DE69634888T2 - Kontaktlochätzverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und ein Herstellungsverfahren, welches eine Anzeigearchitektur mit fünf Masken verwendet.
  • Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix (active matrix liquid crystal devices: AMLCD) verbessern die Anzeigequalität durch die Verwendung von Dünnschichttransistoren (thin film transistors: TFT), um die Bildelementelektroden anzusteuern. Die AMLCD werden in Anzeigeabschnitten von vielen Produkten mit großer Stückzahl verwendet, wie etwa Laptops. Daher besteht ein großer Anreiz, die Herstellungsausbeute durch Vereinfachung der Herstellungsprozesse zu verbessern, welche eine größere Produktzuverlässigkeit und Verminderung in den Stückkosten bedingen.
  • Die Bildelementelektrode in einer AMLCD-Auslegung umfasst üblicherweise eine Schicht aus Indiumzinnoxid (indium-tin-oxide: ITO), weil ITO sowohl transparent als auch leitend ist. Der derzeitige Aufbau eines AMLCD bildet eine Passivierungsschicht über der ITO-Schicht aus. Das Flüssigkristallmaterial wird über der Passivierungsschicht angeordnet und es wird eine gemeinsame Elektrode über dem Flüssigkristallmaterial bei der Fertigstellung der AMLCD-Einrichtung ausgebildet.
  • Da AMLCDs üblicherweise in tragbaren Geräten eingesetzt werden, welche begrenzte Batterielebensdauern aufweisen, wird eine neue AMLCD-Struktur entworfen, um den Leistungsverbrauch des AMLCDs zu vermindern. Diese Struktur ist eingehend in der Stammanmeldung EP-A-0 679 922 beschrieben. Die neue Struktur ordnet die ITO-Schicht oberhalb der Passivierungsschicht an, so dass die Spannung, welche notwendig ist, um die Bildelementelektrode anzusteuern, vermindert wird, wodurch der Leistungsverbrauch des AMLCDs vermindert wird.
  • Ein Prozess zur Herstellung der neuen AMLCD-Struktur ist günstiger als vorhergehende Verfahren. Da sich die ITO-Schicht oberhalb der Passivierungsschicht befindet, erfordert jedoch eine Verbindung von der Sourceelektrode zu der Gateelektrode das Ätzen eines Durchgangsloches durch mehrere Schichten unterschiedlichen Materials. Dieser Ätzprozess erfordert zusätzliche Schritte zu denjenigen, welche erforderlich sind, die TFTs und Bildelementelektroden auszubilden. Diese zusätzlichen Schritte können vermieden werden, ohne die Prozesse zu berühren, welche erforderlich sind, die TFTs und die Bildelementelektroden auszubilden. Wenn diese zusätzlichen Schritte vermieden werden, werden die Kosten des AMLCDs verringert.
  • JP 06202153 beschreibt eine Matrixeinrichtung mit Dünnschichttransistoren und deren Herstellung. Ein Gateanschlussabschnitt ist aus einer unteren Gateanschlusselektrode und einer oberen Gateanschlusselektrode aufgebaut, welche auf dieser unteren Gateanschlusselektrode auflaminiert ist über einen isolierenden Film, welcher eine gemeinsame Schicht mit einem Gateisolationsfilm auf demselben aufbaut und einem Kontaktloch, welches in einem Passivierungsfilm geöffnet wird und besteht aus einer Transportelektrode desselben Materials, wie das Material einer Bildelementelektrode. Der Speicherkapazitätsabschnitt ist aus einer Cs-Elektrode, einem Film einer dielektrischen Substanz, welcher aus einem isolierenden Film und aus einer a-Si-Schicht vom i-Typ auf demselben besteht und einer Gegenelektrode aufgebaut, welche aus einer a-Si-Schicht vom n+-Typ und einer metallischen Schicht auf derselben besteht. Diese Gegenelektrode wird über ein Kontaktloch, welches in dem Passivierungsfilm geöffnet wird, mit der Bildelementelektrode verbunden.
  • Es ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix zu verbessern, insbesondere in Bezug auf das Ätzen von Durchgangslöchern durch die Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht. Dieses Ziel wird durch Bereitstellung eines Verfahrens gemäß Anspruch 1 erreicht. Die vorliegende Erfindung stellt weiterhin eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß Anspruch 5 bereit. Ausführungsformen des Verfahrens und der Einrichtung werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Die Merkmale des Oberbegriffes von Anspruch 1 und 5 sind aus dem Dokument JP 06202153 bekannt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend in Form eines Beispiels mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben:
  • 1 ist eine Draufsicht von Bildelementabschnitten einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie II-II der 1;
  • 3A–3E sind Querschnittsansichten eines Dünnschichttransistors, welcher gemäß der Erfindung unter der Verwendung von fünf Masken ausgebildet wird;
  • 4 zeigt einen Transistoraufbau, welcher eine Sourceelektrode und eine Gateelektrode verbindet;
  • 5 zeigt einen Querschnitt einer Source- und Gateleitungsverbindung;
  • 6 ist ein Querschnitt eines Durchgangslochs, welches durch die Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht ausgebildet wird, wenn die Ätzrate der Passivierungsschicht gleich zu der Ätzrate der Gateisolationsschicht ist;
  • 7 ist ein Querschnitt eines Durchgangsloches durch die Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht, wenn die Ätzrate der Passivierungsschicht geringer ist als die Ätzrate der Gateisolationsschicht; und
  • 8 ist ein Querschnitt eines Durchgangsloches durch die Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht, wenn die Ätzrate der Passivierungsschicht größer als die Ätzrate der Gateisolationsschicht ist.
  • 1 zeigt eine Substratoberfläche eines AMLCD, welche in Bildelementgebiete 100–102, 200–202 und 300–302 durch die Gateleitungen 34 und die Datenleitungen 32 unterteilt ist. Jedes Bildelementgebiet umfasst eine Bildelementelektrode 38 und einen TFT 50. Jeder TFT 50 umfasst eine Gateelektrode 44, eine Drainelektrode 40 und eine Sourceelektrode 41. Die Drainelektrode 40 des TFT 50 ist mit der Bildelementelektrode 38 bei dem Durchgangsloch 43 verbunden. Die Sourceelektrode 41 ist mit der Datenleitung 32 verbunden.
  • 2 zeigt den Querschnitt des TFT 50, welcher das Durchgangsloch 43 entlang der Schnittlinie II-II einschließt. Die Gateelektrode 44 ist über dem Substrat 52 ausgebildet. Die Gateisolationsschicht 56 ist über der Gateelektrode 44 ausgebildet und eine aktive Schicht aus amorphem Silizium (a-Si) 58 ist über der Gateelektrode 44 über der Gateisolationsschicht 56 ausgebildet. Die Gateisolationsschicht 56 umfasst Materialien, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxinitrid (SiON), zusammengesetzte Schichten aus SiN und SiON und anodischen Oxiden, wie etwa Tantaloxid und Aluminiumoxid. Eine Ätzbarriere 60 ist überhalb der Gateelektrode 44 über der a-Si-Schicht 58 ausgebildet.
  • Die Drainelektrode des TFT 50 umfasst eine n+-dotierte Siliziumschicht 62 und eine Metallschicht, welche über der a-Si-Schicht 58 und teilweise über der Ätzbarriere 60 ausgebildet ist. In dieser Ausführungsform umfasst die Metallschicht eine Titanwolframsperrschicht 64 (TiW) und eine Aluminiumschicht 66 und eine weitere TiW-Schicht 68. Die Metallschichten 64, 66 und 68 bilden einen Metallkontakt für die Drainelektrode 40 aus. Die Sourceelektrode 41 des TFT ist ähnlich ausgebildet wie die Drainelektrode 40, ist jedoch von der Drainelektrode 40 über der Ätzbarriere 60 getrennt.
  • Über dem TFT 50 ist eine Passivierungsschicht 60 ausgebildet. Das Durchgangsloch 43 ist in der Passivierungsschicht 70 ausgebildet, um die Drainelektrode 40 freizulegen. Die Bildelementelektrode 38 ist über der Passivierungsschicht 70 ausgebildet und stellt einen Kontakt mit der Drainelektrode 41 durch das Durchgangsloch 43 her.
  • Das Anzeigedatensignal von einer externen Quelle (nicht gezeigt) wird dem TFT 50 durch die Sourceelektrode 41 zugeleitet. Die Bildelementelektrode 38 erhält dieses Anzeigedatensignal nur dann, wenn der TFT 50 angeschaltet ist. Wenn ein geeignetes elektrisches Potenzial auf das Gate 44 angewendet wird, wird der TFT 50 angeschaltet. Wenn der TFT 50 angeschaltet ist, wird die a-Si-Schicht 58 oberhalb des Gates 44 leitfähig und verbindet die Sourceelektrode 41 mit der Drainelektrode 40. Wenn der TFT 50 angeschaltet ist, wird daher das Anzeigedatensignal mit der Bildelementelektrode 38 verbunden. Die Bildelementelektrode 38 schaltet in Zusammenwirken mit der gemeinsamen Elektrode (nicht gezeigt) das LCD-Bildelement AN und AUS, je nach dem Inhalt des Anzeigedatensignals.
  • 3A–3E zeigen ein Verfahren zur Herstellung des TFT 50. In der 3A wird eine Metallschicht von ungefähr 1500 Å Dicke über dem Substrat 52 ausgebildet. Die Metallschicht kann ausgebildet werden unter Verwendung einer Klasse von refraktorischen Metallen oder Metallschichten, wie etwa Chrom, Molybdän oder Titan. Kupfer, Aluminium oder Aluminium mit Titan als Barrierenmetall abgedeckt, können ebenso verwendet werden. Die Metallschicht wird unter Verwendung einer ersten Maske geätzt, um die Gateleitungen 32 und die Gateelektrode 44 auszubilden.
  • Gemäß 3B wird die Gateisolationsschicht 56 über dem Substrat 52 und der Gateelektrode 44 ausgebildet. In dieser Ausführungsform ist die Gateisolationsschicht 56 eine Nitridschicht, wie etwa Siliziumnitrid (SiN), welches bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 300–380°C mit einer Dicke von ungefähr 3000 Å abgeschieden wird eine a-Si-Schicht 58 wird über der Gateisolationsschicht 56 ausgebildet. Die a-Si-Schicht 58 enthält ungefähr 5–12% Wasserstoff und wird bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 230–300°C bei einer Dicke zwischen ungefähr 300–500 Å ausgebildet. Eine Ätzbarrierenschicht wird über der a-Si-Schicht 58 ausgebildet. Die Ätzbarrierenschicht wird bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 200–250°C mit einer Dicke zwischen ungefähr 1000 und 1500 Å ausgebildet. Es wird eine zweite Maske verwendet, um die Ätzbarrierenschicht zu mustern, um die Ätzbarriere 60 auszubilden.
  • Gemäß 3C werden die Drainelektrode 40 und die Sourceelektrode 41 ausgebildet. Die Drain- und Sourceelektroden 40 und 41 schließen jeweils n+-Siliziumschichten 62 und 562 ein, welche über der a-Si-Schicht 58 und der Ätzbarriere 60 ausgebildet werden. Das n+-Silizium enthält ungefähr 0,5–2% amorphes Silizium und ungefähr 5–15% Wasserstoff und wird zwischen ungefähr 200–250°C mit einer Dicke ungefähr 1000 Å abgeschieden. Über den n+-Siliziumschichten 62 und 562 werden Metallschichten ausgebildet. Die Metallschichten können Metalle, wie etwa Molybdän-Chrom, Titan, Tantal, eine vielschichtige Struktur von sich abwechselnden Schichten von Aluminium und Titan-Wolfram oder Aluminium mit einer zweifachen dielektrischen Deckschicht sein. In dieser Ausführungsform sind die Metallschichten eine vielschichtige Struktur, wobei jede eine erste TiW-Schicht 64 und 564 von ungefähr 500 Å als ein Barrierenmetall, eine Aluminiumschicht 66 und 566 zwischen ungefähr 3000–4000 Å und eine weitere TiW-Schicht 68 und 568 zwischen ungefähr 500–1000 Å Dicke aufweist. Die Metallschichten und die n+-Siliziumschichten 62 und 562 werden durch eine dritte Maske gemustert und geätzt, um die Drainelektrode 40 und die Sourceelektrode 41 auszubilden.
  • Es wird eine mehrstufige Ätzung verwendet, um die Metallschichten und die n+-Siliziumschichten 62 und 562 zu ätzen. Zunächst wird Wasserstoffperoxid (H2O2) verwendet, um die TiW-Schichten 68 und 568 zu ätzen. Dieser Ätzung folgt ein üblicher Aluminiumätzschritt, welcher wiederum gefolgt wird von einem zweiten H2O2-Ätzschritt, um die unteren TiW-Schichten 64 und 564 zu ätzen. Die n+-Siliziumschichten 62 und 562 werden unter Verwendung von 10 : 1-CF4/O2 geätzt. Die Kombination dieser Ätzschritte bildet jeweils die Drain- und Sourceelektrode 40 und 41 aus. Die Metallschichten und die n+-Siliziumschichten 62 und 562 über der Ätzbarriere 60 werden geätzt, wobei ein kleiner Abschnitt der Drain- und Sourceelektroden 41 und 42 jeweils über der Kante der Ätzbarriere 60 zurückbleibt.
  • Gemäß 3D wird die Passivierungsschicht 70 über der a-Si-Schicht 58 und den Drain- und Sourceelektroden 40 und 41 jeweils ausgebildet. In dieser Ausführungsform umfasst die Passivierungsschicht 70 Siliziumoxinitrid (SiON) von ungefähr 6000 Å Dicke. Andere Materialien, wie etwa SiN oder Polyimid, können ebenso für die Passivierungsschicht 70 verwendet werden. Die Passivierungsschicht 70 wird durch eine vierte Maske gemustert und geätzt, um das Drain-Durchgangsloch 43 auszubilden.
  • Gemäß 3E wird die Bildelementelektrode 38 durch Ausbilden einer leitenden und transparenten Schicht, in dieser Ausführungsform ITO, über der Passivierungsschicht 70 und über dem Durchgangsloch 43 ausgebildet, um den Kontakt mit der Drainelektrode 40 herzustellen. Die ITO-Schicht wird mit einer fünften und letzten Maske geätzt, wodurch der TFT 50 fertiggestellt ist. Dementsprechend wird der TFT 50 durch die Verwendung von nur fünf Masken ausgebildet.
  • Während die 3A–3E die Ausbildung des TFT 50 veranschaulichen, werden andere Schaltkreisverbindungen ebenso ohne weitere Masken ausgebildet. 4 zeigt eine herkömmliche TFT-Konfiguration, welche erfordert, dass die Sourceelektrode 41 mit dem Gate 44 verbunden wird. Die 5 zeigt einen Querschnitt der Sourceelektrode 41, welche mit einem Abschnitt 556 einer Gateleitung 34 verbunden ist, welche mit dem Gate 44 verbunden ist.
  • Die Durchgangslöcher 46 und 580 werden ausgebildet, wenn das Durchgangsloch 43 unter Verwendung der vierten Maske ausgebildet wird. Wenn die ITO-Schicht ausgebildet wird, wird ein Kontakt mit der Sourceelektrode 41 und dem Abschnitt 556 der Gateleitung hergestellt, um die TFT-Konfiguration der 4 auszubilden.
  • 6 zeigt das ideale Ätzprofil für das Durchgangsloch 580. Die Passivierungsschicht 70 und die Gateisolationsschicht 56 werden unter Verwendung eines Plasma-Schrägätzprozesses geätzt. Die Plasma-Schrägätzung wird ausgeführt unter Verwendung von ungefähr 40 SCCM Schwefelhexafluorid (SF6), ungefähr 32 SCCM Sauerstoff (O2 ) und ungefähr 8 SCCM Kohlenstofftetrafluorid (CF4).
  • Der Ätzprozess ätzt sowohl durch die Passivierungsschicht 70 als auch durch die Gateisolationsschicht 56, um den Abschnitt 556 der Gateleitung zu erreichen. Die Seitenwand des Durchgangslochs 580 umfasst zwei Abschnitte 606 und 608. Gemäß 6 bilden die Seitenwandabschnitte 606 und 608 einen Winkel 604 in Bezug auf eine Linie, welche parallel zu der Oberfläche des Substrates 52 ist. Wenn die Ätzrate sowohl für die Passivierungsschicht 70 als auch die Gateisolationsschicht 56 identisch ist, bilden die Seitenwandabschnitte 606 und 608 eine ungestörte Oberfläche von der Oberseite der Passivierungsschicht 70 durchgehend bis nach unten zu der Oberfläche des Abschnitts 556 der Gateleitung.
  • Wenn jedoch die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 langsamer ist als die Ätzrate der Gateisolationsschicht 56, dann bildet sich an der Grenzfläche zwischen der Passivierungsschicht 70 und der Gateisolationsschicht 56 eine Stufe 610 aus, wie in 7 gezeigt. Da der Seitenwandabschnitt 608 mit einer schnelleren Rate als der Seitenwandabschnitt 606 geätzt wird, bildet der Seitenwandabschnitt 608 einen geringeren Winkel 604 in Bezug auf die Substratoberfläche aus und wird weiter in der horizontalen Richtung geätzt als der Seitenwandabschnitt 606. Dadurch wird durch die Passivierungsschicht 70 die Stufe 610 unmittelbar über der Gateisolationsschicht 56 ausgebildet. Wenn die Stufe 610 ausgebildet wird, bildet die ITO-Schicht 172 eine stufige Überdeckung über der Passivierungsschicht 70, der Gateisolationsschicht 56 und dem Abschnitt 556 der Gateleitung aus. Ein Bruch in der stufigen Überdeckung durch die ITO- Schicht 172 kann leicht eine Kontaktunterbrechung zwischen der ITO-Schicht 172 und dem Abschnitt 556 der Gateleitung erzeugen.
  • Im Hinblick auf die Probleme, welche auftreten können, wenn die Stufe 610 ausgebildet wird, werden die Eigenschaften der Passivierungsschicht 70 so eingestellt, dass die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 größer ist als die Ätzrate der Gateisolationsschicht 56. 8 zeigt den Querschnitt des Durchgangslochs 580, wenn die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 größer ist als die Ätzrate der Gateisolationsschicht 56. Der Winkel 604, welcher zwischen der Seitenwand 606 der Passivierungsschicht 70 in Bezug auf eine zu der Oberfläche des Substrates parallele Linie ausgebildet ist, ist geringer als der Winkel 602, welcher durch die Seitenwand 608 der Gateisolationsschicht 56 ausgebildet wird. Der Abstand zwischen der Seitenwand 606 und einer Mittellinie 612 des Durchgangslochs der Passivierungsschicht 70 ist größer als oder gleich dem Abstand zwischen der Seitenwand 608 und der Mittellinie 612 des Durchgangslochs.
  • Wenn das Durchgangsloch 580 den in 8 gezeigten Querschnitt aufweist, haftet die ITO-Schicht 172 an der gesamten Oberfläche des Durchgangslochs 580 an, wie in
  • 5 gezeigt. Dementsprechend wird die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 so gesteuert, dass dieselbe größer oder gleich zu der Ätzrate der Gateisolationsschicht 56 ist.
  • In der bevorzugten Ausführungsform wird die Passivierungsschicht 70 und die Gateisolationsschicht 56 durch einen Plasma-Schrägätzprozess geätzt, welcher die Passivierungsschicht 70 schneller ätzt als die Gateisolationsschicht 56. Weiterhin wird die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 ebenso durch Abscheiden der Passivierungsschicht 70 bei einer Temperatur von ungefähr 200°C vergrößert.
  • Eine Passivierungsschicht 70 von hoher Qualität wird erhalten, wenn die Passivierungsschicht 70 bei einer hohen Temperatur abgeschieden wird. Wenn die Qualität der Passivierungsschicht 70 zunimmt, nimmt jedoch die entsprechende Ätzrate ab. Daher muss die Abscheidungstemperatur der Passivierungsschicht vermindert werden, um die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 zu erhöhen. Die Verminderung der Abscheidungstemperatur der Passivierungsschicht vermindert die Qualität der Passivierungsschicht 70. Daher wird die Ätzrate der Passivierungsschicht 70 und die Qualität der Passivierungs schicht 70 gegeneinander abgeglichen, um eine optimale Temperatur von ungefähr 200°C zu erhalten.

Claims (6)

  1. Ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristalleinrichtung mit aktiver Matrix unter Verwendung von fünf Masken, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Vielzahl von Gateelektroden (44) über einem Substrat (52) unter Verwendung einer ersten Maske; Ausbilden einer Vielzahl von Ätzbarrieren (60) über der Vielzahl der Gateelektroden unter Verwendung einer zweiten Maske, wobei jede Ätzbarriere über einer der Gateelektrodewn ausgebildet ist; Ausbilden einer Vielzahl von Drainelektroden (40) und einer Vielzahl von Sourceelektroden (41) unter Verwendung einer dritten Maske, wobei ein Abschnitt von jeder der Drainelektroden über einem ersten Abschnitt von einer entsprechenden Ätzbarriere ausgebildet wird und ein Abschnitt von jeder der Sourceelektroden über einem zweiten Abschnitt der entsprechenden einen Ätzbarriere ausgebildet wird, wobei die Source- und Drainelektroden über der entsprechenden einen Ätzbarriere getrennt sind; Ausbilden einer Passivierungsschicht (70) über dem Substrat, auf welchem sich die Ätzbarrieren und die Drain- und Sourceelektroden befinden; Ausbilden einer Vielzahl von Durchgangslöchern (43) in der Passivierungsschicht unter Verwendung einer vierten Maske, um die Drainelektroden freizulegen; und Ausbilden einer Bildelementelektrode (38) über der Passivierungsschicht und den Durchgängen unter Verwendung einer fünften Maske, wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Ausbilden einer Vielzahl von Gateleitungen (34) über dem Substrat unter Verwendung der ersten Maske; Ausbilden einer Gateisolationsschicht (56) über dem Substrat und der Vielzahl von Gateleitungen, wobei die Passivierungsschicht (70) über der Vielzahl von Drainelektroden (40), der Vielzahl von Sourceelektroden (41) und der Gateisolationsschicht ausgebildet wird; und Ätzen von mindestens einer Schicht aus der Passivierungsschicht und der Gateisolationsschicht, um die Vielzahl von Durchgangslöchern (43, 46, 580) auszubilden, wobei die Durchgangslöcher mindestens einen Bestandteil aus einem Abschnitt aus der Vielzahl der Drainelektroden, einem Abschnitt aus der Vielzahl der Sourceelektroden und einem Abschnitt aus der Vielzahl der Gateleitungen freilegen, wobei der Ätzschritt einen Plasma-Schrägätzprozess einschließt; die Gateisolationsschicht Siliziumnitrid umfasst; die Bildelementelektrode Indiumzinnoxid umfasst; dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht Siliziumoxinitrid umfasst, welches bei einer Temperatur von ungefähr 200°C ausgebildet wird.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei eine Ätzrate der Passivierungsschicht (70) mindestens gleich einer Ätzrate der Gateisolationsschicht (56) ist.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Vielzahl der Drainelektroden und die Vielzahl der Sourceelektroden von dem Ätzschritt im Wesentlichen nicht beeinflusst werden.
  4. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Plasma-Schrägätzprozess ungefähr 40 sccm Schwefelhexafluorid, ungefähr 32 sccm Sauerstoff und ungefähr 8 sccm Kohlenstofftetrafluorid aufweist.
  5. Eine Flüssigkristalleinrichtung mit aktiver Matrix, umfassend: eine Vielzahl von Gateelektroden (44), welche über einem Substrat (52) ausgebildet sind und eine Vielzahl von Gateleitungen (34), welche über dem Substrat ausgebildet sind; eine Vielzahl von Ätzbarrieren (60), welche über der Vielzahl der Gateelektroden ausgebildet sind, wobei jede Ätzbarriere über einer Elektrode ausgebildet ist; eine Gateisolationsschicht (56), welche über dem Substrat und der Vielzahl von Gateleitungen ausgebildet ist, wobei die Gateisolationsschicht Siliziumnitrid umfasst; eine Vielzahl von Drainelektroden (40) und eine Vielzahl von Sourceelektroden (41), wobei ein Abschnitt von jeder der Drainelektroden über einem ersten Abschnitt von einer entsprechenden Ätzbarriere ausgebildet ist und ein Abschnitt von jeder der Sourceelektroden über einem zweiten Abschnitt der entsprechenden einen Ätzbarriere ausgebildet ist, wobei die Source- und Drainelektroden über der entsprechenden einen Ätzbarriere getrennt sind; eine Passivierungsschicht (70), welche über dem Substrat ausgebildet ist, wobei die Passivierungsschicht über der Vielzahl von Drainelektroden, der Vielzahl von Sourceelektroden und der Gateisolationsschicht ausgebildet ist; und eine Vielzahl von Durchgangslöchern (43, 46, 580), welche durch mindestens eine Schicht aus der Passivierungsschicht und der Gateisolationsschicht geätzt sind, wodurch mindestens ein Bestandteil aus einem Abschnitt der Vielzahl von Drainelektroden, einem Abschnitt der Vielzahl von Sourceelektroden und einem Abschnitt der Vielzahl der Gateleitungen freigelegt wird, wobei ein erster Abschnitt (606) der Vielzahl von Durchgangslöcher (580) durch die Passivierungsschicht (70) ausgebildet ist und ein zweiter Abschnitt (608) des Durchgangslochs durch die Gateisolationsschicht (56) ausgebildet ist, wobei eine Bildelementelektrode (38) über der Passivierungsschicht und den Durchgangslöchern ausgebildet ist, und wobei die Bildelementelektrode Indiumzinnoxid umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der Wert des Winkels (602), welcher durch eine Seitenwand des zweiten Abschnitts der Vielzahl der Durchgangslöcher und einer Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, größer ist als der Wert des Winkels (604), welcher durch eine Seitenwand des ersten Abschnitts der Vielzahl der Durchgangslöcher und der Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, und die Passivierungsschicht Siliziumoxinitrid umfasst.
  6. Die Einrichtung gemäß Anspruch 5, wobei ein Abstand zwischen der Seitenwand (606) des ersten Abschnitts des Durchgangslochs und der Mittellinie (612) des Durchgangslochs mindestens gleich einem Abstand zwischen der Seitenwand (608) des zweiten Abschnitts des Durchgangslochs und der Mittellinie des Durchgangslochs ist.
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