JP2001156209A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再配線上に突起電極が設けられたＣＳＰにお
いて、シリコン基板の回路素子形成領域内で発生する電
磁ノイズが外部に漏れにくいようにするとともに、外部
からの電磁ノイズの影響を受けにくいようにする。 【解決手段】 シリコン基板１１の上面の中央部は回路
素子形成領域１２とされ、その外側には複数の信号用の
接続パッド１３および１つのグラウンド用の接続パッド
１４が設けられている。信号用の接続パッド１３の上面
から絶縁膜１５の上面にかけて設けられた再配線１７の
先端のパッド部上面には突起電極１８が設けられてい
る。回路素子形成領域１２上の絶縁膜１５の上面におい
て信号用の再配線１７およびその近傍を除く領域にはグ
ラウンド層１９が設けられている。グラウンド層１９は
グラウンド用の接続パッド１４に再配線２０を介して接
続されている。グラウンド層１９の上面の所定の箇所に
は突起電極２１が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、再配線上に柱状
の突起電極が設けられた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、例えばＣＳＰ(Chip Si
ze Package)と呼ばれるものがある。図６は従来のこの
ような半導体装置の一例の一部の断面図を示したもので
ある。この半導体装置はシリコン基板（半導体基板）１
を備えている。シリコン基板１は、図７（図６において
再配線６およびその上側のものを省略した状態の平面
図）に示すように、平面正方形状であって、同図におい
て一点鎖線で示すように、上面の四辺部を除く中央部を
回路素子形成領域２とされている。回路素子形成領域２
内には、図示していないが、この半導体装置が液晶表示
パネル駆動用のＬＳＩである場合、発振回路、レギュレ
ータ回路、液晶ドライバ回路などが設けられている。
【０００３】シリコン基板１の上面の回路素子形成領域
２の外側には複数の接続パッド３が設けられている。接
続パッド３は、シリコン基板１の上面に設けられた配線
３ａの一端部からなり、同配線３ａを介して上記液晶ド
ライバ回路などと接続されている。接続パッド３の中央
部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコンなどか
らなる絶縁膜４が設けられ、接続パッド３の中央部が絶
縁膜４に形成された開口部５を介して露出されている。
この露出された接続パッド３の上面から接続パッド３の
内側における絶縁膜４の上面にかけて再配線６が設けら
れている。再配線６の先端のパッド部上面には柱状の突
起電極７が設けられている。突起電極７を除く上面全体
にはエポキシ系樹脂からなる封止膜８が設けられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような半導体装置では、絶縁膜４の上面に再配線６をた
だ単に設けているだけであるので、回路素子形成領域２
内で発生する電磁ノイズが外部に漏れ、また外部からの
電磁ノイズの影響を受けやすいという問題があった。こ
の発明の課題は、回路素子形成領域内で発生する電磁ノ
イズが外部に漏れにくいようにするとともに、外部から
の電磁ノイズの影響を受けにくいようにすることであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体基板
上に形成された複数の接続パッドにそれぞれ再配線およ
び該再配線上に突起電極を形成すると共に前記突起電極
の周囲にグラウンド層を形成し、該グラウンド層上にグ
ラウンド用突起電極を形成したものである。この発明に
よれば、突起電極の周囲にグラウンド層を形成している
ので、このグラウンド層により、回路素子形成領域内で
発生する電磁ノイズが外部に漏れにくいようにすること
ができるとともに、外部からの電磁ノイズの影響を受け
にくいようにすことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態に
おける半導体装置の封止膜を省略した状態の平面図を示
し、図２はその一部の断面図を示したものである。この
半導体装置はシリコン基板（半導体基板）１１を備えて
いる。シリコン基板１１は、平面正方形状であって、図
７において一点鎖線で示す場合と同様に、上面の四辺部
を除く中央部を回路素子形成領域１２とされている。回
路素子形成領域１２内には、図示していないが、この半
導体装置が液晶表示パネル駆動用のＬＳＩである場合、
発振回路、レギュレータ回路、液晶ドライバ回路などが
設けられている。
【０００７】シリコン基板１１の上面の回路素子形成領
域１２の外側には複数の信号用の接続パッド１３および
１つのグラウンド用の接続パッド１４が設けられてい
る。接続パッド１３、１４は、シリコン基板１１の上面
に設けられた配線１３ａ、１４ａの一端部からなり、同
配線１３ａ、１４ａを介して上記液晶ドライバ回路など
と接続されている。接続パッド１３、１４の中央部を除
くシリコン基板１１の上面には酸化シリコンなどからな
る絶縁膜１５が設けられ、接続パッド１３、１４の中央
部が絶縁膜１５に形成された開口部１６を介して露出さ
れている。
【０００８】信号用の接続パッド１３の開口部１６を介
して露出された上面から接続パッド１３、１４の内側に
おける絶縁膜１５の上面にかけて信号用の再配線１７が
設けられている。信号用の再配線１７の先端のパッド部
上面には信号用の柱状の突起電極１８が設けられてい
る。回路素子形成領域１２上の絶縁膜１５の上面におい
て信号用の再配線１７およびその近傍を除く領域にはグ
ラウンド層１９が設けられている。グラウンド層１９は
グラウンド用の接続パッド１４にグラウンド用の再配線
２０を介して接続されている。グラウンド層１９の上面
の所定の箇所にはグラウンド用の突起電極２１が設けら
れている。突起電極１８、２１を除く上面全体にはエポ
キシ系樹脂からなる封止膜２２が設けられている。な
お、グラウンド層１９およびグラウンド用の再配線２０
は、信号用の再配線１７と同一の材料によって信号用の
再配線１７の形成と同時に形成されている。
【０００９】このように、この半導体装置では、回路素
子形成領域１２上の絶縁膜１５の上面において信号用の
再配線１７およびその近傍を除く領域にグラウンド層１
９を設けているので、回路素子形成領域１２の大部分が
グラウンド層１９によって覆われ、したがって回路素子
形成領域１２内で発生する電磁ノイズが外部に漏れにく
いようにすることができるとともに、外部からの電磁ノ
イズの影響を受けにくいようにすることができる。
【００１０】また、回路素子形成領域１２上において
は、信号用の再配線１７の周囲にグラウンド層１９が設
けられているので、信号用の再配線１７の近傍における
電界の広がりを抑えることができる。この結果、信号伝
達速度の高速化を図ることができ、また隣接する信号用
の再配線１７間におけるクロストークを低減することが
できる。
【００１１】なお、上記第１実施形態では、回路素子形
成領域１２上の絶縁膜１５の上面において信号用の再配
線１７およびその近傍を除く領域にグラウンド層１９を
設けた場合について説明したが、これに限らず、図３に
示すこの発明の第２実施形態のように、グラウンド層１
９をシリコン基板１１の端部まで延出させるようにして
もよい。この場合、グラウンド用の接続パッド１４はグ
ラウンド層１９によって覆われるので、図１において符
号２０で示すグラウンド用の再配線というようなものは
無い。
【００１２】ところで、図１に示すような構成におい
て、例えば図４に示すこの発明の第３実施形態のよう
に、ある２つの突起電極１８ａ、１８ｂがその間の再配
線１７ａを介して接続されている場合、グラウンド層は
符号１９ａ、１９ｂで示すように２つに分割される。こ
のような場合、２つのグラウンド層１９ａ、１９ｂを回
路素子形成領域１２上において直接接続することはでき
ない。
【００１３】そこで、図４に示す半導体装置では、２つ
のグラウンド層１９ａ、１９ｂの上面の各所定の箇所に
グラウンド用の突起電極２１ａ、２１ｂが設けられてい
る。そして、図５に示すように、この半導体装置を回路
基板３１上に搭載する。この場合、回路基板３１は多層
基板からなり、その上面に形成された複数の接続端子３
１のうえ所定の２つは内部配線３３を介して接続されて
いる。
【００１４】そして、半導体装置の突起電極２１ａ、２
１ｂ、１８ｂは回路基板３１の接続端子３２に、接続端
子３２上に予め設けられた半田（ペースト）３４を介し
て接続されている。したがって、２つのグラウンド層１
９ａ、１９ｂは、その間に突起電極１８ｂなどがあって
も、突起電極２１ａ、半田３４、接続端子３２、内部配
線３３、接続端子３２、半田３４および突起電極２１ｂ
を介して電気的に接続されている。この結果、グラウン
ド層が２つまたはそれ以上に分割されていても、これら
の分割グラウンド層を電気的に接続することができる。
【００１５】なお、上記各実施形態における半導体装置
は、ウエハ状態のものから製造されるものであり、封止
膜形成工程後のダイシング工程を経ることにより、各半
導体装置が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、突起電極の周囲にグラウンド層を形成しているの
で、このグラウンド層により、回路素子形成領域内で発
生する電磁ノイズが外部に漏れにくいようにすることが
できるとともに、外部からの電磁ノイズの影響を受けに
くいようにすことができる。また、突起電極の周囲に形
成されたグラウンド層により、再配線の近傍における電
界の広がりを抑えることができ、この結果、信号伝達速
度の高速化を図ることができ、また隣接する再配線間に
おけるクロストークを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態における半導体装置の
封止膜を省略した状態の平面図。
【図２】図１の一部の断面図。
【図３】この発明の第２実施形態における半導体装置の
封止膜を省略した状態の平面図。
【図４】この発明の第３実施形態における半導体装置の
封止膜を省略した状態の平面図。
【図５】図４に示す半導体装置を回路基板上に搭載した
状態の一部の断面図。
【図６】従来の半導体装置の一例の一部の断面図。
【図７】図６において再配線およびその上側のものを省
略した状態の平面図。
【符号の説明】 １１ シリコン基板 １２ 回路素子形成領域 １３ 信号用の接続パッド １４ グラウンド用の接続パッド １５ 絶縁膜 １７ 信号用の再配線 １８ 信号用の突起電極 １９ グラウンド層 ２０ グラウンド用の再配線 ２１ グラウンド用の突起電極 ２２ 封止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ Ｑ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に形成された複数の接続パ
    ッドにそれぞれ再配線および該再配線上に突起電極を形
    成すると共に前記突起電極の周囲にグラウンド層を形成
    し、該グラウンド層上にグラウンド用突起電極を形成し
    たことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記半導
    体基板上に少なくとも１つのグラウンド用接続パッドが
    形成され、該グラウンド用接続パッドに前記グラウンド
    層が接続されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の発明において、前記グラ
    ウンド層は前記再配線と同一の層に位置することを特徴
    とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の発明において、前記グラ
    ウンド層は前記半導体基板の端部まで延出されているこ
    とを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の発明において、前記グラ
    ウンド層は複数に分割され、一の分割グラウンド層が前
    記グラウンド用接続パッドに接続されているとともに、
    各分割グラウンド層上にグラウンド用突起電極が設けら
    れていることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の発明において、前記グラ
    ウンド層は前記再配線と同一の材料によって前記再配線
    の形成と同時に形成されていることを特徴とする半導体
    装置。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の発明に
    おいて、前記突起電極および前記グラウンド用突起電極
    を除く前記半導体基板上面ほぼ全体に封止膜が設けられ
    ていることを特徴とする半導体装置。
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