JP2000158339A - スラリー供給装置及びスラリー供給方法 - Google Patents
スラリー供給装置及びスラリー供給方法Info
- Publication number
- JP2000158339A JP2000158339A JP10332634A JP33263498A JP2000158339A JP 2000158339 A JP2000158339 A JP 2000158339A JP 10332634 A JP10332634 A JP 10332634A JP 33263498 A JP33263498 A JP 33263498A JP 2000158339 A JP2000158339 A JP 2000158339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry
- nozzle
- pipe
- container
- chemical mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47H—FURNISHINGS FOR WINDOWS OR DOORS
- A47H23/00—Curtains; Draperies
- A47H23/02—Shapes of curtains; Selection of particular materials for curtains
- A47H23/04—Shapes of curtains
- A47H23/06—Systems consisting of two or more co-operating curtains with transparent or perforated parts behind each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
研磨粒子の粗大化を抑制する。 【解決手段】 スラリー供給装置Aは、密閉されたスラ
リーボトル1,2と、配管系統3と、ウエット窒素生成
装置4と、ウエット窒素供給用配管5と、吸引ノズル1
3a,13cと、噴出ノズル13b,13dと、温度調
節器12と、流量調節弁7a〜7j,7xと、送液ポン
プ9a,9bと、各送液ポンプ9a,9bの運転や流量
を制御するための制御系10とを備えている。CMP装
置による研磨中には送液ポンプ9a,9bを常時運転す
る一方、CMP装置のアイドル中には送液ポンプ9a,
9bを一定の時間間隔で交互に運転・停止させる間欠運
転を行なう。スラリーボトル1,2内にはプロペラ等の
攪拌機構を配置せずに、噴出ノズル13b,13dから
スラリー30を噴出させてスラリー30を攪拌する。
Description
的研磨(CMP)を行なうために使用されるスラリーの
供給装置及びその供給方法に関する。
形成する製造工程において、層間絶縁膜の平坦化などの
目的で、研磨粒子としてのヒュームドシリカやコロイダ
ルシリカをアンモニア等のアルカリ性溶液中に分散させ
てなるスラリーを用いた化学機械的研磨(Chemical Mec
hanical Polish)を行なって、基板平坦度を高く維持す
る技術が知られている。
号公報に開示されている研磨剤供給装置(以下、「スラ
リー供給装置」という)F1の構造を示す断面図であ
る。
は、研磨スラリーである研磨剤109が貯溜されている
タンク101と、タンク101から研磨装置にスラリー
を供給するための供給路102と、供給路102に介設
されたポンプ104と、供給路102のポンプ104の
下流側に介設された流量調整用の弁103と、供給路1
02の先端に設けられCMP装置の研磨パッドに研磨剤
109を滴下するための供給ノズル110と、研磨剤1
09を攪拌するためのプロペラを有する攪拌機106と
を備えている。また、供給路102の弁103の上流側
から分岐した循環路105が設けられていて、循環路1
05からタンク101に研磨剤109を戻して研磨剤を
循環させるように構成されている。そして、タンク10
1内の研磨剤109の温度はヒータ107により調節可
能となっており、ヒータ107の温度はヒータ温度制御
部108によって制御される。研磨時においては、弁1
03の開度を調整して、ポンプ104によってタンク1
01から吸い上げた研磨剤109のうちの所定量を供給
ノズル110から研磨パッドに供給するとともに、残り
の研磨剤109を循環路105を通してタンク101に
戻す。一方、非研磨時においては、弁103を閉じて、
研磨剤109の全量をタンク101に戻すことにより、
研磨剤109の循環のみを行なわせる。
粒子は微細な粒径(20〜30nm)を有するが、各シ
リカの1次粒子がある程度凝集して粒径が100〜20
0nmの2次粒子を形成している。また、ヒュームドシ
リカの場合は製造時から100〜200nmの粒径を有
している。この粒径100〜200nmの2次粒子が実
際には研磨作用に寄与していると考えられている。
て、500nm程度を越える粒径を有するまでに研磨粒
子が粗大化されると、被研磨物にマイクロスクラッチを
発生させる。
では、スラリーである研磨剤109を常時循環し、かつ
プロペラによって攪拌することにより、研磨剤の沈降,
凝集を抑制している。
供給装置の研磨剤が流れる配管系統において設けられて
いる継ぎ手の構造を示す断面図である。このように、コ
ーナー部や直線部において各種形状の継ぎ手を利用する
ことにより、複雑な形状の配管を実現し、スラリー供給
装置内の配管面積の低減と装置全体のコンパクト化とを
図っている。
凝集があまりに加速されて、例えば500nm程度の粒
径を有するまでに研磨粒子が粗大化されると、被研磨物
にマイクロスクラッチを発生させるだけでなく、研磨レ
ートを低下させるなどの問題があることもわかってき
た。
あって、固形分濃度が異なるスラリー1とスラリー2と
の研磨レートの相違を比較するグラフである。同図に示
すように、スラリー1はスラリー2よりも固形分濃度が
1%小さいだけであるのに、研磨レートは大幅に低下し
ていることがわかる。このような固形分濃度の低下は研
磨粒子の粗大化によってタンク内に沈降するなどして生
じ、研磨粒子の粗大化を抑制することは、研磨レートの
適正化の観点からも重要であることがわかってきた。
置においては、研磨粒子の凝集化の低減という観点から
見ると、以下のような問題があった。
でプロペラを有する攪拌機106により攪拌を行なって
いるが、それでもスラリー中の研磨粒子の粗大化があま
り改善されていないことが判明した。
において、多くの継ぎ手を用いているが、図10に示す
ように、継ぎ手内で2つの配管が接続される領域Rgに
おいては、配管同士の間の隙間や段差が多くあり、この
部分にスラリーの溜まりが生じることにより、研磨粒子
の粗大化を加速していると考えられる。
って、タンク101の内壁にスラリーの固化物が付着
し、いったん付着した固化物がタンク101内に崩れ落
ちることによっても、粗大化粒子の増大を招いていると
思われる。
速されることで、被研磨物におけるマイクロスクラッチ
の発生や、研磨レートの低下・不安定化が生じていた。
ーの攪拌方法やスラリーの循環方法の改善、配管の内部
における段差や隙間のある部分の低減、スラリー固化物
のタンク内壁への付着の抑制などを図ることにより、研
磨粒子の粗大化を抑制し、もって、被研磨物におけるマ
イクロスクラッチの低減や、研磨レートの適正化を図る
ことにある。
供給装置は、化学機械的研磨装置に対して研磨剤である
スラリーを供給するためのスラリー供給装置であって、
スラリーを貯溜するための容器と、上記容器からスラリ
ーを吸引するための第1のノズルと、上記容器にスラリ
ーを戻すための第2のノズルと、上記化学機械的研磨装
置にスラリーを滴下するための第3のノズルと、上記第
1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリーを化
学機械的研磨装置に供給するための第1の配管と、上記
第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記第1
の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第3の
ノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻すた
めの第2の配管と、上記第1の配管を流れるスラリーの
上記第3のノズルと上記第2の配管とに対する供給量を
調節するための調節弁と、上記第1及び第2の配管のう
ち少なくともいずれか一方の配管に介設され、スラリー
を強制的に流すためのポンプと、上記化学機械的研磨装
置の運転中には、上記ポンプを常時運転させる一方、上
記化学機械的研磨装置のアイドル中には、上記ポンプを
間欠的に運転させるように制御する制御手段とを備えて
いる。
磨剤中の研磨粒子が衝突するなどの原因によって粗大化
する研磨粒子の量をできるだけ少なく抑制することがで
きる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための容器と、上記容器からスラリーを吸引するため
の第1のノズルと、上記容器にスラリーを戻すための第
2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴
下するための第3のノズルと、上記第1のノズル及び第
3のノズルに接続され、スラリーを化学機械的研磨装置
に供給するための第1の配管と、上記第2のノズル及び
上記第1の配管に接続され、上記第1の配管を流れるス
ラリーの少なくとも一部を上記第3のノズルからバイパ
スさせて、上記第2のノズルに戻すための第2の配管
と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズ
ルと上記第2の配管とに対する供給量を調節するための
調節弁と、上記第1及び第2の配管のうち少なくともい
ずれか一方の配管に介設され、スラリーを強制的に流す
ためのポンプを備えるとともに、上記第1のノズルは、
上記容器の底面から一定値だけ上方に位置する部位から
スラリーを吸入するように構成されている。
粗大化した研磨粒子が第1のノズルに吸い込まれて化学
機械的研磨装置に送られるのを抑制することができる。
記第1のノズルは、上記容器の底面から5cm以上の高
さ位置にあるスラリーを吸入するように構成されている
ことが好ましい。
記第1のノズルの先端面は、軸方向に対して斜めにカッ
トされた形状を有しているか、上記第1のノズルの先端
面が封鎖されていて、側面にスラリーを吸引するための
複数の開口が設けられていることが好ましい。
記第1のノズルの高さを調節する機構をさらに備えてい
ることをが好ましい。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための容器と、上記容器からスラリーを吸引するため
の第1のノズルと、上記容器にスラリーを噴出するため
の第2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にスラリー
を滴下するための第3のノズルと、上記第1のノズル及
び第3のノズルに接続され、スラリーを化学機械的研磨
装置に供給するための第1の配管と、上記第2のノズル
及び上記第1の配管に接続され、上記第1の配管を流れ
るスラリーの少なくとも一部を上記第3のノズルからバ
イパスさせて、上記第2のノズルに戻すための第2の配
管と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノ
ズルと上記第2の配管とに対する供給量を調節するため
の調節弁と、上記第2の配管に介設され、スラリーを強
制的に流すためのポンプを備えるとともに、上記第2の
ノズルは、上記容器の底面から一定値だけ上方に位置す
る部位から容器内にスラリーを噴出するように構成され
ている。
機構を設けなくても、スラリーの噴出によって容器内の
スラリーが攪拌される。したがって、プロペラなどの過
大なエネルギーが研磨粒子に作用することに起因する研
磨粒子の粗大化を抑制することができる。
記第2のノズルは、上記容器の底面から5cm以下の位
置から容器内にスラリーを噴出するように構成されてい
ることが好ましい。
記第2のノズルの先端における開口径が小さく絞られて
いることにより、噴出されるスラリーの速度が高められ
るので、より大きな攪拌作用が得られる。
記第2のノズルの高さ位置を調節する機構をさらに備え
ていることが好ましい。
記第2のノズルは、容器内に複数本配置されていること
が好ましい。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための容器と、上記容器からスラリーを吸引するため
の第1のノズルと、上記容器にスラリーを戻すための第
2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴
下するための第3のノズルと、上記第1のノズル及び第
3のノズルに接続され、スラリーを化学機械的研磨装置
に供給するための第1の配管と、上記第2のノズル及び
上記第1の配管に接続され、上記第1の配管を流れるス
ラリーの少なくとも一部を上記第3のノズルからバイパ
スさせて、上記第2のノズルに戻すための第2の配管
と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズ
ルと上記第2の配管とに対する供給量を調節するための
調節弁と、上記第1及び第2の配管のうち少なくともい
ずれか一方の配管に介設され、スラリーを強制的に流す
ためのポンプとを備えるとともに、上記第1の配管及び
上記第2の配管の中間部分において、継ぎ手が設けられ
ていない。
継ぎ手内における段差や隙間をなくすことができるの
で、スラリーの滞留に起因する粗大化した研磨粒子の発
生を抑制することができる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための容器と、上記容器からスラリーを吸引するため
の第1のノズルと、上記容器にスラリーを戻すための第
2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴
下するための第3のノズルと、上記第1のノズル及び第
3のノズルに接続され、スラリーを化学機械的研磨装置
に供給するための第1の配管と、上記第2のノズル及び
上記第1の配管に接続され、上記第1の配管を流れるス
ラリーの少なくとも一部を上記第3のノズルからバイパ
スさせて、上記第2のノズルに戻すための第2の配管
と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズ
ルと上記第2の配管とに対する供給量を調節するための
調節弁と、上記第1及び第2の配管のうち少なくともい
ずれか一方の配管に介設され、スラリーを強制的に流す
ためのポンプとを備えるとともに、上記第1の配管及び
上記第2の配管のコーナー部における曲率半径は5cm
以上である。
の溜まりをなくすことができるので、粗大化した研磨粒
子の発生を抑制することができる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための密閉された容器と、上記容器からスラリーを吸
引するための第1のノズルと、上記容器にスラリーを戻
すための第2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にス
ラリーを滴下するための第3のノズルと、上記第1のノ
ズル及び第3のノズルに接続され、スラリーを化学機械
的研磨装置に供給するための第1の配管と、上記第2の
ノズル及び上記第1の配管に接続され、上記第1の配管
を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第3のノズル
からバイパスさせて、上記第2のノズルに戻すための第
2の配管と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第
3のノズルと上記第2の配管とに対する供給量を調節す
るための調節弁と、上記第1及び第2の配管のうち少な
くともいずれか一方の配管に介設され、スラリーを強制
的に流すためのポンプと、外部からウエット雰囲気のガ
スを供給するウエットガス供給手段とを備えている。
ので、容器内の液面が変化しても、内壁におけるスラリ
ーの固化物の発生を確実に防止することができる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給装置であって、スラリーを貯溜す
るための容器と、上記容器からスラリーを吸引するため
の第1のノズルと、上記容器にスラリーを戻すための第
2のノズルと、上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴
下するための第3のノズルと、上記第1のノズル及び第
3のノズルに接続され、スラリーを化学機械的研磨装置
に供給するための第1の配管と、上記第2のノズル及び
上記第1の配管に接続され、上記第1の配管を流れるス
ラリーの少なくとも一部を上記第3のノズルからバイパ
スさせて、上記第2のノズルに戻すための第2の配管
と、上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズ
ルと上記第2の配管とに対する供給量を調節するための
調節弁と、上記第1及び第2の配管のうち少なくともい
ずれか一方の配管に介設され、スラリーを強制的に流す
ためのポンプと、上記容器に付設され、上記容器からス
ラリーをサンプリングのために採取するためのサンプリ
ングポートとを備えている。
ーできるので、化学機械的研磨作業を安定した状態で行
うことができる。
記サンプリングポートは、上記容器の上部,中間部及び
底部に取り付けられていることが好ましい。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給方法であって、上記化学機械的研
磨装置の運転中には、上記スラリーを貯溜する容器から
スラリーを取り出して、上記化学機械的研磨装置に供給
した残りのスラリーを上記容器に戻すスラリーの循環を
常時行なう一方、上記化学機械的研磨装置のアイドル中
には、上記容器から取り出したスラリーを全て上記容器
に戻すスラリーの循環を間欠的に行なう方法である。
給装置と同様の作用効果を発揮することができる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給方法であって、上記スラリーを貯
溜する容器内から上記化学機械的研磨装置にスラリーを
供給する際に、上記容器の底面から一定の高さ以上の範
囲のスラリーを供給する方法である。
給装置と同様の作用効果を発揮することができる。
機械的研磨装置に対して研磨剤であるスラリーを供給す
るためのスラリー供給方法であって、上記スラリーを貯
溜する容器内には、上記容器にスラリーを戻すための配
管に配置したポンプの圧力によりスラリーを上記容器の
底面から一定の高さ位置から噴出させて、容器内のスラ
リーを攪拌する方法である。
給装置と同様の作用効果を発揮することができる。
スラリー供給装置A及びCMP装置の構成を概略的に示
す図である。
リー供給装置Aは、内部が密閉された2つのスラリーボ
トル1,2と、各スラリーボトル1,2からCMP装置
6まで延びる配管系統3と、各スラリーボトル1,2に
供給される湿気を含んだ窒素(ウエット窒素)を生成す
るためのウエット窒素生成装置4と、ウエット窒素生成
装置4からのウエット窒素を各スラリーボトル1,2に
供給するためのウエット窒素供給用配管5と、ウエット
窒素生成装置4に窒素,純水をそれぞれ供給するための
配管41,42とを備えている。
ラリー30をスラリーボトル1,2から吸引して配管系
統3に送り出すための吸引ノズル13a,13cと、ス
ラリー30をスラリーボトル1,2に噴出しながら戻す
ための噴出ノズル13b,13dとが配置されている。
そして、各ノズル13a〜13dから配管系統3の各配
管3a〜3dがそれぞれ延びている。すなわち、各吸引
ノズル13a,13cには送出側分岐配管3a,3cが
つながり、各噴出ノズル13b,13dには戻し側分岐
配管3b,3dがつながっている。そして、各送出側分
岐配管3a,3cが1つにまとまって送出側合流配管3
eとなり、この合流配管3eからCMP装置6まで延び
るスラリー供給用配管3xと、供給側の合流配管3eか
らスラリー供給用配管3xに流れなかった残りのスラリ
ー30を戻すための戻し側合流配管3fとが設けられて
おり、戻し側分岐配管3b,3dは、戻し側合流配管3
fからそれぞれ各スラリーボトル1,2に向かって分岐
している。
ー30の温度を制御するためのヒータ及びクーラーを有
する温度調節器12と、温度調節器12内に配設された
熱交換コイル3zとを備えている。そして、送出側分岐
配管3a,3cからは熱交換コイル3zにスラリーを流
すための入口側分岐配管3g,3iがそれぞれ分岐して
おり、各入口側分岐配管3g,3iが1つにまとまって
入口側合流配管3kとなってから熱交換コイル3zの入
口に接続されている。一方、熱交換コイル3zの出口か
らは出口側合流配管3lが延びた後、出口側分岐配管3
h,3jに分岐してから、戻し側分岐配管3b,3dに
それぞれ接続されている。
節するための流量調節弁7a〜7j,7xが介設されて
いる。
送液ポンプ9a,9bが介設されていて、この送液ポン
プ9a,9bによりスラリー30を各スラリーボトル
1,2の底面側に噴出している。
量を制御するための制御系10が設けられており、CM
P装置による研磨中にはスラリー30を常時循環させる
べく送液ポンプ9a,9bを常時運転する一方、CMP
装置のアイドル中には送液ポンプ9a,9bを一定の時
間間隔で交互に運転・停止させる間欠運転を行なってい
る。例えば、アイドル中には1時間に5分間程度の割合
で送液ポンプ9a,9bを運転させて、スラリー30を
循環させている。
ラリー30をサンプリングするためのサンプリングポー
ト8a〜8c,8d〜8fが付設されており、各サンプ
リングポート8a〜8c,8d〜8fには弁15a〜1
5c,15d〜15fがそれぞれ介設されている。すな
わち、スラリー30中の研磨粒子の径の分布状態などを
測定すべく、スラリーボトル1,2の上部,中間部,下
部のサンプリングポート8a〜8c,8d〜8fからス
ラリー30をいつでも採取できるように構成されてい
る。
により、吸引ノズル13a,13c及び噴出ノズル13
b,13dの高さ位置を自在に調整できるように構成さ
れている。
研磨定盤62を回転駆動するための下側回転軸61と、
研磨定盤62の上に貼り付けられたポリウレタン製の研
磨パッド63と、キャリア65を回転駆動するための上
側回転軸64とを備えており、上記キャリア65に被研
磨物であるウエハ66が取り付けられている。そして、
スラリー供給用配管3xにつながる先端ノズルから研磨
パッド63にスラリーを滴下するように構成されてい
る。
Aの概略的な構成について説明したが、そのうちの特徴
的な構成の詳細について、以下に説明する。
ル1,2内にプロペラによる攪拌機を設置せずに、噴出
ノズル13b,13dによるスラリー30の噴出によっ
てスラリー30の攪拌を行なっている。これは、以下の
実験結果に基づく改良点である。
による攪拌前と攪拌後における研磨粒子の径分布を示す
グラフである。図2(a)に示すように、プロペラによ
る攪拌前における研磨粒子の径は0.06〜0.3μm
の範囲に分布している。それに対し、図2(b)に示す
ように、プロペラによる攪拌後における研磨粒子の径
は、0.06〜4μmの範囲に分布しており、500n
m以上の粒径を持つ研磨粒子が増大していることがわか
る。これは、研磨粒子とプロペラとの衝突の際に、研磨
粒子の分散状態を維持するための電気的立体構造が崩れ
るなどシリカの表面の状態が変化し、プロペラ周辺の局
部的なエネルギー発生の影響によって研磨粒子同士が衝
突することで、研磨粒子が凝集し沈降することによると
考えられる。
a,9bの循環圧力によりスラリー30を噴出させてス
ラリー30を攪拌することにより、スラリーの凝集を抑
制することができる。特に、本実施形態においては、ノ
ズル高さ位置調整機構11b,11dにより噴出ノズル
13b,13dの高さ位置が調整可能に構成されている
ので、スラリーボトル1,2内のスラリー30の攪拌作
用を最大限発揮できる位置に噴出ノズル13b,13d
を設置することができる。
において1つの噴出ノズル13b,13dしか示されて
いないが、これらは必要に応じて多数本配置することが
でき、これにより、攪拌作用を高めることができる。
は、噴出ノズル13b,13dの高さ位置はスラリーボ
トル1,2の底面から5cm以下であることが好まし
い。
分をより小さく絞ることにより、スラリー30の噴出速
度を高めることができるので、攪拌作用も向上する。
用したスラリー30の噴出による攪拌方式においても、
ある程度の凝集は生じているものと思われる。これは、
CMP装置6におけるウエハの研磨中においても、ある
いは非研磨時(アイドル中)においても、ポンプ9a,
9bの循環圧力の影響で研磨粒子同士が衝突し、研磨粒
子の分散状態を維持するための電気的立体構造が崩れ、
凝集することはありうるからである。一方、全く攪拌を
行なわなかった場合、スラリーボトル1,2内でのスラ
リーの沈降が生じるため、固形分濃度が不均一になり、
均一な研磨を行なうことができなくなる。この現象は、
スラリーの種類などによっても異なるが、48〜72時
間程度で現れる。したがって、アイドル中にスラリーの
攪拌を全く行なわないのでは、48〜72時間が経過す
るたびにスラリー30を交換する必要が生じ、研磨作業
の支障を招く。
り、ポンプ9a,9bを間欠的に運転させるように制御
している。すなわち、CMP装置6による研磨中は、ポ
ンプ9a,9bは常時運転させてスラリー30の循環と
噴出による攪拌とを常時行なっているが、非研磨時つま
りアイドル状態ではポンプ9a,9bを間欠的に運転し
て、スラリー30の循環と攪拌とを間欠的に行なってい
る。具体的には、アイドル状態においては、1時間につ
いて5分間程度だけポンプ9a,9bの運転を行なって
いる。
a,9bの運転を常時行なった場合と、アイドル状態に
おいてポンプ9a,9bの運転を間欠的に行なった場合
とにおける使用時間の経過に対する研磨粒子のメジアン
径の変化を示すデータである。同図に示すように、常時
運転の場合には、メジアン径がすぐに0.3μm程度に
達するのに対し、間欠運転の場合には、メジアン径は
0.15μm前後に維持されている。
循環用のポンプ9a,9bの間欠運転により、研磨粒子
の粗大化を効果的に抑制することができる。この方法
は、研磨粒子の粗大化によるスラリー30の寿命はスラ
リーの循環時間によって決まるのであれば、循環を必要
な時間だけ行なうという考え方でもある。
拌方法とについて、スラリーボトルにおける上部,中間
部及び底部から採取したスラリーの30μl中の粗大化
粒子(径が500nm以上のもの)の数と、各部のスラ
リーを用いてCMPを行なったときの被研磨物(ウエ
ハ)上のマイクロスクラッチの数とを示す表である。表
1に示されるように、従来の攪拌方法の場合には、上部
における粗大化した研磨粒子数は少ないものの、中間部
及び底部における粗大化した研磨粒子数は非常に多く、
不均一な分布状態となっていることがわかる。本発明の
攪拌方法によって、スラリーボトル1,2の上部,中間
部,底部における粗大化した研磨粒子数は低減するとと
もに、均一化されていることがわかる。
同図に示すように、底部に沈殿しているスラリーは粗大
化した研磨粒子の数が特に多く、これを用いてCMPを
行なったときのマイクロスクラッチの数もこれにほぼ比
例して多い。
1と各ノズル13a,13bの詳細構造を示す断面図で
ある。ただし、図1に示す他方のスラリーボトル2及び
各ノズル13c,13dも図5に示す構造を有してい
る。
なっていないので、スラリーボトル1,2の底部におい
て粗大化した研磨粒子の沈殿はほとんど生じない。しか
しながら、攪拌前から、凝集しているシリカ粒子の混入
やスラリー30の沈降が生じている可能性はある。
磨粒子が沈降している可能性のあるスラリーボトル1,
2の底部からはスラリーを吸引しないようにする。例え
ば、スラリーボトル1,2の底面から3cm以上の高さ
位置にある範囲では粗大化した研磨粒子をほとんど含ま
ないスラリー30aが存在し、スラリーボトル1,2か
ら3cmよりも小さい高さ位置にある範囲では、粗大化
した研磨粒子を多く含む沈降したスラリー30bがある
可能性がある。そこで、スラリーボトル1,2の底面か
ら5cmよりも小さい高さ位置にある範囲のスラリーは
吸引しない構造とすることで、粗大化した研磨粒子がC
MP装置に送られるのを確実に防止することができる。
a,11bにより、吸引ノズル13a,13cの高さ位
置を調整可能に構成することにより、上述の効果をより
顕著に発揮することができる。
対して斜めにカットされた楕円形の端面形状を有し、噴
出ノズル13bは先端が軸方向に対して垂直にカットさ
れた円形の端面形状を有している。
態の吸引ノズル13aと従来の吸引ノズルとの先端面形
状の相違による吸引領域の相違を示す図である。図6
(b)に示すように、従来の先端が軸方向に対して垂直
にカットされた吸引ノズルには、主としてスラリーボト
ルの底部付近からスラリーが吸引されるので、スラリー
ボトルの底部に滞留しがちな粗大化した研磨粒子も吸引
されてCMP装置に送られる結果、被研磨物のマイクロ
スクラッチの増大や研磨レートの低下などを招いてい
た。それに対し、図6(a)に示すように、本実施形態
の吸引ノズル13aが斜めにカットされた先端面を有し
ていることで、スラリーボトル1の底部に滞留しがちな
粗大化した研磨粒子の取り込みを抑制することができ、
被研磨物(ウエハ66)のマイクロスクラッチの発生や
研磨レートの低下などを抑制することができる。ただ
し、吸引ノズル13a,13cの先端を封鎖しておき、
円筒面に複数の開口を設けて、この複数の開口からスラ
リー30を吸引するようにしても、本実施形態と同様の
効果を発揮することはできる。
部には継ぎ手を設けずに、溶接による接続を行なってい
る。合流配管と分岐配管との接続部と、容器と配管との
接続部も溶接により接続する。さらに、配管のコーナー
部の形状は、例えば曲率半径が5cm以上の曲線形状と
して、スラリー30の溜まりをなくすようにしている。
り、スラリー30の流通路において、従来のような直線
部や曲線部に使用されていた継ぎ手内における段差や隙
間の存在を解消し、スラリー30の滞留に起因する粗大
化した研磨粒子の発生を抑制することができる。
す特性図である。同図に示すように、スラリー温度が高
くなるにつれて研磨レートが低下する傾向があるが、ス
ラリー温度20〜26℃の範囲では、研磨レートはそれ
ほど大きく変化していない。そこで、本実施形態では、
図1に示す温度調節器12により、スラリー30の一部
を循環経路から分流させて温度調節を行なうことによ
り、研磨レートの安定化を図ることができる。
トル1,2が密閉され、しかも、内部がウエット窒素で
満たされているので、スラリーボトル1,2の内部にお
けるスラリーの固化が抑制される。すなわち、スラリー
ボトル1,2内では、蒸発したNH4 OHやウエット窒
素によってスラリーボトル1,2内の湿度を95%以上
に高めている。したがって、スラリーボトル1,2内の
液面が変化しても、スラリーボトル1,2の内壁におけ
るスラリーの固化物の発生を確実に防止することができ
る。
確認すべく、スラリーボトル1,2に、それぞれサンプ
リングポート8a〜8c,8d〜8fを設けているの
で、スラリーが寿命に達する時点の正確な判断や、異常
状態の発生時における異常解消のための措置や、異常状
態に突入する前の状態の検知による異常状態の発生の阻
止などが可能となり、CMP作業を安定した状態で行う
ことができる。
子としてシリカが広く用いられ、以上の説明ではこれを
実施形態として示したが、本発明は、このような半導体
装置の製造分野に限られるものではなく、研磨材料もシ
リカに限定されるものではない。すなわち、半導体結晶
体から半導体ウエハを製造する際や、半導体以外のウエ
ハの製造や、半導体デバイス以外のデバイスの製造プロ
セス中のCMP及びCMP以外の研磨方式において、ス
ラリー状の研磨材を使用する際の凝集による研磨粒子の
粗大化を防止するために利用することができる。シリカ
以外の研磨剤としては、例えば酸化セリウム,アルミ
ナ,酸化マンガンなどを用いる場合に適用することがで
きる。
供給方法によれば、化学機械的研磨装置に研磨剤を供給
するに際し、アイドル中における研磨剤の循環を間欠的
に行い、あるいは容器内におけるスラリーの攪拌をスラ
リーの噴射だけで行なうなど、研磨剤中の研磨粒子の凝
集を促進する原因を突き止めて、それらの原因を取り除
くことにより、研磨粒子の粗大化を抑制し、もって、被
研磨物におけるマイクロスクラッチの発生を抑制し、研
磨レートの安定化を図ることができる。
CMP装置の構成を概略的に示す図である。
る研磨粒子の径分布を示すグラフである。
った場合と間欠運転を行なった場合における使用時間の
経過に対する研磨粒子のメジアン径の変化を示すデータ
である。
び底部から採取したスラリーの粗大化粒子の数とマイク
ロスクラッチの数との相関関係を示すグラフである。
引ノズル,噴出ノズルとの形状や位置関係を説明するた
めの断面図である。
ノズルとの先端面形状の相違による吸引領域の相違を示
す図である。
す特性図である。
である。
分濃度が互いに異なる2種類のスラリーの研磨レートの
相違を比較するグラフである。
研磨剤が流れる配管系統において設けられている継ぎ手
の構造を示す断面図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤であ
るスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プと、 上記化学機械的研磨装置の運転中には、上記ポンプを常
時運転させる一方、上記化学機械的研磨装置のアイドル
中には、上記ポンプを間欠的に運転させるように制御す
る制御手段とを備えていることを特徴とするスラリー供
給装置。 - 【請求項2】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤であ
るスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プを備えるとともに、 上記第1のノズルは、上記容器の底面から一定値だけ上
方に位置する部位からスラリーを吸入するように構成さ
れていることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項3】 請求項2記載のスラリー供給装置におい
て、 上記第1のノズルは、上記容器の底面から5cm以上の
高さ位置にあるスラリーを吸入するように構成されてい
るスラリー供給装置。 - 【請求項4】 請求項2又は3記載のスラリー供給装置
において、 上記第1のノズルの先端面は、軸方向に対して斜めにカ
ットされた形状を有していることを特徴とするスラリー
供給装置。 - 【請求項5】 請求項2又は3記載のスラリー供給装置
において、 上記第1のノズルの先端面は、封鎖されており、 上記第1のノズルの側面には、スラリーを吸引するため
の複数の開口が設けられていることを特徴とするスラリ
ー供給装置。 - 【請求項6】 請求項2〜5のうちいずれか1つに記載
のスラリー供給装置において、 上記第1のノズルの高さを調節する機構をさらに備えて
いることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項7】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤であ
るスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを噴出するための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第2の配管に介設され、スラリーを強制的に流すた
めのポンプを備えるとともに、 上記第2のノズルは、上記容器の底面から一定値だけ上
方に位置する部位から容器内にスラリーを噴出するよう
に構成されていることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項8】 請求項7記載のスラリー供給装置におい
て、 上記第2のノズルは、上記容器の底面から5cm以下の
位置から容器内にスラリーを噴出するように構成されて
いることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項9】 請求項7又は8記載のスラリー供給装置
において、 上記第2のノズルの先端における開口径は小さく絞られ
ていることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項10】 請求項7〜9のうちいずれか1つに記
載のスラリー供給装置において、 上記第2のノズルの高さ位置を調節する機構をさらに備
えていることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項11】 請求項7〜10のうちいずれか1つに
記載のスラリー供給装置において、 上記第2のノズルは、容器内に複数本配置されているこ
とを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項12】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プとを備えるとともに、 上記第1の配管及び上記第2の配管の中間部分におい
て、継ぎ手が設けられていないことを特徴とするスラリ
ー供給装置。 - 【請求項13】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プとを備えるとともに、 上記第1の配管及び上記第2の配管のコーナー部におけ
る曲率半径は5cm以上であることを特徴とするスラリ
ー供給装置。 - 【請求項14】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための密閉された容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プと、 外部からウエット雰囲気のガスを供給するウエットガス
供給手段とを備えていることを特徴とするスラリー供給
装置。 - 【請求項15】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給装置であっ
て、 スラリーを貯溜するための容器と、 上記容器からスラリーを吸引するための第1のノズル
と、 上記容器にスラリーを戻すための第2のノズルと、 上記化学機械的研磨装置にスラリーを滴下するための第
3のノズルと、 上記第1のノズル及び第3のノズルに接続され、スラリ
ーを化学機械的研磨装置に供給するための第1の配管
と、 上記第2のノズル及び上記第1の配管に接続され、上記
第1の配管を流れるスラリーの少なくとも一部を上記第
3のノズルからバイパスさせて、上記第2のノズルに戻
すための第2の配管と、 上記第1の配管を流れるスラリーの上記第3のノズルと
上記第2の配管とに対する供給量を調節するための調節
弁と、 上記第1及び第2の配管のうち少なくともいずれか一方
の配管に介設され、スラリーを強制的に流すためのポン
プと、 上記容器に付設され、上記容器からスラリーをサンプリ
ングのために採取するためのサンプリングポートとを備
えていることを特徴とするスラリー供給装置。 - 【請求項16】 請求項16記載のスラリー供給装置に
おいて、 上記サンプリングポートは、上記容器の上部,中間部及
び底部に取り付けられていることを特徴とするスラリー
供給装置。 - 【請求項17】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給方法であっ
て、 上記化学機械的研磨装置の運転中には、上記スラリーを
貯溜する容器からスラリーを取り出して、上記化学機械
的研磨装置に供給した残りのスラリーを上記容器に戻す
スラリーの循環を常時行なう一方、 上記化学機械的研磨装置のアイドル中には、上記容器か
ら取り出したスラリーを全て上記容器に戻すスラリーの
循環を間欠的に行なうことを特徴とするスラリー供給方
法。 - 【請求項18】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給方法であっ
て、 上記スラリーを貯溜する容器内から上記化学機械的研磨
装置にスラリーを供給する際に、上記容器の底面から一
定の高さ以上の範囲のスラリーを供給することを特徴と
するスラリー供給方法。 - 【請求項19】 化学機械的研磨装置に対して研磨剤で
あるスラリーを供給するためのスラリー供給方法であっ
て、 上記スラリーを貯溜する容器内には、上記容器にスラリ
ーを戻すための配管に配置したポンプの圧力によりスラ
リーを上記容器の底面から一定の高さ位置から噴出させ
て、容器内のスラリーを攪拌することを特徴とするスラ
リー供給方法。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33263498A JP3538042B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
TW088120444A TW436918B (en) | 1998-11-24 | 1999-11-23 | Apparatus and method for feeding slurry |
US09/447,573 US6319099B1 (en) | 1998-11-24 | 1999-11-23 | Apparatus and method for feeding slurry |
KR1019990052320A KR100611830B1 (ko) | 1998-11-24 | 1999-11-24 | 슬러리 공급 장치 및 슬러리 공급방법 |
US09/731,011 US6585560B2 (en) | 1998-11-24 | 2000-12-07 | Apparatus and method for feeding slurry |
US09/982,064 US6790127B2 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-19 | Apparatus and method for feeding slurry |
US10/737,910 US7166018B2 (en) | 1998-11-24 | 2003-12-18 | Apparatus and method for feeding slurry |
US10/865,822 US7249995B2 (en) | 1998-11-24 | 2004-06-14 | Apparatus and method for feeding slurry |
US10/866,040 US7052377B2 (en) | 1998-11-24 | 2004-06-14 | Apparatus and method for feeding slurry |
KR1020060008185A KR100603672B1 (ko) | 1998-11-24 | 2006-01-26 | 슬러리 공급장치 |
KR1020060008192A KR100668186B1 (ko) | 1998-11-24 | 2006-01-26 | 슬러리 공급장치 |
US11/406,459 US7331844B2 (en) | 1998-11-24 | 2006-04-19 | Polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33263498A JP3538042B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003378411A Division JP4276521B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | スラリー供給装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003378417A Division JP2004098286A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | スラリー供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000158339A true JP2000158339A (ja) | 2000-06-13 |
JP3538042B2 JP3538042B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18257156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33263498A Expired - Fee Related JP3538042B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US6319099B1 (ja) |
JP (1) | JP3538042B2 (ja) |
KR (3) | KR100611830B1 (ja) |
TW (1) | TW436918B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197577A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd | 研磨用流体の供給装置及び供給方法 |
KR100428787B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치 |
KR100454120B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-10-26 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법 |
US7249995B2 (en) | 1998-11-24 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for feeding slurry |
JP2014130673A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3426149B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2003-07-14 | 富士通株式会社 | 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置 |
US20030010792A1 (en) | 1998-12-30 | 2003-01-16 | Randy Forshey | Chemical mix and delivery systems and methods thereof |
US6464562B1 (en) * | 2001-12-19 | 2002-10-15 | Winbond Electronics Corporation | System and method for in-situ monitoring slurry flow rate during a chemical mechanical polishing process |
US6884145B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-04-26 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | High selectivity slurry delivery system |
KR100570371B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-04-11 | 동부아남반도체 주식회사 | 슬러리 유량 제어 장치 및 방법 |
EP1627431A1 (de) * | 2003-05-27 | 2006-02-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Bidirektionaler schalter und verwendung des schalters |
US20040266192A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Lam Research Corporation | Application of heated slurry for CMP |
CA2455011C (en) | 2004-01-09 | 2011-04-05 | Suncor Energy Inc. | Bituminous froth inline steam injection processing |
SG118271A1 (en) * | 2004-06-11 | 2006-01-27 | Jetsis Int Pte Ltd | Uninterrupted abrasive fluid supply |
US7040970B2 (en) * | 2004-07-15 | 2006-05-09 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for distributing a polishing fluid |
CA2476194C (en) | 2004-07-30 | 2010-06-22 | Suncor Energy Inc. | Sizing roller screen ore processing apparatus |
US7427227B2 (en) * | 2005-08-30 | 2008-09-23 | Denso Corporation | Method and apparatus for fluid polishing |
EP1943320B1 (en) * | 2005-10-25 | 2009-04-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for testing a slurry used to form a semiconductor device |
US8393561B2 (en) | 2005-11-09 | 2013-03-12 | Suncor Energy Inc. | Method and apparatus for creating a slurry |
US20090274596A1 (en) * | 2006-02-24 | 2009-11-05 | Ihi Compressor And Machinery Co., Ltd. | Method and apparatus for processing silicon particles |
JP2007268678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Elpida Memory Inc | 研磨装置及び研磨装置の制御方法 |
DE102006056623A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens durch steuerbares Bewegen eines Schleifmittelauslasses |
EP2155373A4 (en) * | 2007-05-09 | 2014-10-22 | Foresight Proc Llc | SYSTEMS AND METHOD FOR THE MIXTURE AND DISTRIBUTION OF MATERIALS |
KR100893109B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-04-10 | 플러스테크주식회사 | 슬러리 연속 공급장치 및 그 방법 |
US7828625B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-11-09 | United Microelectronics Corp. | Method of supplying polishing liquid |
TW200939335A (en) * | 2007-12-06 | 2009-09-16 | Advanced Tech Materials | Systems and methods for delivery of fluid-containing process material combinations |
CA2640514A1 (en) | 2008-09-18 | 2010-03-18 | Kyle Alan Bruggencate | Method and apparatus for processing an ore feed |
KR100985861B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2010-10-08 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법 |
US8297830B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry system for semiconductor fabrication |
DE102009047926A1 (de) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben |
CN102528653B (zh) * | 2010-12-30 | 2014-11-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 固定式颗粒研磨装置及其研磨方法 |
US20120289134A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Li-Chung Liu | Cmp slurry mix and delivery system |
US8696404B2 (en) * | 2011-12-21 | 2014-04-15 | WD Media, LLC | Systems for recycling slurry materials during polishing processes |
CN105188760A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-12-23 | 赫尔克里士公司 | 共处理的涂覆有硅石的聚合物组合物 |
US9770804B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-09-26 | Versum Materials Us, Llc | Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture |
TWI517935B (zh) * | 2013-04-16 | 2016-01-21 | 國立台灣科技大學 | 氣體添加硏磨液的供應系統及其方法 |
JP6140051B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2017-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP6538952B1 (ja) * | 2018-12-11 | 2019-07-03 | 株式会社西村ケミテック | 研磨液供給装置 |
KR102147798B1 (ko) * | 2020-04-13 | 2020-08-25 | (주)이노하이텍 | 인덕터용 연자성 분말 페이스트 토출 및 검수 시스템 |
CN114699941A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-07-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种液体混合装置、供给系统及供给方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1735600A (en) * | 1923-12-24 | 1929-11-12 | Libbey Owens Glass Co | Abrasive-feeding system for glass-grinding machines |
US3857123A (en) * | 1970-10-21 | 1974-12-31 | Monsanto Co | Apparatus for waxless polishing of thin wafers |
JPS5759052A (en) | 1980-09-26 | 1982-04-09 | Toyota Motor Corp | Auxiliary intake system of fuel injection engine |
US4678119A (en) * | 1982-10-12 | 1987-07-07 | Buehler Ltd. | Abrasive slurry supply system for use in metallographic sample preparation |
JPS6268276A (ja) | 1985-09-20 | 1987-03-28 | Hitachi Ltd | 研磨剤循環装置 |
JPS62188672A (ja) | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | 研磨液供給装置 |
JPH01163056A (ja) | 1987-12-21 | 1989-06-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 振動、騒音の低減方法 |
FI94513C (fi) * | 1989-08-08 | 1995-09-25 | Merpro Tortek Ltd | Laite irtoainesten hydrauliseksi siirtämiseksi |
JPH03208555A (ja) | 1990-01-12 | 1991-09-11 | Takatori Haitetsuku:Kk | ワイヤソーの砥液循環供給装置 |
US5184164A (en) * | 1990-06-01 | 1993-02-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosensitive material processor |
JPH0645300A (ja) | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウェーハの研磨方法および装置 |
JP3260542B2 (ja) | 1994-03-15 | 2002-02-25 | 株式会社東芝 | 研磨装置 |
JP2738291B2 (ja) * | 1994-02-14 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 機械・化学研磨方法および研磨装置 |
JPH07251198A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-10-03 | Nisshin Steel Co Ltd | 汚泥撹拌式給排水方法及び装置 |
JPH08142981A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | スラリー輸送船 |
JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
GB2302596B (en) * | 1995-06-22 | 1999-02-03 | Kodak Ltd | Method of photographic processing with solution replenishment |
US5750440A (en) * | 1995-11-20 | 1998-05-12 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for dynamically mixing slurry for chemical mechanical polishing |
GB9600112D0 (en) * | 1996-01-04 | 1996-03-06 | Kodak Ltd | Improvements in or relating to photographic processsing apparatus |
JPH09285968A (ja) | 1996-02-20 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 混合液供給装置とそれを有する半導体の研磨装置及び混合液供給方法と半導体の研磨方法 |
US6059920A (en) * | 1996-02-20 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device polishing apparatus having improved polishing liquid supplying apparatus, and polishing liquid supplying method |
JPH09234669A (ja) | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研磨スラリーの供給方法 |
US5885134A (en) * | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JPH101582A (ja) | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 帯電防止高分子物質組成物 |
JPH1015822A (ja) | 1996-07-01 | 1998-01-20 | Canon Inc | 研磨剤供給装置における研磨剤循環方法 |
US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
JPH1052816A (ja) * | 1996-08-13 | 1998-02-24 | M Ii M C Kk | ワイヤ式切断方法 |
JP3341601B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2002-11-05 | 日本電気株式会社 | 研磨剤の回収再利用方法および装置 |
JPH10235546A (ja) | 1996-12-26 | 1998-09-08 | Nippei Toyama Corp | ワイヤソー |
US5957759A (en) * | 1997-04-17 | 1999-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Slurry distribution system that continuously circulates slurry through a distribution loop |
JPH1110540A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-19 | Speedfam Co Ltd | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
US6024227A (en) * | 1997-08-04 | 2000-02-15 | Ahlstrom Machinery Inc. | Tramp material removal from pulp feed systems |
JP3788550B2 (ja) | 1997-10-31 | 2006-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 砥液供給装置 |
EP0913233B1 (en) * | 1997-10-31 | 2005-05-11 | Ebara Corporation | Polishing solution supply system |
JP3085269B2 (ja) | 1997-12-04 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | 研磨剤供給装置及び研磨剤保管容器 |
EP0990486B1 (en) * | 1997-12-08 | 2004-04-14 | Ebara Corporation | Polishing solution feeder |
NL1009584C2 (nl) * | 1998-07-07 | 2000-01-10 | Skf Eng & Res Centre Bv | Actuator voorzien van een centrale steun, alsmede remklauw met een dergelijke actuator. |
US6165048A (en) * | 1998-11-10 | 2000-12-26 | Vlsi Technology, Inc. | Chemical-mechanical-polishing system with continuous filtration |
JP3538042B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
US6200202B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-03-13 | Seh America, Inc. | System and method for supplying slurry to a semiconductor processing machine |
JP3432161B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 研磨液供給装置 |
KR100304703B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2001-09-26 | 윤종용 | 필터의 기능을 감지하는 제어기를 갖는 반도체소자의 제조장비 |
JP3748731B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2006-02-22 | 株式会社荏原製作所 | 砥液供給装置 |
US6557108B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-04-29 | 3Com Corporation | System and method in a modem for providing a shortened reset pulse upon receipt of an external reset pulse |
US6283840B1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus |
JP3760064B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2006-03-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の平坦化加工装置 |
US6203412B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Submerge chemical-mechanical polishing |
US6306020B1 (en) * | 2000-03-10 | 2001-10-23 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Multi-stage slurry system used for grinding and polishing materials |
US6387289B1 (en) * | 2000-05-04 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6544109B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | Slurry delivery and planarization systems |
US6431950B1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-08-13 | Micron Technology, Inc. | Point-of-use fluid regulating system for use in the chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP33263498A patent/JP3538042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-23 US US09/447,573 patent/US6319099B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-23 TW TW088120444A patent/TW436918B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 KR KR1019990052320A patent/KR100611830B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-12-07 US US09/731,011 patent/US6585560B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-19 US US09/982,064 patent/US6790127B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-18 US US10/737,910 patent/US7166018B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-14 US US10/866,040 patent/US7052377B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-14 US US10/865,822 patent/US7249995B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-26 KR KR1020060008192A patent/KR100668186B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-01-26 KR KR1020060008185A patent/KR100603672B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-19 US US11/406,459 patent/US7331844B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7249995B2 (en) | 1998-11-24 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for feeding slurry |
US7331844B2 (en) | 1998-11-24 | 2008-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method |
KR100454120B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-10-26 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법 |
US6814835B2 (en) | 2001-11-12 | 2004-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for supplying chemicals in chemical mechanical polishing systems |
KR100428787B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치 |
JP2003197577A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd | 研磨用流体の供給装置及び供給方法 |
JP2014130673A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6319099B1 (en) | 2001-11-20 |
KR20060030072A (ko) | 2006-04-07 |
US7331844B2 (en) | 2008-02-19 |
KR100668186B1 (ko) | 2007-01-11 |
US20010000166A1 (en) | 2001-04-05 |
US6790127B2 (en) | 2004-09-14 |
US7166018B2 (en) | 2007-01-23 |
KR100603672B1 (ko) | 2006-07-20 |
US7052377B2 (en) | 2006-05-30 |
TW436918B (en) | 2001-05-28 |
US20040242127A1 (en) | 2004-12-02 |
KR100611830B1 (ko) | 2006-08-11 |
US20040132386A1 (en) | 2004-07-08 |
KR20000035631A (ko) | 2000-06-26 |
US6585560B2 (en) | 2003-07-01 |
JP3538042B2 (ja) | 2004-06-14 |
US20020039878A1 (en) | 2002-04-04 |
US20050003745A1 (en) | 2005-01-06 |
KR20060030073A (ko) | 2006-04-07 |
US20060199480A1 (en) | 2006-09-07 |
US7249995B2 (en) | 2007-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3538042B2 (ja) | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 | |
US6059920A (en) | Semiconductor device polishing apparatus having improved polishing liquid supplying apparatus, and polishing liquid supplying method | |
TWI720182B (zh) | 噴嘴及工件硏磨裝置 | |
EP0990486B1 (en) | Polishing solution feeder | |
JP2003282499A (ja) | 化学的機械的研磨設備のスラリ供給装置及び方法 | |
US11396083B2 (en) | Polishing liquid supply device | |
US6802762B2 (en) | Method for supplying slurry to polishing apparatus | |
TWI810342B (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
JP2000031100A (ja) | 半導体cmp工程のスラリ供給システム | |
JP2005169605A (ja) | ワイヤソー | |
JP2004098286A (ja) | スラリー供給装置 | |
JP2003071720A (ja) | スラリー混合供給装置及びスラリー混合供給方法 | |
JP4004795B2 (ja) | 研磨用流体の供給装置 | |
JP4276521B2 (ja) | スラリー供給装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007190674A (ja) | スラリー供給装置及び研磨方法 | |
JP4431858B2 (ja) | スラリー供給装置 | |
KR100723586B1 (ko) | 약액 공급 장치 | |
JP2003197575A (ja) | 研磨剤供給装置および研磨剤供給方法 | |
US20120289134A1 (en) | Cmp slurry mix and delivery system | |
JPH09285968A (ja) | 混合液供給装置とそれを有する半導体の研磨装置及び混合液供給方法と半導体の研磨方法 | |
JP2005313266A (ja) | スラリーの供給装置と供給方法 | |
JP4486870B2 (ja) | スラリーの供給装置及びスラリーの供給方法 | |
CN217596786U (zh) | 一种抛光液输送装置以及化学机械抛光设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |