JP2000077588A - 大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケ―ジとリ―ドフレ―ム - Google Patents

大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケ―ジとリ―ドフレ―ム

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 大面積の接続ポストと改良された外形を有す
る高電流容量半導体装置パッケージとリードフレーム。 【解決手段】 ハイパワー半導体装置ダイ用のリードフ
レームは、３本の外部リード導体２５，２６，２７を有
し、外部リード導体は、それぞれダイのゲート、ドレン
及びソース接点とすることができ、外方のリード導体２
本は、くぼみ状に曲げたベント３０，３１によって、リ
ード２６の中心及びパッケージ２０から離れるように曲
げられ、これにより面２８に沿う沿面距離３２，３３を
増加させ、リード２５及２７と中心リード２６の間のよ
り高い電圧の使用を可能にしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ハイパワー半導
体装置用リードフレーム及びパッケージに関し、該リー
ドフレーム及びパッケージは、大きい接続ポストと、新
規なリードシーケンスを備えかつ隣り合うリード間の誘
電沿面距離を増加した導体を有し、また、改良された外
形を有する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード、サイリスタ並びにＭＯＳＦ
ＥＴ及びＩＧＢＴ等のＭＯＳゲート装置などの半導体装
置は、普通、装置接合を有するシリコン半導体ダイに形
成される。このダイは、金属化された底部ドレン又は他
のパワー電極を有し、また、ソース及びゲート電極又は
その他のパワー電極をその上面に有する。ダイは、大き
い導電性リードフレームパッド上に取付けられ、ダイ上
面のパワー電極は、ダイの導電性電極の領域から平坦な
接続ポストの領域にかけて複数のワイヤでワイヤ結合さ
れる接続ワイヤを備え、そして、上記平坦な接続ポスト
の領域は、リードフレームの外部リード導体に接続され
る。これらの外部リード導体は、リードフレームとダイ
をモールド被覆するモールドハウジングを貫通する。リ
ードフレームは、複数の同一のセクション、例えば、２
０以上のセクションを含むことがあり、それらに対して
は、別個のダイのを取付け、ワイヤー結合及びモールド
被覆を受け入れるための加工が同時になされる。そして
個々の装置は、モールド加工の後分離される。最終的な
装置は、良く知られた工業規格パッケージ外形、例え
ば、広く知られたＴＯ２２０又はＴＯ２４７パケージ外
形を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】公知のパッケージ構造
は、ダイパワー電極を、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴの
ソース電極又はダイオードのカソードを対応するリード
フレームポストに接続することのできる。並列配置され
る結合ワイヤの数によって制限される電流容量を有す
る。リードフレームを配置するにあっては、並列配置さ
れる結合ワイヤの数を増やすことによって、パッケージ
サイズを大きくすることなく、パーケージ抵抗を小さく
するようにすることが望ましい。
【０００４】特にパワーＭＯＳＦＥＴのようなＭＯＳゲ
ート装置用の公知のパッケージ構造は、また、従来から
ゲート、ドレン及びソースのシーケンスにおいて平行な
外部リード導体を有している。これは、ゲートリードと
ソースリードの離間距離を広げている。ソースポストの
面積を最大にしながら、ゲートリードとソースリードを
互いに隣り合わせて配置することが極めて有益である。
また、ソースリード又はその他の長い外部リードの導通
断面積を増加させるが望ましい。
【０００５】従来のモールドされたハウジングパッケー
ジでは、リードフレーム導体は、高い誘電率のハウジン
グの内部からパッケージ外部の領域に延びている。パッ
ケージの表面に沿う「沿面」距離は、このため外部導体
の外側の離間距離に関係しており、また、それらリード
間に印加される最大電圧を制限している。リードフレー
ムのリードがパッケージから突出しているパッケージ表
面に沿う沿面距離を、パケージサイズを大きくすること
なく、大きくすることが望ましい。
【０００６】公知のパッケージ構造は、リードフレーム
からプラスティックハウジングの表面を通って外部へ延
在するリード導体を有している。これらのリード導体
は、従来、矩形又はＶ字形であり、プリント基板の金属
開口に適切に嵌まり込むように設計されている。これら
導体の断面積は、過剰な加熱を生じさせることなく、装
置電流を流すに充分な大きさでなければならない。しか
しながら、基板における開口の径は制限を受けている
が、それは、開口離間の距離が装置のリード導体及びそ
れらの導電性ブッシングの離間によって定められている
からである。こられリード導体の断面積を、導体を受け
入れるプリント基板に設けられた開口の径を過度に大き
くすることなく、大きくすることが望ましい。
【０００７】現在のパッケージ形状は、比較的厚手のプ
ラスティック部分が薄手の部分に垂直の立ち上がり部で
もって連結されてなる。厚手の領域は、パッケージのリ
ード導体のエッジから、ダイの中央部上方に位置する垂
直立ち上がり部まで延びている。薄手の部分は、その出
力リード導体側と対向する側のパケージ端部まで延びて
いる。パッケージの厚手の部分への垂直立ち上がり部
は、厚手の部分の頂面と９０度の角度を形成している。
この急な角度内の材料はモールド中にプラスチック内に
気泡を溜める傾向があり、これは、装置を不良なものに
し廃棄品とすることになる。
【０００８】更にまた、上記の形状の装置が支持基板上
表面に取付けられ、そこで片持ちバネにより適所に保持
されるとき、バネは厚手のプラスティック領域の表面の
上を押圧する。従って、バネ圧は、ダイ中心の上部から
外れた位置に加わる。バネ圧が加わる位置を、パッケー
ジ内に取付けられるダイ中心の上部にすることが望まし
い。また、特別な道具を必要とすることがなく片持ちバ
ネの下にパッケージの取付けを簡単化することが望まし
い。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の第一の特徴に
よれば、リードフレームのドレンポストとゲートポスト
の面積をソースポストの面積よりも小さくすることがで
き、そのとき利用可能な面積をソースポスト面積を増加
させるために使うことができる、ということが分かる。
これによって、ダイのソース電極をリードフレームのソ
ースポストに結合する結合ワイヤの数を増して使うこと
ができ、パッケージの電流容量を増大させる。
【００１０】この発明の他の特徴によれば、例えば、Ｍ
ＯＳＦＥＴタイプのパッケージでは、リードフレームの
外部リードのシーケンスを、従来のゲート、ドレン、ソ
ースから、ゲート、ソース、ドレンの新規なシーケンス
に変更した新規なリードフレーム構造が提供される。こ
の新しいシーケンスは、ゲートとソースの接続部の離間
距離を小さくすることで、装置の適用を改善し、それゆ
え、ゲート回路の漏れインダクタンスを低下させること
になる。この新規なシーケンスは、さらにソースポスト
部の面積を増加させ、また（非常に大きな面積の底部ダ
イ接続面積を有する）ドレインポストの面積を減少させ
ることを可能にし、そして、また、ダイソースからリー
ドフレームソースパッドへの結合ワイヤの数を増加させ
て使うことができ、パッケージサイズを大きくすること
なく、パッケージ抵抗を小さくすることを可能にする。
【００１１】この発明の更なる特徴によれば、２本の最
も外側のリードが、リード導体がパッケージから出て行
くところで、リード導通の断面積を小さくすることな
く、最も中央のリードフレームリードから外方（リード
フレーム中心から）にくぼみ形（ｒｅｅｎｔｒａｎｔ）
に曲げられることができる。このように外方にくぼみ形
（ｒｅｅｎｔｒａｎｔ）に曲げることによって、外方リ
ードと中央リードとの間のパッケージ絶縁体の表面に沿
う沿面距離が増され、装置の降状ダウン電圧を増大する
ことになる。外方にくぼみ形（ｒｅｅｎｔｒａｎｔ）に
曲げるということは、長い導体をパッケージの中心から
離れる方向の略々垂直な経路に向かわせ、その後再度、
その長い導体を元の経路とは平行であるが、しかしそれ
から離間した経路に向かわせるということである。
【００１２】この発明の更なる特徴は、基板の孔径を実
質的な増大を必要とすることなし、リードフレーム外部
導体の断面積を増加させることを含む。このため、第１
の実施例によれば、通常矩形をした導体の形状をより正
方形に近づけ、より大きな面積の銅導体を同一径の孔に
嵌入させることができることが判明した。更に、矩形の
導体のエッジを僅かに面取りすることで、最終導体の総
断面積を増加させることになる。
【００１３】この発明のまた更なる特徴としては、プラ
スチックパッケージの外形は改良され、それは均一な厚
さと、リード導体エッジから延びて実質的に内部ダイの
全面積の上に延在する平坦な頂部の外表面とを有する。
リード導体に対向する側のパッケージの端部壁は、パッ
ケージの底部及びエッジに向けてテーパーが施され、垂
直に対し約４５度の角度となっている。
【００１４】この新規な構造の結果、パッケージを片持
ちバネで取付けるときに、パッケージの頂面に対するバ
ネの押圧力の中心は、ダイの中心上方に向けることがで
き、これは、表面取付け装置に力を作用させるには最も
効率的な位置である。
【００１５】更に、テーパーの付された端部面を使うこ
とで、端部面と頂面との間の角度は約１３５度に増大さ
れ、これにより、モールド中に、ダイのこの頂部エッジ
領域から気泡を排除することがより容易とすることがで
きる。
【００１６】最後に、パッケージのテーパーが付された
端面は、パッケージを楔として使用することを可能に
し、それによって、特別な道具を必要とすることなく、
パッケージを片持ちバネの上に向いたリップの下にそし
てバネの下に押し込むことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】先ず、第１図、第２図および第３
図において、この発明のある特徴を備えたＴＯ２２０型
半導体装置パッケージ２０が示されている。パッケージ
２０は、移送成形することができる従来のプラスチック
モールドハウジンク２１からなり、第２図の点線で示さ
れている半導体ダイ２２を封止している。底部の主体と
なる導電性リードフレーム板２３は、ダイ２２の底部ド
レン電極を受け止める。３本のリード導体２５、２６及
び２７は、プラスチックハウジング２１の前壁２８を通
って延びている。リード２５、２６及び２７は、それぞ
れダイ２２（それがパワーＭＯＳＦＥＴダイとすれば）
のゲート、ドレン及びソース接点とすることができ、又
は、記載されるこの発明の態様に従って、それぞれ、ゲ
ート、ソース及びドレン接点とすることができる。
【００１８】本発明の重要な特徴によれば、導体２５と
２７は、前面２８に隣接する領域で、それぞれくぼみ形
（ｒｅｅｎｔｒａｎｔｌｙ）に曲げた形状にしたベンド
３０及び３１によって、リード２６の中心及びパッケー
ジ２０から離れるように曲げられている。これにより、
面２８に沿う沿面距離３２及び３３を増加させ、リード
２５及び２７と中心リード２６の間のより高い電圧の使
用を可能にしている。
【００１９】第４図は、第１図、第２図および第３図の
パッケージ２０で使用することができるマルチセクショ
ンリードフレームの１つのセクション３５を示してい
る。陰影部３６は、第１図ないし第３図に示したように
ハウジング２１の過モールドの後、通常の手法で切り落
とされるリードフレームのセクションを示している。板
部２３は、適当な銅又は銅合金であり、例えば、１．２
７ｍｍの厚さとすることができる。半導体ダイ２２を受
止める板部２３の頂面は、メッキをすることなく、（Ｍ
ＯＳＦＥＴダイの底部ドレンなどの）ダイ２２の底部電
極を板２３に半田などにより結合するのを改良すること
ができる。リードフレーム３５のその他の部分は、ニッ
ケルメッキとすることができる。
【００２０】外部リード導体を含むフレーム３５の部分
も、ニッケルメッキした銅とし、また０．８ｍｍの厚さ
とすることができる。外部リード導体又は指部２５及び
２７は、それぞれゲート及びソースコネクタに対応する
半田ポスト４０及び４２までその末端がきている。ここ
で、半田ポスト４０及び４２は同一平面にあって、板２
３の上面の平面よりも上方の平面内にある。板２３は、
また導体２６に整列しかつそれと連続する延長部４１を
有している。このように、ダイ２２は、その頂部におい
てソース電極４３及びゲート電極４４を有している。ゲ
ート電極４４は、ポスト部（パッド２３の上方に位置し
てそれから絶縁されている）ポスト４０にワイヤ結合さ
れ、またソース電極４３はポスト４２にワイヤ結合され
る。なおポスト４２もパッド２３の上方に位置してそれ
から絶縁されている。（第２図参照）。ポスト４２の面
積が比較的小さいので、わずか２０ミルの２本の結合ワ
イヤ４５及び４６を使ってソース電極４３をポスト４２
（そして、陰影で示された余剰の金属が切り取られたと
き、外部リード伝導体又は指部２７）に結合する。
【００２１】第５図および第５ａ図は、この発明の他の
態様を示している。ソース電極４３に対しての追加の結
合ワイヤの使用を可能にする。即ち、導体２５、２６及
び２７は、それぞれゲート、ソース及びドレンの電極で
あり、第５図に示されているようにソースとゲート導体
を互いにより近づけている。さらに、ソースポスト５０
は、ここでは中央に位置し、第４図のポスト４２よりも
広い幅となっている。重要なことには、ポスト５０を、
リードフレームの幅の約１／２倍よりも大きな幅とする
ことができる。これにより、第４図のソース電極４３か
ら導体２６から延びるポスト５０までワイヤ４５及び４
６と同一の２０ミルの４本の結合ワイヤ５１、５２、５
３及び５４を使用することを可能にする。２本に代えて
４本の結合ワイヤの使用は、パッケージ抵抗を十分に小
さくし、このためパッケージ又はダイのサイズを変更す
ることなく、パッケージの電流容量を増加させることが
できる。
【００２２】結合ワイヤ４５及び４６、５１乃至５４
は、好ましくは、不純粋の少ないアルミニュウムワイヤ
（ ．９９９９の純度）であって、その径は２０ミルで
ある。一本のワイヤは、約１ミリオームの抵抗を有し、
２本並列のワイヤで約０．５ミリオームの抵抗を有し、
４本並列のワイヤで約０．２５ミリオームの抵抗を有す
る。このように、ワイヤを追加して使うことは、パッケ
ージ抵抗を実質的に小さくさせる。
【００２３】細いゲート結合ワイヤのみを受入れるゲー
トポスト５６は、その面積が小さくされており、パッド
２３からのパッド延長部４１は移動され、リード導体２
７に整列かつ接続されている。ここで、ドレイン導体２
７は、パッド２３の電位にある。
【００２４】第６図は、新規なリードフレームを、ＭＯ
ＳＦＥＴダイ２２用ではなく、ダイオードダイ６０用の
ものとして示している。即ち、第６図においては、ダイ
オードは、パッド２３に結合された底部電極を有してい
る。ワイヤ結合ポストは改良され、第５図のポスト５０
及び５６を共に単一の大きな面積のポスト６１として一
体化させている。ポスト６１は、ダイオード頂部電極６
７から５本の結合ワイヤ６２、６３、６４、６５及び６
６の使用を可能にしている。中央部にある導体の金属
は、プラスチック封止の後の金属切取りの操作中に切り
離される。
【００２５】第７図および第８図、第４図のリードシー
ケンスを用いたリードフレーム（２つのセクションが示
されている）の他の実施例を示しており、第４図のポス
ト４２は、改良され（大きくされ）、３本の結合ワイヤ
で、パッド２３上のダイの上部電極をポスト７０に結合
させている。重要なことには、ポスト７０は、リードフ
レームの幅の約１／２倍に近い幅を有している。なお、
パッド２３は、外部導体２６（ドレン導体）に接続した
狭くなって湾曲した延在部７１を有する。
【００２６】第９図、第１０図および第１１図は、第１
図、第２図および第３図のパッケージ２０の改良を示
し、表面取付け型パッケージとしている。即ち、プラス
チックパッケージ８０は、前述の図面のものと同様に主
要ダイ支持パッド２３及び３本の出力用延在リード導体
８１、８２及び８３を有するリードフレームを備えてい
る。導体８１、８２及び８３は、それぞれ、ゲート、ド
レン及びソース導体であり、第４図又は第７図に示した
基本構造を持っている。しかし、リード８１及び８３
は、第１０図および第１１図に示されているように、下
方に向けくぼみ形（ｒｅｅｎｔｒａｎｔｌｙ）に曲げら
れ、パッド２３の底部露出面の平面と平行な平面に置か
れている。このため、第９図ないし第１１図の装置は、
表面取付け用のものであるが、それ以外の点では第４図
ないし第７図のものに関して前述した種々の利点を持っ
ている。
【００２７】第１２図は、第１図ないし第３図における
リード導体２５乃至２７いずれかの断面を示している。
従来のＴＯ２２０パッケージでは、導体２５は、約０．
８ミリメートルの高さと約０．４６ミリメートルの幅を
有し、約０．３８８平方ミリメートル２の断面積となっ
ていた。これは、定格約５０アンペアＲＭＳの装置とし
て用いられ、約０．９２ミリメートル径のプリント基板
孔を必要としていた。
【００２８】第５図のようにパッケージ内の結合ワイヤ
を増やして使用することで、装置電流を増加させること
ができることが分かった。即ち、第１３図に示されてい
るように、接点２５の断面は、０６４平方ミリメートル
の断面に対して０．８ミリメートル×０．８ミリメート
ルとすることができる。これは、基板の孔径を僅か１．
１５ミリメートルまで増加させるだけを必要とするが、
温度上昇を加えずに或いはパッケージ抵抗を増すことな
く、電流容量を６５アンペアＲＭＳまで増加させること
ができる。
【００２９】更に、第１４図に示すように、基板の孔径
を１．２７ミリメートルまで増すことで、０．８ミリメ
ートル×１．０ミリメートルの接点断面にすることがで
き、その電流容量を約８０アンペアＲＭＳまで増やす。
【００３０】第１５図は、矩形導体２５上の面取りを施
したエッジ９０の使用を示している。これにより、プリ
ント基板の貫通孔９１を変更することなく、導体２５の
銅材断面を増加して使用することができる。
【００３１】第１６図は、ＴＯ２２０の外形などのよう
な、プラスティックハウジングに使われる外形を示す。
第１図ないし第１０図のパッケージの場合のように、
（この発明のリードフレームと共に示されている）パッ
ケージ２０は、平坦な棚２００を有する比較的厚い領域
と、平坦な棚２０１を有する比較的薄い領域と、垂直又
は垂直に近い壁２０２及び２０３とを有している。壁２
０２は、上面２００と約９０度で交差している。これ
は、エッジ領域２０４に気泡が取り込まれるというモー
ルド上の問題を生じさせた。また、パッケージ２０は、
通例、その一端を支持面２１０に固定された片持ちバネ
２１１によってプリント基板２１０又はその他の面上に
表面取付けされる。バネ２１１は上方に向けた端縁２１
２を持ち、この端線２１２はまたパッケージ２０を支持
面に対して押圧するために頂面２００に圧力を加えるた
めの圧力点を形成する。
【００３２】従来のパッケージデザインでは、圧力点２
１５は、ダイ２２のエッジの方に移されている。フレー
ム２３と面２１０との間の接触抵抗を小さくし、またダ
イ２２の領域の上方に応力をより良好に分散させるた
め、加圧点をダイ２２の中心に向け移動させることが好
ましい。
【００３３】第１６図のパッケージに関する更なる問題
は、壁２０２と面２０１とが交差する個所でのパッケー
ジのエッジが低く、リードワイヤ４６の曲げにおける許
容誤差を減少させていることである。
【００３４】この発明によれば、パッケージの外形は、
特に第１７図および第１８図に示されているように変更
される。即ち、第１７図および第１８図において、平坦
な頂面２２０はダイ２２の中心を十分に越えて延び、端
壁２２１は垂直面に対し約４５度の角度を形成してい
る。従って、バネ２１１の圧力点はダイ２２の中心の上
方に加えられ、パッケージ２０の面２１０への取付け
を、電気的にも、また機械的にも改善している。
【００３５】更に、第１７図および第１８図のパッケー
ジ２０の端部が新規な楔形状をしているため、このパッ
ケージ２０を図面において単に右方向に押すことで、即
ち、バネ２１１の端部２１２に近づけてパッケージ２０
をバネ２１１の下のその所望の位置にまで移動させるこ
とで、パッケージをバネ２１１に対して取付けできる。
パッケージ２０をその所望の最終位置に配置するため
（図示しない）、ノッチ又は位置決めポストをパッケー
ジ２０内に形成することができる。
【００３６】第１７図および第１８図のパッケージ外形
の更なる利点は、エッジ２３０は、モールドに際して空
気を取り込まないということである。また、第１６図の
ようにリードが浅い棚段にあまり近づき過ぎるといった
恐れなしに、リード４６及び他の同様なリードに対して
追加の場所が与えられる。なお、第１図ないし第１０図
のパッケージで注目において第１６図のエッジ２０２に
対応するエッジには、モールド中にそのエッジでの気泡
の発生を防ぐため短かい面取りがされているのが分か
る。
【００３７】この発明が、その特定の実施例に関して説
明されてきたが、その他多くの変形例と修正例及びその
他の用例は、当業者には明らかであろう。従って、この
発明は、ここでの特定の開示に制限されるのではなく、
特許請求の範囲の記載ってのみ制限されることが望まれ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１図は、この発明の新規なリードフレームを
含む新規なパッケージの頂面図である。
【図２】第２図は、第１図のパッケージの側面図であ
る。
【図３】第３図は、第１図の端面図である。
【図４】第４図は、プラスチックのハウジング表面に沿
う沿面距離を増すため、大きくしし外方に曲げた新規な
リード導体を用い、またゲート、ドレン及びソースリー
ド導体という公知のシーケンスを用いた、第１図、第２
図および第３図のパッケージに封止することができるリ
ードフレームの単一のセクションの頂面図である。
【図５】第５図はゲート、ソース及びドレンの新規なリ
ード導体配列順序と大きくした面積のソースポストをも
った第４図のリードフレームに類似するシーケンスリー
ドフレームの第２の実施例である。 （図５ａ）第５ａ図は、第５図の断面線５ａ―５ａに沿
ってとった第５図の断面図である。
【図６】第６図は、第５図のリードフレームセクション
をダイオード用に改良したこの発明の第３の実施例であ
る。
【図７】第７図は、ソースポスト面積を増すよう第４図
のものを改良したこの発明の第４実施例を示す。
【図８】第８図は、第７図の断面線８−８に沿ってとっ
た第７図の断面図である。
【図９】第９図は、表面取付け型パッケージに改良され
た、この発明の別の実施例の頂面図である。
【図１０】第１０図は、第９図の側面図である。
【図１１】第１１図は、第９図の端面図である。
【図１２】第１２図は、定格５０アンペア用の標準ＴＯ
２２０パッケージのリードフレーム導体の断面図であ
る。
【図１３】第１３図は、この発明により生成されたより
高い電流容量を持つ改良されたリードフレーム導体の断
面図である。
【図１４】第１４図は、この発明により生成されたより
高い電流容量を持つ改良されたリードフレーム導体の断
面図である。
【図１５】第１５図は、この発明により生成された矩形
の導体のエッジが面取りされ、回路基板の孔径を過度に
大きくすることなく、より大きな導体断面の使用を可能
にした改良されたリードフレーム伝導体の断面図であ
る。
【図１６】第１６図は、取付けバネをもった従来の装置
のパッケージ外形の側面図である。
【図１７】第１７図は、取付けバネをもったこの発明に
よる新規なパッケージの外形の側面図である。
【図１８】第１８図は、第１７図のパッケージの頂面図
である。
フロントページの続き (72)発明者 ピーター アール． ユーアー イギリス サーリー アールエイチ８ ９ ディーディー ハースト グリーン オク ステッド ミル レーン 122 (72)発明者 ケン ティースデール アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92593 テメキュラ ピー．オー． ボッ クス 2028

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 サイズを大きくすることなく電流容量を
    増加し半導体装置であって；該半導体装置は、リードフ
    レームと、半導体装置ダイと、複数の結合ワイヤとを備
    え；前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと複数の
    平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平坦な導
    電性本体を備え；前記複数の平行に離間した外部導体の
    少なくとも１つは、その一端に大きい結合ワイヤポスト
    を有し、この結合ワイヤポストは前記ダイ取付けパッド
    の近くに位置しているがこれと離間し；前記ダイの底部
    は前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され；複数の前記
    リードワイヤは、それらの一端で前記ダイの頂面と結合
    され、他の端で前記大きい結合ワイヤポストに結合さ
    れ；前記大きい結合ワイヤポストは、前記リードフレー
    ムの幅の少なくとも約１／２倍の幅を有することを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記外部導体の内の第２の外部導体は、
    前記ダイの頂面の制御電極に接続するための大きい第２
    の結合ワイヤポストを有し；前記大きい結合ワイヤポス
    トは、前記大きい第２の結合ワイヤポストの面積よりも
    実質的に大きい面積を有することを特徴とする特許請求
    の範囲第１項に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記ダイ取付けパッドは、前記複数の外
    部導体のうちの１つに電気的に接続されることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記ダイ取付けパッドは、前記複数の外
    部導体のうちの１つに電気的に接続されることを特徴と
    する特許請求の範囲第２項に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リー
    ドフレームの少なくともある複数の部分を取り囲むプラ
    スティックハウジングを含み；前記複数の離間した導体
    は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前
    記ハウジングの側壁を通って前記ハウジングの外部に至
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装
    置。
  6. 【請求項６】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リー
    ドフレームの少なくともある複数の部分とを取り囲むプ
    ラスティックハウジングを含み；前記複数の離間した導
    体は、プラスティックハウジングの内部から延び、前記
    ハウジングの側壁を通ってハウジングの外部に至ること
    を特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リー
    ドフレームの少なくともある複数の部分とを取り囲むプ
    ラスティックハウジングを含み；前記複数の離間した導
    体は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、
    前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部
    に至ることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の
    装置。
  8. 【請求項８】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リー
    ドフレームの少なくともある複数の部分を取り囲むプラ
    スティックハウジングを含み；前記複数の離間した導体
    は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前
    記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部に
    至ることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の装
    置。
  9. 【請求項９】 前記複数の離間された外部導体の内の横
    方向に最も外方にある２つの外部導体は、くぼみ形に
    （ｒｅｅｎｔｒａｎｔｌｙ）曲げられ、前記導体の延在
    自由端部の離線間距離を小さくしたことを特徴とする特
    許請求の範囲第１項に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 サイズを大きくすることなく電流容量
    を増加させた半導体装置であって；該半導体装置は、リ
    ードフレームと、半導体装置ダイと、複数の結合ワイヤ
    とを備え；前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと
    複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平
    坦な導電性本体を備え；前記複数の平行に離間した外部
    導体のうちの少なくとも１つは、その一端に大きい結合
    ワイヤポストを有し、該ポストは前記ダイ取付けパッド
    の近くに位置するがこれと離間し；前記ダイの底部は、
    前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され；複数の前記リ
    ードワイヤは、それらの一端で前記ダイの頂面に結合さ
    れ、他端で前記大きい結合ワイヤポストに結合され；プ
    ラスティックハウジングが前記ダイと前記リードフレー
    ムの少なくともある複数の部分を取り囲み；前記複数の
    離間した導体は、前記プラスティックハウジングの内部
    から延び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジ
    ングの外部に至り；前記複数の離間された外部導体のう
    ちの横方向に最も外側の２つは、くぼみ形に曲げられ、
    前記導体の延在自由端部の離間距離を小さくし；前記く
    ぼみ形に曲げられた外部導体は、それらが最大の離間を
    有する距離となる位置において前記ハウジングの側壁を
    貫通し、それによって前記側壁の表面に沿う沿面距離を
    増していることを特徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】 前記大きい結合ワイヤポストは、前記
    リードフレームの幅の少なくとも約１／２倍の幅を有す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記ある複数の外部導体のうちの第２
    の外部導体は、前記ダイの頂面の制御電極に接続するた
    めの第２の大きい結合ワイヤポストを有し；前記大きい
    結合ワイヤポストは、前記第２の大きい結合ワイヤポス
    トの面積よりも実質的に大きい面積を有することを特徴
    とする特許請求の範囲第１１項に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記ダイ取付けパッドは、前記複数の
    外部導体のうちの１つの外部導体に電気的に接続されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の
    装置。
  14. 【請求項１４】 サイズを大きくすることなく電流容量
    を増加させた半導体装置であって；該半導体装置は、リ
    ードフレームと、半導体装置ダイと、複数の結合ワイヤ
    とを備え；前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと
    複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平
    坦な導電性本体を備え；前記複数の平行に離間した外部
    導体の少なくとも１つは、その一端に大きい結合ワイヤ
    ポストを有し、該ポストは前記ダイ取付けパッドの近く
    に位置するがこれと離間し；前記ダイの底部は、前記ダ
    イ取付けパッドの頂面に固定され；複数の前記リードワ
    イヤは、それらの一端で前記ダイの頂面と接続され、他
    端で前記大きい結合ワイヤポストに接続され；前記複数
    の離間した外部導体は、横方向に等間隔で離間した３つ
    の導体を有し、これら３つの導体は、パワーＭＯＳＦＥ
    Ｔ用のそれぞれゲート、ソース及びドレイン導体の配列
    順序で配置され、前記ソース導体が中央導体となってい
    ることを特徴とする半導体装置。
  15. 【請求項１５】 前記大きい結合ワイヤポストは、前記
    ソース導体に固定され、また前記リードフレームの幅の
    少なくとも約１／２倍の幅を有していることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１４項に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記外部導体のうちの第２の外部導体
    は、前記ダイの頂面の制御電極に接続するための第２の
    大きい結合ワイヤポストを有し；前記大きい結合ワイヤ
    ポストは、前記第２の大きい結合ワイヤポストの面積よ
    りも実質的に大きい面積を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第１４項に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記ダイ取付けパッドは、前記複数の
    外部導体のうちの１つの外部導体に電気的に接続される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１６項に記載の装
    置。
  18. 【請求項１８】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リ
    ードフレームの少なくとも複数の部分とを取り囲むプラ
    スティックハウジングを含み；前記複数の離間した導体
    は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前
    記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部に
    至ることを特徴とする特許請求の範囲第１５項に記載の
    装置。
  19. 【請求項１９】 前記複数の離間された外部導体のうち
    の横方向に最も外側の２つの外部導体はくぼみ形に曲げ
    られ、前記複数の導体の延在自由端部の離間距離を小さ
    くさせていることを特徴とする特許請求の範囲第１４項
    に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記大きい結合ワイヤポストは、前記
    ソース導体に固定され、前記リードフレームの幅の少な
    くとも約１／２倍の幅を有していることを特徴とする特
    許請求の範囲第１０項に記載の装置。
  21. 【請求項２１】前記大きい結合ワイヤポストは、前記リ
    ードフレームの１つの外方エッジから延び、その中心に
    向かうことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    装置。
  22. 【請求項２２】 前記ダイ取付けパッドは、前記外部伝
    導体の１つに電気的に接続されているもの。
  23. 【請求項２３】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リ
    ードフレームの少なくともある複数の部分とを取り囲む
    プラスティックハウジングを含み；前記複数の離間した
    導体は、前記プラスティックハウジングの内部から延
    び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの
    外部に至ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項に
    記載の装置。
  24. 【請求項２４】 前記複数の離間された外部導体のうち
    の横方向に最も外側の２つは、くぼみ形に曲げられ前記
    複数の導体の延在自由端部の離間距離を小さくしている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第２２項に記載の装
    置。
  25. 【請求項２５】 前記大きい結合ワイヤポストは、前記
    リードフレームの１つの外方エッジから延び、その中心
    に向かうことを特徴とする特許請求の範囲第１５項に記
    載の装置。
  26. 【請求項２６】 前記装置は、更に、前記ダイと前記リ
    ードフレームの少なくともある複数の部分とを取り囲む
    プラスティックハウジングを含み；前記複数の離間した
    導体は、前記プラスティックハウジングの内部から延
    び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの
    外部に至ることを特徴とする特許請求の範囲第２５項に
    記載の装置。
  27. 【請求項２７】 前記プラスティックハウジングの形状
    は矩形であり、略々平坦な頂面と、略々平坦な底面と、
    前記頂面と底面及び前記側壁との間を延びる、一対の離
    間した略々垂直かつ平行なエッジ壁と、前記側壁に対向
    する前記パッケージの側の第２の側壁とを有し；前記略
    々平坦な頂面は、実質的に前記ダイの全面積上方に位置
    することを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の装
    置。
  28. 【請求項２８】 前記第２の側壁は、垂直に対し約４５
    度の角度をなし、前記頂面と約１３５度の内角で交差
    し、前記ハウジングに対し片持ち支持取付けバネの下に
    カム作用させるためのカム面を限定することを特徴とす
    る特許請求の範囲第２７項に記載の装置。
  29. 【請求項２９】 片持ち取付けバネをカム作用で押し上
    げるようにされた外形を有するプラスティック半導体ハ
    ウジングであって；該ハウジングは、内部に取付けられ
    た半導体ダイと、このダイから延び、前記ハウジングの
    側壁を通って前記ハウジングの外部まで至る複数の電気
    導体とを有し；前記プラスティックハウジングの形状
    は、略々矩形であり、略々平坦な頂面と、略々平坦な底
    面と、前記頂面と底面及び前記側壁との間を延びる、一
    対の離間した略々垂直かつ平行なエッジ壁と、前記側壁
    に対向する前記パッケージの側の第２の側壁とを有し；
    前記略々平坦な頂面は、実質的に前記ダイの全面積上方
    に位置し、前記第２の側壁は、垂直に対し約４５度の角
    度をなし、前記頂面と約１３５度の内角で交差し、前記
    ハウジングに対し片持ち取付けバネの下にカム作用させ
    るためのカム面を限定することを特徴とするプラスチッ
    ク半導体ハウジング。
  30. 【請求項３０】 前記複数の外部導体の各個は、同一の
    矩形の形状を有し、前記複数の外部導体のエッジは、少
    なくともその長さ部分に対して面取りされ、それによっ
    て、面取りを行なわない導体を受入れるときの孔径より
    も小さな径のプリント基板孔に挿入できるようにすると
    共に、所定の径のプリント基板孔に対してはより大きな
    断面積の使用を可能にしたことを特徴とする特許請求の
    範囲第１項に記載の装置。
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