DE69123992T2 - Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen

Info

Publication number
DE69123992T2
DE69123992T2 DE69123992T DE69123992T DE69123992T2 DE 69123992 T2 DE69123992 T2 DE 69123992T2 DE 69123992 T DE69123992 T DE 69123992T DE 69123992 T DE69123992 T DE 69123992T DE 69123992 T2 DE69123992 T2 DE 69123992T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor memory
memory devices
volatile semiconductor
manufacturing non
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69123992T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69123992D1 (de
Inventor
Seiji Yamada
Kiyomi Naruke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of DE69123992D1 publication Critical patent/DE69123992D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69123992T2 publication Critical patent/DE69123992T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
DE69123992T 1990-03-20 1991-03-20 Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen Expired - Fee Related DE69123992T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2068081A JPH0770629B2 (ja) 1990-03-20 1990-03-20 不揮発性半導体記憶装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69123992D1 DE69123992D1 (de) 1997-02-20
DE69123992T2 true DE69123992T2 (de) 1997-05-28

Family

ID=13363445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69123992T Expired - Fee Related DE69123992T2 (de) 1990-03-20 1991-03-20 Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5208173A (de)
EP (1) EP0450401B1 (de)
JP (1) JPH0770629B2 (de)
KR (1) KR940004421B1 (de)
DE (1) DE69123992T2 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5316981A (en) * 1992-10-09 1994-05-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method for achieving a high quality thin oxide using a sacrificial oxide anneal
US5362685A (en) * 1992-10-29 1994-11-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method for achieving a high quality thin oxide in integrated circuit devices
US5429966A (en) * 1993-07-22 1995-07-04 National Science Council Method of fabricating a textured tunnel oxide for EEPROM applications
US5498577A (en) * 1994-07-26 1996-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating thin oxides for a semiconductor technology
KR100277878B1 (ko) * 1996-11-08 2001-02-01 김영환 트랜지스터의 구조 및 제조방법
US6983374B2 (en) 2000-02-14 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Tamper resistant microprocessor
KR100512464B1 (ko) * 2002-12-30 2005-09-07 동부아남반도체 주식회사 이이피롬 소자 제조방법
JP5139712B2 (ja) * 2007-04-19 2013-02-06 ローム株式会社 Ｆｌｏｔｏｘ型ｅｅｐｒｏｍおよびその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL170348C (nl) * 1970-07-10 1982-10-18 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een tegen dotering en tegen thermische oxydatie maskerend masker wordt aangebracht, de door de vensters in het masker vrijgelaten delen van het oppervlak worden onderworpen aan een etsbehandeling voor het vormen van verdiepingen en het halfgeleiderlichaam met het masker wordt onderworpen aan een thermische oxydatiebehandeling voor het vormen van een oxydepatroon dat de verdiepingen althans ten dele opvult.
US4271487A (en) * 1979-11-13 1981-06-02 Ncr Corporation Static volatile/non-volatile ram cell
JPS5749250A (en) * 1980-09-09 1982-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS605589B2 (ja) * 1982-08-26 1985-02-12 石原産業株式会社 ピラゾ−ル誘導体の製造方法
JPS6155965A (ja) * 1984-08-28 1986-03-20 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
DE3576245D1 (de) * 1984-05-17 1990-04-05 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines nichtfluechtigen halbleiter-eeprom-elementes.
NL8501992A (nl) * 1985-07-11 1987-02-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
JPS6325980A (ja) * 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JPS63116422A (ja) * 1986-11-05 1988-05-20 Mitsubishi Electric Corp イオン注入法
JPS6410644A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPH01125987A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Seiko Instr & Electron Ltd 半導体可変容量素子
JPH01194436A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Nec Yamaguchi Ltd 半導体装置
US4851361A (en) * 1988-02-04 1989-07-25 Atmel Corporation Fabrication process for EEPROMS with high voltage transistors
JPH0223651A (ja) * 1988-07-12 1990-01-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5006480A (en) * 1988-08-08 1991-04-09 Hughes Aircraft Company Metal gate capacitor fabricated with a silicon gate MOS process
NL8802219A (nl) * 1988-09-09 1990-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een siliciumlichaam waarin door ionenimplantaties halfgeleidergebieden worden gevormd.
US5102827A (en) * 1989-05-31 1992-04-07 At&T Bell Laboratories Contact metallization of semiconductor integrated-circuit devices

Also Published As

Publication number Publication date
EP0450401A3 (de) 1991-10-23
DE69123992D1 (de) 1997-02-20
EP0450401B1 (de) 1997-01-08
JPH0770629B2 (ja) 1995-07-31
KR910017668A (ko) 1991-11-05
EP0450401A2 (de) 1991-10-09
JPH03270174A (ja) 1991-12-02
KR940004421B1 (ko) 1994-05-25
US5208173A (en) 1993-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69130346D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE69028665D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69528117T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
DE69428658D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69029618T2 (de) Verfahren zur Herstellung nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE69228787D1 (de) Verfahren und Anlage zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE69224819T2 (de) Methode zur Herstellung von Halbleiterchips
DE69511320D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung
DE69407318T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69624415D1 (de) Verbesserungen in Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE69322928D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines nicht-flüchtigen Halbleiter-Speicherbauteils
DE69220830D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleietervorrichtungen
DE3852623T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Schottky-Verbundhalbleiterbauelement.
DE69123992D1 (de) Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen
DE69324524D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Speicherbauteils
DE69303042T2 (de) Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen Halbleitervorrichtungen
DE69416619T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69221379T2 (de) Halbleiter-Speicherbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69331602D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer hochintegrierten nichtflüchtigen Halbleiter-Speicheranordnung
DE69017803T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeicheranordnung.
DE69114565T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeicheranordnung.
DE69120875T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Speicherbauteils
DE69529000D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator
DE69016645T2 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee