）Ａ面の斜面である。この斜面は、
〔０１−１〕方向に延在する。段差の高さは約０．５μ
ｍである。
【００３０】ｎ型ＧａＡｓ基板１の上には、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２が厚さ約１．５μｍ形成されている。こ
のＧａＡｓバッファ層２には、ｎ型ドーパントとしてＳ
ｉが約５×１０17ｃｍ-3添加されている。
ｓバッファ層２が厚さ約１．５μｍ形成されている。こ
のＧａＡｓバッファ層２には、ｎ型ドーパントとしてＳ
ｉが約５×１０17ｃｍ-3添加されている。
【００３１】ｎ型ＧａＡｓバッファ層２の上には、Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層３が厚さ約０．１μｍ形成されて
いる。Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層３は、ｎ型ドーパント
としてＳｉを約１×１０18ｃｍ-3添加されている。
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層３が厚さ約０．１μｍ形成されて
いる。Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層３は、ｎ型ドーパント
としてＳｉを約１×１０18ｃｍ-3添加されている。
【００３２】この中間層３は、下側に配置されるＧａＡ
ｓと、その上に形成される（Ａｌ0. 7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐとの中間のバンドギャップを有し、ヘテロ障壁
による電位障壁を緩和する役割を果たす。
ｓと、その上に形成される（Ａｌ0. 7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐとの中間のバンドギャップを有し、ヘテロ障壁
による電位障壁を緩和する役割を果たす。
【００３３】中間層３の上には、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｎ型クラッド層４が厚さ約２．０μｍ
形成されている。このｎ型クラッド層４にも、ｎ型ドー
パントとしてＳｉが約５×１０17ｃｍ-3添加されてい
る。ｎ型クラッド層４の上には、歪ＭＱＷ活性層５が形
成されている。
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｎ型クラッド層４が厚さ約２．０μｍ
形成されている。このｎ型クラッド層４にも、ｎ型ドー
パントとしてＳｉが約５×１０17ｃｍ-3添加されてい
る。ｎ型クラッド層４の上には、歪ＭＱＷ活性層５が形
成されている。
【００３４】この活性層５は、図２（Ａ）に示すよう
に、光に対するガイドと電荷キャリアに対するバリアを
構成する（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５ａ
と、発光機能を果す量子井戸層を形成するＧａ0.44Ｉｎ
0.56Ａｓ0.08Ｐ0.92層５ｂの交互積層で形成されてい
る。ガイド層５ａは、厚さ約５ｎｍで４層、量子井戸層
５ｂは厚さ約６ｎｍで３層を形成される。活性層５はノ
ンドープである。
に、光に対するガイドと電荷キャリアに対するバリアを
構成する（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５ａ
と、発光機能を果す量子井戸層を形成するＧａ0.44Ｉｎ
0.56Ａｓ0.08Ｐ0.92層５ｂの交互積層で形成されてい
る。ガイド層５ａは、厚さ約５ｎｍで４層、量子井戸層
５ｂは厚さ約６ｎｍで３層を形成される。活性層５はノ
ンドープである。
【００３５】活性層５の上には、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型第１クラッド層６が厚さ約０．４
μｍ形成されている。このｐ型第１クラッド層６には、
ｐ型ドーパントとしてＺｎが添加されている。
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型第１クラッド層６が厚さ約０．４
μｍ形成されている。このｐ型第１クラッド層６には、
ｐ型ドーパントとしてＺｎが添加されている。
【００３６】ｐ型ドーパントＺｎは、図５に示すよう
に、結晶面方位に依存して取り込まれ率が大きく変化す
る。斜面部分は（４１１）Ａ面であり、主面が（１０
０）面から（１１１）Ａ面方向に僅かに傾斜した面であ
るため、ｐ型第１クラッド層６内のキャリア濃度は斜面
と主面によって大きく異なる。
に、結晶面方位に依存して取り込まれ率が大きく変化す
る。斜面部分は（４１１）Ａ面であり、主面が（１０
０）面から（１１１）Ａ面方向に僅かに傾斜した面であ
るため、ｐ型第１クラッド層６内のキャリア濃度は斜面
と主面によって大きく異なる。
【００３７】斜面においてｐ型キャリア濃度が約６×１
０17ｃｍ-3になるようにＺｎをドープしてある。このと
き、主面でのｐ型キャリア濃度は約１×１０17ｃｍ-3で
ある。
０17ｃｍ-3になるようにＺｎをドープしてある。このと
き、主面でのｐ型キャリア濃度は約１×１０17ｃｍ-3で
ある。
【００３８】ｐ型第１クラッド層６の上には、（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのクラッド兼ブロック層
７が形成されている。本発明者らの先の提案では、この
クラッド兼ブロック層にＺｎとＳｅを同時にドープし
た。
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのクラッド兼ブロック層
７が形成されている。本発明者らの先の提案では、この
クラッド兼ブロック層にＺｎとＳｅを同時にドープし
た。
【００３９】図５、図６は、ＺｎとＳｅの結晶中への取
り込まれ率の面方位依存性を示す。Ｚｎの取り込まれ率
は（１００）面で低く、（１１１）Ａ面等で高い。逆
に、Ｓｅの取り込まれ率は（１００）面で高く、（１１
１）Ａ面等で低い。したがって、同時ドープ等によって
図７に示すように、平坦面でｎ型領域斜面でｐ型領域を
形成できる。しかし、同一領域にＺｎとＳｅをドープす
るので、両者が結合するとＺｎＳｅを作り得る。
り込まれ率の面方位依存性を示す。Ｚｎの取り込まれ率
は（１００）面で低く、（１１１）Ａ面等で高い。逆
に、Ｓｅの取り込まれ率は（１００）面で高く、（１１
１）Ａ面等で低い。したがって、同時ドープ等によって
図７に示すように、平坦面でｎ型領域斜面でｐ型領域を
形成できる。しかし、同一領域にＺｎとＳｅをドープす
るので、両者が結合するとＺｎＳｅを作り得る。
【００４０】本実施例では、クラッド兼ブロック層７
は、図２（Ｂ）で示すように、４層以上の積層構造で構
成される。さらに、詳細に説明すると、図２（Ｃ）に示
すように、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加されたｐ型
薄層ｐ１、ｐ２、…と、ｎ型ドーパントとしてＳを添加
されたｎ型薄層ｎ１、ｎ２、…が交互に積層される。
は、図２（Ｂ）で示すように、４層以上の積層構造で構
成される。さらに、詳細に説明すると、図２（Ｃ）に示
すように、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加されたｐ型
薄層ｐ１、ｐ２、…と、ｎ型ドーパントとしてＳを添加
されたｎ型薄層ｎ１、ｎ２、…が交互に積層される。
【００４１】Ｚｎは、図５に示すように、斜面部分で高
く、主面部で低い取り込まれ率を有するため、ｐ型薄層
は斜面部分でｐ型ドーパント濃度が高く、主面部分でｐ
型ドーパント濃度が低い。
く、主面部で低い取り込まれ率を有するため、ｐ型薄層
は斜面部分でｐ型ドーパント濃度が高く、主面部分でｐ
型ドーパント濃度が低い。
【００４２】ｎ型ドーパントＳは、逆に主面部分で取り
込まれ率が高く、斜面部分で取り込まれ率が低い。Ｓの
取り込まれ率の面方位依存性は、図６に示すＳｅの取り
込まれ率の面方位依存性よりも高い。
込まれ率が高く、斜面部分で取り込まれ率が低い。Ｓの
取り込まれ率の面方位依存性は、図６に示すＳｅの取り
込まれ率の面方位依存性よりも高い。
【００４３】本実施例においては、斜面部分でｐ型キャ
リア濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度約１×
１０17ｃｍ-3となり、主面部分（平坦部分）でｐ型キャ
リア濃度約２×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度約８×
１０17ｃｍ-3になるようにＺｎとＳを交互に添加する。
なお、各層の厚さは約５ｎｍであり、３０周期の積層と
する。すなわち、クラッド兼ブロック層７の全体の厚さ
は約０．３μｍである。
リア濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度約１×
１０17ｃｍ-3となり、主面部分（平坦部分）でｐ型キャ
リア濃度約２×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度約８×
１０17ｃｍ-3になるようにＺｎとＳを交互に添加する。
なお、各層の厚さは約５ｎｍであり、３０周期の積層と
する。すなわち、クラッド兼ブロック層７の全体の厚さ
は約０．３μｍである。
【００４４】このような構成（平坦部）をＳＩＭＳ等で
調べると、不純物濃度が周期的に分布していることが判
る。ただし、電気的には平坦部のｐ型薄層は空乏化さ
れ、平坦部は全体的にｎ型層として機能する。
調べると、不純物濃度が周期的に分布していることが判
る。ただし、電気的には平坦部のｐ型薄層は空乏化さ
れ、平坦部は全体的にｎ型層として機能する。
【００４５】斜面部分においては、ｐ型不純物濃度が高
いので、ｐ型不純物は拡散し、斜面部分７ｂを全体とし
てｐ型層とするものと考えられる。ただし、ｎ型不純物
の周期的分布は残存しているものと考えられる。
いので、ｐ型不純物は拡散し、斜面部分７ｂを全体とし
てｐ型層とするものと考えられる。ただし、ｎ型不純物
の周期的分布は残存しているものと考えられる。
【００４６】ｐ型不純物とｎ型不純物が別の位置にドー
プされるため、結合の確率が著しく低減する。ｎ型ドー
パントとしてＳの代わりにＳｅを用いると、Ｓｅ濃度は
斜面部分で約２×１０17ｃｍ-3、主面部分で８×１０17
ｃｍ-3となる。Ｓをｎ型ドーパントとして用いた場合と
比較すると、斜面のｐ型不純物とｎ型不純物の補償比が
２倍程度悪化する。
プされるため、結合の確率が著しく低減する。ｎ型ドー
パントとしてＳの代わりにＳｅを用いると、Ｓｅ濃度は
斜面部分で約２×１０17ｃｍ-3、主面部分で８×１０17
ｃｍ-3となる。Ｓをｎ型ドーパントとして用いた場合と
比較すると、斜面のｐ型不純物とｎ型不純物の補償比が
２倍程度悪化する。
【００４７】図１に戻って説明すると、クラッド兼ブロ
ック層７は、主面部分でｎ型の電流ブロック層７ａを形
成し、斜面部分でｐ型の第２クラッド層７ｂを形成す
る。クラッド兼ブロック層７の上には、（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型第３クラッド層が厚さ約
１．１５μｍ形成されている。このｐ型第３クラッド層
８は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加され、約９×１
０17ｃｍ-3のキャリア濃度を有する。
ック層７は、主面部分でｎ型の電流ブロック層７ａを形
成し、斜面部分でｐ型の第２クラッド層７ｂを形成す
る。クラッド兼ブロック層７の上には、（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型第３クラッド層が厚さ約
１．１５μｍ形成されている。このｐ型第３クラッド層
８は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加され、約９×１
０17ｃｍ-3のキャリア濃度を有する。
【００４８】ｐ型第３クラッド層８の上には、Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型中間層９が厚さ約０．１μｍ形成され
ている。ｐ型中間層９は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを
添加され、ｐ型キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3を有す
る。
Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型中間層９が厚さ約０．１μｍ形成され
ている。ｐ型中間層９は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを
添加され、ｐ型キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3を有す
る。
【００４９】ｐ型中間層９の上には、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０が厚さ約１μｍ形成されている。ｐ型コン
タクト層１０は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加さ
れ、ｐ型キャリア濃度約２×１０18ｃｍ-3を有する。
タクト層１０が厚さ約１μｍ形成されている。ｐ型コン
タクト層１０は、ｐ型ドーパントとしてＺｎを添加さ
れ、ｐ型キャリア濃度約２×１０18ｃｍ-3を有する。
【００５０】なお、ｎ型ＧａＡｓ基板１下面上には、Ａ
ｕ層、Ｇｅ層、Ａｕ層の積層からなるｎ側電極２１が形
成され、ｐ型コンタクト層１０の上面上には、Ａｕ−Ｚ
ｎ層、Ａｕ層の積層からなるｐ側電極２２が形成されて
いる。
ｕ層、Ｇｅ層、Ａｕ層の積層からなるｎ側電極２１が形
成され、ｐ型コンタクト層１０の上面上には、Ａｕ−Ｚ
ｎ層、Ａｕ層の積層からなるｐ側電極２２が形成されて
いる。
【００５１】このような構成によれば、ＧａＡｓ基板１
の上にＧａＡｓバッファ層２が厚さ約１．５μｍ形成さ
れているため、斜面部分には安定に（４１１）Ａ面が得
られる。斜面部分の面方位を安定化させる機能を果たす
バッファ層２は、厚さ約１．０μｍ以上あることが好ま
しい。
の上にＧａＡｓバッファ層２が厚さ約１．５μｍ形成さ
れているため、斜面部分には安定に（４１１）Ａ面が得
られる。斜面部分の面方位を安定化させる機能を果たす
バッファ層２は、厚さ約１．０μｍ以上あることが好ま
しい。
【００５２】また、クラッド兼ブロック層７がｐ型不純
物をドープした薄層と、ｎ型不純物をドープした薄層の
積層で形成されているため、この層内においてｐ型不純
物とｎ型不純物が結合する確率が低下し、不純物同士の
ペアリングの確率が著しく減少する。したがって、欠陥
の少ない良好な結晶性を有するクラッド兼ブロック層が
得られる。
物をドープした薄層と、ｎ型不純物をドープした薄層の
積層で形成されているため、この層内においてｐ型不純
物とｎ型不純物が結合する確率が低下し、不純物同士の
ペアリングの確率が著しく減少する。したがって、欠陥
の少ない良好な結晶性を有するクラッド兼ブロック層が
得られる。
【００５３】図３は、本発明の他の実施例による半導体
レーザ装置を示す。本実施例の構成は、図１、図２に示
す実施例と、クラッド兼ブロック層７の構成が異なる
が、他の点は同様である。
レーザ装置を示す。本実施例の構成は、図１、図２に示
す実施例と、クラッド兼ブロック層７の構成が異なる
が、他の点は同様である。
【００５４】図３（Ａ）に示すように、クラッド兼ブロ
ック層７は、主面部分でｎ型の電流ブロック層７ａを形
成し、斜面部分でｐ型の第２クラッド層７ｂを形成す
る。このクラッド兼ブロック層７には、ｐ型不純物とし
てＺｎまたはＣｄ、ｎ型不純物としてＳを同時にドープ
されている。
ック層７は、主面部分でｎ型の電流ブロック層７ａを形
成し、斜面部分でｐ型の第２クラッド層７ｂを形成す
る。このクラッド兼ブロック層７には、ｐ型不純物とし
てＺｎまたはＣｄ、ｎ型不純物としてＳを同時にドープ
されている。
【００５５】Ｚｎは、図５のＺｎの曲線に示すように、
（１００）面から（４１１）Ａ面方向に向かって取り込
まれ率が増大する。ＣｄはＺｎよりもさらに面方位依存
性が強い。Ｓは、図６に示すＳｅよりもさらに強い面方
位依存性を有し、（１００）面から（４１１）Ａ面方向
に向かって取り込まれ率が急激に減少する。
（１００）面から（４１１）Ａ面方向に向かって取り込
まれ率が増大する。ＣｄはＺｎよりもさらに面方位依存
性が強い。Ｓは、図６に示すＳｅよりもさらに強い面方
位依存性を有し、（１００）面から（４１１）Ａ面方向
に向かって取り込まれ率が急激に減少する。
【００５６】したがって、ｎ型不純物としてＳ、ｐ型不
純物としてＣｄまたはＺｎを同時にドープすると、図３
（Ｂ）に示すように、主面分ではｎ型不純物の濃度が高
く、斜面部分ではｐ型不純物の濃度が高くなるようにす
ることができる。
純物としてＣｄまたはＺｎを同時にドープすると、図３
（Ｂ）に示すように、主面分ではｎ型不純物の濃度が高
く、斜面部分ではｐ型不純物の濃度が高くなるようにす
ることができる。
【００５７】図７は、参考のために、ｎ型不純物として
Ｓｅ、ｐ型不純物としてＺｎを用いたときの同時ドーピ
ングの効果を説明するためのグラフである。ＳｅとＺｎ
をそれぞれ単独にドープすると、●と○で示すような面
方位依存性を示す。
Ｓｅ、ｐ型不純物としてＺｎを用いたときの同時ドーピ
ングの効果を説明するためのグラフである。ＳｅとＺｎ
をそれぞれ単独にドープすると、●と○で示すような面
方位依存性を示す。
【００５８】これらを同時にドープすると、（１００）
面ではｎ型不純物がｐ型不純物を補償して全体としてｎ
型となり、（ｎ１１）Ａ面では、ｐ型不純物がｎ型不純
物を補償して全体としてｐ型となる。
面ではｎ型不純物がｐ型不純物を補償して全体としてｎ
型となり、（ｎ１１）Ａ面では、ｐ型不純物がｎ型不純
物を補償して全体としてｐ型となる。
【００５９】図３の実施例においては、ｎ型不純物とし
てさらに面方位依存性の高いＳを用いるため、斜面部分
におけるＳの濃度をさらに低くすることができる。より
具体的には、図３（Ｂ）の斜面部分のｐ型第２クラッド
層７ｂは、ｐ型不純物濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型不
純物濃度約５×１０16ｃｍ-3を有し、平坦面部分の電流
ブロック層７ａは、ｐ型不純物濃度約１×１０17ｃ
ｍ-3、ｎ型不純物濃度約４×１０17ｃｍ-3を有する。本
実施例においては、同時ドーピングを用いるため、クラ
ッド兼ブロック層７は、厚さ約０．３μｍの単一の層で
形成される。
てさらに面方位依存性の高いＳを用いるため、斜面部分
におけるＳの濃度をさらに低くすることができる。より
具体的には、図３（Ｂ）の斜面部分のｐ型第２クラッド
層７ｂは、ｐ型不純物濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型不
純物濃度約５×１０16ｃｍ-3を有し、平坦面部分の電流
ブロック層７ａは、ｐ型不純物濃度約１×１０17ｃ
ｍ-3、ｎ型不純物濃度約４×１０17ｃｍ-3を有する。本
実施例においては、同時ドーピングを用いるため、クラ
ッド兼ブロック層７は、厚さ約０．３μｍの単一の層で
形成される。
【００６０】Ｓの代わりにＳｅをｎ型不純物として用い
ると、斜面部分でキャリア濃度が約１×１０17ｃｍ-3、
平坦面部分で約４×１０17ｃｍ-3となる。斜面部分にお
けるｐ型キャリアとｎ型キャリアの補償比が２倍程度悪
化する。
ると、斜面部分でキャリア濃度が約１×１０17ｃｍ-3、
平坦面部分で約４×１０17ｃｍ-3となる。斜面部分にお
けるｐ型キャリアとｎ型キャリアの補償比が２倍程度悪
化する。
【００６１】以上説明した半導体レーザ装置の製造方法
を、以下に説明する。図４（Ａ）に示すように、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に約６°オフしたＳｉドープ
のｎ型ＧａＡｓ基板１を準備する。図には、面法線の方
向を概略的に示す。〔１００〕方向から〔１１１〕Ａ方
向に約６°オフした方向が、ＧａＡｓ基板１の面法線で
ある。
を、以下に説明する。図４（Ａ）に示すように、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に約６°オフしたＳｉドープ
のｎ型ＧａＡｓ基板１を準備する。図には、面法線の方
向を概略的に示す。〔１００〕方向から〔１１１〕Ａ方
向に約６°オフした方向が、ＧａＡｓ基板１の面法線で
ある。
【００６２】図４（Ｂ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１の面上に、幅約１５０μｍのストライプ状ホトレジ
ストマスクＳＭを１５０μｍ間隔で形成する。ホトレジ
ストマスクＳＭは、〔０１−１〕方向に延在するように
形成する。このホトレジストマスクＳＭの周期３００μ
ｍは、半導体レーザの横幅に対応する。
板１の面上に、幅約１５０μｍのストライプ状ホトレジ
ストマスクＳＭを１５０μｍ間隔で形成する。ホトレジ
ストマスクＳＭは、〔０１−１〕方向に延在するように
形成する。このホトレジストマスクＳＭの周期３００μ
ｍは、半導体レーザの横幅に対応する。
【００６３】図４（Ｃ）に示すように、ホトレジストマ
スクＳＭをエッチングマスクとし、ＨＦ系溶液によって
ＧａＡｓ基板１表面を深さ約０．５μｍエッチングす
る。ホトレジストマスクＳＭから露出している面の中央
部は、均一にエッチングされるが、ホトレジストマスク
ＳＭとの境界部分においては斜面が現れる。すなわち、
開口部分において中央部には広い平坦面Ｆ３が現れ、両
側には斜面Ｆ２とＦ４が現れる。
スクＳＭをエッチングマスクとし、ＨＦ系溶液によって
ＧａＡｓ基板１表面を深さ約０．５μｍエッチングす
る。ホトレジストマスクＳＭから露出している面の中央
部は、均一にエッチングされるが、ホトレジストマスク
ＳＭとの境界部分においては斜面が現れる。すなわち、
開口部分において中央部には広い平坦面Ｆ３が現れ、両
側には斜面Ｆ２とＦ４が現れる。
【００６４】斜面Ｆ２は、平坦面Ｆ３に対し、約１４°
傾斜する。ＧａＡｓ基板１の主面が（１００）面から６
°オフしているため、斜面Ｆ２は（１００）面から約２
０°傾く。この斜面Ｆ２の面方位は約（４１１）Ａ面で
ある。ただし、エッチング直後の状態においては、斜面
部分は他の面方位の表面も有する。
傾斜する。ＧａＡｓ基板１の主面が（１００）面から６
°オフしているため、斜面Ｆ２は（１００）面から約２
０°傾く。この斜面Ｆ２の面方位は約（４１１）Ａ面で
ある。ただし、エッチング直後の状態においては、斜面
部分は他の面方位の表面も有する。
【００６５】エッチング後、ホトレジストマスクＳＭを
除去し、段差を有する面上にエピタキシャル成長を行な
う。エピタキシャル成長は全てＭＯＶＰＥで行なう。成
長圧力は５０ｔｏｒｒ、成長効率８００μｍ／ｍｏｌ、
総流量８ｓｌｍとし、キャリアガスとして水素を用い
る。
除去し、段差を有する面上にエピタキシャル成長を行な
う。エピタキシャル成長は全てＭＯＶＰＥで行なう。成
長圧力は５０ｔｏｒｒ、成長効率８００μｍ／ｍｏｌ、
総流量８ｓｌｍとし、キャリアガスとして水素を用い
る。
【００６６】まず、図４（Ｄ）に示すように、基板温度
６７０℃で、ソースガスとしてトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を用い、Ｖ／ＩＩＩ比１
００、成長速度１μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をｎ型ドーパ
ントとし、ＧａＡｓ基板１上にｎ型キャリア濃度約５×
１０17ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓバッファ層２を厚さ約１．
５μｍ成長する。
６７０℃で、ソースガスとしてトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を用い、Ｖ／ＩＩＩ比１
００、成長速度１μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をｎ型ドーパ
ントとし、ＧａＡｓ基板１上にｎ型キャリア濃度約５×
１０17ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓバッファ層２を厚さ約１．
５μｍ成長する。
【００６７】厚さ約１μｍ以上のＧａＡｓバッファ層２
を成長すると、バッファ層２表面には下地結晶の面方
位、段差に依存する平坦面Ｆ１ａ、Ｆ３ａおよび斜面Ｆ
２ａが現れる。さらに、バッファ層を形成することによ
り、斜面Ｆ２ａは安定な（４１１）Ａ面となる。
を成長すると、バッファ層２表面には下地結晶の面方
位、段差に依存する平坦面Ｆ１ａ、Ｆ３ａおよび斜面Ｆ
２ａが現れる。さらに、バッファ層を形成することによ
り、斜面Ｆ２ａは安定な（４１１）Ａ面となる。
【００６８】バッファ層２の成長に続いて、図１に示す
各層の成長を行なう。中間層３は、成長温度を６７０℃
から７１０℃まで緩やかに変化させ、ソースガスとして
トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用い、Ｖ／ＩＩＩ
比５００、成長速度１μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をドーパ
ントとしてｎ型キャリア濃度約１×１０18ｃｍ-3になる
ように厚さ０．１μｍ成長する。
各層の成長を行なう。中間層３は、成長温度を６７０℃
から７１０℃まで緩やかに変化させ、ソースガスとして
トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用い、Ｖ／ＩＩＩ
比５００、成長速度１μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をドーパ
ントとしてｎ型キャリア濃度約１×１０18ｃｍ-3になる
ように厚さ０．１μｍ成長する。
【００６９】ｎ型クラッド層４は、成長温度７１０℃
で、ソースガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／ＩＩＩ比３
３０、成長速度２μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をドーパント
としてｎ型キャリア濃度５×１０ 17ｃｍ-3になるように
厚さ約２．０μｍ成長する。
で、ソースガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／ＩＩＩ比３
３０、成長速度２μｍ／時で、Ｓｉ2 Ｈ6 をドーパント
としてｎ型キャリア濃度５×１０ 17ｃｍ-3になるように
厚さ約２．０μｍ成長する。
【００７０】歪ＭＱＷ活性層５は、成長温度７１０℃で
ソースガスを交換しながら、Ｖ／ＩＩＩ比４００、成長
速度１μｍ／時で（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
層を厚さ５ｎｍ、Ｇａ0.4 Ｉｎ0.56Ａｓ0.08Ｐ0.92の井
戸層をＶ／ＩＩＩ比５００、成長速度１μｍ／時で厚さ
６ｎｍずつ交互に成長し、４層のガイド（バリア）層と
３層の井戸層を形成する。なお、この井戸層は、約１％
の歪を有する。
ソースガスを交換しながら、Ｖ／ＩＩＩ比４００、成長
速度１μｍ／時で（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
層を厚さ５ｎｍ、Ｇａ0.4 Ｉｎ0.56Ａｓ0.08Ｐ0.92の井
戸層をＶ／ＩＩＩ比５００、成長速度１μｍ／時で厚さ
６ｎｍずつ交互に成長し、４層のガイド（バリア）層と
３層の井戸層を形成する。なお、この井戸層は、約１％
の歪を有する。
【００７１】ｐ型第１クラッド層６は、成長温度７１０
℃でＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ 3 を用い、Ｖ／ＩＩ
Ｉ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ジメチル亜鉛（Ｄ
ＭＺｎ）をドーパントとして斜面部分でｐ型キャリア濃
度約６×１０17ｃｍ-3になるように厚さ０．４μｍ成長
する。このとき、基板面でのキャリア濃度は１×１０ 17
ｃｍ-3となる。
℃でＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ 3 を用い、Ｖ／ＩＩ
Ｉ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ジメチル亜鉛（Ｄ
ＭＺｎ）をドーパントとして斜面部分でｐ型キャリア濃
度約６×１０17ｃｍ-3になるように厚さ０．４μｍ成長
する。このとき、基板面でのキャリア濃度は１×１０ 17
ｃｍ-3となる。
【００７２】（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのク
ラッド兼ブロック７は、成長温度７１０℃で、ソースガ
スとしてＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／
ＩＩＩ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ｐ型ドーパン
トＤＭＺｎとｎ型ドーパントＨ2 Ｓを交互にドーピング
することによって厚さ５ｎｍのＺｎドープ層と厚さ５ｎ
ｍのＳドープ層を３０周期成長する。
ラッド兼ブロック７は、成長温度７１０℃で、ソースガ
スとしてＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／
ＩＩＩ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ｐ型ドーパン
トＤＭＺｎとｎ型ドーパントＨ2 Ｓを交互にドーピング
することによって厚さ５ｎｍのＺｎドープ層と厚さ５ｎ
ｍのＳドープ層を３０周期成長する。
【００７３】斜面部分ではｐ型キャリア濃度が約６×１
０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度が約１×１０17ｃｍ-3と
なるようにドープ量を制御する。このとき、平坦な主面
ではｐ型キャリア濃度約２×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリ
ア濃度約８×１０17ｃｍ-3となる。
０17ｃｍ-3、ｎ型キャリア濃度が約１×１０17ｃｍ-3と
なるようにドープ量を制御する。このとき、平坦な主面
ではｐ型キャリア濃度約２×１０17ｃｍ-3、ｎ型キャリ
ア濃度約８×１０17ｃｍ-3となる。
【００７４】ただし、斜面部分においてはｐ型不純物は
拡散し、均一のキャリア濃度となると考えられるので、
斜面におけるｐ型キャリア濃度は実際のドープ量約１．
２×１０18ｃｍ-3の半分となっている。
拡散し、均一のキャリア濃度となると考えられるので、
斜面におけるｐ型キャリア濃度は実際のドープ量約１．
２×１０18ｃｍ-3の半分となっている。
【００７５】（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ
型第３クラッド層１８は、成長温度７１０℃で、ソース
ガスとしてＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ
／ＩＩＩ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ＤＭＺｎを
ｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃度９×
１０17ｃｍ-3になるように厚さ１．１５μｍ成長する。
このとき、平坦面におけるｐ型キャリア濃度は１．５×
１０17ｃｍ-3となる。
型第３クラッド層１８は、成長温度７１０℃で、ソース
ガスとしてＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ
／ＩＩＩ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ＤＭＺｎを
ｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃度９×
１０17ｃｍ-3になるように厚さ１．１５μｍ成長する。
このとき、平坦面におけるｐ型キャリア濃度は１．５×
１０17ｃｍ-3となる。
【００７６】Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのｐ型中間層９は、成
長温度を７１０℃から６７０℃まで緩やかに変化させ
て、ソースガスとしてＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、
Ｖ／ＩＩＩ比５００、成長速度１μｍ／時で、ＤＭＺｎ
をｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃度約
１×１０18ｃｍ-3になるように厚さ約０．１μｍ成長す
る。
長温度を７１０℃から６７０℃まで緩やかに変化させ
て、ソースガスとしてＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、
Ｖ／ＩＩＩ比５００、成長速度１μｍ／時で、ＤＭＺｎ
をｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃度約
１×１０18ｃｍ-3になるように厚さ約０．１μｍ成長す
る。
【００７７】ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０は、成長温
度６７０℃で、ソースガスとしてＴＭＧ、ＡｓＨ3 を用
い、Ｖ／ＩＩＩ比１００、成長速度１μｍ／時で、ＤＭ
Ｚｎをｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃
度約２×１０18ｃｍ-3になるように厚さ約１μｍ成長す
る。
度６７０℃で、ソースガスとしてＴＭＧ、ＡｓＨ3 を用
い、Ｖ／ＩＩＩ比１００、成長速度１μｍ／時で、ＤＭ
Ｚｎをｐ型ドーパントとし、斜面部分でｐ型キャリア濃
度約２×１０18ｃｍ-3になるように厚さ約１μｍ成長す
る。
【００７８】このような一連のエピタキシャル成長を行
なうことにより、ＧａＡｓ基板１の上にレーザ構造を構
成するエピタキシャル積層が連続的に成長される。この
後、１００μｍ幅でレーザ構造を残すように上面から溝
を堀り、各レーザ素子を分離する。次に、ＧａＡｓ基板
１裏面にＡｕ層、Ｇｅ層、Ａｕ層の積層からなるｎ側電
極を蒸着により堆積させ、ｐ型コンタクト層１０上面に
ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の積層からなるｐ側電極２２を蒸着
によって堆積する。
なうことにより、ＧａＡｓ基板１の上にレーザ構造を構
成するエピタキシャル積層が連続的に成長される。この
後、１００μｍ幅でレーザ構造を残すように上面から溝
を堀り、各レーザ素子を分離する。次に、ＧａＡｓ基板
１裏面にＡｕ層、Ｇｅ層、Ａｕ層の積層からなるｎ側電
極を蒸着により堆積させ、ｐ型コンタクト層１０上面に
ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の積層からなるｐ側電極２２を蒸着
によって堆積する。
【００７９】電極形成後、幅３００μｍ、長さ７００μ
ｍのチップにへき開し、ｐ側領域を上側にしてヒートシ
ンク状にボンディングする。図３に示す半導体レーザの
場合は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのクラッ
ド兼ブロック層７を成長温度７１０℃で、ソースガスと
してＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／ＩＩ
Ｉ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ＤＭＺｎとＨ2 Ｓ
をドーパントとして同時にドーピングして、斜面部分で
ｐ型不純物濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型不純物濃度約
５×１０16ｃｍ-3となるように厚さ０．３μｍ成長す
る。このとき、平坦面部分ではｐ型不純物濃度が約１×
１０17ｃｍ-3、ｎ型不純物濃度が約４×１０17ｃｍ-3と
なる。
ｍのチップにへき開し、ｐ側領域を上側にしてヒートシ
ンク状にボンディングする。図３に示す半導体レーザの
場合は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのクラッ
ド兼ブロック層７を成長温度７１０℃で、ソースガスと
してＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ3 を用い、Ｖ／ＩＩ
Ｉ比３３０、成長速度２μｍ／時で、ＤＭＺｎとＨ2 Ｓ
をドーパントとして同時にドーピングして、斜面部分で
ｐ型不純物濃度約６×１０17ｃｍ-3、ｎ型不純物濃度約
５×１０16ｃｍ-3となるように厚さ０．３μｍ成長す
る。このとき、平坦面部分ではｐ型不純物濃度が約１×
１０17ｃｍ-3、ｎ型不純物濃度が約４×１０17ｃｍ-3と
なる。
【００８０】このようにして形成した半導体レーザは、
発光を行なう実効的活性層が折れ曲がりのない構造であ
り、クラッド兼ブロック層も活性層の形状にならって活
性層に対応する部分では折れ曲がりのない構造となる。
発光を行なう実効的活性層が折れ曲がりのない構造であ
り、クラッド兼ブロック層も活性層の形状にならって活
性層に対応する部分では折れ曲がりのない構造となる。
【００８１】このため、面方位に依存する取り込まれ率
を有する不純物を用い、クラッド兼ブロック層をドープ
すると、クラッド層となる領域およびブロック層となる
領域でそれぞれ均一なドーピングを行なうことができ
る。均一なドーピングが可能なため、不純物濃度をあえ
て増大する必要が減少する。
を有する不純物を用い、クラッド兼ブロック層をドープ
すると、クラッド層となる領域およびブロック層となる
領域でそれぞれ均一なドーピングを行なうことができ
る。均一なドーピングが可能なため、不純物濃度をあえ
て増大する必要が減少する。
【００８２】クラッド兼ブロック層において、ｐ型不純
物を交互にドーピングすると、ｐ型不純物とｎ型不純物
との結合が減少し、ペアリングの確率を有効に減少させ
ることができる。
物を交互にドーピングすると、ｐ型不純物とｎ型不純物
との結合が減少し、ペアリングの確率を有効に減少させ
ることができる。
【００８３】また、面方位に依存して結晶中への取り込
まれ率が大きく変化するｐ型不純物とｎ型不純物を用い
れば、ｐ型不純物、ｎ型不純物の同時ドーピングを行な
ってもｐ型不純物とｎ型不純物との結合が減少し、ペア
リングを有効に減少させることができる。
まれ率が大きく変化するｐ型不純物とｎ型不純物を用い
れば、ｐ型不純物、ｎ型不純物の同時ドーピングを行な
ってもｐ型不純物とｎ型不純物との結合が減少し、ペア
リングを有効に減少させることができる。
【００８４】ｎ型不純物としてＳを用いると、面方位依
存性が極めて高く、不純物同士のペアリングを減少させ
るのに有効である。ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｃｄを用
いることができるが、Ｃｄを用いた方が面方位依存性が
さらに高くなり、ペアリングを減少させるのに有効であ
る。
存性が極めて高く、不純物同士のペアリングを減少させ
るのに有効である。ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｃｄを用
いることができるが、Ｃｄを用いた方が面方位依存性が
さらに高くなり、ペアリングを減少させるのに有効であ
る。
【００８５】交互ドーピングの場合にも、ＳやＣｄ等の
面方位依存性の大きなドーピング原料を用いれば、キャ
リアや不純物が拡散した場合の補償比を小さくでき、比
較的低濃度のドーピングでも抵抗率の小さなラテラルｐ
ｎ接合が形成できる。
面方位依存性の大きなドーピング原料を用いれば、キャ
リアや不純物が拡散した場合の補償比を小さくでき、比
較的低濃度のドーピングでも抵抗率の小さなラテラルｐ
ｎ接合が形成できる。
【００８６】交互ドーピングを行なう場合、各ドーピン
グ層の厚さを約１０ｎｍ以下とすれば、キャリアの波動
関数の拡がりによって、積層において一様なキャリア濃
度を実現することができる。
グ層の厚さを約１０ｎｍ以下とすれば、キャリアの波動
関数の拡がりによって、積層において一様なキャリア濃
度を実現することができる。
【００８７】すなわち、キャリアが積層全体に均一に拡
散すると考えることができる。このため、厚さが厚い場
合と比べ、比較的低濃度のドーピングで抵抗率の小さな
ラテラルｐｎ接合が形成できる。
散すると考えることができる。このため、厚さが厚い場
合と比べ、比較的低濃度のドーピングで抵抗率の小さな
ラテラルｐｎ接合が形成できる。
【００８８】なお、ＧａＡｓ基板の上にＡｌＧａＩｎＰ
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を形成す
る場合を説明したが、用いるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
はこれらに制限されるものではない。たとえば、基板と
してはＧａＡｓに代えてＩｎＰ等、他の化合物を用いて
もよい。また、基板上に形成するクラッド層等の材料と
して、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＡ
ｓを用いることもできる。さらに、混晶組成の基板や４
元以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いてもよい。
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を形成す
る場合を説明したが、用いるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
はこれらに制限されるものではない。たとえば、基板と
してはＧａＡｓに代えてＩｎＰ等、他の化合物を用いて
もよい。また、基板上に形成するクラッド層等の材料と
して、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＡ
ｓを用いることもできる。さらに、混晶組成の基板や４
元以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いてもよい。
【００８９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光領域として機能する実効的活性層が折れ曲がりのな
い構造であり、クラッド兼ブロック層も活性層の形状に
合わせて安定な面方位を有する領域で形成できる。この
ため、均一なドーピングが可能となり、良好な発光を行
なわせることができる。
発光領域として機能する実効的活性層が折れ曲がりのな
い構造であり、クラッド兼ブロック層も活性層の形状に
合わせて安定な面方位を有する領域で形成できる。この
ため、均一なドーピングが可能となり、良好な発光を行
なわせることができる。
【００９１】クラッド兼ブロック層を、ｐ型不純物とｎ
型不純物を交互にドーピングすることによって形成する
と、ｐ型不純物とｎ型不純物が結晶内で反応する確率を
有効に減少させることができる。
型不純物を交互にドーピングすることによって形成する
と、ｐ型不純物とｎ型不純物が結晶内で反応する確率を
有効に減少させることができる。
【００９２】また、面方位依存性の大きいｎ型不純物Ｓ
とｐ型不純物ＺｎまたはＣｄを用いることにより、クラ
ッド兼ブロック層内でｐ型不純物とｎ型不純物が反応す
る確率を有効に減少させることができる。
とｐ型不純物ＺｎまたはＣｄを用いることにより、クラ
ッド兼ブロック層内でｐ型不純物とｎ型不純物が反応す
る確率を有効に減少させることができる。
【図１】本発明の実施例による半導体レーザ装置の斜視
図である。
図である。
【図２】図１の実施例の拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による半導体レーザ装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図４】本発明の実施例による半導体レーザ装置の製造
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図５】ＡｌＧａＩｎＰ内のｐ型不純物Ｍｇ、Ｚｎの結
晶中への取り込まれ率の面方位依存性を示すグラフであ
る。
晶中への取り込まれ率の面方位依存性を示すグラフであ
る。
【図６】ＡｌＧａＩｎＰ内のｎ型不純物Ｓｅの結晶中へ
の取り込まれ率の面方位依存性を示すグラフである。
の取り込まれ率の面方位依存性を示すグラフである。
【図７】面方位が異なる表面を有する結晶中へｐ型不純
物とｎ型不純物を同時ドーピングした場合の面方位依存
性を示すグラフである。
物とｎ型不純物を同時ドーピングした場合の面方位依存
性を示すグラフである。
【図８】従来技術による半導体レーザの構成を概略的に
示す断面図である。
示す断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＧａＡｓバッファ層 ３、９ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層 ４、６、８ （Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層 ５ 歪ＭＱＷ活性層 ７ （Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド兼ブ
ロック層 １０ ＧａＡｓコンタクト層
ッド層 ５ 歪ＭＱＷ活性層 ７ （Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド兼ブ
ロック層 １０ ＧａＡｓコンタクト層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (11)
- 【請求項１】 （１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板を準備する工程と、 前記段差基板上に、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ
面が表出した平坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３≦ｋ≦７
の実数）が表出した斜面を有する活性層をエピタキシャ
ルに結晶成長する工程と、 前記活性層の斜面に沿う領域で高いｐ型キャリア濃度を
有し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低いｐ型キャリ
ア濃度を有するｐ側第１クラッド層を前記活性層に接し
てエピタキシャルに成長する工程と、 斜面に沿う領域で高いｐ型不純物濃度を有し、平坦面に
沿う領域で低いｐ型不純物濃度を有するｐ型薄層と、前
記斜面に沿う領域で低いｎ型不純物濃度を有し、前記平
坦面に沿う領域で高いｎ型不純物濃度を有するｎ型薄層
とを交互に２周期以上前記ｐ側第１クラッド層上にエピ
タキシャルに成長する工程とを含む半導体レーザ装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記ｎ型不純物がＳである請求項１記載
の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ｐ型薄膜と前記ｎ型薄層の膜厚がそ
れぞれ１０ｎｍ以下である請求項１ないし２記載の半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記活性層を結晶成長する工程の前に、
前記基板上に基板と同一組成のバッファ層を厚さ約１μ
ｍ以上成長する工程を有する請求項１〜３のいずれかに
記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項５】 （１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板を準備する工程と、 前記段差基板上に、（１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ
面が表出した平坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３≦ｋ≦７
の実数）が表出した斜面を有する活性層をエピタキシャ
ルに結晶成長する工程と、 前記活性層の斜面に沿う領域で高いｐ型キャリア濃度を
有し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低いｐ型キャリ
ア濃度を有するｐ側第１クラッド層を前記活性層に接し
てエピタキシャルに成長する工程と、 斜面に沿う領域で高いｐ型不純物濃度と低いＳ濃度を有
し、平坦面に沿う領域で低いｐ型不純物濃度と高いＳ濃
度を有し、前記ｐ型不純物がＺｎまたはＣｄであり、前
記斜面に沿う領域でｐ型第２クラッド層を構成し、前記
平坦面に沿う領域でｎ型電流ブロック層を構成する同一
半導体層をＳとＺｎまたはＣｄとを同時ドーピングして
前記ｐ側第１クラッド層上にエピタキシャルに成長する
工程とを含む半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項６】 （１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板と、 前記段差基板上に形成され、（１００）面あるいは（ｎ
１１）Ａ面が表出した平坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３
≦ｋ≦７の実数）が表出した斜面を有する活性層と、 前記活性層上に接して形成され、活性領域で高いｐ型キ
ャリア濃度を有し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低
いｐ型キャリア濃度を有するｐ側第１クラッド層と、 前記ｐ側第１クラッド層上に形成され、斜面に沿う領域
で高いｐ型不純物濃度を有し、平坦面に沿う領域で低い
ｐ型不純物濃度を有するｐ型薄層と、前記斜面に沿う領
域で低いｎ型不純物濃度を有し、前記平坦面に沿う領域
で高いｎ型不純物濃度を有するｎ型薄層とを交互に２周
期以上積層したクラッド兼ブロック層とを有する半導体
レーザ装置。 - 【請求項７】 前記ｎ型不純物がＳである請求項６記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 前記ｐ型薄層とｎ型薄層が斜面領域では
単一のｐ型領域を構成する請求項７記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項９】 前記ｐ型薄膜と前記ｎ型薄層の膜厚がそ
れぞれ１０ｎｍ以下である請求項７ないし８記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項１０】 さらに前記基板上に接して形成され、
基板と同じ組成で厚さ約１μｍ以上のバッファ層を有す
る請求項６〜９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】 （１００）面あるいは（ｎ１１）Ａ面
（ｎは７＜ｎの実数）が表出した２つの平坦面と、前記
２つの平坦面を接続し、（ｍ１１）Ａ面（ｍは２≦ｍ≦
７の実数）の面が表出した斜面を持つＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の段差基板と、 前記段差基板上に形成され、（１００）面あるいは（ｎ
１１）Ａ面が表出した平坦面と（ｋ１１）Ａ面（ｋは３
≦ｋ≦７の実数）が表出した斜面を有する活性層と、 前記活性層上に接して形成された同一半導体層であり、
活性層の斜面に沿う領域で高いｐ型キャリア濃度を有
し、前記活性層の平坦面に沿う領域で低いｐ型キャリア
濃度を有するｐ側第１クラッド層と、 前記ｐ側第１クラッド層上に形成され、斜面に沿う領域
で高いｐ型不純物濃度と低いＳ濃度を有し、平坦面に沿
う領域で低いｐ型不純物濃度と高いＳ濃度を有し、前記
ｐ型不純物がＺｎまたはＣｄであり、前記斜面に沿う領
域でｐ型第２クラッド層を構成し、前記平坦面に沿う領
域でｎ型電流ブロック層を構成する、ＳとＺｎまたはＣ
ｄとを同時ドーピングしたクラッド兼ブロック層とを有
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33754293A JP2970797B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| US08/339,213 US5684818A (en) | 1993-12-28 | 1994-11-10 | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| EP97111173A EP0806823B1 (en) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| DE69424688T DE69424688T2 (de) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Halbleiterlaser mit gestuftem Substrat zur Lichtemission aus einem schrägstehenden Abschnitt |
| DE69416291T DE69416291T2 (de) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Halbleiterlaser mit gestuftem Substrat zur Lichtemission aus einem schrägstehenden Abschnitt |
| EP97111172A EP0808003B1 (en) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| DE69424689T DE69424689T2 (de) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Halbleiterlaser mit gestuftem Substrat zur Lichtemission aus einem schrägstehenden Abschnitt |
| EP94118358A EP0665618B1 (en) | 1993-12-28 | 1994-11-22 | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
| US08/821,567 US5799027A (en) | 1993-12-28 | 1997-03-19 | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33754293A JP2970797B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202315A JPH07202315A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2970797B2 true JP2970797B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=18309639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33754293A Expired - Fee Related JP2970797B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970797B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3171307B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2001-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33754293A patent/JP2970797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子情報通信学会技術研究報告 Ｖｏｌ．９２，Ｎｏ．３８１，ｐｐ．４９−５４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07202315A (ja) | 1995-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0476689B1 (en) | Semiconductor laser and manufacturing method of the same | |
| US5799027A (en) | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion | |
| JPH065976A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP3171307B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH1117248A (ja) | 半導体レーザ用高反射膜構造および半導体レーザ | |
| JPH06302908A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2822868B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2970797B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| EP0528439A1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP3246634B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2860217B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3865827B2 (ja) | 斜面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP3157671B2 (ja) | 半導体レーザ装置と製造方法 | |
| JPH07263796A (ja) | 半導体レーザ | |
| US6501090B2 (en) | Semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
| JP2751699B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH1126884A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2674381B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH07135374A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000164985A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3903229B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH08316565A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH06140714A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH07170015A (ja) | 半導体レーザー素子の製造方法 | |
| JPH09214056A (ja) | 半導体装置の製造方法，半導体レーザ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990810 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |