JP2006089361A - 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器1内においてボロン含有シリコンに電子ビームを照射してボロン含有シリコンを溶融させる。次いで、真空容器1内にH2Oを導入して溶融したシリコンに含有されるボロンを酸化させてボロン酸化物に変化させ、これを蒸発させる。ボロン酸化物が蒸発した後で電子ビームの照射を停止してシリコンを凝固させ、高純度のシリコンインゴットを得る。
【選択図】図1
Description
1.活量が小さく気化除去が困難(蒸気圧が低いため、単純な真空除去はできない)。
2.ボロンの偏析係数は1に近いため凝固精製も期待できない。
2 るつぼ
3 電子銃
5 H2O導入システム
10 コントローラ
Claims (9)
- 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬方法であって、
真空チャンバ内においてボロン含有シリコンに電子ビームを照射してボロン含有シリコンを溶融させる工程と、
溶融したシリコン内のボロンと結合して蒸発可能なボロン化合物を生成するボロン化合物生成物質を真空チャンバ内に導入してボロンを少なくとも部分的に蒸発除去する工程と、
ボロン化合物が蒸発した後で電子ビームの照射を停止してシリコンを凝固させる工程とを含むことを特徴とする方法。 - シリコン溶湯中のボロン濃度が最低となり再び増加する前に電子ビームの照射を停止してシリコンを凝固させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ボロン化合物生成物質は、溶融したシリコンに含有されるボロンを酸化させてボロン酸化物に変化させる酸素原子含有物質であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記酸素原子含有物質がH2Oであることを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 電子ビームを用いたボロン含有シリコンの精錬装置であって、
真空チャンバと、
この真空チャンバ内に設置され、ボロン含有シリコンを溶融するためのるつぼと、
るつぼ内のボロン含有シリコンに電子ビームを照射してボロン含有シリコンを溶融させる電子銃と、
溶融したシリコン内のボロンと結合して蒸発可能なボロン化合物を生成するボロン化合物生成物質を真空チャンバ内に導入する導入手段とを備えたことを特徴とする装置。 - 電子銃を作動させることによってるつぼ内のボロン含有シリコンを溶融すると共に、導入手段を作動させることによって物質所定量のボロン化合物生成物質を真空チャンバ内に導入して溶融シリコンに含有されるボロンの少なくとも部分的に蒸発除去し、その後に電子銃の作動を停止させる制御装置を更に含むことを特徴とする、請求項5に記載の装置。
- 前記制御装置は、シリコン溶湯中のボロンの含有率が最低となり再び増加する前に電子銃の作動を停止させることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記ボロン化合物生成物質は、溶融したシリコンに含有されるボロンを酸化させてボロン酸化物に変化させる酸素原子含有物質であることを特徴とする、請求項5〜6の何れかに記載の装置。
- 前記酸素原子含有物質がH2Oであることを特徴とする、請求項8に記載の装置。
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