JPH10182129A - 金属シリコンの精製方法 - Google Patents
金属シリコンの精製方法Info
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- JPH10182129A JPH10182129A JP34779996A JP34779996A JPH10182129A JP H10182129 A JPH10182129 A JP H10182129A JP 34779996 A JP34779996 A JP 34779996A JP 34779996 A JP34779996 A JP 34779996A JP H10182129 A JPH10182129 A JP H10182129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属シリコンを精整して太陽電池用シリコンを
製造する従来方法は途中で凝固精製を行うので工程が長
く、熱ロスも大きい。これは歩留低下を招来し、電力原
単位を増加させるという問題がある。本発明は、前記従
来技術の問題点を解決し、不純物含有量の低い高純度の
シリコンを、短時間に、安価に、大量に製造する技術を
提供することを目的とする。 【解決手段】金属シリコンを精製する方法において、該
金属シリコンを減圧溶解して真空精錬でＰを除去し、次
いで凝固させることなく、不活性ガスに水蒸気とＨ2 ガ
スの混合ガスを添加してなるプラズマ・ガスでＢ，Ｃを
除去すると共に、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃａをも除去し、
さらにその後不活性ガス雰囲気で酸素を除去してから凝
固精製を行う。
製造する従来方法は途中で凝固精製を行うので工程が長
く、熱ロスも大きい。これは歩留低下を招来し、電力原
単位を増加させるという問題がある。本発明は、前記従
来技術の問題点を解決し、不純物含有量の低い高純度の
シリコンを、短時間に、安価に、大量に製造する技術を
提供することを目的とする。 【解決手段】金属シリコンを精製する方法において、該
金属シリコンを減圧溶解して真空精錬でＰを除去し、次
いで凝固させることなく、不活性ガスに水蒸気とＨ2 ガ
スの混合ガスを添加してなるプラズマ・ガスでＢ，Ｃを
除去すると共に、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃａをも除去し、
さらにその後不活性ガス雰囲気で酸素を除去してから凝
固精製を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属シリコンの精
製方法に関し、主に太陽電池に用いる不純物含有量の低
い高純度シリコンの精製技術である。
製方法に関し、主に太陽電池に用いる不純物含有量の低
い高純度シリコンの精製技術である。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池に使用するシリコン中のＰ，
Ｂ，Ｃ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｏなどの不純物は、所要の
光電効率を確保するため、Ｃ，Ｏをそれぞれ５ｐｐｍ以
下、Ｂを０．１〜０．３ｐｐｍ，それら以外を０．１ｐ
ｐｍ以下にする必要がある。また、太陽電池が広く利用
されるには、このシリコンを安価に量産する必要があ
る。
Ｂ，Ｃ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｏなどの不純物は、所要の
光電効率を確保するため、Ｃ，Ｏをそれぞれ５ｐｐｍ以
下、Ｂを０．１〜０．３ｐｐｍ，それら以外を０．１ｐ
ｐｍ以下にする必要がある。また、太陽電池が広く利用
されるには、このシリコンを安価に量産する必要があ
る。
【０００３】従来、太陽電池用のシリコンは、通常、直
接還元法、気相法又は金属シリコンを精製する方法によ
って製造されている。このうち、直接還元法は、高純度
のシリカＳｉＯ2 を高純度のＣで還元してシリコンを溶
製し、その後脱Ｃして高純度シリコンを得る方法であ
る。気相法は、金属シリコンを出発原料に用い、該シリ
コンをＨＣｌ3 でシラン化した後、蒸留法で高純度化
し、析出法によってシリコンを精製する方法である。こ
れら直接還元法及び気相法は、いずれもシリコンの製造
コストが高く、太陽電池用のシリコンの製造方法として
は適切でなかった。
接還元法、気相法又は金属シリコンを精製する方法によ
って製造されている。このうち、直接還元法は、高純度
のシリカＳｉＯ2 を高純度のＣで還元してシリコンを溶
製し、その後脱Ｃして高純度シリコンを得る方法であ
る。気相法は、金属シリコンを出発原料に用い、該シリ
コンをＨＣｌ3 でシラン化した後、蒸留法で高純度化
し、析出法によってシリコンを精製する方法である。こ
れら直接還元法及び気相法は、いずれもシリコンの製造
コストが高く、太陽電池用のシリコンの製造方法として
は適切でなかった。
【０００４】このような要請の下で、太陽電池用シリコ
ンの安価な製造法として金属シリコンを原料としてこれ
を精製する方法が多数提案されている。金属シリコンを
精製する従来の方法では、図２に示すように、減圧精製
（Ｐ除去工程２）の後、一方向凝固（凝固粗精製工程１
１）による金属不純物の除去を行い、再び溶解して酸化
精製（Ｂ、Ｃ除去工程３）を行い、次いで、凝固仕上げ
精製４を行い、２回の凝固を組み合わせて、高純度シリ
コンを得るものである。
ンの安価な製造法として金属シリコンを原料としてこれ
を精製する方法が多数提案されている。金属シリコンを
精製する従来の方法では、図２に示すように、減圧精製
（Ｐ除去工程２）の後、一方向凝固（凝固粗精製工程１
１）による金属不純物の除去を行い、再び溶解して酸化
精製（Ｂ、Ｃ除去工程３）を行い、次いで、凝固仕上げ
精製４を行い、２回の凝固を組み合わせて、高純度シリ
コンを得るものである。
【０００５】太陽電池に用いられるシリコンの純度は、
Ｃ，Ｏを除き９９．９９９９％以上が必要とされてい
る。従来、市販の金属シリコンの純度は９９．５％程度
であり、これから上記高純度のシリコンを製造するに
は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ等の金属不純物元素については固
液分配係数の小さいことを利用した２度の一方向凝固精
製により除去し、Ｃについては、ＳｉＣは凝固の際に表
面に析出させ、また固溶しているＣをＣＯとして除去し
ている。Ｐは、その蒸気圧の高いことを利用して減圧除
去しており、Ｂについては、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 あるいはＯ
2 を添加したプラズマ・ガスによる酸化精製により除去
する。
Ｃ，Ｏを除き９９．９９９９％以上が必要とされてい
る。従来、市販の金属シリコンの純度は９９．５％程度
であり、これから上記高純度のシリコンを製造するに
は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ等の金属不純物元素については固
液分配係数の小さいことを利用した２度の一方向凝固精
製により除去し、Ｃについては、ＳｉＣは凝固の際に表
面に析出させ、また固溶しているＣをＣＯとして除去し
ている。Ｐは、その蒸気圧の高いことを利用して減圧除
去しており、Ｂについては、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 あるいはＯ
2 を添加したプラズマ・ガスによる酸化精製により除去
する。
【０００６】前記の製造方法によれば、各不純物元素の
除去方法がそれぞれ異なり、しかも凝固精製の工程が２
回必要であり、工程が煩雑になるばかりでなく、凝固塊
上部シリコンの切断による歩留まりの悪さなどの問題点
があった。
除去方法がそれぞれ異なり、しかも凝固精製の工程が２
回必要であり、工程が煩雑になるばかりでなく、凝固塊
上部シリコンの切断による歩留まりの悪さなどの問題点
があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、金属シ
リコンを精整して太陽電池用シリコンを製造する従来方
法は途中で凝固精製を行うので工程が長く、熱ロスも大
きい。これは歩留低下を招来し、電力原単位を増加させ
るという問題がある。本発明は前記従来技術の問題点を
解決し、不純物含有量の低い高純度のシリコンを、短時
間に、安価に、大量に製造する技術を提供することを目
的とする。
リコンを精整して太陽電池用シリコンを製造する従来方
法は途中で凝固精製を行うので工程が長く、熱ロスも大
きい。これは歩留低下を招来し、電力原単位を増加させ
るという問題がある。本発明は前記従来技術の問題点を
解決し、不純物含有量の低い高純度のシリコンを、短時
間に、安価に、大量に製造する技術を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を達
成するため、工程の短縮を検討した。そして、従来は凝
固精製でしか除去できなかった金属不純物元素（Ｆｅ，
Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉ）を、脱Ｃや脱Ｂの工程で同時に除去
することに着眼し，水素プラズマ・アーク溶解でそれが
可能という最近の技術報告（「電気製鋼」 第６６巻
第４号、１９９５年１０月）を思い出した。本発明は、
その技術報告を参考にして、鋭意研究を重ねた成果とし
て完成させたものである。
成するため、工程の短縮を検討した。そして、従来は凝
固精製でしか除去できなかった金属不純物元素（Ｆｅ，
Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉ）を、脱Ｃや脱Ｂの工程で同時に除去
することに着眼し，水素プラズマ・アーク溶解でそれが
可能という最近の技術報告（「電気製鋼」 第６６巻
第４号、１９９５年１０月）を思い出した。本発明は、
その技術報告を参考にして、鋭意研究を重ねた成果とし
て完成させたものである。
【０００９】すなわち、本発明は、金属シリコンを精製
する方法において、該金属シリコンを減圧溶解して真空
精錬でＰを除去し、次いで凝固させることなく、不活性
ガスに水蒸気とＨ2 ガスの混合ガスを添加してなるプラ
ズマ・ガスでＢ，Ｃを除去すると共に、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｃａをも除去し、さらにその後不活性ガス雰囲気で
酸素を除去してから凝固精製を行なうことを特徴とする
金属シリコンの精製方法である。
する方法において、該金属シリコンを減圧溶解して真空
精錬でＰを除去し、次いで凝固させることなく、不活性
ガスに水蒸気とＨ2 ガスの混合ガスを添加してなるプラ
ズマ・ガスでＢ，Ｃを除去すると共に、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｃａをも除去し、さらにその後不活性ガス雰囲気で
酸素を除去してから凝固精製を行なうことを特徴とする
金属シリコンの精製方法である。
【００１０】また、本発明は、上記金属シリコンの真空
精錬と、プラズマ・ガスによるＢ，Ｃ、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｃａ除去の順序を、溶湯を凝固させることなく逆に
することを特徴とする金属シリコンの精製方法である。
本発明では、金属シリコンの精製を、上記の構成で行な
うようにしたので、一回のみの凝固を行うことで、Ｐ、
Ｂ、Ｃばかりでなく、Ｆｅ，Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉをも除去
できるようになる。その結果、従来の精製で生じていた
熱ロス、歩留低下、高電力原単位が解消され、不純物含
有量の低い高純度のシリコンを、短時間に、安価に、大
量に製造できるようになる。
精錬と、プラズマ・ガスによるＢ，Ｃ、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｃａ除去の順序を、溶湯を凝固させることなく逆に
することを特徴とする金属シリコンの精製方法である。
本発明では、金属シリコンの精製を、上記の構成で行な
うようにしたので、一回のみの凝固を行うことで、Ｐ、
Ｂ、Ｃばかりでなく、Ｆｅ，Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉをも除去
できるようになる。その結果、従来の精製で生じていた
熱ロス、歩留低下、高電力原単位が解消され、不純物含
有量の低い高純度のシリコンを、短時間に、安価に、大
量に製造できるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施の
形態について説明する。金属シリコン１を、溶解・Ｐ除
去工程２で溶解し、Ｐ除去を行う。この工程は、所謂真
空精練とし、例えば１０-4ｔｏｒｒより高真空下でＰ除
去する。従来は，ここで中断して、溶融状態にある金属
シリコン（以下、溶湯という）を凝固し、例えば一方向
凝固による金属不純物元素の粗精製工程１１に移行して
いた。しかし、本発明では、溶融状態を維持したまま
で、引続き以下の工程を実行する。この工程は、例えば
空気中又は減圧下で、不活性ガスに水蒸気とＨ2 の混合
ガスを同時に混合してなるプラズマ・ガスを溶湯に吹き
付け（吹込みも可）、ＢやＣ、さらには金属不純物元素
であるＦｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａを除去し、次いで不活性
ガス雰囲気で脱酸し、Ｏを除去する。その際、不活性ガ
スには、アルゴン・ガスや窒素ガスが利用される。また
溶湯の温度は、１４７０〜１７００℃である。次いで、
最後に該溶湯を鋳型に注入して一方向凝固させ、金属不
純物の仕上精製を行うと共に、太陽電池用シリコン基板
を得るための鋳塊（インゴット）にする。
形態について説明する。金属シリコン１を、溶解・Ｐ除
去工程２で溶解し、Ｐ除去を行う。この工程は、所謂真
空精練とし、例えば１０-4ｔｏｒｒより高真空下でＰ除
去する。従来は，ここで中断して、溶融状態にある金属
シリコン（以下、溶湯という）を凝固し、例えば一方向
凝固による金属不純物元素の粗精製工程１１に移行して
いた。しかし、本発明では、溶融状態を維持したまま
で、引続き以下の工程を実行する。この工程は、例えば
空気中又は減圧下で、不活性ガスに水蒸気とＨ2 の混合
ガスを同時に混合してなるプラズマ・ガスを溶湯に吹き
付け（吹込みも可）、ＢやＣ、さらには金属不純物元素
であるＦｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａを除去し、次いで不活性
ガス雰囲気で脱酸し、Ｏを除去する。その際、不活性ガ
スには、アルゴン・ガスや窒素ガスが利用される。また
溶湯の温度は、１４７０〜１７００℃である。次いで、
最後に該溶湯を鋳型に注入して一方向凝固させ、金属不
純物の仕上精製を行うと共に、太陽電池用シリコン基板
を得るための鋳塊（インゴット）にする。
【００１２】また、上記真空精錬と脱Ｂ，Ｃ，Ｏ等の工
程３とを逆順に行っても良い。本発明では、脱Ｐ工程と
脱Ｂ，Ｃ，Ｏ工程の間で金属シリコンを凝固させず、１
回の溶融と１回の一方向凝固により精整する。従って、
従来の方法に比べて、エネルギー・ロス、溶解ロス等を
減ずることができる。以上のようにして精整されたシリ
コンの鋳塊は、切断工程５を経てシリコン基板６とする
ことにより太陽電池の部材となる。また、切断前の太陽
電池用シリコン７を必要に応じ再溶解工程８、凝固工程
９による精整を行って基板１０を得る。この工程は、上
記本発明工程と別ルートで行っても差支えない。
程３とを逆順に行っても良い。本発明では、脱Ｐ工程と
脱Ｂ，Ｃ，Ｏ工程の間で金属シリコンを凝固させず、１
回の溶融と１回の一方向凝固により精整する。従って、
従来の方法に比べて、エネルギー・ロス、溶解ロス等を
減ずることができる。以上のようにして精整されたシリ
コンの鋳塊は、切断工程５を経てシリコン基板６とする
ことにより太陽電池の部材となる。また、切断前の太陽
電池用シリコン７を必要に応じ再溶解工程８、凝固工程
９による精整を行って基板１０を得る。この工程は、上
記本発明工程と別ルートで行っても差支えない。
【００１３】ところで、溶湯にＨ2 ガスを含む不活性ガ
スからなるプラズマを吹き付け、Ｂ，Ｃ，及び各種金属
不純物元素を除去できる理由は、前記技術報告でも明確
でない。現状では、実験的に母金属よりも蒸気圧の高い
金属不純物ほど除去され易い傾向にあること、水素濃度
の増加に伴い除去が促進されることが確認されている。
そして、除去の機構に関しては、下記式で示すように、
溶湯表面近傍のガス側境界層内での金属蒸気Ｍ（例え
ば、Ｆｅ）と活性水素（プラズマ内で解離）との一時的
なクラスタのような緩い結合（Ｈが金属蒸気を捕捉）に
より蒸発が促進すると考えられている。
スからなるプラズマを吹き付け、Ｂ，Ｃ，及び各種金属
不純物元素を除去できる理由は、前記技術報告でも明確
でない。現状では、実験的に母金属よりも蒸気圧の高い
金属不純物ほど除去され易い傾向にあること、水素濃度
の増加に伴い除去が促進されることが確認されている。
そして、除去の機構に関しては、下記式で示すように、
溶湯表面近傍のガス側境界層内での金属蒸気Ｍ（例え
ば、Ｆｅ）と活性水素（プラズマ内で解離）との一時的
なクラスタのような緩い結合（Ｈが金属蒸気を捕捉）に
より蒸発が促進すると考えられている。
【００１４】ｘＭ（蒸気）＋ｙＨ（プラズマ中）⇒
（Ｍx −Ｈy ） ⇒ ｘＭ（ｇ，ｓ）＋（ｙ／２）Ｈ2
（Ｍx −Ｈy ） ⇒ ｘＭ（ｇ，ｓ）＋（ｙ／２）Ｈ2
【００１５】
（実施例）真空精錬でＰを除去され、まだ溶融状態にあ
る金属シリコン１０ｋｇに、水蒸気２０Ｎリットル／分
及びＨ2 ガス１００Ｎリットル／分を１００Ｎリットル
／分のアルゴン・ガスに添加して形成したプラズマ・ガ
スを１時間吹き付け、脱Ｂ及び脱Ｃした。その際、Ｈ2
ガスの存在で、金属シリコン中の所謂不純物金属元素で
あるＦｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａも同時に除去できた。そこ
で、脱酸後、該溶湯を鋳型に注入し、通常の一方向凝固
を行い、インゴットとした。該インゴットの上方２０％
を切断除去後、残部から分析試料を採取して、分析結果
を表１に示す。
る金属シリコン１０ｋｇに、水蒸気２０Ｎリットル／分
及びＨ2 ガス１００Ｎリットル／分を１００Ｎリットル
／分のアルゴン・ガスに添加して形成したプラズマ・ガ
スを１時間吹き付け、脱Ｂ及び脱Ｃした。その際、Ｈ2
ガスの存在で、金属シリコン中の所謂不純物金属元素で
あるＦｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａも同時に除去できた。そこ
で、脱酸後、該溶湯を鋳型に注入し、通常の一方向凝固
を行い、インゴットとした。該インゴットの上方２０％
を切断除去後、残部から分析試料を採取して、分析結果
を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】（比較例）実施例と同じ真空精錬でＰを除
去した金属シリコン１０ｋｇに、水蒸気２０Ｎリットル
／分をアルゴン・ガス２００Ｎリットル／分からなるプ
ラズマ・ガスに添加したものを吹き付け、脱Ｂ及び脱Ｃ
を行った。その後、溶湯を脱酸してから鋳型に注入し、
一方向凝固でインゴットにした。そのインゴットから、
前記同様に分析試料を採取し、分析結果を表２に示す。
去した金属シリコン１０ｋｇに、水蒸気２０Ｎリットル
／分をアルゴン・ガス２００Ｎリットル／分からなるプ
ラズマ・ガスに添加したものを吹き付け、脱Ｂ及び脱Ｃ
を行った。その後、溶湯を脱酸してから鋳型に注入し、
一方向凝固でインゴットにした。そのインゴットから、
前記同様に分析試料を採取し、分析結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】表１より、本発明では、真空精錬でＰを除
いた後、不純物金属元素を除くための凝固精製を行って
いないのも拘らず、Ｆｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａが十分に除
去されていることが明らかである。また、Ｂ及びＣも太
陽電池用シリコンとしての許容できる量にまで低下して
いる。一方、プラズマ・ガスにＨ2 ガスを添加していな
い表２の結果は、所謂不純物金属元素が除去されておら
ず、１回の凝固精製では不十分であることを示してい
る。
いた後、不純物金属元素を除くための凝固精製を行って
いないのも拘らず、Ｆｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃａが十分に除
去されていることが明らかである。また、Ｂ及びＣも太
陽電池用シリコンとしての許容できる量にまで低下して
いる。一方、プラズマ・ガスにＨ2 ガスを添加していな
い表２の結果は、所謂不純物金属元素が除去されておら
ず、１回の凝固精製では不十分であることを示してい
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、金属シリコンの精整に
おいて、溶融と凝固とを繰り返す必要がなくなったの
で、工程省略により歩留向上、生産性向上を図ることが
できる。また、本発明により、安価な金属シリコンを出
発原料としてＢ含有量の低い高純度シリコンを短時間で
安価に量産することができ、従来の高価な半導体用シリ
コンを用いていた太陽電池の低コスト化が可能となる。
これによって太陽電池の利用を大きく進展させることが
でき、社会的にも多大の貢献をもたらす。
おいて、溶融と凝固とを繰り返す必要がなくなったの
で、工程省略により歩留向上、生産性向上を図ることが
できる。また、本発明により、安価な金属シリコンを出
発原料としてＢ含有量の低い高純度シリコンを短時間で
安価に量産することができ、従来の高価な半導体用シリ
コンを用いていた太陽電池の低コスト化が可能となる。
これによって太陽電池の利用を大きく進展させることが
でき、社会的にも多大の貢献をもたらす。
【図１】本発明に係る金属シリコンの精製方法の実施例
を示すフロー・シートである。
を示すフロー・シートである。
【図２】従来技術のフロー・シートである。
１ 金属シリコン（溶湯） ２ 溶解・脱Ｐ工程 ３ 脱Ｂ，Ｃ，Ｏ工程 ４ 金属不純物元素の除去工程 ５ 切断 ６ 基板（ウエハ） ７ 太陽電池用シリコン ８ 再溶解 ９ 凝固 １０ 基板（ウエハ） １１ 凝固粗精製
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 裕幸 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 中村 尚道 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 加藤 嘉英 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属シリコンを精製する方法において、 該金属シリコンを減圧溶解して真空精錬でＰを除去し、
次いで凝固させることなく、不活性ガスに水蒸気とＨ2
ガスの混合ガスを添加してなるプラズマ・ガスでＢ，Ｃ
を除去すると共に、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃａをも除去
し、さらにその後不活性ガス雰囲気で酸素を除去してか
ら凝固精製を行なうことを特徴とする金属シリコンの精
製方法。 - 【請求項２】 上記金属シリコンの真空精錬と、プラズ
マ・ガスによるＢ，Ｃ、Ｆｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃａ除去の
順序を、溶湯を凝固させることなく逆にすることを特徴
とする金属シリコンの精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34779996A JPH10182129A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 金属シリコンの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34779996A JPH10182129A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 金属シリコンの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182129A true JPH10182129A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=18392667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34779996A Withdrawn JPH10182129A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 金属シリコンの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10182129A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002029727A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-01-29 | High Frequency Heattreat Co Ltd | 太陽電池用シリコンの製造方法および装置 |
| US7727502B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-06-01 | Silicum Becancour Inc. | Process for the production of medium and high purity silicon from metallurgical grade silicon |
| KR101188959B1 (ko) | 2010-12-17 | 2012-10-08 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착 방법 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34779996A patent/JPH10182129A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002029727A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-01-29 | High Frequency Heattreat Co Ltd | 太陽電池用シリコンの製造方法および装置 |
| JP4638002B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2011-02-23 | 高周波熱錬株式会社 | 太陽電池用シリコンの製造方法および装置 |
| US7727502B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-06-01 | Silicum Becancour Inc. | Process for the production of medium and high purity silicon from metallurgical grade silicon |
| KR101188959B1 (ko) | 2010-12-17 | 2012-10-08 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착 방법 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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