JPH10245216A - 太陽電池用シリコンの製造方法 - Google Patents

太陽電池用シリコンの製造方法

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JPH10245216A
JPH10245216A JP9049336A JP4933697A JPH10245216A JP H10245216 A JPH10245216 A JP H10245216A JP 9049336 A JP9049336 A JP 9049336A JP 4933697 A JP4933697 A JP 4933697A JP H10245216 A JPH10245216 A JP H10245216A
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solar cell
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solar cells
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JP9049336A
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Yoshihide Kato
嘉英 加藤
Masamichi Abe
正道 阿部
Kazuhiro Hanazawa
和浩 花澤
Hiroyuki Baba
裕幸 馬場
Naomichi Nakamura
尚道 中村
Kenkichi Yushimo
憲吉 湯下
Yasuhiko Sakaguchi
泰彦 阪口
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Kawasaki Steel Corp
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、現在、各精製工程で放置、又は廃棄
されているシリコン・スクラップを、太陽電池用シリコ
ンの原料にリサイクルさせ、歩留の良い「太陽電池用シ
リコンの製造方法」を提供することを目的としている。 【解決手段】金属シリコンを、真空精錬工程、粗精製凝
固工程、酸化精錬工程、仕上凝固精製工程等を順次経て
太陽電池用シリコンを製造するに際し、前記工程のいず
れかで生じる工程除外シリコンを、その処理に適切な工
程にリサイクルする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用シリコ
ンの製造方法に関し、詳しくは、複数の冶金的精製工程
を経て金属シリコンから不純物元素を除去する際に、各
精製工程で生じる金属シリコンの蒸着物、スクラップ、
あるいは酸化珪素等を回収して再度精製工程に戻し、シ
リコン歩留を向上させる技術である。
【0002】
【従来の技術】近年、エネルギー源の多様化要求から、
太陽光発電が脚光を浴び、発電に必要な太陽電池用シリ
コンの製造が盛んになったが、この発電を行うには、シ
リコン中の不純物元素を許容値以下に低減しなければな
らない。そのため、従来は、図8に示すように、出発原
料の金属シリコン(99.5重量%Si)を塩酸と反応
させてトリクロロ・シランとしてガス化し、該ガスを精
留して不純物元素を除き、水素ガスと反応させる所謂C
VD法でガスから析出させたシリコンを用いていた。な
お、この段階で析出したシリコンは、所謂イレブン・ナ
インと非常に高純度なので、通常は半導体製造に利用で
きる。したがって、図8に示す従来の製造方法は、せっ
かく半導体用にまで高純度にしたシリコンを、再度、太
陽電池用に適するように成分調整(ボロン添加)した
り、精製や鋳造をしなければならないので、手間がかか
る上に、歩留が悪く、再溶解の設備、エネルギーも別途
必要で、製造費用が嵩むという問題があった。そのた
め、現在入手可能な太陽電池は高価なものとなり、一般
的な普及の障害となっている。また、上記のような化学
プロセスが主体の金属シリコンの精製では、シラン、塩
化物等の公害物質の多量発生が避けられず、量産の障害
になるという問題もあった。
【0003】そこで、本出願人は、上記のような化学プ
ロセスによる金属シリコンの高純度化を改め、冶金プロ
セスのみで太陽電池に適した純度のシリコンを多量に製
造し、それを鋳造して一気にシリコン基板までにする方
法を検討している。すなわち、図9及び10に示すよう
に、まず、原料である金属シリコン1に真空精錬と一方
向凝固による粗精製を施し、該金属シリコン1が含有す
る燐、カルシウム、アルミニウム、鉄、チタニウム等の
不純物元素をある程度の含有量まで除去する。そして、
引き続き、ボロン、炭素を酸化精錬で除き、脱酸も行
う。しかし、この段階の金属シリコン1には、まだA
l,Fe,Ti等の金属元素がそれぞれ10ppm程度
含まれ、太陽電池用シリコン基板の組成としては純度が
低いので、さらに一方向凝固による精製を施し、前記不
純物元素を除去すると共に、基板用のインゴットを製造
するのである。現在、かかる製造方法によれば、太陽電
池用シリコンを従来法よりかなり安価に量産できること
の目処がついている。
【0004】しかしながら、上記製造方法でもシリコン
歩留の点では大いに問題がある。つまり、酸化精錬で
は、アルゴンからなる高温のプラズマ・ガス流に付加し
た酸化性ガス(例えば、水蒸気)で、ボロン及び炭素を
優先酸化してそれらの酸化物を揮発除去する。ところ
が、99.5重量%のシリコンに10ppm程度含まれ
るボロンや炭素を除去するのであるから、量的には、S
iOやSiO2 として排ガスに逸散するシリコンが圧倒
的に多い(通常、処理する金属シリコンの10重量%程
度に相当)。
【0005】また、真空精錬での脱燐工程では、かなり
のシリコンが蒸発して系外に去り、さらには、一方向凝
固では、製造したインゴット11の上部20%程度が切
断除去される。従って、これらのシリコンを幾分でも回
収し、原料として再利用して歩留を改良すれば、太陽電
池用シリコンの製造がより一層安価になると考えられ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑み、現在、各精製工程で放置、又は廃棄されている
シリコン・スクラップを、太陽電池用シリコンの原料に
リサイクルさせ、歩留の良い「太陽電池用シリコンの製
造方法」を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を達
成するため、各精製工程で発生するシリコン・スクラッ
プ、排ガス中の酸化物、破砕や切削で生じるシリコン屑
等の特性を調査し、それぞれを最適な工程へ戻すことを
鋭意研究し、その成果を本発明として具現化した。
【0008】すなわち、本発明は、 A.金属シリコンを、真空下において溶解し、その含有
する燐を気化脱燐する真空精錬工程 B 脱燐後の溶湯から金属不純物元素を除去するための
凝固を行い、鋳塊を得る粗精製凝固工程 C.該鋳塊の不純物濃化部を切断、除去する第一の不純
物除去工程 D.切断除去後の残部を破砕する破砕工程 E.破砕物を再溶解し、酸化性雰囲気下で溶湯からボロ
ン及び炭素を酸化除去する酸化精錬工程 F.引き続き,アルゴン・ガスあるいはアルゴンと水素
の混合ガスを該溶湯に吹き込み、脱酸する脱酸精製工程 G.脱酸後の溶湯を、鋳型に鋳込み、一方向凝固を行い
鋳塊を得る仕上凝固精製工程 H.該一方向凝固で得た鋳塊の不純物濃化部を切断、除
去する第2の不純物除去工程 I.切断除去後の残部をスライスして基板にするスライ
ス工程 からなる太陽電池用シリコンの製造方法において複数の
前記工程のいずれかで生じる工程除外シリコンを、その
処理に適切な工程にリサイクルすることを特徴とする太
陽電池用シリコンの製造方法である。
【0009】また、本発明は、前記工程除外シリコンの
発生がA工程であり、前記適切な工程をA及び/又はE
工程とすることを特徴とする太陽電池用シリコンの製造
方法である。さらに、本発明は、前記工程除外シリコン
の発生がH工程であり、前記適切な工程をA及び/又は
E工程とすることを特徴とする太陽電池用シリコンの製
造方法である。
【0010】加えて、本発明は、前記工程除外シリコン
の発生がC工程であり、前記適切な工程をA及び/又は
E工程とすることを特徴とする太陽電池用シリコンの製
造方法である。さらに加えて、本発明は、前記工程除外
シリコンの発生がE工程であり、前記適切な工程をE工
程とし、その工程除外シリコンが、前記E工程の排ガス
中に還元性ガスを吹込み、該排ガスに含まれるシリコン
酸化物を単体シリコンとして回収したものであることを
特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法である。
【0011】そして、本発明は、前記工程除外シリコン
の発生がD工程であり、前記適切な工程をA工程とした
り、あるいは前記工程除外シリコンの発生がI工程であ
り、前記適切な工程をE工程とすることを特徴とする太
陽電池用シリコンの製造方法である。また、本発明は、
複数の前記工程のいずれかで生じる工程外シリコンを、
上述した多種類のリサイクル手段のいずれかから選ばれ
た2以上を同時に用いて処理することを特徴とする太陽
電池用シリコンの製造方法であり、あるいは前記A工程
とE−F工程の順序を入れ換えたことを特徴とする太陽
電池用シリコンの製造方法でもある。
【0012】これらの本発明の実施に関しても発明をな
し、それは、製造する太陽電池用シリコンに含有され管
理対象となる各種不純物元素の濃度を測定し、その測定
値が目標値を超えないよう、リサイクルの量及び回数を
調整、あるいはリサイクルの中断することを特徴とする
太陽電池用シリコンの製造方法であり、さらに、前記各
工程へリサイクルする物を一次貯蔵し、リサイクル先溶
湯の不純物濃度を許容範囲内に抑えるように調整して使
用することを特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法
でもある。
【0013】以上述べた多数の本発明では、太陽電池用
シリコンの製造において、従来放置したり、破棄されて
いたシリコン・スクラップ等の工程除外シリコンを再度
シリコン原料として使用するようにしたので、シリコン
歩留が従来に比べ、大幅に向上する。その結果、太陽電
池用シリコンの製造コストが著しく低減する。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、出発原料の金属シリコン
を、真空精錬で脱燐する際に生じるシリコン蒸発物のリ
サイクルである。通常、この真空精錬(A工程)は、図
10に示した減圧室2内に保持容器3を配置し、電子ビ
ーム9による加熱で温度1500℃以上の温度にしたシ
リコン溶湯(以下、溶湯1という)から燐、アルミを蒸
発除去する。その際、減圧室2は10-4torr以上の
真空度になるため、シリコンも若干だが揮発する。ここ
で揮発したシリコンは、減圧室2の壁及び排気系10で
蒸着し回収されるが、通常は工程除外シリコンとして放
置されている。
【0015】本発明は、これを同じ工程に戻して溶湯1
に添加し、再度真空精錬するものである。同一工程へ戻
すのは、まだ金属シリコン1からの不純物除去の当初で
回収したものであり、純度が低いからである。なお、ボ
ロンに関しては、かなり低い(0.1ppm以下)の
で、少ない量なら後流の酸化精錬(E工程)において溶
湯に加えることも可能である。これによって、A工程で
のシリコン歩留が、従来の約90%から95〜98%に
向上した。
【0016】図2は、不純物除去の最終工程である仕上
げ凝固精製工程(G工程)で得た鋳塊から、特に金属不
純物元素が濃化した部分(通常、鋳塊の上部20%程度
に相当)を切断して得た工程除外シリコンの処理である
(H工程という)。このシリコンは、既に脱燐され燐濃
度が低く、また、上流の粗凝固精製工程(B工程)及び
第1の濃化部除去工程(C工程)を経ているので、金属
不純物元素の含有量が極端に高いわけではない。そこ
で、本発明では、固体を溶解させることだけに着眼して
酸化精錬(E工程)にリサイクルさせることにした。E
工程より下流に溶解手段がないからである。なお、溶解
手段を真空精錬工程(A工程)に求めても何ら構わない
が、これによって、H工程でのシリコン歩留はほぼ10
0%と考えて良い。
【0017】図3は、Fe,Al,Ti等の金属不純物
元素を除去するための粗凝固精製(B工程)で得た鋳塊
から、該不純物元素が濃化した部分を切断除去する第1
の除去工程(C工程)で生じた工程除外シリコンの処理
である。このシリコンは、既に脱燐してあるが、Fe,
Al,Ti等の金属不純物元素が高い。酸化精錬Eへリ
サイクルする際は、仕上凝固精製Gで金属不純物元素の
濃度にさほど影響のない程度にするか、本シリコンを適
度に破砕して酸洗処理し、結晶粒界の金属不純物元素を
除去することが肝要である。真空精錬Aまで戻す場合で
も上記と同様であるが、酸洗処理するのであれば、E工
程へリサイクルした方が合理的である。これによって、
C工程でのシリコン歩留もほぼ100%に近くなる。
【0018】図4は、金属シリコンから脱ボロン、脱炭
する酸化精錬工程(E工程)で生じる工程除外シリコン
の処理である。この酸化精錬は、図10に示したよう
に、保持容器2内で、例えばプラズマ・ガス5で加熱し
つつ溶湯1に水蒸気4を吹き付け、ボロン及び炭素を酸
化物として優先的に揮発除去するものである。しかしな
がら、純度99.5%の金属シリコン1にそれぞれ10
ppm程度含まれるボロンを1ppm程度にするのであ
るから、溶湯1の大部分はシリコンである。そのため、
シリコンも同時にSiOあるいはSiO2 として排ガス
中に逃げ、量的には処理する金属シリコン1の約10%
に相当する。
【0019】本発明では、このシリコン分を回収し、再
度同工程にリサイクル処理するものである。従来、煙道
10で回収したものは酸化物であるので、還元してシリ
コンにするのが好ましい。そこで、熱的な面を考慮し、
煙道10に還元ガスを吹込み、還元してからシリコン・
ダストで回収することにした。さらに、酸化精錬時に精
錬容器に投入するシリコンが粉状であると、供給時に飛
散して歩留を低下させるので、回収したダストは、搬送
ガスを用いて溶湯1に吹き付け、あるいは吹込むように
した。また、このダストには、せっかく除いたボロンが
多く含まれるので(50ppm程度)、リサイクルさせ
るには、ダスト量やリサイクル回数に配慮が必要であ
る。特に、酸化精錬後のシリコンのボロンや炭素が高く
なる恐れがある場合には、リサイクルを中止の処置が必
要である。還元ガスとしては、CO,H2 ,炭化水素ガ
スが好ましいが、コスト的には、例えば高炉やコークス
炉等の工場排ガスを利用すれば良い。これによって、従
来90%しかなかったE工程での歩留が96〜97%ま
で向上した。
【0020】図5は、前記した第1の切断除去工程(C
工程)で、鋳塊11から不純物の濃化部分12を除去
し、残部を粉砕した際に発生する粉状の工程除外シリコ
ン屑の処理である。これも従来は、粉体であるため廃棄
されていた。しかし、脱燐後に金属不純物元素の精製が
なされたものであるため、比較的に純度は良い。そこ
で、前記ダストと同様に溶湯1へ搬送ガスの利用で、吹
込み又は吹き付け、あるいは固形化して供給するば良い
と考え、本発明では、A工程もしくはE工程にリサイク
ルする。
【0021】図6は、最終製品の製造工程(I工程)
で、鋳塊11をワイヤ・ソー等で250〜450μm厚
みにスライスして太陽電池用シリコンの基板13を得る
際に発生するシリコン屑である。これは、ワイヤ・ソー
で潤滑剤を用いて切断するため、鉄及びSiCによる汚
染があり,しかも酸化されてSiO2 となっている。そ
のため、酸洗や還元処理が必要で、その後90〜95%
がリサイクルされる。また、形状が粉体であるために、
溶解工程への供給に問題があった。そこで、本発明で
は、前記シリコン・ダストや破砕シリコン屑と同様に、
粉体の吹込み又は吹き付け、あるいは固形化して溶湯へ
供給するようにした。供給場所は、E工程、つまり酸化
精錬工程である。従って、I工程でのシリコン歩留は、
ほぼ90〜95%である。
【0022】図7は、上述した種々のリサイクルを全て
同時に実施する形態の本発明であり、シリコン歩留の面
では、この場合が最も効果が大きい。しかし、全てのリ
サイクルを行わなくても、それなりの効果は発揮される
ので、前記したリサイクル手段から、2以上を選択して
同時に用いる多種の組合わせも本発明とする。また、前
記した本発明では、図1〜7に示したように、金属シリ
コン1からの不純物除去を揮発精錬から始めることにし
ていた。しかし、この揮発精錬(A工程)と酸化精錬及
び脱酸工程(E及びF工程)との順序を代えても、シリ
コン歩留に与える効果は同じなので、それも本発明に加
えることにした。
【0023】各工程で生じた前記工程除外シリコンを、
適切に処理できる工程にリサイクルしただけで全ての問
題が解決できれば良いが、そのような旨い話はないのが
現実である。前記工程除外シリコンのうち、I工程で生
じるスライス屑以外は全て成分的な問題を抱えている。
つまり、前記各工程は、金属シリコン1から不純物元素
を除去するものであるから、工程除外シリコンには、せ
っかく除外した不純物元素が濃縮している場合が多いか
らである。かかる工程除外シリコンを単純にリサイクル
させれば、いずれは各工程で処理できないように溶湯の
不純物元素が高くなる。そこで、発明者は、最終製品で
ある太陽電池用シリコンの成分規格を指標にして、リサ
イクルの量や回数を制限したり、あるいはリサイクルの
中断をするようにした。また、本発明では、各工程で溶
湯1の成分管理を厳重にするため、前記各工程へリサイ
クルする物を一次貯蔵し、リサイクル先溶湯の不純物濃
度を許容範囲内に抑えるように調整して使用することも
考えたのである。
【0024】
【実施例】図10に示す装置で、出発原料に市販の粒状
金属シリコン1を用いて、太陽電池用シリコンを製造す
る操業を行った。該金属シリコンの主な不純物元素の組
成を表1に示し、まず、前記した工程除外シリコンのリ
サイクル以外の操業を説明する。
【0025】減圧室2内に、出力300KWの電子銃を
上方に備え、黒鉛製の保持容器3(溶解炉ともいう)
に、前記市販の金属シリコン1を10kg/時間で供給
して連続溶解する。その際、減圧室2は10-5torr
の真空度とされ、溶湯1から燐及びアルミニウム元素の
一部が気化し、排気ガスと共に除去される。この排気系
10には、冷却した蒸着板(図示せず)が設置され、そ
こに排気ガス7中に含まれ飛散しているシリコン蒸気を
冷却して、蒸着させる。これが前記A工程で生じる工程
除外シリコンである。なお、以下の操業は、一部に所謂
バッチ操業も含み、保持容器2から次工程への移動をオ
ーバー・フロー型式にした半連続操業となる。
【0026】引き続いて、脱燐後の溶湯1は、水冷式銅
製の鋳型14に注入され、溶湯表面を電子ビーム9で照
射して溶融状態を保持しつつ、底部より凝固界面の移動
速度1mm/分で凝固し、50kgの鋳塊11を得る
(B工程)。その際、溶湯中の金属不純物元素の多く
は、凝固後半の溶湯部分に濃縮する。そこで、前記C工
程で、この鋳塊11の上部20%を切断し、工程除外シ
リコンとして除去する。つまり、金属シリコンの粗凝固
精製を行ったのであり、その残部は、表1に示す化学組
成の鋳塊11となる。
【0027】この残部の鋳塊11を、次工程での使用の
便を配慮し、粒状に破砕する(D工程)。ここで生じる
粉が、前記工程除外シリコンであり、破砕シリコン屑と
命名する。粒状物は、出力100KWのプラズマ・トー
チ6を上方に配置したシリカ・ルツボ(保持容器2)内
で溶解される。そして、溶湯1の温度を1600℃に保
持し、15容量%の水蒸気4を含むアルゴン−水蒸気の
混合ガスを該溶湯1の表面に吹き付けた。これによっ
て、溶湯1中のボロン及び炭素は酸化され、酸化物とし
て排ガス7に逃げ、除去される(E工程)。しかし、溶
湯1の主体であるシリコンも酸化され、SiOあるいは
SiO2 として排ガスに含まれる。この排ガス7中の酸
化物の一部は、排気系10に設けた集塵装置でダストと
として回収される。本発明では、この集塵装置の手前に
還元ガスを導入する口(図示せず)を設け、排ガス7中
の酸化物を還元するようにした。それによって、集塵装
置ではシリコンを主体としたダストが回収できる。これ
を、工程除外シリコン・ダストとする。
【0028】一方、酸化精錬中には、溶湯1から試料を
採取し、その比抵抗を測定する。酸化性ガスの吹き付け
から約2時間経過後に、試料の比抵抗が1オーム・cm
になったので、酸化精錬の終了と判断し、前記混合ガス
をアルゴン・ガスのみに切り替え、30分間脱酸した。
その後、該溶湯1は、離型剤のSi34 を塗布した黒
鉛製の鋳型14に注入され、アルゴン雰囲気下で底部よ
り冷却して一方向凝固し、鋳塊11を得た。その際、鋳
型14上方には黒鉛ヒータを配置し、溶湯1の表面を加
熱し、凝固界面の移動速度は、0.7mm/分程度であ
る。また、これによって、溶湯1中の金属不純物元素
は、凝固後半の溶湯に濃縮する(この工程は、仕上凝固
精製と呼ぶ)。凝固完了後、得られた鋳塊11の上部2
5%を切断除去し、前記H工程での除外シリコンとし
た。 この残部が、製造目的とした太陽電池用シリコン
であり、引き続き、それをマルチ・ワイヤ・ソーを用い
て、一枚の厚さが350μmの薄板になるようスライス
する。つまり、製品として、サイズ15cm×15cm
の太陽電池用シリコン基板を300枚得た。スライスの
段階でも、シリコン粉が工程除外シリコンとして発生
し、スライス屑と命名する。
【0029】なお、この基板13の性能は、通常、本発
明に係る工程除外シリコンのリサイクルを行わない場
合、比抵抗が1.2オーム・cm,少数キャリアのライ
フ・タイムが12μ秒、光電変換効率が14%である。
また、その化学組成は、表1に示す程度である。
【0030】
【表1】
【0031】次に、本発明に係る工程除外シリコンのリ
サイクルを実施した代表例として、図7に示した全ての
工程外シリコンをリサイクル場合を前記操業に適用し
た。つまり、出願人が先に提案した太陽電池用シリコン
の製造フローに、本発明を取り入れたのである。リサイ
クルは、最終製品の基板13から試料を採取して迅速分
析し、太陽電池用シリコンとしての目標値になるよう、
各不純物元素を監視しつつ行われた。その目標値を、表
2に示す。
【0032】操業の途中では、この目標値におさまるよ
う、それぞれのリサイクル量を減少させたり、リサイク
ルを中断した。その結果、この操業によって達成された
シリコン歩留は、表3から明らかなように、従来は32
%程度であったものがほぼ90%にもなり、格段の成果
が達成できた。
【0033】なお、上記代表例以外の本発明を実施した
場合は、表3の値より歩留向上効果が推定でき、最も低
いもので35%となる。
【0034】
【表2】
【0035】
【表3】
【0036】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、太陽
電池用シリコンの製造において、従来は、廃棄したりあ
るいは放置していた工程除外シリコンが、その製造工程
のいずれかにリサイクルできるようになり、シリコン歩
留が大幅に向上した。その結果、太陽電池用シリコン、
あるいはそれで製作した基板の製造コストが安価になっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第1の実施形態を示す流れ図である。
【図2】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第2の実施形態を示す流れ図である。
【図3】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第3の実施形態を示す流れ図である。
【図4】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第4の実施形態を示す流れ図である。
【図5】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第5の実施形態を示す流れ図である。
【図6】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第6の実施形態を示す流れ図である。
【図7】本発明に係る太陽電池用シリコンの製造方法の
第7の実施形態を示す流れ図である。
【図8】従来の太陽電池用シリコンの製造工程を示す流
れ図である。
【図9】本出願人が最近提案した太陽電池用シリコンの
製造工程を示す流れ図である。
【図10】図9の流れ図を、具体的な装置に置き換えて
示した模式図である。
【符号の説明】
1 金属シリコン(あるいは溶湯) 2 減圧室 3 保持容器(溶解装置) 4 酸化性ガス(水蒸気) 5 プラズマ・ガス 6 プラズマ・トーチ 7 排気ガス 8 電子銃 9 電子ビーム 10 煙道(排気系) 11 鋳塊(インゴット) 12 濃化部(切断除去部) 13 基板(ウエハ) 14 鋳型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花澤 和浩 千葉市中央区川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 馬場 裕幸 千葉市中央区川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 中村 尚道 千葉市中央区川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 湯下 憲吉 千葉市中央区川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 阪口 泰彦 千葉市中央区川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】A.金属シリコンを、真空下において溶解
    し、その含有する燐を気化脱燐する真空精錬工程 B 脱燐後の溶湯から金属不純物元素を除去するための
    凝固を行い、鋳塊を得る粗精製凝固工程 C.該鋳塊の不純物濃化部を切断、除去する第一の不純
    物除去工程 D.切断除去後の残部を破砕する破砕工程 E.破砕物を再溶解し、酸化性雰囲気下で溶湯からボロ
    ン及び炭素を酸化除去する酸化精錬工程 F.引き続き,アルゴン・ガスあるいはアルゴンと水素
    の混合ガスを該溶湯に吹き込み、脱酸する脱酸精製工程 G.脱酸後の溶湯を、鋳型に鋳込み、一方向凝固を行い
    鋳塊を得る仕上凝固精製工程 H.該一方向凝固で得た鋳塊の不純物濃化部を切断、除
    去する第2の不純物除去工程 I.切断除去後の残部をスライスして基板にするスライ
    ス工程 からなる太陽電池用シリコンの製造方法において複数の
    前記工程のいずれかで生じる工程除外シリコンを、その
    処理に適切な工程にリサイクルすることを特徴とする太
    陽電池用シリコンの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記工程除外シリコンの発生がA工程で
    あり、前記適切な工程をA及び/又はE工程とすること
    を特徴とする請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造
    方法。
  3. 【請求項3】 前記工程除外シリコンの発生がH工程で
    あり、前記適切な工程をA及び/又はE工程とすること
    を特徴とする請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造
    方法。
  4. 【請求項4】 前記工程除外シリコンの発生がC工程で
    あり、前記適切な工程をA及び/又はE工程とすること
    を特徴とする請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造
    方法。
  5. 【請求項5】 前記工程除外シリコンの発生がE工程で
    あり、前記適切な工程をE工程とすることを特徴とする
    請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記工程除外シリコンが、前記E工程の
    排ガス中に還元性ガスを吹込み、該排ガスに含まれるシ
    リコン酸化物を単体シリコンとして回収したものである
    ことを特徴とする請求項5記載の太陽電池用シリコンの
    製造方法。
  7. 【請求項7】 前記工程除外シリコンの発生がD工程で
    あり、前記適切な工程をA工程とすることを特徴とする
    請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記工程除外シリコンの発生がI工程で
    あり、前記適切な工程をE工程とすることを特徴とする
    請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
  9. 【請求項9】 複数の前記工程のいずれかで生じる工程
    外シリコンを、請求項2〜8のいずれかから選ばれた2
    以上のリサイクル手段を用いて処理することを特徴とす
    る請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記A工程とE−F工程の順序を入れ
    換えたことを特徴とする請求項1〜9いずれかに記載の
    太陽電池用シリコンの製造方法。
  11. 【請求項11】 製造する太陽電池用シリコンに含有さ
    れ管理対象となる各種不純物元素の濃度を測定し、その
    測定値が目標値を超えないよう、前記リサイクルの量及
    び回数を調整したり、あるいはリサイクルを中断させる
    ことを特徴とする請求項1〜10いずれか記載の太陽電
    池用シリコンの製造方法。
  12. 【請求項12】 前記適切な工程へリサイクルする多種
    の工程外シリコンを、それぞれ個別に一次貯蔵し、リサ
    イクル先溶湯の不純物濃度を許容範囲内に抑えるように
    調整して使用することを特徴とする請求項1〜11いず
    れか記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445976B1 (ko) * 2002-05-28 2004-08-25 길종원 단결정 실리콘 인곳의 스크랩부분을 이용한 태양전지용웨이퍼의 제조방법
JP2005343779A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Iis Materials:Kk 電子ビームを用いたスクラップシリコンの精錬装置
JP2006089361A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Iis Materials:Kk 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬方法及び装置
JP2007051047A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Norichika Yamauchi 電子ビームを用いたシリコンの精錬方法及び装置
JP2007277022A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Sagami Saabo Kk 高純度シリコン製造方法及び高純度シリコン製造装置
WO2007101666A3 (de) * 2006-03-08 2008-03-27 Schott Solar Gmbh Verfahren zum gewinnen und/oder rezyklieren von material
KR100839829B1 (ko) 2005-12-15 2008-06-19 주식회사 실트론 폐 실리콘을 이용한 태양전지용 잉곳 제조방법 및 장치
WO2008150984A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-11 Gt Solar Incorporated Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon
KR100885716B1 (ko) * 2007-04-03 2009-02-26 경희대학교 산학협력단 실리콘 슬러리를 이용한 태양전지 및 그 제조방법
JP2009520664A (ja) * 2005-12-21 2009-05-28 ショイテン ソーラー ホールディング ベーフェー 太陽熱利用目的に適したシリコンの製造方法
US7632329B2 (en) 2004-06-03 2009-12-15 Iis Materials Corporation, Ltd. Method of refining scrap silicon using an electron beam
US7842118B2 (en) 2004-06-03 2010-11-30 Iis Materials Corporation, Ltd. Recycling method for scrap silicon
WO2011081082A1 (ja) 2009-12-28 2011-07-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材
CN102534203A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 上海盛宝冶金科技有限公司 一种光伏硅合金球及其生产方法
JP2013505184A (ja) * 2009-09-18 2013-02-14 エービービー エービー シリコンを結晶化させる装置及び方法
KR20130108147A (ko) 2012-03-22 2013-10-02 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 다결정 실리콘 잉곳 및 다결정 실리콘 잉곳의 제조 방법
US9388507B2 (en) 2010-03-26 2016-07-12 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot
CN111807372A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 昆明理工大学 一种硅片切割废料顶吹精炼的方法
CN112624122A (zh) * 2021-01-12 2021-04-09 昆明理工大学 一种真空微波精炼工业硅制备6n多晶硅的方法及装置

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445976B1 (ko) * 2002-05-28 2004-08-25 길종원 단결정 실리콘 인곳의 스크랩부분을 이용한 태양전지용웨이퍼의 제조방법
JP2005343779A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Iis Materials:Kk 電子ビームを用いたスクラップシリコンの精錬装置
US7842118B2 (en) 2004-06-03 2010-11-30 Iis Materials Corporation, Ltd. Recycling method for scrap silicon
US7687019B2 (en) 2004-06-03 2010-03-30 Iis Materials Corporation, Ltd. Refining apparatus for scrap silicon using an electron beam
US7632329B2 (en) 2004-06-03 2009-12-15 Iis Materials Corporation, Ltd. Method of refining scrap silicon using an electron beam
JP4655292B2 (ja) * 2004-06-03 2011-03-23 株式会社 アイアイエスマテリアル 電子ビームを用いたスクラップシリコンの精錬装置
JP4665479B2 (ja) * 2004-09-27 2011-04-06 株式会社 アイアイエスマテリアル 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬方法及び装置
JP2006089361A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Iis Materials:Kk 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬方法及び装置
JP2007051047A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Norichika Yamauchi 電子ビームを用いたシリコンの精錬方法及び装置
US7704478B2 (en) 2005-08-16 2010-04-27 Norichika Yamauchi Method and apparatus for refining silicon using an electron beam
KR100839829B1 (ko) 2005-12-15 2008-06-19 주식회사 실트론 폐 실리콘을 이용한 태양전지용 잉곳 제조방법 및 장치
JP2009520664A (ja) * 2005-12-21 2009-05-28 ショイテン ソーラー ホールディング ベーフェー 太陽熱利用目的に適したシリコンの製造方法
WO2007101666A3 (de) * 2006-03-08 2008-03-27 Schott Solar Gmbh Verfahren zum gewinnen und/oder rezyklieren von material
JP2009528970A (ja) * 2006-03-08 2009-08-13 ショット・ゾラール・ゲーエムベーハー 材料を回収および/またはリサイクルするための方法
US8118248B2 (en) 2006-03-08 2012-02-21 Schott Solar Ag Method for recovering and/or recycling material
US7694903B2 (en) 2006-03-08 2010-04-13 Schott Solar Ag Method for recovering and/or recycling material
JP2007277022A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Sagami Saabo Kk 高純度シリコン製造方法及び高純度シリコン製造装置
KR100885716B1 (ko) * 2007-04-03 2009-02-26 경희대학교 산학협력단 실리콘 슬러리를 이용한 태양전지 및 그 제조방법
WO2008150984A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-11 Gt Solar Incorporated Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon
US7927385B2 (en) 2007-06-01 2011-04-19 Gt Solar Incorporated Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon
JP2013505184A (ja) * 2009-09-18 2013-02-14 エービービー エービー シリコンを結晶化させる装置及び方法
US8632632B2 (en) 2009-09-18 2014-01-21 Abb Ab Apparatus and method for crystallization of silicon
US8721789B2 (en) 2009-09-18 2014-05-13 Abb Ab Apparatus and method for crystallization of silicon
WO2011081082A1 (ja) 2009-12-28 2011-07-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材
US9388507B2 (en) 2010-03-26 2016-07-12 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot
CN102534203A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 上海盛宝冶金科技有限公司 一种光伏硅合金球及其生产方法
KR20130108147A (ko) 2012-03-22 2013-10-02 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 다결정 실리콘 잉곳 및 다결정 실리콘 잉곳의 제조 방법
CN111807372A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 昆明理工大学 一种硅片切割废料顶吹精炼的方法
CN112624122A (zh) * 2021-01-12 2021-04-09 昆明理工大学 一种真空微波精炼工业硅制备6n多晶硅的方法及装置

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