JPH08316565A

JPH08316565A - 半導体レーザ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08316565A
Application number: JP11804495A
Authority: JP
Inventors: Chikashi Anayama; 親志穴山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-05-17
Filing date: 1995-05-17
Publication date: 1996-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体レーザ及びその製造方法に関し、斜面
発振型半導体レーザの光ガイド層における電流の拡がり
を低減させ、しきい値電流の増大を防止する。【構成】（１００）面から（１１１）Ａ面に対してオ
フ角θだけオフした主面を有すると共に、（１１１）Ａ
面に対するオフ角θ₁（θ₁＞θ）を有する斜面を有す
る段差基板１上に、斜面に略沿った形状の活性層３と、
活性層３に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャ
リア濃度を持ち且つ主面に沿う領域で低いキャリア濃度
を持つ第１ｐ型クラッド層４とを設け、第１ｐ型クラッ
ド層４中にｐ型光ガイド層５を設けると共に、第１ｐ型
クラッド層４上に斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ
主面に沿う領域が電流ブロック層６となる第２クラッド
層７を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ及びその製
造方法に関するものであり、特に、光情報処理装置に用
いるＡｌＧａＩｎＰ系横モード制御型の可視光半導体レ
ーザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、０．６μｍ帯の可視光半導体レー
ザは、ＰＯＳ（ＰｏｉｎｔＯｆＳａｌｅｓ：販売時
点情報管理）システム、光ディスク装置、レーザプリン
タ等の光情報処理装置の高性能化を実現できる光源とし
て大いに期待されている。

【０００３】この可視光半導体レーザは、低価格で、低
しきい値電流、高出力の特性が要求されているが、上記
の用途に用いるためには、さらに、キンクレベルが高
く、効率が高くて低消費電力で、遠視野像が単峰性で、
非点収差が小さい等のビーム特性が高安定であることも
要求される。

【０００４】しかし、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザにおいて、上述の諸要求を満たすために屈折率導波
構造を形成しようとしても、従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザと異なって、Ａｌを含む半導体層を
加工したのちその上にＡｌを含む半導体層を成長させな
ければならないが、Ａｌを含む半導体層を加工した場
合、その表面に自然酸化膜が形成されるので、その上に
Ａｌを含む半導体層を成長させることは非常に困難であ
った。

【０００５】そこで、本発明者等は、このような困難を
解決するために埋め込み構造を用いない半導体レーザと
して、段差を形成した基板上にダブルヘテロ接合構造を
成長させた斜面発振型半導体レーザを提案（特願平４−
２５０２８０号）している。

【０００６】この斜面発振型半導体レーザの基本構造
は、ＴＳ（ＴｅｒｒａｃｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ）レ
ーザとして知られているもので、基板に設けた段差によ
って活性層にも段差が形成され、横モード制御が可能と
なるものである。

【０００７】ここで、図６を参照して、従来のＡｌＧａ
ＩｎＰ系斜面発振型半導体レーザを説明する。図６参照この斜面発振型半導体レーザは、主面が（１００）面の
ｎ型ＧａＡｓ基板１１に側面がほぼ（３１１）Ａ面とな
る段差を形成したのち、この上にＭＯＶＰＥ法（有機金
属気相成長法）を用いて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２
３、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層２４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１２、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層１４、第
１ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５、周辺部を電流ブ
ロック層１７にした第２ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１８、第３ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層２５、及び、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２０を順次成長させたものである。なお、（３１１）Ａ
面は、III 族元素（この場合はＧａ）が表面に現れてい
る（３１１）面である。

【０００８】この内の周辺部を電流ブロック層１７にし
た第２ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８の成長工程に
おいて、不純物ドーピングの結晶面方位依存性を利用し
て、自動的に電流狭窄機構を形成しているので、埋め込
み構造や、拡散を用いる必要がなく、製造工程が簡素化
されることになる。

【０００９】次に、この不純物ドーピングの結晶面方位
依存性について、図７乃至図９を参照して説明する。図７参照この図７は、ｐ型不純物であるＺｎ及びＭｇのドーピン
グの面方位依存性を示す図であり、（１００）面から
（１１１）Ａ面及び（１１１）Ｂ面に傾斜した各種面を
主面とする基板にＺｎ及びＭｇを含んだ成長ガスからＡ
ｌＧａＩｎＰを成長させた場合の、ＡｌＧａＩｎＰ層に
おける不純物濃度及びキャリア濃度を示したものであ
る。

【００１０】黒丸及び黒四角で示すのはＣ−Ｖ測定（容
量測定）で測定したキャリア濃度であり、また、白丸及
び白四角で示すのはＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩ
ｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定した
不純物濃度であり、これらの差によって不純物の活性化
率が分かると共に、結晶の面方位による不純物濃度の
差、即ち、不純物の取り込まれ率の面方位依存性が分か
る。なお、丸はＡ方向を示し、四角はＢ方向を示す。

【００１１】図から明らかなように、Ｚｎの場合には、
Ａ方向については傾斜が大きくなるにしたがって、即
ち、オフ角が大きくなるにしたがって不純物濃度及びキ
ャリア濃度が上昇し、オフ角が２５°、即ち、（３１
１）面近傍で、最大になり、以後低下していくが、（１
１１）Ａ面においても（１００）面の６倍程度の濃度を
有している。

【００１２】この場合、不純物濃度とキャリア濃度とは
ほとんど差がない、即ち、不純物の活性化率に面方位依
存性が見られないので、この結果は不純物の取り込まれ
率の面方位依存性を表していることになる。

【００１３】一方、Ｂ方向については、不純物の取り込
まれ率の面方位依存性はあまり見られず、寧ろ（１１
１）Ｂ面では、（１００）面の半分になっている。ま
た、Ｍｇの場合にも、Ｚｎとほぼ同様な傾向が見られる
が、Ｚｎより面方位依存性が小さい。

【００１４】次に、図８を参照してｎ型不純物であるＳ
ｅのドーピングの面方位依存性を説明する。図８参照Ｓｅについては、ｐ型不純物の逆の傾向が見られ、Ａ方
向においてはオフ角が大きくなるに連れて不純物の取り
込まれ率が低下し、一方、Ｂ方向においてはオフ角が大
きくなるに連れて不純物の取り込まれ率が増加する。

【００１５】したがって、異なる面方位を持つ半導体表
面に対し、Ｚｎ或いはＭｇからなるｐ型不純物及びＳｅ
からなるｎ型不純物を同時にドーピングすることによ
り、ｐ型領域とｎ型領域とを同時に成長させることが可
能になる。

【００１６】図９参照図９はＺｎとＳｅを同時ドーピングして（Ａｌ_0.7Ｇａ
_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ層を成長した場合の（Ａｌ_0.7Ｇａ
_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ層におけるキャリア濃度の面方位依
存性を示す図であり、横軸は（１００）面から（１１
１）Ａ面方向へのオフ角を表している。

【００１７】図において、白三角及び黒三角で表してい
るように、（７１１）Ａ面近傍でキャリア濃度が最低に
なるので、不純物を同じ量ドーピングした場合には、ｎ
＞７の（ｎ１１）Ａ面ではｎ型層が得られ、ｍ≦７の
（ｍ１１）Ａ面ではｐ型層が得られる。なお、このｎ及
びｍの値は不純物のドーピング量、ドーピング比等に依
存するので、格別臨界的な意味はない。

【００１８】このように、従来の斜面発振型半導体レー
ザはＭＯＶＰＥ法における不純物ドーピングの面方位依
存性を利用して電流狭窄機構を形成しているので、連続
した一回成長で全体の積層構造が得られ、したがって、
高歩留りで且つ低価格で作製することができる。また、
この斜面発振型半導体レーザはロスガイド構造ではない
ので光の吸収損失を考慮する必要がなく、また、低非点
収差特性が得られる利点がある。

【００１９】次に、図１０を参照して、リッジ構造を用
いた従来の可視光半導体レーザを説明する。図１０（ａ）参照先ず、ＭＯＶＰＥ法によって、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上
に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２、ＭＱＷ活性層
１４、及び、第１ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を成長
させたのち、エッチングによって凸状のリッジ２６を形
成し、次いで、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２７及びｐ
型ＧａＡｓコンタクト層２０を成長させる。

【００２０】この場合、電流狭窄機構はＭＱＷ活性層よ
りも禁制帯幅の小さなｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２７
によって形成されるため、レーザ光の一部がｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層２７によって吸収されるロスガイド型
となり、効率が低く、しきい値電流が高いという欠点が
あるものの、ストライプ幅、即ち、リッジ２６の幅を比
較的広くできるので出射端面における光密度を低減で
き、大出力化が容易であるという利点がある。

【００２１】図１０（ｂ）及び（ｃ）参照さらに、図１０（ａ）のリッジ型半導体レーザに外部光
ガイド層を設けることにより、さらに光密度を低減する
ことも提案されている。図１０（ｂ）に示す半導体レー
ザは、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２中にｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ光ガイド層１３を挿入したものであり、ま
た、図１０（ｃ）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２
中にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１３を挿入すると共
に、第１ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５中にもｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６を設けて対称光導波構造
としたものである。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の斜面発
振型半導体レーザは基板に設けた段差を利用して横モー
ド制御を行っているので、従来のリッジ型半導体レーザ
のようにストライプ幅を大きく拡げることができないの
で、大出力化の際に出射端面の光密度を低減化すること
が困難であるという問題がある。

【００２３】この場合、ストライプ幅を変えないで出射
端面の光密度を低減化するためには、図１０（ｂ）或い
は（ｃ）に示すように外部に光ガイド層を設ければ良い
が、光ガイド層はクラッド層よりも禁制帯幅の小さな半
導体層によって形成されるので、クラッド層との間にヘ
テロ接合が形成されることになる。

【００２４】特に、このヘテロ接合がｐ型クラッド層と
の間に形成されると、ｐ型クラッド層からｐ型光ガイド
層に流れ込んだ正孔は、活性層との間にあるｐ型クラッ
ド層に阻まれ、ｐ型光ガイド層において横方向に拡がっ
てしまい、ｐ型クラッド層側に設けた電流狭窄機構によ
る電流狭窄性能が低下し、しきい値電流が増大するとい
う問題がある。

【００２５】したがって、本発明は、光ガイド層を設け
た斜面発振型半導体レーザのしきい値電流の増大を防止
することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して課題を解決する
ための手段を説明する。図１参照（１）本発明は、（１００）面から（１１１）Ａ面に対
してオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板１と、斜面にほぼ沿
った形状の活性層３と、この活性層３に接して積層され
て斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ主面に
沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラッド層
４と、この第１ｐ型クラッド層に接して積層されて斜面
に沿う領域がｐ型領域であり且つ主面に沿う領域が電流
ブロック層６となる第２クラッド層７と、この第２クラ
ッド層７上に設けた第３ｐ型クラッド層８とを具備する
半導体レーザにおいて、第１ｐ型クラッド層４中に光ガ
イド層５を設けたことを特徴とする。

【００２７】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、光ガイド層５の主面に沿った領域がｎ型であり、斜
面に沿った領域がｐ型であることを特徴とする。（３）また、本発明は、上記（２）において第２クラッ
ド層７と光ガイド層５とが０．２μｍ以上離れているこ
とを特徴とする。

【００２８】（４）また、本発明は、（１００）面から
（１１１）Ａ面に対してオフ角θだけオフした主面を有
すると共に、（１００）面から（１１１）Ａ面に対して
オフ角θ₁（θ₁＞θ）を有する斜面を有する段差基板
１と、斜面にほぼ沿った形状の活性層３と、この活性層
３に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャリア濃
度を持ち且つ主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ
第１ｐ型クラッド層４と、この第１ｐ型クラッド層に接
して積層されて斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ主
面に沿う領域が電流ブロック層６となる第２クラッド層
７と、この第２クラッド層７上に設けた第３ｐ型クラッ
ド層８とを具備する半導体レーザにおいて、第３ｐ型ク
ラッド層８中に光ガイド層５を設けたことを特徴とす
る。

【００２９】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）において、ｎ型クラッド層２中にも、光ガイド層
を設けたことを特徴とする。

【００３０】（６）また、本発明は、（１００）面から
（１１１）Ａ面に対してオフ角θだけオフした主面を有
すると共に、（１００）面から（１１１）Ａ面に対して
オフ角θ₁（θ₁＞θ）を有する斜面を有する段差基板
１と、斜面にほぼ沿った形状の活性層３と、この活性層
３に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャリア濃
度を持ち且つ主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ
第１ｐ型クラッド層４と、この第１ｐ型クラッド層に接
して積層されて斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ主
面に沿う領域が電流ブロック層６となる第２クラッド層
７と、この第２クラッド層７上に設けた第３ｐ型クラッ
ド層８とを具備する半導体レーザにおいて、電流ブロッ
ク層６を含む第２クラッド層７中に光ガイド層５を設け
たことを特徴とする。

【００３１】（７）また、本発明は、上記（１）乃至
（６）において、基板１の主面が、オフ角θが０°の
（１００）面であることを特徴とする。

【００３２】（８）また、本発明は、上記（１）乃至
（６）において、基板１の主面がオフ角θの（ｎ１１）
Ａ面（ｎ＞７）であり、且つ、斜面がオフ角θ₁の（ｍ
１１）Ａ面（２≦ｍ≦７）であることを特徴とする。

【００３３】（９）また、本発明は、上記（１）乃至
（８）において、各クラッド層２，４，７，８がＡｌＧ
ａＩｎＰであることを特徴とする。

【００３４】（１０）また、本発明は、（１００）面か
ら（１１１）Ａ面に対してオフ角θだけオフした主面を
有すると共に、（１００）面から（１１１）Ａ面に対し
てオフ角θ₁（θ₁＞θ）を有する斜面を有する段差基
板１と、斜面にほぼ沿った形状の活性層３と、この活性
層３に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャリア
濃度を持ち且つ主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持
つ第１ｐ型クラッド層４と、この第１ｐ型クラッド層に
接して積層されて斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ
主面に沿う領域が電流ブロック層６となる第２クラッド
層７と、この第２クラッド層７上に設けた第３ｐ型クラ
ッド層８とを具備する半導体レーザの製造方法におい
て、各ｐ型クラッド層４，７，８の内の一つの中に光ガ
イド層５を設ける際に、光ガイド層５中にｐ型不純物と
ｎ型不純物とを交互にドーピングして、光ガイド層５の
主面に沿った領域をｎ型にし、且つ、斜面に沿った領域
をｐ型にしたことを特徴とする。

【００３５】（１１）また、本発明は、（１００）面か
ら（１１１）Ａ面に対してオフ角θだけオフした主面を
有すると共に、（１００）面から（１１１）Ａ面に対し
てオフ角θ₁（θ₁＞θ）を有する斜面を有する段差基
板１と、斜面にほぼ沿った形状の活性層３と、この活性
層３に接して積層されて斜面に沿う領域で高いキャリア
濃度を持ち且つ主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持
つ第１ｐ型クラッド層４と、この第１ｐ型クラッド層に
接して積層されて斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ
主面に沿う領域が電流ブロック層６となる第２クラッド
層７と、この第２クラッド層７上に設けた第３ｐ型クラ
ッド層８とを具備する半導体レーザの製造方法におい
て、各ｐ型クラッド層４，７，８の内の一つの中に光ガ
イド層５を設ける際に、光ガイド層５中にｐ型不純物と
ｎ型不純物とを同時にドーピングして、光ガイド層５の
主面に沿った領域をｎ型にし、且つ、斜面に沿った領域
をｐ型にしたことを特徴とする。

【００３６】

【作用】（１００）面から（１１１）Ａ面に対してオフ
角θだけオフした主面を有すると共に、（１００）面か
ら（１１１）Ａ面に対してオフ角θ₁（θ₁＞θ）を有
する斜面を有する段差基板１を用いることによって、図
７乃至図９において説明したように不純物のドーピング
の面方位依存性を利用して主面に沿った領域と斜面に沿
った領域のキャリア濃度を変えることができる。

【００３７】また、第１ｐ型クラッド層４中に光ガイド
層５を設けた場合に、不純物のドーピングの面方位依存
性により光ガイド層５の斜面に沿う領域が高いキャリア
濃度となり且つ主面に沿う領域が低いキャリア濃度とな
るので、光ガイド層５において電流が拡がるのを防止す
ることができる。

【００３８】この事情を、図２を参照して説明する。図２（ａ）参照図２（ａ）は、光ガイド層５近傍のバンドダイヤグラム
を示したもので、正孔１０は光ガイド層５及び第１ｐ型
クラッド層４を介して活性層３に注入されることにな
る。

【００３９】図２（ｂ）参照もし、光ガイド層５全体がｐ型で、且つ、電流ブロック
層６より活性層側にあった場合には、一度電流ブロック
層６によって狭窄された電流が光ガイド層５に流れ込ん
だ際に、第１ｐ型クラッド層４との間に形成されるポテ
ンシャルバリアが正孔１０に対する障壁となり、一方、
光ガイド層５の活性層と平行な方向にはポテンシャルバ
リアは存在しない（図における点線は主面に沿った領域
と斜面に沿った領域との境界を表す）ので、正孔は光ガ
イド層５の中で拡がることになる。

【００４０】図２（ｃ）参照しかし、光ガイド層５にキャリア濃度分布が形成される
と、図に示すように主面に沿った低不純物濃度領域５ｂ
と斜面に沿った高不純物濃度領域５ａとの境界にポテン
シャルバリアが形成されるので、正孔１０の拡散が抑制
され、且つ、高不純物濃度領域５ａは低抵抗であるため
この領域で電流が流れやすくなり、したがって、光ガイ
ド層５において電流が拡がるのを防止することができ
る。

【００４１】また、光ガイド層５の主面に沿った領域を
ｎ型とし、斜面に沿った領域をｐ型とすることによっ
て、正孔１０の拡散をより効果的に防止することができ
る。

【００４２】また、第２クラッド層７と光ガイド層５と
が近づきすぎるとかえって光密度を増加させることにな
るので、第２クラッド層７と光ガイド層５とを０．２μ
ｍ以上離すことによって出射端面における光密度をより
低減することができる。

【００４３】また、光ガイド層５を電流ブロック層６の
外側の第３クラッド層８中に設けることにより、電流を
狭窄した後の電流通路に光ガイド層５に伴うヘテロ接合
がないので光ガイド層５の存在に起因して電流が拡がる
ことがなくなり、しきい値電流の増大を防止することが
できる。

【００４４】また、ｎ型クラッド層２中にも、光ガイド
層を設けることにより、断面形状が対称な光ビームを得
ることができ、且つ、出射端面における光密度をより低
減することができる。

【００４５】また、ｎ型の電流ブロック層６を含む第２
クラッド層７中に光ガイド層５を設けることにより、光
ガイド層５において電流が拡がるのを確実に防止するこ
とができる。

【００４６】また、主面のオフ角θが０°の（１００）
面の段差基板１を用いることにより、不純物のドーピン
グの面方位依存性を利用した正孔１０に対する閉じ込め
構造を形成することができる。

【００４７】また、主面がオフ角θの（ｎ１１）Ａ面
（ｎ＞７）であり、且つ、斜面がオフ角θ₁の（ｍ１
１）Ａ面（２≦ｍ≦７）の段差基板１を用いることによ
り、不純物のドーピングの面方位依存性を利用した正孔
１０に対する閉じ込め構造を確実に形成することができ
る。

【００４８】また、各クラッド層２，４，７，８として
ＡｌＧａＩｎＰを用いることによって、光情報処理装置
に有用な可視光半導体レーザを得ることができる。

【００４９】また、各ｐ型クラッド層４，７，８の内の
一つの中に光ガイド層５を設ける際に、光ガイド層５中
にｐ型不純物とｎ型不純物とを交互にドーピングするこ
とによって、自動的に光ガイド層５の主面に沿った領域
をｎ型にし、斜面に沿った領域をｐ型にすることができ
るので、電流の拡がりが少なく、且つ、しきい値電流の
小さな半導体レーザを安価に製造することができる。

【００５０】また、各ｐ型クラッド層４，７，８の内の
一つの中に光ガイド層５を設ける際に、光ガイド層５中
にｐ型不純物とｎ型不純物とを同時にドーピングするこ
とによって、自動的に光ガイド層５の主面に沿った領域
をｎ型にし、斜面に沿った領域をｐ型にすることがで
き、交互にドーピングする場合に比べて操作が簡単にな
る。

【００５１】

【実施例】図３を参照して、本発明の第１の実施例を説
明する。なお、図３は斜面発振型半導体レーザの断面図
であり、また、図６の従来例において説明したｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層、及び、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層の図示は省略している。

【００５２】図３参照まず、（１００）面から（１１１）Ａ面に６°オフした
主面を有するキャリア濃度が４×１０¹⁸ｃｍ^-3のＳｉド
ープｎ型ＧａＡｓ基板１１上にフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布し、１５０μｍ間隔で幅１５０μｍのストラ
イプパターンをフォトリソグラフィー工程によって形成
する。

【００５３】次いで、ＨＦ系エッチャントを用いてエッ
チングすることによって主面に対する傾斜角が約１４
°、即ち、（１００）面に対するオフ角が２０°の斜面
を有する深さ０．５μｍの溝を形成する。この場合、斜
面の面方位はほぼ（４１１）Ａ面となるが、この様な方
位はＨＦ系エッチャントの組成及び反応温度を調整する
ことによって再現性良く得ることができる。

【００５４】次いで、バッファ層からコンタクト層まで
全ての層をＭＯＶＰＥ法によって連続成長させるもので
あるが、この場合、全体の成長工程を通して、成長圧力
は５０Ｔｏｒｒ、成長効率は約８００μｍ／ｍｏｌ、キ
ャリアガスの水素を含めた総流量は８０００ｓｃｃｍで
ある。

【００５５】まず、段差が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板
１１上に、基板温度を６７０℃とした状態で、ＴＭＧ
（トリメチルガリウム）及びＡｓＨ₃を用いて、ＡｓＨ
₃／ＴＭＧ比が１００となり、成長速度が１μｍ／時と
なるように原料ガスを流すと共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物
源として流すことによってキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃ
ｍ^-3で厚さが１．５μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層（図
示せず）を成長させる。

【００５６】次いで、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、
ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、及び、ＰＨ₃を用い
て、ＰＨ₃／（ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が５００となり、成
長速度が１μｍ／時となるように原料ガスを流すと共
に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物源として流しながら、基板温度
を６７０℃から７１０℃へと緩やかに上昇させることに
よってキャリア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3で厚さが０．１
μｍのｎ型Ｇａ_0.5Ｉｎ _0.5Ｐ中間層（図示せず）を成
長させる。

【００５７】このＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ中間層はＧａＡｓ
層とクラッド層となるＡｌＧａＩｎＰ層との禁制帯幅の
差を緩和するものであり、また、成長温度を７１０℃ま
で上昇させるのは、次の工程におけるＡｌＧａＩｎＰ層
が７１０℃以下では結晶性良く成長しないためである。

【００５８】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＥＧ、ＴＭ
Ｉ、及び、ＰＨ₃を用いて、ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ
＋ＴＭＩ）比が３３０となり、成長速度が２μｍ／時と
なるように原料ガスを流すと共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物
源として流すことによってキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃ
ｍ^-3で厚さが２．０μｍのｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5
Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１２を成長させる。

【００５９】次いで、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、
ＰＨ₃を用いて、ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）
比が４００となり、成長速度が１μｍ／時となるように
原料ガスを流すと共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物源として流
すことによってキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3で厚さ
が５０Åのｎ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガ
イド層１３を成長させる。

【００６０】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が３３０とな
り、成長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物源として流すことによって
キャリア濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3で厚さが０．１μｍの
活性層側のｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラ
ッド層１２を成長させる。

【００６１】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が４００とな
り、成長速度が１μｍ／時となるように原料ガスを流す
ことによって５０Åの（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5
Ｐバリア層を４層、及び、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＰＨ₃、及
び、ＡｓＨ₃を用いて、（ＰＨ₃＋ＡｓＨ₃）／（ＴＥ
Ｇ＋ＴＭＩ）比が５００となり、成長速度が１μｍ／時
となるように原料ガスを流すことによって６０Åの約１
％歪を有するＩｎ_0.44Ｇａ_0.56Ａｓ_0.08Ｐ_0.92井戸層を
３層交互に成長させてＭＱＷ活性層１４を形成する。

【００６２】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が３３０とな
り、成長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、ＤＭＺｎ（ジメチルジンク）を不純物源として
流すことによって斜面に沿った部分のキャリア濃度が６
×１０¹⁷ｃｍ^-3で且つ主面に沿った部分のキャリア濃度
が１×１０¹⁷ｃｍ^-3で、厚さが０．１μｍの活性層側の
第１ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層
１５を成長させる。

【００６３】次いで、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、
ＰＨ₃を用いて、ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）
比が４００となり、成長速度が１μｍ／時となるように
原料ガスを流すと共に、ＤＭＺｎを不純物源として流す
ことによって斜面に沿った部分１６ａのキャリア濃度が
６×１０¹⁷ｃｍ^-3で且つ主面に沿った部分１６ｂのキャ
リア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3で、厚さが５０Åのｐ型
（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１６を成
長させる。

【００６４】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が３３０とな
り、成長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、ＤＭＺｎを不純物源として流すことによって斜
面に沿った部分のキャリア濃度が６×１０¹⁷ｃｍ^-3で且
つ主面に沿った部分のキャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3
で、厚さが０．３μｍの第１ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１５を成長させる。

【００６５】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が３３０とな
り、成長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、不純物源となるＤＭＺｎとＨ₂Ｓとを交互に流
して夫々５０Åずつ２０周期成長させて全体の厚さが
０．２０μｍとなる第２（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐクラッド層１８を形成する。

【００６６】この場合、Ｓがドープされた層は主面に沿
った部分のｎ型キャリア濃度は８×１０¹⁷ｃｍ^-3とな
り、斜面に沿った部分のｎ型キャリア濃度は１×１０¹⁷
ｃｍ^-3となり、また、Ｚｎがドープされた層は主面に沿
った部分のｐ型キャリア濃度は２×１０¹⁷ｃｍ^-3とな
り、斜面に沿った部分のｐ型キャリア濃度は１．２×１
０ ¹⁸ｃｍ^-3となる。なお、ＳはＳｅよりも面方位依存性
が少し大きいので、ｎ型不純物としてはＳを用いた方が
有利となる。

【００６７】そして、成長過程において斜面に沿った部
分のｐ型不純物は不純物濃度差による拡散原理によりｎ
型層に進入して平均化され、斜面に沿った部分全体が６
×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ型領域に変換される。

【００６８】一方、主面に沿った部分においては、ｐ型
不純物は濃度の高いｎ型不純物にブロックされて拡散が
生ぜず、且つ、ｎ型不純物の拡散は殆ど起こらないの
で、ｐｎｐｎｐｎ・・構造のドーピングプロファイルに
なるが、これらの層は全て薄いのでキャリアの拡散によ
りｐ型ドープ部分が空乏化して均一なｎ型の電流ブロッ
ク層１７となり、この電流ブロック層１７によって電流
狭窄が行われる。

【００６９】次いで、基板温度を７１０℃とした状態
で、ＴＭＡ、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を用いて、
ＰＨ₃／（ＴＭＡ＋ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が３３０とな
り、成長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニールマグネシ
ウム）を不純物源として流すことによって斜面に沿った
部分のキャリア濃度が９×１０¹⁷ｃｍ^-3で且つ主面に沿
った部分のキャリア濃度が４×１０¹⁷ｃｍ^-3で、厚さが
１．６μｍの第３ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ _0.5
Ｐクラッド層１９を成長させる。

【００７０】次いで、ＴＥＧ、ＴＭＩ、及び、ＰＨ₃を
用いて、ＰＨ₃／（ＴＥＧ＋ＴＭＩ）比が５００とな
り、成長速度が１μｍ／時となるように原料ガスを流す
と共に、ＤＭＺｎを不純物源として流しながら、基板温
度を７１０℃から６７０℃へと緩やかに降温させること
によって斜面に沿った部分のキャリア濃度が１×１０¹⁸
ｃｍ^-3で厚さが０．１μｍのｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ中
間層（図示せず）を成長させる。

【００７１】次いで、基板温度を６７０℃とした状態
で、ＴＭＧ及びＡｓＨ₃を用いて、ＡｓＨ₃／ＴＭＧ比
が１００となり、成長速度が１μｍ／時となるように原
料ガスを流すと共に、ＤＭＺｎを不純物源として流すこ
とによってキャリア濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3で厚さが５
μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０を成長させる。

【００７２】次いで、図示しないが、１００μｍ幅の素
子分離領域を形成したのち、Ａｕ／Ｇｅ／Ａｕからなる
ｎ型コンタクト電極、及び、ＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ
型コンタクト電極を蒸着により堆積させ、幅３００μ
ｍ、長さ７００μｍのチップに劈開し、ｐ型サイドＵＰ
でヒートシンクにボンディングする。

【００７３】この様に、本発明においては、不純物のド
ーピングの面方位依存性を利用して電流ブロック層１７
を形成するとともに、ｐ型光ガイド層１６及びｐ型クラ
ッド層１５，１９にもキャリア濃度分布が形成されるの
で、ｐ型光ガイド層１６をＭＱＷ活性層１４と電流ブロ
ック層１７との間に置いても、図２（ｃ）で説明したよ
うにｐ型光ガイド層１６において殆ど電流が拡がること
はない。なお、ｎ型クラッド層の不純物用いているＳｉ
は取り込まれ率に面方位依存性がほとんど見られないの
で、キャリア濃度分布が形成されない。

【００７４】また、上記第１の実施例においては、ｐ型
不純物とｎ型不純物とを交互にドープすることによって
電流ブロック層１７を形成しているが、同時ドープによ
って電流ブロック層１７を形成しても良いものであり、
その場合には、ｐ型不純物とｎ型不純物を同時にドープ
することによって、図９から分かるように、主面に沿っ
た部分はｎ型領域となり、このｎ型領域が電流ブロック
層１７となる。

【００７５】次に、図４及び図５を参照して本発明の第
２乃至第５の実施例を説明する。図４（ａ）参照この第２の実施例は、ｐ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ光ガイド層１６を電流ブロック層１７の外側の第
３ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１
９中に設けたものであり、ｎ型光ガイド層を除いたその
他の構造及び成長条件は第１の実施例と同様である。

【００７６】この場合、電流狭窄はＭＱＷ活性層１４に
近い側で行われ、活性層との間に不所望なヘテロ接合が
存在しないの、しきい値電流が増大することはない。ま
た、この場合においても、第１の実施例と同様にｎ型
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0. ₅Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１２中に
もｎ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層を
設けても良い。

【００７７】図４（ｂ）参照この第３の実施例は、第１ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5
Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１５中にｐ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１６を設ける際に、電流ブロ
ック層１７の形成工程と同様に、ｐ型不純物とｎ型不純
物を交互にドーピングするか、或いは、ｐ型不純物とｎ
型不純物を同時にドーピングして、斜面に沿った部分を
ｐ型領域１６ｃとすると共に、主面に沿った部分をｎ型
領域１６ｄにしたものであり、ｎ型光ガイド層を除いた
その他の構造及び成長条件は第１の実施例と同様であ
る。

【００７８】この場合、光ガイド層１６においても電流
狭窄が行われるので、光ガイド層１６において電流が拡
がることはなく、したがって、しきい値電流が増大する
ことはない。また、この場合においても、第１の実施例
と同様にｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0. ₅Ｉｎ_0.5Ｐクラッ
ド層１２中にもｎ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ
光ガイド層を設けても良い。

【００７９】図５（ｃ）参照この第４の実施例は、第２ｐ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0.5
Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１８中にｐ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層１６を設けたものであり、ｎ
型光ガイド層を除いたその他の構造及び成長条件は第１
の実施例と同様である。

【００８０】この場合、光ガイド層１６は電流ブロック
層１７に挟まれているので、光ガイド層１６において電
流が拡がることはなく、したがって、しきい値電流が増
大することはない。また、この場合においても、第１の
実施例と同様にｎ型（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0. ₅Ｉｎ_0.5Ｐ
クラッド層１２中にもｎ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ光ガイド層を設けても良い。

【００８１】図５（ｄ）参照この第５の実施例は、第２の実施例における導電型を、
電流ブロック層１７を含む第２ｐ型クラッド層１８及び
光ガイド層１６を除いて反転させると共に、光ガイド層
１６と活性層１４を入れ換えたものであり、他の構造及
び成長条件は第２の実施例と同様である。

【００８２】この場合は、ｐ型ＧａＡｓ基板２１が第２
の実施例のｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０と同様に機能
し、また、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２２が第２の実施
例のｎ型ＧａＡｓ基板１１と同様に機能するので、第２
の実施例と同様にしきい値電流が増大することはない。
また、この場合においても、第１の実施例と同様にｎ型
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)_0. ₅Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１２中に
もｎ型（Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層を
設けても良い。

【００８３】なお、導電型を反転させる場合については
一例しか示していないが、第１の実施例、第３の実施
例、及び、第４の実施例においても同様であり、その場
合には、電流ブロック層１７を含む第２ｐ型クラッド層
１８及びｐ型光ガイド層１６を除いた部分の導電型を反
転させると共に、光ガイド層１６と活性層１４を入れ換
えれば良い。

【００８４】なお、本発明は、上記第２乃至第５の実施
例にも共通するものであるが、第１の実施例における数
値に限定されるのではない。

【００８５】また、ｐ型クラッド層１５，１８及びｐ型
光ガイド層１６は不純物源としてＤＭＺｎを用いている
が、ＤＥＺｎ（ジエチルジンク）やＣｐ２Ｍｇを用いて
も良いものであり、また、不純物濃度も斜面に沿った部
分においては３×１０¹⁷〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲が好
適である。

【００８６】また、本発明の各実施例においては、活性
層はＭＱＷ活性層１４であるが、この様な活性層に限ら
れるものではなく、ＳＱＷ構造であっても良いし、量子
井戸構造を有さない活性層であっても良い。

【００８７】

【発明の効果】本発明によれば、一回成長により電流狭
窄機構を形成した斜面発振型半導体レーザにおいて、出
射端面の光密度を低減するためにｐ型光ガイド層を設け
る場合、電流ブロック層の外側に光ガイド層を設ける構
成、または、活性層と電流ブロック層との間に光ガイド
層を設ける場合には斜面に沿った部分のキャリア濃度を
主面に沿った部分のキャリア濃度より高くするか、或い
は、斜面に沿った部分をｐ型領域とし且つ主面に沿った
部分をｎ型領域とする構成、または、電流ブロック層を
含む第２ｐ型クラッド層中に光ガイド層を設ける構成を
採用しているので、ｐ型光クラッド層における電流の拡
がりを防止することができ、したがって、しきい値電流
の増加を防止することができるので、低消費電力でしか
も高光出力の可視光半導体レーザを作製することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の作用の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施例の断面図である。

【図４】本発明の第２及び第３の実施例の断面図であ
る。

【図５】本発明の第４及び第５の実施例の断面図であ
る。

【図６】従来の斜面発振型半導体レーザの断面図であ
る。

【図７】ｐ型不純物のドーピングの面方位依存性の説明
図である。

【図８】ｎ型不純物のドーピングの面方位依存性の説明
図である。

【図９】ｐ型不純物及びｎ型不純物の同時ドーピングの
面方位依存性の説明図である。

【図１０】従来のリッジ型半導体レーザの断面図であ
る。

【符号の説明】

１ｎ型半導体基板２ｎ型クラッド層３活性層４第１ｐ型クラッド層５ｐ型光ガイド層５ａ高不純物濃度部５ｂ低不純物濃度部６電流ブロック層７第２クラッド層８第３ｐ型クラッド層９ｐ型コンタクト層１０正孔１１ｎ型ＧａＡｓ基板１２ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１４ＭＱＷ活性層１５第１ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６ａ高不純物濃度部１６ｂ低不純物濃度部１６ｃｐ型領域１６ｄｎ型領域１７電流ブロック層１８第２ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９第３ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１ｐ型ＧａＡｓ基板２２ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２３ｎ型ＧａＡｓバッファ層２４ｎ型ＧａＩｎＰ中間層２５ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２６リッジ２７ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（１００）面から（１１１）Ａ面に対し
てオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板と、前記斜面にほぼ
沿った形状の活性層と、前記活性層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ前記
主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラ
ッド層と、前記第１ｐ型クラッド層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ主面に沿う領
域が電流ブロック層となる第２クラッド層と、前記第２
クラッド層上に設けた第３ｐ型クラッド層とを具備する
半導体レーザにおいて、前記第１ｐ型クラッド層中に光
ガイド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】上記光ガイド層の上記主面に沿った領域
がｎ型であり、且つ、上記斜面に沿った領域がｐ型であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】上記第２クラッド層と上記光ガイド層と
が０．２μｍ以上離れていることを特徴とする請求項２
記載の半導体レーザ。
【請求項４】（１００）面から（１１１）Ａ面に対し
てオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板と、前記斜面にほぼ
沿った形状の活性層と、前記活性層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ前記
主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラ
ッド層と、前記第１ｐ型クラッド層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ前記主面に沿
う領域が電流ブロック層となる第２クラッド層と、前記
第２クラッド層上に設けた第３ｐ型クラッド層とを具備
する半導体レーザにおいて、前記第３ｐ型クラッド層中
に光ガイド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】上記ｎ型クラッド層中にも、光ガイド層
を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
項に記載の半導体レーザ。
【請求項６】（１００）面から（１１１）Ａ面に対し
てオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板と、前記斜面にほぼ
沿った形状の活性層と、前記活性層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ前記
主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラ
ッド層と、前記第１ｐ型クラッド層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ前記主面に沿
う領域が電流ブロック層となる第２クラッド層と、前記
第２クラッド層上に設けた第３ｐ型クラッド層とを具備
する半導体レーザにおいて、前記電流ブロック層を含む
第２クラッド層中に光ガイド層を設けたことを特徴とす
る半導体レーザ。
【請求項７】上記段差基板の主面がオフ角θが０°の
（１００）面であることを特徴とする請求項１乃至６の
いずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項８】上記段差基板の主面がオフ角θの（ｎ１
１）Ａ面（ｎ＞７）であり、且つ、上記斜面がオフ角θ
₁の（ｍ１１）Ａ面（２≦ｍ≦７）であることを特徴と
する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体レー
ザ。
【請求項９】上記各クラッド層がＡｌＧａＩｎＰであ
ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記
載の半導体レーザ。
【請求項１０】（１００）面から（１１１）Ａ面に対
してオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板と、前記斜面にほぼ
沿った形状の活性層と、前記活性層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ前記
主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラ
ッド層と、前記第１ｐ型クラッド層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ前記主面に沿
う領域が電流ブロック層となる第２クラッド層と、前記
第２クラッド層上に設けた第３ｐ型クラッド層とを具備
する半導体レーザの製造方法において、前記各ｐ型クラ
ッド層の内の一つの中に光ガイド層を設ける際に、前記
光ガイド層中にｐ型不純物とｎ型不純物とを交互にドー
ピングして、前記光ガイド層の主面に沿った領域をｎ型
にし、且つ、斜面に沿った領域をｐ型にしたことを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
【請求項１１】（１００）面から（１１１）Ａ面に対
してオフ角θだけオフした主面を有すると共に、（１０
０）面から（１１１）Ａ面に対してオフ角θ ₁（θ₁＞
θ）を有する斜面を有する段差基板と、前記斜面にほぼ
沿った形状の活性層と、前記活性層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域で高いキャリア濃度を持ち且つ前記
主面に沿う領域で低いキャリア濃度を持つ第１ｐ型クラ
ッド層と、前記第１ｐ型クラッド層に接して積層されて
前記斜面に沿う領域がｐ型領域であり且つ前記主面に沿
う領域が電流ブロック層となる第２クラッド層と、前記
第２クラッド層上に設けた第３ｐ型クラッド層とを具備
する半導体レーザの製造方法において、前記各ｐ型クラ
ッド層の内の一つの中に光ガイド層を設ける際に、前記
光ガイド層中にｐ型不純物とｎ型不純物とを同時にドー
ピングして、前記光ガイド層の主面に沿った領域をｎ型
にし、且つ、斜面に沿った領域をｐ型にしたことを特徴
とする半導体レーザの製造方法。