JP3721175B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法、特に、外部基板との接続信頼性の高い半導体装置の製造方法に関するものでる。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の小型化に伴い、半導体チップの外形寸法とほぼ同じ外形寸法を有するチップサイズパッケージ(Chip Size Package,(以下、CSPと称す))と呼ばれる半導体装置のパッケージ構造が出現している。このCSPの一形態として、ウエハ状態でパッケージングが行われた、ウエハレベルチップサイズパッケージ(Wafer Level Chip Size Package,(以下、WCSPと称す))と呼ばれる半導体装置のパッケージ構造が存在する。
【0003】
このWCSP構造の半導体装置について以下に説明する。
従来のWCSP構造の半導体装置では、集積回路が形成された半導体チップ上に電極が形成されており、この電極の上面を露出するように、半導体チップ上に絶縁膜が形成されている。絶縁膜は開口部を備え、この開口部により電極の上面は露出されている。
絶縁膜上には、ポストと称される端子と、配線とが形成されている。この配線は通常、再配線、又は、再配置配線と称され、配線の一端は絶縁膜の開口部を介して電極に接続され、他端はポストに接続されている。
【0004】
さらに、半導体装置の上面は、ポストの上面を露出するように、樹脂等の封止材料により封止されており、露出したポストの上面には、半田ボール等の外部端子が形成されている。
このようなWCSP構造のパッケージングはウエハ状態で行われ、封止した後にウエハを切断し、個別化することにより多数のCSP構造の半導体チップが生産される。
しかしながら、上述したようなWCSP構造の半導体装置が外部基板等に実装された後、温度変化等が加えられると、半導体装置の熱膨張率と外部基板の熱膨張率とが大きく異なる為、外部端子に応力が加わり、ポストの上面と外部端子との接合部に応力が集中して接合部にクラック等が発生してしまう可能性があった。
【0005】
さらに、携帯電話等の携帯機器に搭載される半導体装置の場合、持ち運びの際の衝撃や振動により、外部端子に応力が加わり、ポストの上面と外部端子との接合部に応力が集中して接合部にクラック等が発生してしまう可能性があった。
これにより、ポストと外部端子との接合力が低下してしまい、半導体装置と外部基板との接続信頼性が大きく低減してしまう可能性があった。
このような課題を解決すべく、ポストの周辺部の封止材料を、レーザーを照射することにより除去して、ポストの側面を露出させ、露出したポストの側面と、ポストの上面とに外部端子を形成する技術が従来知られていた(例えば、特許文献1参照)。
【0006】
この文献に開示されたような接続構造では、外部端子に掛かる応力を、ポストの側面と上面とに分散させることができ、ポストの上面と外部端子との接合部に応力が集中してしまう可能性を低減し、半導体装置と外部基板との接続信頼性を高くすることが可能となる。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−353766号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、文献1に開示された技術では、ポストの周辺部の封止層をレーザーにより除去する工程に、非常に多くの時間が掛かってしまう為、パッケージに係る製造時間が増加してしまい生産効率が低下してしまう可能性があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本願の代表的な目的は、封止層をレーザーにより除去する工程を行なわずとも、ポストの側面と上面とに外部端子を形成することを可能とする、半導体装置の製造方法を提供することである。
上述の目的を達成する為、本願の代表的な発明の一つでは、
端子の側面に第1金属電極を形成する工程と、端子及び第1金属電極を覆うように、半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程と、封止層の表面を研磨して、端子の上面及び第1金属電極の上面を露出させる工程と、露出した端子の上面、及び露出した第1金属電極の上面に第2金属電極を形成する工程と、加熱により、第1金属電極と第2金属電極とを合金化する工程とを有する。
【0010】
さらに、上述の目的を達成する為、本願の代表的な発明の一つでは、
端子の側面をダミー層で覆う工程と、端子及びダミー層を覆うように、半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程と、封止層の表面を研磨して、端子の上面及びダミー層の上面を露出させる工程と、ダミー層を除去して端子の側面を露出させる工程と、露出した端子の表面に導電体を形成する工程とを有する。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、全図面を通して同様の構成には同様の符号を付与する。
【0012】
(第1実施形態)
図1〜図6は本発明の第1実施形態における、半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
図1に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、半導体基板100の主表面上に複数の端子200が形成される。
ここで、半導体基板100とは、即ち、半導体ウエハ110の主表面上に、電極120と、絶縁膜130と、配線140とが形成された状態を示す。
【0013】
本実施形態では、主表面上に集積回路が形成された、Si(シリコン)等を材料とする半導体ウエハ110上に、Al(アルミニウム)等を材料とする複数の電極120が形成される。電極120は、集積回路と電気的に接続されている。さらに、電極120の上面を露出するように半導体ウエハ110上に、窒化膜等(例えば、SiN(シリコン窒化膜))の保護膜131が形成され、さらに、電極120の上面を露出するように保護膜131上にポリイミド等の絶縁膜130が形成される。
【0014】
保護膜131は、例えば、シランとアンモニアを原料ガスとするCVD(Chemical Vapor Deposition)等により約1μmの厚さで形成され、絶縁膜130は、例えば、ポリイミド或いはその前駆体を溶媒に溶かしたワニスを、スピンコートして熱処理することにより約2〜10μmの厚さで形成される。
絶縁膜130上には、Cu(銅)等を材料とする配線140と、Cu等を材料とするポストと称される複数の端子200とが形成される。
【0015】
配線140は、例えば、スパッターによる金属蒸着法、ホトリソ法、メッキ法等により形成され、端子200は、その高さまでレジスト層を形成し、ホトリソやメッキ工程等を施すことにより形成される。
端子200は、配線140と、外部基板等と接続される外部端子とを電気的に接続し、半導体基板100の主表面に接する第1の面210と、第1の面210に対向する第2の面220と、第1の面210と第2の面220との間の側面230とを備える。
それぞれの端子200の間隔は150μm〜400μm程度であり、高さは100μm程度である。端子200は円柱の形状を有し、その直径は150μm〜400μm程度である。
【0016】
配線140の一端は電極120と接続され、他端は端子200と接続される。ここで、配線140を配設することにより、半導体装置が外部基板等と電気的に接続する箇所を、任意の位置に設定することが可能となる。一般的に、このような任意の配置を再配置と称し、故に配線140は再配置配線、若しくは再配線と称される。
【0017】
次に、図2に示すように、端子200の側面230に、半田等を材料とする金属電極310を形成する。
図3に示すように、本実施形態では、金属電極310は、溶解した半田等の金属410が供給された金属供給槽400に端子200を浸漬させることにより、端子200の側面230を包囲するように形成される。
【0018】
隣接する端子200に形成されたそれぞれの金属電極310は、互いに所定間隔離間するように形成される。ここで、図2に示すように、金属電極310の膜厚tは、想定される外部応力に対して十分な強度を得る為、少なくとも、10μm以上であることが好ましい。金属電極310の膜厚tは、端子200を金属供給槽400に浸漬させる時間、或いは、溶解した金属410の温度等を調整することにより、所定の値に制御することが可能である。
【0019】
さらに、半導体基板100の主表面と、溶解した金属410の液面411とが対向し、かつ、平行となるように、端子200は金属供給槽400に浸漬される。この際、図示していないが、端子200の第2の面220上に金属410が付着しても構わない。
これにより、半導体基板100に形成された複数の端子200のそれぞれに対して、一括して金属電極310を形成することが可能となり、工程を大幅に増大させることなく、金属電極310を複数の端子200に形成することが可能となる。
【0020】
さらに、半導体基板100の主表面と、溶解した金属410の液面411とが所定間隔離間するように端子200は金属供給槽400に浸漬される。
これにより、溶解した金属410が半導体基板100上に形成された配線140に付着してしまう可能性を低減させることが可能となる。
【0021】
ここで、金属電極310が端子200よりも、後の工程で端子200を覆うように形成される封止層600との接着性が低い場合、例えば、金属電極310の材料が半田で端子200の材料がCuである場合、封止層600との接着性を向上させる為、端子200の側面230を所定の範囲露出させる必要がある。この為、端子200を金属供給槽400に浸漬させる際、半導体基板100の主表面と溶解した金属410との液面とを、少なくとも、20μm以上離間させることが好ましい。
【0022】
次に、端子200を金属供給槽400から取り出した後、図4に示すように、端子200及び金属電極310を覆うように、半導体基板100の主表面上に、エポキシ系樹脂等を材料とする封止層600を形成する。
これにより、半導体基板100の主表面、及び、端子200の側面を湿気等から保護することが可能となる。
【0023】
本実施形態では、封止層600は、金型内に配置された半導体基板100に樹脂を供給して圧力を加えることにより形成される。この際、端子200の上面、即ち、第2の面220と金型とが離間するように半導体基板100は配置されるので、第2の面220と金型との間にも樹脂が供給され、第2の面220を覆うように封止層600は形成される。
つまり、封止の際、端子200と金型とが接していない為、端子200が金型に押されてダメージを受けてしまう可能性は低減される。
【0024】
さらに、本実施形態では、封止層600を形成する前に、Cuを材料とする端子200の表面に酸化膜が形成される。酸化膜は、例えば、銅酸化膜であり、空気中、或いは、酸素雰囲気中で端子200に熱処理を施すことによって形成される。
これにより、端子200と封止層600との接着性を向上させることが可能となる。これは、酸化膜と樹脂とが水素結合する為である。
従って、端子200と封止層600との界面から湿気等が集積回路に侵入する可能性は低減される。
【0025】
次に、図5に示すように、封止層600の表面を研磨して、端子200の上面及び金属電極310の上面を露出させる。
この研磨により、半導体装置の上面は平坦化され、それぞれの端子200の高さは所定の値に揃えられる。
これにより、端子200上に形成される外部端子の高さのバラツキを低減させることが可能となり、外部基板等に実装する際、外部端子と外部基板との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【0026】
本実施形態では、この研磨により、端子200の上面と、金属電極310の上面と、封止層600の上面とは同一平面状に位置される。
研磨後の端子200の高さdは、半導体基板100と外部基板との熱膨張係数の差により発生する応力の影響を緩和する為、少なくとも40μm以上であることが好ましい。さらに、金属電極310の高さhは、想定される外部応力に対して十分な強度を得るように、少なくとも、10μm以上であることが好ましい。ここで、金属電極310の高さhを10μm以上とする為、上述した、端子200を金属供給槽400に浸漬させる工程において、少なくとも10μmに、平坦化の為の研磨により短くなる分を足した距離だけ浸漬させることが好ましい。
【0027】
次に、図6に示すように、研磨により露出された端子200の上面、及び、金属電極310の上面に、半田等を材料とする金属電極320を形成し、加熱により、金属電極310と金属電極320とを溶解させて合金化させる。合金化とは、即ち、金属電極310と金属電極320とが加熱により溶解して互いに混ざり合う状態を示す。即ち、金属電極310と金属電極320とは、加熱により溶解して一体化される。ここで、金属電極310と金属電極320とは、材料が同じ場合であっても、異なっている場合であっても、加熱により溶解して一体化させることが可能な材料を用いていれば、本発明に適用することが可能である。
【0028】
さらに、金属電極310と金属電極320との材料に半田を用いた場合、金属電極320を形成する際の熱、或いは、外部基板に実装する際の熱により、金属電極310も溶解し、金属電極310と金属電極320とが互いに溶解して混ざり合うので、新たな加熱工程を施すことなく、本発明を実現することが可能となる。
【0029】
このように、金属電極310と金属電極320とを溶解して合金化することで、端子200の上面と側面とを連続して覆う外部端子300が形成される。
これにより、外部端子300に掛かる応力は、端子200の上面と外部端子300との接合部だけでなく、端子200の側面230と外部端子300との接合部にも分散されるので、端子200の上面と外部端子300との接合部に応力が集中して、クラック等が発生してしまう可能性は低減され、半導体装置と外部基板との接続信頼性を高くすることが可能となる。
【0030】
特に、半導体装置の横方向からの応力については、外部端子300が端子200の側面230を覆うように形成されているので、応力の方向に対して、外部端子300が端子200に引っ掛る状態となり、応力に対して十分な強度を得ることが可能である。
【0031】
ここで、携帯電話等の携帯機器に搭載される半導体装置では、持ち運びの際の衝撃や振動により、半導体装置の横方向からの応力が顕著であった。
従って、このような半導体装置に、本発明を適用すれば、この応力の影響を低減できるので、半導体装置と外部基板との接続信頼性を向上させることが可能となり、半導体装置の信頼性を高めることが可能となる。
【0032】
本実施形態では、金属電極310及び金属電極320の材料は半田であり、金属電極320を端子200上に搭載する際の熱により、金属電極310及び金属電極320が溶解し、それぞれが接合される。この際の加熱の温度は、210〜260℃程度である。
即ち、半田を材料とする外部端子300、つまり、端子200と外部基板とを接続する半田ボールが、端子200の上面と側面とを覆うように形成される。
その後、封止された半導体基板100は、ダイヤモンドブレード等で切断され、半導体チップ毎に個別化される。
【0033】
このように、本実施形態では、封止層600を形成する前に、端子200の側面230に、外部端子300の一部である金属電極310が形成される。
従って、外部端子300を端子200の側面230に形成する為に、レーザーにより封止層600の一部を除去して、端子200の側面230を封止層から露出させる工程を行なわずとも、端子200の上面と側面230とに外部端子300を形成することが可能となり、パッケージに係る製造時間を短縮して生産効率を向上させることが可能となる。
【0034】
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図7〜図12は本発明の第2実施形態における、半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
図7に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、半導体基板100上に形成された複数の端子200の側面230に、樹脂等を材料とするダミー層700を形成する。
【0035】
ダミー層700は、端子200の側面230が封止層600により封止されることを制御し、封止工程における熱に対して耐性があり、有機溶剤やアルカリ性溶液等に可溶である。
さらに、封止層600の材料に、低温キュアタイプの液状樹脂を適用する場合、ダミー層700の材料に、フォトレジスト等を適用することが可能である。
さらに、封止層600の材料に、モールド樹脂を適用する場合、ダミー層700の材料に、ポリイミド等を適用することが可能である。
【0036】
本実施形態では、ダミー層700は、端子200の側面230を包囲するように形成される。
ここで、隣接する端子200に形成されたそれぞれのダミー層700は、互いに所定間隔離間するように形成される。
図8に示すように、ダミー層700は、溶解した樹脂810が供給された樹脂供給槽800に端子200を浸漬させることにより形成される。ここで、ダミー層700は、膜厚が少なくとも10μm以上となるように形成される。ダミー層700の膜厚は、溶解した樹脂810の粘度を調整することにより制御することが可能である。
【0037】
さらに、半導体基板100の主表面と、溶解した樹脂810の液面811とが対向し、かつ、平行となるように、端子200は樹脂供給槽800に浸漬される。
これにより、半導体基板100に形成された複数の端子200のそれぞれに対して、一括してダミー層700を形成することが可能となり、工程を大幅に増大することなく、ダミー層700を複数の端子200に形成することが可能となる。
【0038】
さらに、半導体基板100の主表面と、溶解した樹脂810の液面811とは、所定間隔離間するように端子200は樹脂供給槽800に浸漬される。ここで、半導体基板100の主表面と、液面811とは、少なくとも、20μm以上離間していることが好ましい。
その後、端子200を樹脂供給槽800から取り出し、端子200の側面230に形成されたダミー層700を熱処理して硬化させる。
【0039】
次に、図9に示すように、端子200及びダミー層700を覆うように、半導体基板100の主表面上にエポキシ系樹脂等を材料とする封止層600を形成する。
次に、図10に示すように、封止層600の表面を研磨して、端子200の上面及びダミー層700の上面を露出させる。
研磨後の端子200の高さd´は、半導体基板100と外部基板との熱膨張係数の差により発生する応力の影響を低減させる為、少なくとも、40μm以上であることが好ましい。ダミー層700は、高さh´が少なくとも10μm以上となるように形成される。
【0040】
次に、端子200を拡大した断面図である図11に示すように、ダミー層700を除去して、端子200の側面230を露出させる。
本実施形態では、有機溶剤やアルカリ性溶液等の薬液710を、ダミー層700に供給して溶解させることで、ダミー層700を除去する。
薬液710の供給は、薬液710を半導体装置の主表面上、つまり、研磨により露出した封止層600の上面とダミー層700の上面とに塗布することにより行なわれる。
【0041】
ここで、ダミー層700は、有機溶剤やアルカリ性溶液等に可溶である為、薬液710により溶解するが、封止層600は、有機溶剤やアルカリ性溶液に溶解しずらいエポキシ系樹脂であるため、薬液710により溶解する可能性は低い。
即ち、ダミー層700を溶解させる条件と、封止層600を溶解させる条件とが異なる為、ある特定の薬液を用いることで、ダミー層700を選択的に除去することが可能となる。
これにより、薬液710を、半導体装置の主表面上に塗布する工程のみで、複数の端子200の、それぞれの側面を一括して露出させることが可能となる。
【0042】
次に、端子200を拡大した断面図である図12に示すように、露出した端子200の表面、即ち、端子200の上面と側面230とに、導電体を材料とする外部端子300を形成する。本実施形態では、外部端子300に半田ボールを用いている。
外部端子300は、端子200の上面と側面230とを連続して覆うように形成される。
【0043】
これにより、外部端子300に掛かる応力は、端子200の上面と外部端子300との接合部だけでなく、端子200の側面230と外部端子300との接合部にも分散されるので、端子200の上面と外部端子300との接合部に応力が集中して、クラック等が発生してしまう可能性は低減され、半導体装置と外部基板との接続信頼性を高くすることが可能となる。
【0044】
特に、半導体装置の横方向からの応力については、外部端子300が端子200の側面230を覆うように形成されているので、応力の方向に対して、外部端子300が端子200に引っ掛る状態となり、応力に対して十分な強度を得ることが可能である。
ここで、携帯電話等の携帯機器に搭載される半導体装置では、持ち運びの際の衝撃や振動により、半導体装置の横方向からの応力が顕著であった。
従って、このような半導体装置に、本発明を適用すれば、この応力の影響を低減できるので、半導体装置と外部基板との接続信頼性を向上させることが可能となり、半導体装置の信頼性を高めることが可能となる。
【0045】
このように、本実施形態では、封止層600を形成する前に、端子200の側面230を覆うようにダミー層700が形成され、封止層600が形成さらた後、ダミー層700を除去することで、端子200の側面230が露出される。
従って、レーザーにより封止層600の一部を除去して、端子200の側面230を封止層から露出させる工程を行なわずとも、端子200の上面と側面230とに外部端子300を形成することが可能となり、パッケージに係る製造時間を短縮して生産効率を向上させることが可能となる。
【0046】
(第3実施形態)
次に、第1及び第2実施形態の半導体装置の製造方法において、金属電極310、或いは、ダミー層700と、半導体基板100の主表面との間隔を、より好適に制御することを可能とする実施形態を、本発明の第3実施形態として説明する。
図13〜図15は、本実施形態を説明する半導体装置の断面図である。
図13に示すように、本実施形態では、まず、端子200が所定の高さ露出するように、端子200が形成された半導体基板100の主表面上に、スピンコート、或いは高精度印刷方式等により、ソルダーレジスト等の絶縁膜500を形成する。
【0047】
次に、図14に示すように、端子200を金属供給槽400、或いは、樹脂供給槽800に浸漬させる。本実施形態では、端子200の表面全てが樹脂供給槽800に浸漬される。
これにより、図15に示すように、絶縁膜500から露出した端子200の側面230に金属電極310、或いは、ダミー層700が形成される。
ここで、端子200を金属供給槽410、或いは、樹脂供給槽800に浸漬させる際、半導体基板100の主表面は絶縁膜500によって保護されるので、溶解した金属410、或いは樹脂810が、半導体基板100の主表面に付着してしまう可能性は低減される。
【0048】
さらに、絶縁膜500の膜厚を所定の厚さに制御することで、半導体基板100の主表面と、端子200に形成される金属電極310、或いは、ダミー層700との間隔を所定の距離に設定することが可能となる。上述した実施形態で説明した通り、半導体基板100の主表面と、金属電極310、或いは、ダミー層700との間隔は20μm以上であることが好ましいので、これを実現する為、絶縁膜500は、少なくとも、20μm以上の膜厚で形成される。
その後、絶縁膜500を除去し、半導体基板100の主表面に封止層600を形成する。
【0049】
また、本実施形態では、絶縁膜500に、樹脂等を材料とする封止層601を用いることも可能である。
この場合、封止層601は除去されずに、図16に示されるように、封止層601の上面に封止層600´が形成される。
【0050】
封止層601の材料は、常温曲げ弾性率Eが0.5〜4GPaの低弾性樹脂(例えば、ポリイミド)であり、封止層600´の材料は、常温曲げ弾性率Eが9〜21GPa程度の高弾性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)である。
これにより、端子200に掛かる応力を、封止層601と封止層600´とにより好適に吸収することが可能となる。
【0051】
【発明の効果】
本願の代表的な発明では、半導体装置と外部基板との接続信頼性を向上させる為に、ポストの側面と上面とに外部端子を形成する構成を短時間で実現することが可能となる。
【0052】
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態における、端子が形成された半導体基板を準備する工程を示した断面図である。
【図2】第1実施形態における、端子に第1金属電極を形成する工程を示した断面図である。
【図3】第1実施形態における、端子を金属供給槽に浸漬させる工程を示した断面図である。
【図4】第1実施形態における、半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程を示した断面図である。
【図5】第1実施形態における、封止層の表面を研磨して端子と第1金属電極とを露出させる工程を示した断面図である。
【図6】第1実施形態における、第1金属電極上及び端子上に第2金属電極を形成する工程を示した断面図である。
【図7】第2実施形態における、端子にダミー層を形成する工程を示した断面図である。
【図8】第2実施形態における、端子を樹脂供給槽に浸漬させる工程を示した断面図である。
【図9】第2実施形態における、半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程を示した断面図である。
【図10】第2実施形態における、封止層の表面を研磨して端子とダミー層とを露出させる工程を示した断面図である。
【図11】第2実施形態における、ダミー層を除去する工程を示した断面図である。
【図12】第2実施形態における、端子上に外部端子を形成する工程を示した断面図である。
【図13】第3実施形態における、半導体基板の主表面上に第1絶縁膜を形成する工程を示した断面図である。
【図14】第3実施形態における、端子を金属供給槽、或いは、樹脂供給槽に浸漬させる工程を示した断面図である。
【図15】第3実施形態における、端子に第1金属電極、或いは、ダミー層を形成する工程を示した断面図である。
【図16】第3実施形態における、封止層を積層させる工程を示した断面図である。
【符号の説明】
100 半導体チップ
110 半導体ウエハ
120 電極
130 第2絶縁膜
131 保護膜
140 配線
200 端子
300 外部端子
310 第1金属電極
320 第2金属電極
400 半田供給槽
410 半田
500 第1絶縁膜
600 600´ 601 封止層
700 ダミー層
800 樹脂供給槽
810 樹脂
Claims (21)
- 主表面上に複数の端子が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記端子の側面に、第1金属電極を形成する工程と、
前記端子及び前記第1金属電極を覆うように、前記半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程と、
前記封止層の表面を研磨して、前記端子の上面及び前記第1金属電極の上面を露出させる工程と、
露出した前記端子の前記上面、及び露出した前記第1金属電極の前記上面に、第2金属電極を形成する工程と、
加熱により、前記第1金属電極と前記第2金属電極とを合金化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1金属電極は、前記端子の前記側面を包囲するように形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止層の表面を研磨することにより露出した、前記端子の前記上面及び前記第1金属電極の前記上面は、研磨された前記封止層の上面と略同一平面上に位置することを特徴とする請求項1又は2いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1金属電極を形成する工程は、
溶解した金属が供給された金属供給槽に、前記端子を浸漬させる工程を有することを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記端子を前記金属供給槽に浸漬させる工程において、
前記半導体基板の前記主表面と、前記金属供給槽に供給された金属の液面とが対向し、かつ、平行となるように、前記端子を前記金属供給槽に浸漬させることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の前記主表面と、前記金属供給槽に供給された溶解した金属の液面とを、所定間隔離間させて前記端子を前記金属供給槽に浸漬させることを特徴とする請求項4又は5いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1金属電極を形成する工程は、
前記端子が所定の高さ露出するように、前記半導体基板の主表面上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜から露出した前記端子を、前記金属供給槽に浸漬させる工程とを有することを特徴とする請求項4〜6いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1金属電極、及び、前記第2金属電極の材料は半田であることを特徴とする請求項1〜7いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2金属電極は、ボール状の電極であることを特徴とする請求項1〜8いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 主表面上に複数の端子が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記端子の側面をダミー層で覆う工程と、
前記端子及び前記ダミー層を覆うように、前記半導体基板の主表面上に封止層を形成する工程と、
前記封止層の表面を研磨して、前記端子の上面及び前記ダミー層の上面を露出させる工程と、
前記ダミー層を除去して前記端子の側面を露出させる工程と、
露出した前記端子の表面に導電体を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー層は、前記端子の側面を包囲するように形成されることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダミー層を除去する工程は、
前記ダミー層に薬液を供給して、前記ダミー層を溶解させる工程を有することを特徴とする請求項10又は11いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー層の材料は樹脂であることを特徴とする請求項10〜12いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダミー層を形成する工程は、
溶解した樹脂が供給された樹脂供給槽に、前記端子を浸漬させる工程を有することを特徴とする請求項13記載の半導体装置の製造方法。 - 前記端子を前記樹脂供給槽に浸漬させる工程において、
前記半導体基板の主表面と、前記樹脂供給槽に供給された樹脂の液面とが対向し、かつ、平行となるように、前記端子を前記樹脂供給槽に浸漬させることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー層を形成する工程は、
前記端子が所定の高さ露出するように、前記半導体基板の前記主表面上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜から露出した前記端子を、前記樹脂供給槽に浸漬させる工程とを有することを特徴とする請求項14〜15いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、
主表面上に集積回路が形成された半導体ウエハと、
前記半導体ウエハ上に形成された複数の電極と、
前記電極の上面を露出するように、前記半導体ウエハ上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、かつ、前記端子と前記電極とを電気的に接続する配線とを有することを特徴とする請求項1〜16いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記端子の材料は銅であり、
前記封止層を形成する前に、前記端子の表面を酸化させて酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜17いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は、前記封止層よりも低い弾性率を有し、前記封止層は、前記第1絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項7又は16いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止層の材料は、常温曲げ弾性率Eが9〜21GPaの高弾性樹脂であることを特徴とする請求項19記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜の材料は、常温曲げ弾性率Eが0.5〜4GPaの低弾性樹脂であることを特徴とする請求項19又は20いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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