EA201070358A1 - Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния - Google Patents

Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния

Info

Publication number
EA201070358A1
EA201070358A1 EA201070358A EA201070358A EA201070358A1 EA 201070358 A1 EA201070358 A1 EA 201070358A1 EA 201070358 A EA201070358 A EA 201070358A EA 201070358 A EA201070358 A EA 201070358A EA 201070358 A1 EA201070358 A1 EA 201070358A1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
silicon
melt
outer shell
highly pure
pure solid
Prior art date
Application number
EA201070358A
Other languages
English (en)
Other versions
EA017480B1 (ru
Inventor
Доминик Леблан
Рене Буасвер
Original Assignee
Силисиум Беканкур Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Силисиум Беканкур Инк. filed Critical Силисиум Беканкур Инк.
Publication of EA201070358A1 publication Critical patent/EA201070358A1/ru
Publication of EA017480B1 publication Critical patent/EA017480B1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/006—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Предлагается способ очистки металлургического кремния низкой чистоты, содержащего по меньшей мере, одно загрязняющее вещество, и получения особо чистого твердого поликристаллического кремния. Способ включает выдерживание расплава металлургического кремния низкой чистоты в форме, имеющей изолированные нижнюю и боковые стенки и открытую верхнюю часть; отверждение расплава направленным отверждением от открытой верхней части по направлению к нижней стенке при электромагнитном перемешивании расплава; контролирование скорости направленного отверждения; прекращение направленного отверждения, когда расплав частично затвердел, чтобы получить слиток, имеющий внешнюю оболочку, включающую особо чистый твердый поликристаллический кремний, и центральную часть, включающую обогащенный примесями жидкий кремний; и создание отверстия во внешней оболочке слитка, чтобы слить обогащенный примесями жидкий кремний и оставить внешнюю оболочку, которая содержит особо чистый твердый поликристаллический кремний.
EA201070358A 2007-09-13 2008-03-13 Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния EA017480B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US96006107P 2007-09-13 2007-09-13
PCT/CA2008/000492 WO2009033255A1 (en) 2007-09-13 2008-03-13 Process for the production of medium and high purity silicon from metallurgical grade silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201070358A1 true EA201070358A1 (ru) 2010-08-30
EA017480B1 EA017480B1 (ru) 2012-12-28

Family

ID=40451503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201070358A EA017480B1 (ru) 2007-09-13 2008-03-13 Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния

Country Status (16)

Country Link
US (1) US7727502B2 (ru)
EP (1) EP2212249B1 (ru)
JP (1) JP2010538952A (ru)
KR (1) KR20100061510A (ru)
CN (1) CN101868422B (ru)
AU (1) AU2008299523A1 (ru)
BR (1) BRPI0816972A2 (ru)
CA (1) CA2695393C (ru)
EA (1) EA017480B1 (ru)
ES (1) ES2530720T3 (ru)
MX (1) MX2010002728A (ru)
MY (1) MY143807A (ru)
NO (1) NO20100512L (ru)
UA (1) UA97691C2 (ru)
WO (1) WO2009033255A1 (ru)
ZA (1) ZA201000882B (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2008149985A1 (ja) * 2007-06-08 2010-08-26 信越化学工業株式会社 金属珪素の凝固方法
JP4748187B2 (ja) * 2007-12-27 2011-08-17 国立大学法人東北大学 Ｓｉ結晶インゴットの製造方法
CN103154288A (zh) 2010-05-20 2013-06-12 道康宁公司 制备铝-硅合金的方法和系统
JP2012106886A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Nippon Steel Materials Co Ltd 金属シリコンの凝固精製方法及び装置
CN102275931B (zh) * 2011-07-05 2013-05-29 兰州大学 氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法
WO2013010575A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Abb Research Ltd A method and a control system for controlling a melting process
CN103266350B (zh) * 2013-05-31 2015-08-12 大连理工大学 多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备
CN103266349B (zh) * 2013-05-31 2015-07-15 大连理工大学 高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备
JP6401051B2 (ja) * 2014-12-26 2018-10-03 京セラ株式会社 多結晶シリコンインゴットの製造方法
RU2632827C2 (ru) * 2015-12-08 2017-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Современные химические и металлургические технологии" (ООО "СХИМТ") Устройство для рафинирования кремния
CN107255572B (zh) * 2017-05-12 2020-04-21 宜昌南玻硅材料有限公司 半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法
JP6919633B2 (ja) 2018-08-29 2021-08-18 信越半導体株式会社 単結晶育成方法
CN111675222B (zh) * 2020-07-13 2022-08-09 昆明理工大学 一种利用低品位硅石生产工业硅的方法
EP4082966A1 (en) 2021-04-26 2022-11-02 Ferroglobe Innovation, S.L. Method for obtaining purified silicon metal

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2890139A (en) * 1956-12-10 1959-06-09 Shockley William Semi-conductive material purification method and apparatus
US3012865A (en) * 1957-11-25 1961-12-12 Du Pont Silicon purification process
US3752221A (en) * 1969-10-30 1973-08-14 United Aircraft Corp Mold apparatus for casting with downward unidirectional solidification
US4094731A (en) * 1976-06-21 1978-06-13 Interlake, Inc. Method of purifying silicon
US4298423A (en) * 1976-12-16 1981-11-03 Semix Incorporated Method of purifying silicon
US4200621A (en) * 1978-07-18 1980-04-29 Motorola, Inc. Sequential purification and crystal growth
US4242175A (en) * 1978-12-26 1980-12-30 Zumbrunnen Allen D Silicon refining process
GB2052461B (en) * 1979-05-24 1983-04-07 Aluminum Co Of America Silicon purification method
US4304703A (en) * 1980-06-23 1981-12-08 Ppg Industries, Inc. Cationic polymer dispersions and their method of preparation
DE3150539A1 (de) 1981-12-21 1983-06-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer solarzellen, verwendbarem silizium
FR2524489A1 (fr) * 1982-03-30 1983-10-07 Pechiney Aluminium Procede de purification de metaux par segregation
DE3220285A1 (de) 1982-05-28 1983-12-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe
NO152551C (no) * 1983-02-07 1985-10-16 Elkem As Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium.
DE3310827A1 (de) * 1983-03-24 1984-09-27 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium
DE3323896A1 (de) 1983-07-02 1985-01-17 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum gerichteten erstarren von schmelzen
JPH0753569B2 (ja) * 1986-08-07 1995-06-07 昭和アルミニウム株式会社 ケイ素の精製方法
JPH0696444B2 (ja) 1987-08-27 1994-11-30 川崎製鉄株式会社 高純度シリコンの製造方法
DE3802531A1 (de) 1988-01-28 1989-08-17 Siemens Ag Verfahren zum abtrennen von festen partikeln aus siliziumschmelzen
DE3804248A1 (de) 1988-02-11 1989-08-24 Siemens Ag Verfahren zum abtrennen von verunreinigungen aus einer siliziumschmelze durch gerichtete erstarrung
DE3929635A1 (de) 1989-09-06 1991-03-07 Siemens Ag Verfahren zum abtrennen fester partikel aus siliziumschmelzen
JPH05124809A (ja) 1991-10-30 1993-05-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd シリコンの凝固精製法
JP3263104B2 (ja) 1991-11-27 2002-03-04 川崎製鉄株式会社 金属シリコンの精製方法
JPH05254817A (ja) * 1992-03-12 1993-10-05 Kawasaki Steel Corp 多結晶シリコン鋳塊の製造方法
WO1997003922A1 (fr) 1994-01-10 1997-02-06 Showa Aluminum Corporation Procede pour produire du silicium tres pur
JP3140300B2 (ja) 1994-03-29 2001-03-05 川崎製鉄株式会社 シリコンの精製方法および精製装置
NO180532C (no) * 1994-09-01 1997-05-07 Elkem Materials Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium
JPH0873297A (ja) 1994-09-05 1996-03-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池用基板材料の製法とこれを用いた太陽電池
JPH08217436A (ja) 1995-02-17 1996-08-27 Kawasaki Steel Corp 金属シリコンの凝固精製方法、その装置及びその装置に用いる鋳型
DE69616686T2 (de) * 1995-08-04 2002-08-14 Sharp Kk Vorrichtung zum Reinigen von Metallen
DE69621348T2 (de) * 1996-10-14 2002-09-05 Kawasaki Steel Co Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silizium und verfahren zur herstellung eines siliziumsubstrats für eine solarzelle
JPH10139415A (ja) 1996-10-30 1998-05-26 Kawasaki Steel Corp 溶融シリコンの凝固精製方法
JPH10182135A (ja) 1996-12-20 1998-07-07 Kawasaki Steel Corp シリコンの凝固精製方法
JPH10182129A (ja) 1996-12-26 1998-07-07 Kawasaki Steel Corp 金属シリコンの精製方法
JPH10182137A (ja) 1996-12-26 1998-07-07 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコンの凝固精製方法及び装置
JPH10182286A (ja) 1996-12-26 1998-07-07 Kawasaki Steel Corp シリコンの連続鋳造方法
JP3852147B2 (ja) 1996-12-27 2006-11-29 Ｊｆｅスチール株式会社 太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
JPH10251009A (ja) 1997-03-14 1998-09-22 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコンの凝固精製方法
JPH10251008A (ja) 1997-03-14 1998-09-22 Kawasaki Steel Corp 金属シリコンの凝固精製方法
CA2232777C (en) * 1997-03-24 2001-05-15 Hiroyuki Baba Method for producing silicon for use in solar cells
JPH10273313A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Kawasaki Steel Corp 多結晶シリコン鋳塊の製造方法
JPH10273311A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコンの精製方法及び装置
JP3520957B2 (ja) * 1997-06-23 2004-04-19 シャープ株式会社 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
JP3523986B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-26 シャープ株式会社 多結晶半導体の製造方法および製造装置
US5972107A (en) * 1997-08-28 1999-10-26 Crystal Systems, Inc. Method for purifying silicon
JP4003271B2 (ja) 1998-01-12 2007-11-07 Ｊｆｅスチール株式会社 シリコンの一方向凝固装置
JPH11310496A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Mitsubishi Materials Corp 一方向凝固組織を有するシリコンインゴットの製造方法およびその製造装置
JP4365480B2 (ja) 1999-06-07 2009-11-18 昭和電工株式会社 高純度シリコンの製造方法
JP2001278613A (ja) 2000-03-29 2001-10-10 Kawasaki Steel Corp シリコンの一方向凝固装置
FR2827592B1 (fr) * 2001-07-23 2003-08-22 Invensil Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration
FR2831881B1 (fr) 2001-11-02 2004-01-16 Hubert Lauvray Procede de purification de silicium metallurgique par plasma inductif couple a une solidification directionnelle et obtention directe de silicium de qualite solaire
JP2003238137A (ja) 2002-02-21 2003-08-27 Kawatetsu Techno Res Corp 太陽電池用多結晶シリコンの製造方法
NO318092B1 (no) 2002-05-22 2005-01-31 Elkem Materials Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium
AU2003277041A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-19 Astropower, Inc. Methods and systems for purifying elements
CN1221470C (zh) 2002-11-26 2005-10-05 郑智雄 高纯度硅的生产方法
CN1299983C (zh) 2003-07-22 2007-02-14 龚炳生 光电级硅的制造方法
EP1687240A1 (en) 2003-12-04 2006-08-09 Dow Corning Corporation Method of removing impurities from metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
NO333319B1 (no) 2003-12-29 2013-05-06 Elkem As Silisiummateriale for fremstilling av solceller
JP4115432B2 (ja) 2004-07-14 2008-07-09 シャープ株式会社 金属の精製方法
WO2008031229A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Silicium Becancour Inc. Process and apparatus for purifying low-grade silicon material

Also Published As

Publication number Publication date
MX2010002728A (es) 2010-08-02
EP2212249A4 (en) 2012-08-15
ES2530720T3 (es) 2015-03-04
CA2695393C (en) 2012-01-03
AU2008299523A1 (en) 2009-03-19
MY143807A (en) 2011-07-15
CN101868422A (zh) 2010-10-20
US7727502B2 (en) 2010-06-01
EP2212249B1 (en) 2015-01-14
KR20100061510A (ko) 2010-06-07
EP2212249A1 (en) 2010-08-04
BRPI0816972A2 (pt) 2015-03-24
CA2695393A1 (en) 2009-03-19
JP2010538952A (ja) 2010-12-16
US20090074648A1 (en) 2009-03-19
WO2009033255A1 (en) 2009-03-19
NO20100512L (no) 2010-04-08
UA97691C2 (ru) 2012-03-12
ZA201000882B (en) 2011-04-28
EA017480B1 (ru) 2012-12-28
CN101868422B (zh) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA201070358A1 (ru) Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния
UA88964C2 (ru) Тигель ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
EP1947221A3 (en) Casting method for polycrystalline silicon
PL1745164T3 (pl) Tygiel do krystalizacji krzemu
UA89284C2 (ru) Тигель для кристаллизации кремния и способ его изготовления
EP2179078A4 (en) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING INGOTS USING LOW QUALITY SILICON MATERIAL
WO2014093826A3 (en) Multi-shot casting
UA86168C2 (ru) Способ и устройство для рафинирования расплавленного материала
WO2006107769A3 (en) Solidification of crystalline silicon from reusable crucible molds
EP1848843A4 (en) METHOD FOR THE PRODUCTION OF DIRECTED FIRST STAINED SILICON BARS
PL2089319T3 (pl) Sposób oczyszczania krzemu metalurgicznego poprzez ukierunkowane krzepnięcie
WO2007087378A3 (en) Method of continuous casting in which axial porosity is eliminated and the crystalline structure is refined
CN202192235U (zh) 镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器
CN108994269A (zh) 铝合金半连续铸锭的晶粒细化方法及装置
CN202639262U (zh) 一种50吨矩形扁锭用钢锭模
CN204770533U (zh) 一种水平连续铸管装置
CN204276894U (zh) 一种波浪形浸入式水口
CN202881448U (zh) 一种反向诱导凝固用楔形保温套筒装置
CN104907514A (zh) 一种水平连续铸管装置
CN204817923U (zh) 一种用于倾转浇注模具的浇口杯结构
Dong et al. Study on crystallization microstructure of solidified film of mold flux for high speed continuous casting.
CN201799602U (zh) 浇铸铁桶
CN203155960U (zh) 镁合金锭浇铸装置
PL378907A1 (pl) Sposób docieplania ciekłej stali w nadstawce wlewnicy i/lub w kadzi pośredniej urządzenia do ciągłego odlewania stali oraz pokrywa do tego celu
WO2003033191A3 (en) A method for the production of hollow metallic ingots or compound metallic ingots

Legal Events

Date Code Title Description
PC1A Registration of transfer to a eurasian application by force of assignment
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KG MD TJ TM

TC4A Change in name of a patent proprietor in a eurasian patent