DE60113333T2 - Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden - Google Patents

Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden Download PDF

Info

Publication number
DE60113333T2
DE60113333T2 DE2001613333 DE60113333T DE60113333T2 DE 60113333 T2 DE60113333 T2 DE 60113333T2 DE 2001613333 DE2001613333 DE 2001613333 DE 60113333 T DE60113333 T DE 60113333T DE 60113333 T2 DE60113333 T2 DE 60113333T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tin
electroplating
plating
present
compositions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2001613333
Other languages
English (en)
Other versions
DE60113333D1 (de
Inventor
Andre Egli
Anja Vinckier
Jochen Heber
Wan Zhang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shipley Co Inc
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Shipley Co Inc
Shipley Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shipley Co Inc, Shipley Co LLC filed Critical Shipley Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE60113333D1 publication Critical patent/DE60113333D1/de
Publication of DE60113333T2 publication Critical patent/DE60113333T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C25D3/32Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9335Product by special process
    • Y10S428/934Electrical process
    • Y10S428/935Electroplating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708Sn-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708Sn-base component
    • Y10T428/12715Next to Group IB metal-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet von Metalllegierungen, die für die Metallplattierung von einer großen Bandbreite von Artikeln, einschließlich gedruckten Platinen und anderen elektronischen Packungseinheiten (packaging devices) verwendbar sind. Die Erfindung betrifft insbesondere Zusätze und ihre Verwendung als Kornverfeinerer in Plattierungsformulierungen von Zinn und Zinnlegierungen. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung Zusätze, die die Stabilität von Metallplattierungslösungen verbessern.
  • 2. Hintergrund
  • Für viele Jahre waren Elektroplattierungen von Zinn-Bleilegierungen das Verfahren der Wahl bei Anwendungen, die ein Anbringen von elektronischen Komponenten auf gedruckten Schaltungen durch Löten oder Aufschmelzen erfordern. Solche Zinn-Bleilegierungen wurden als Lötmetalle und als lötbare Oberflächenbehandlungen von Komponenten verwendet. Die Temperatur bei der das Lötmetall schmilzt ist äußerst wichtig. Die Temperatur von 183° C für Zinn-Bleilegierungen (eutektisches Sn-Pb) passt sehr gut zu den gegenwärtig verwendeten Materialien für elektronische Teile. Viel höhere Schmelztemperaturen können zu Deformationen des Laminats gedruckter Schaltungen führen, wohingegen merklich reduzierte Liquidus-Temperaturen zu einem unerwünschten Aufschmelzen des verbundenen Legierungsmetalls während anderer thermischer Arbeitsweisen des Montageprozesses führen.
  • Aufgrund seiner giftigen Eigenschaften wird Blei in elektronischen Teilen voraussichtlich in der nahen Zukunft verboten werden. Viele Zinn-Blei-Alternativen wurden vorgeschlagen, einschließlich reines Zinn, Zinn-Silber, Zinn-Kupfer und Zinn-Bismut.
  • Elektroplattierungsartikel mit Zinnbeschichtung sind im Allgemeinen in der Industrie wohlbekannt. Elektroplattierungsverfahren umfassen das Anlegen von Strom zwischen zwei Elektroden in einer Plattierungslösung, wobei eine Elektrode der zu plattierende Artikel ist. Eine herkömmliche Plattierungslösung wäre eine saure Zinn-Plattierungslösung enthaltend (1) ein gelöstes Zinnsalz (wie zum Beispiel Zinnalkylsulfonat), (2) einen sauren Elektrolyt (wie zum Beispiel eine Alkylsulfonsäure) in einer Menge, die ausreicht, um dem Bad Leitfähigkeit zu verleihen, und (3) Zusätze (wie zum Beispiel Tenside, Aufheller, Verlaufmittel (levelers) und Entstörer (suppressants)), um die Wirksamkeit und Qualität der Plattierung zu erhöhen. Zum Beispiel offenbart das US-Patent Nr. 5,174,887 (Federman et al.) einen Prozess zur Hochgeschwindigkeits-Elektroplattierung von Zinn mit einem Alkylenoxidkondensationsprodukt einer organischen Verbindung als Tensid, das mindestens eine Hydroxylgruppe und 20 Kohlenstoffatome oder weniger enthält. Die organischen Verbindungen schließen einen aliphatischen Kohlenwasserstoff von 1 bis 7 Kohlenstoffatomen ein, eine unsubstituierte aromatische Verbindung oder eine alkylierte aromatische Verbindung, die 6 Kohlenstoffatome oder weniger in der Alkylgruppe enthält.
  • Die Elektroplattierung von Artikeln mit Zinnlegierungen ist ebenfalls wohlbekannt. Zum Beispiel offenbart das US-Patent Nr. 6,176,996 (Moon) bestimmte Elektroplattierungsbäder von Zinnlegierungen, die ein Zinnsalz, ein Metallsalz ausgewählt aus Zink-, Kobalt-, Bismut- oder Kupfersalzen, Methansulfonsäure, eine Leitfähigkeit vermittelnde Verbindung und ein komplexfierendes Agens enthalten.
  • Ein Problem von Zinn-Elektroplattierungsbädern ist die Instabilität, d. h. es kann mit der Zeit zur Bildung von Schlamm in dem Bad kommen. Ein derartiger Schlamm ergibt sich durch Oxidation und durch nachfolgende Ausfällung der Metalle in dem Bad. Eine Reihe von Zusätzen wurde vorgeschlagen, um eine solche Schlammbildung zu verhindern oder einzudämmen, jedoch beeinflussen solche Zusätze nachteilig bestimmte Eigenschaften der Metallschicht, wie zum Beispiel die Kornverfeinerung.
  • Daher wären neue Elektroplattierungszusammensetzungen wünschenswert. Insbesondere wären neue Elektroplattierungszusammensetzungen wünschenswert, die eine erhöhte Stabilität aufweisen, d. h. die Schlammbildung verhindern oder reduzieren. Insbesondere wären solche Elektroplattierungszusammensetzungen wünschenswert, die eine verbesserte Kornverfeinerung aufweisen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wir haben nun neue Elektroplattierungszusammensetzungen gefunden, die eine große Bandbreite von Artikeln wirksam plattieren, einschließlich gedruckte Platinen und andere elektronische Packungseinheiten. Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung weisen eine erhöhte Kornverfeinerung und Stabilität auf. Durch die Verwendung der Zusammensetzungen der Erfindung wird die Ausfällung von Metallen der Plattierungszusammensetzungen unterbunden oder zumindest signifikant reduziert.
  • Zusammensetzungen und Verfahren der Erfindung sind insbesondere nützlich für das Auftragen von lötbaren Oberflächenbehandlungen auf elektronische Komponenten, wie zum Beispiel auf gedruckten Schaltungen, Halbleitereinheiten, Bleirahmen (lead frames) und Konnektoren sowie für die Ablagerung von Löthöckern (solder bumps), wie sie zum Beispiel in integrierten Schaltungen verwendet werden. Die vorliegenden Zusammensetzungen können auch in einer großen Bandbreite von anderen Anwendungen elektronischer Einheiten verwendet werden, wie zum Beispiel in der Herstellung von integrierten Schaltungen, optoelektronischen Einheiten und Ähnlichem.
  • Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung sind zum beachtlichen Teil durch einen Zusatz charakterisiert, der dual als Kornverfeinerer und als Stabilisator funktioniert und mindestens eine nicht-aromatische Verbindung enthält, die delokalisierbare π-Elektronen aufweist und dadurch charakterisiert ist, dass sie ein hydroxyliertes gamma-Pyron ist.
  • Bevorzugte Konzentrationen für einen solchen vorliegenden Zusatz zum Gebrauch in Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung in sauren Plattierungslösungen liegen zwischen ungefähr 50 und ungefähr 2.000 mg pro Liter.
  • Bevorzugt wird die vorliegende Konzentration an Zusatz bei derartigen Konzentrationen während des gesamten oder mindestens während eines erheblichen Teils eines Plattierungszyklus beibehalten. Da die Stabilisatorzusatzkomponente verbraucht wird, ist ein derartiges Aufrechterhalten der Stabilisatior-Zusatzkonzentrationen mit einer regelmäßigen Zugabe an Stabilisatorzusatz während eines Plattierungszyklus verbunden. Zusatzkonzentrationen und Auffüllraten während eines Plattierungszyklus können leicht durch bekannte Methoden bestimmt werden, wie zum Beispiel der CPVS-Methode, die in den US-Patenten 5,252,196 und 5,223,118 offenbart wurde und die beide der Shipley Company übertragen wurden, oder durch die zyklische voltametrische Stripping-Methode (CVS, cyclic voltametric stripping) oder durch Flüssigchromatographie.
  • Zusätzlich zu einem solchen Kornverfeinerer/Stabilisator-Zusatz kann das Plattierungsbad optional ein oder mehrere Reduktionsmittel, Kornverfeinerer wie zum Beispiel hydroxyaromatische Verbindungen, Benetzungsmittel, Aufheller und Verbindungen zur Ausweitung der Spannungsdichte, wie zum Beispiel Carbonsäuren, Verlaufmittel und Ähnliches enthalten. In der vorliegenden Erfindung können auch Gemische von Zusätzen verwendet werden.
  • Die Erfindung schließt auch Erzeugnisartikel ein, einschließlich elektronische Vorrichtungen wie zum Beispiel gedruckte Platinen, Multi-Chip-Module, Bleirahmen, Konnektoren, Halbleiterpackungen, optoelektronische Vorrichtungen und dergleichen, die eine Beschichtung besitzen, die aus einer erfindungsgemäßen Plattierungslösung hergestellt wurde.
  • Weitere Aspekte der Erfindung werden nachfolgend diskutiert.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung enthalten geeigneterweise ein Zinnsalz, einen Elektrolyt, welcher eine saure wässrige Lösung ist, und einen Stabilisatorzusatz umfassend eine oder mehrere nicht-aromatische Verbindungen mit delokalisierbaren π-Elektronen, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-aromatische Verbindung ein hydroxyliertes gamma-Pyron ist. Zusammensetzungen der Erfindung können optional ein oder mehrere Reduktionsmittel enthalten, Kornverfeinerer wie zum Beispiel hydroxyaromatische Verbindungen, Benetzungsmittel, Aufheller, Verbindungen, um den Bereich der Spannungsdichte zu erweitern, wie zum Beispiel Carbonsäuren ,und Verlaufmittel.
  • Zusammensetzungen der Erfindung sind zum Großteil durch die Verwendung von einem oder mehreren Stabilisatorzusätzen charakterisiert. Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung, die solche Stabilisatorzusätze umfassen, weisen eine erhöhte Kornverfeinerung und eine verbesserte Stabilität auf. Durch die Verwendung der Zusammensetzung der Erfindung wird die Ausfällung von Metallen aus den Plattierungslösungen verhindert oder zumindest signifikant vermindert.
  • Die in Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung verwendeten Kornverfeinerer/Stabilisatorzusätze sind hydroxylierte gamma-Pyrone, wie z. B. Maltol, Ethylmaltol, Kojisäure, Meconsäure und Comensäure.
  • Wir haben verstärkte Kornverfeinerung und Polarisierung im Bereich von niedriger Spannungsdichte beobachtet, insbesondere wenn Stabilisatorzusätze wie Maltol und Ethylmaltol verwendet wurden. Zusätzlich scheinen die gamma-Pyrone Zinn (IV) in Plattierungsbädern von Zinn und Zinnlegierungen zu lösen, wodurch das Ausmaß der Ausfällung von Zinn (IV) verhindert oder reduziert wird.
  • Bevorzugte Konzentrationen für Kornverfeinerer/Stabilisatorzusätze für den Einsatz in Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung liegen zwischen ungefähr 2 und ungefähr 10.000 mg pro Liter, noch mehr bevorzugt zwischen ungefähr 50 und ungefähr 2.000 mg pro Liter in sauren Plattierungslösungen, es wurden aber auch gute Ergebnisse mit sogar geringeren Konzentrationen erzielt.
  • Elektroplattierungszusammensetzungen der Erfindung sind besonders gut für die Verwendung in Zinn- und Zinnlegierungsbädern geeignet, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, Zinn-Silber- und Zinn-Kupfer-Bädern.
  • Elektroplattierungsbäder, die Elektroplattierungszusammensetzungen der vorliegenden Erfindung enthalten, werden typischerweise durch Zugabe zu einem Gefäß von einem oder mehreren sauren Elektrolyten, gefolgt von einer oder mehreren Zinnverbindungen und optional einer oder mehrerer weiterer Legierungsverbindungen, z. B. Kupferverbindung(en), Silberverbindungen) und dergleichen, und dann eines oder mehrerer weiterer Zusätze, einschließlich des vorliegenden Kornverfeinerers/Stabilisatorzusatzes hergestellt. Es können andere Reihenfolgen bei der Zugabe der Bestandteile der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Wenn das Bad hergestellt ist, wird unerwünschtes Material beseitigt zum Beispiel durch Filtration, und daraufhin wird Wasser zum Einstellen des Endvolumens des Bades hinzugegeben. Das Bad kann auf jede beliebige Art bewegt werden, wie Rühren, Quirlen oder Schütteln, um die Plattierungsgeschwindigkeit zu erhöhen.
  • Wie oben diskutiert, sind Elektroplattierungslösungen der Erfindung insbesondere nützlich für das Auftragen von lötbaren Oberflächenbehandlungen auf elektronische Komponenten wie zum Beispiel gedruckte Platinen, optoelektronischen Vorrichtungen, Halbleiterpackungen, Mikrochip-Modul-Packungen (microchip module packaging), Komponenten, Kontakte, Chipkondensatoren, Chipwiderstände, Bleirahmen und Konnektoren, und das Auftragen von Löthöckern, wie solche, die auf integrierten Schaltungen zur Verwendung kommen.
  • Jedes beliebige Substrat, das mit einem Metall elektrolytisch plattiert werden kann, ist für die Plattierung gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet. Geeignete Substrate beinhalten, aber sind nicht beschränkt auf: Kupfer, Kupferlegierungen, Nickel, Nickellegierungen, Nickel-Eisen enthaltende Materialien, elektronische Komponenten, Kunststoffe, und Ähnliches. Geeignete Kunststoffe schließen Plastiklaminate ein, wie zum Beispiel gedruckte Platinen, insbesondere mit Kupfer verkleidete gedruckte Platinen.
  • Die eine oder mehreren Zinnverbindungen, die in der vorliegenden Erfindung verwendbar sind, ist bzw. sind jede beliebige(n) lösungslösliche Zinn-Verbindung(en). Geeignete Zinnverbindungen schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Zinnsalze, wie z. B. Zinnhalogenide; Zinnsulfate; Zinnalkansulfonat, wie z. B. Zinnmethansulfonat, Zinnethansulfonat und Zinnpropansulfonat; Zinnarylsulfonat, wie z. B. Zinnphenylsulfonat und Zinntoluensulfonat; Zinnalkanolsulfonat; und dergleichen. Wenn ein Zinnhalogenid verwendet wird, wird Chlorid als Halogenid bevorzugt. Es wird bevorzugt, dass die Zinnverbindung Zinnsulfat, Zinnchlorid, Zinnalkansulfonat oder Zinnarylsulfonat und besonders bevorzugt Zinnsulfat oder Zinnmethansulfonat ist. Geeignete Zinnalkansulfonate schließen Zinnmethansulfonat, Zinnethansulfonat und Zinnpropansulfonat ein. Geeignete Zinnarylsulfonate schließen Zinnphenylsulfonat und Zinntoluensulfonat ein. Die Zinnverbindungen, die in der vorliegenden Erfindung nützlich sind, sind im Allgemeinen von verschiedenen Bezugsquellen kommerziell erhältlich und können ohne weitere Reinigung verwendet werden. Alternativ können die in der vorliegenden Erfindung geeigneten Zinnverbindungen durch in der Literatur bekannte Methoden hergestellt werden.
  • Die Menge an Zinnverbindung, die in den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung geeignet ist, ist jede beliebige Menge, die einen Zinngehalt bereitstellt, der typischerweise im Bereich von 2 bis 100 g/l und bevorzugt 10 bis 70 g/l liegt. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in einem Niedriggeschwindigkeits-Plattierungsprozess verwendet werden, ist die in der Elektrolytzusammensetzung vorhandene Menge an Zinn typischerweise in einem Bereich von 2 bis 60 g/l und bevorzugtermaßen 5 bis 20 g/l. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in einem Hochgeschwindigkeits-Plattierungsprozess verwendet werden, ist die in der Elektrolytzusammensetzung vorhandene Menge an Zinn typischerweise in einem Bereich von 20 bis 100 g/l und bevorzugtermaßen 40 bis 70 g/l. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in der Hochgeschwindigkeits-Zinnplattierung von Stahl verwendet werden, ist die Menge an Zinn typischerweise in einem Bereich von 5 bis 50 g/l und bevorzugtermaßen 10 bis 30 g/l. Gemische von Zinnverbindungen können auch in der vorliegenden Erfindung vorteilhafterweise verwendet werden, vorausgesetzt, dass die Gesamtmenge an Zinn in einem Bereich von 2 bis 100 g/l liegt.
  • Jeder beliebige saure Elektrolyt, der lösungslöslich ist und nicht anderweitig die Elektrolytzusammensetzung negativ beeinflusst, kann vorteilhafterweise in der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Geeignete saure Elektrolyte schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Alkansulfonsäuren, wie z. B. Methansulfonsäure, Ethansulfonsäure und Propansulfonsäure, Arylsulfonsäuren, wie z. B. Phenylsulfonsäure oder Toluensulfonsäure, Schwefelsäure, Sulfaminsäure, Salzsäure, Bromwasserstoffsäure und Fluorborsäure. Gemische saurer Elektrolyte sind besonders geeignet, wie z. B., aber nicht beschränkt auf, Gemische von Alkansulfonsäuren und Schwefelsäure. Auf diese Weise können mehr als ein saurer Elektrolyt vorteilhafterweise in der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Die in der vorliegenden Erfindung geeigneten sauren Elektrolyte sind im Allgemeinen kommerziell erhältlich und können ohne weitere Reinigung verwendet werden. Alternativ können die sauren Elektrolyte durch in der Literatur bekannte Methoden hergestellt werden.
  • Typischerweise liegt die Menge an saurem Elektrolyt in einem Bereich von 10 bis 400 g/l und bevorzugtermaßen in einem Bereich von 100 bis 250 g/l. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in der Hochgeschwindigkeits-Zinnplattierung von Stahl verwendet werden, ist der Elektrolyt typischerweise in einer Menge im Bereich von 20 bis 80 g/l und bevorzugt 30 bis 60 g/l vorhanden. Handelt es sich bei der Zinnverbindung um ein Halogenid, so ist bevorzugt, dass der saure Elektrolyt die dazugehörige Säure ist. Wenn z. B. Zinnchlorid in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, so ist der saure Elektrolyt bevorzugtermaßen Salzsäure.
  • Eine oder mehrere Legierungsmetalle können zu den vorliegenden Elektroplattierungsbädern hinzugefügt werden. Geeignete Legierungsmetalle für ein Zinnelektroplattierungsbad schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Kupfer, Silber, Zink, Bismut, Indium, Antimon und Gold. Bevorzugte Legierungsmetalle sind Kupfer und Silber. Solche Legierungsmetalle liegen typischerweise in Form einer beliebigen lösungslöslichen Verbindungen vor.
  • Geeignete Metallverbindungen schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Metallhalogenide, Metallacetate, Metallfluorborate, Metallsulfat, Metallalkansulfonat, Metallalkanolsulfonat, Metallnitrate und dergleichen. Wenn ein Kupferhalogenid verwendet wird, ist Chlorid das bevorzugte Halogenid. Es ist bevorzugt, dass die Metallverbindung ein Metallsulfat, Metallalkansulfonat oder Gemische davon, und besonders bevorzugt ein Kupfersulfat, Kupfermethansulfonat, Silbermethansulfonat oder ein Gemisch davon ist. Gemische von Legierungsmetallverbindungen können vorteilhafterweise in der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Auf diese Weise können binäre, ternäre und höhere Metalllegierungen hergestellt werden. Die Legierungsmetallverbindungen, die in der vorliegenden Erfindung nützlich sind, sind im Allgemeinen kommerziell erhältlich oder können durch in der Literatur bekannte Methoden hergestellt werden.
  • Die Menge an Legierungsmetallverbindung, die in den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung geeignet ist, ist jede beliebige Menge, die einen Metallgehalt liefert, der typischerweise im Bereich von 0,01 bis 10 g/l und bevorzugt 0,1 bis 3 g/l liegt. Für ein Elektroplattierungsbad einer Zinn-Kupferlegierung ist die Menge an vorliegendem Kupfer typischerweise im Bereich von 0,01 bis 5 g/l und bevorzugt 0,02 bis 2 g/l. Für ein Elektroplattierungsbad einer Zinn-Kupferlegierung, die in einem Hochgeschwindigkeits-Plattierungsprozess verwendet wird, ist die Menge an Kupfer typischerweise im Bereich von 0,5 bis 10 g/l und bevorzugt 0,5 bis 5 g/l.
  • Reduktionsmittel können der Elektrolytzusammensetzung der vorliegenden Erfindung hinzugefügt werden, um das Zinn in einem löslichen divalenten Zustand zu halten. Geeignete Reduktionsmittel schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Hydrochinon und hydroxylierte aromatische Verbindungen, wie Resorzinol, Catechol und dergleichen. Solche Reduktionsmittel sind in dem US-Patent Nr. 4,871,429 veröffentlicht, auf das in dem Ausmaß Bezug genommen wird, in dem es die Herstellung und die Verwendung solcher Verbindungen lehrt. Die Menge solcher Reduktionsmittel ist den Fachleuten wohl bekannt, liegt aber typischerweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 g/l bis ungefähr 5 g/l.
  • Helle Beschichtungen können erzielt werden, indem Aufheller (oder aufhellende Agenzien) zu den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung hinzufigt werden. Solche Aufheller sind den Fachleuten wohl bekannt. Geeignete Aufheller schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, aromatische Aldehyde wie Chlorbenzaldehyd, Derivate aromatischer Aldehyde wie Benzalaceton und aliphatische Aldehyde wie Acetaldehyd oder Glutaraldehyd. Solche Aufheller werden typischerweise zu den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung hinzugefügt, um die Erscheinung und das Reflexionsvermögen der Beschichtung zu verbessern. Typischerweise werden Aufheller einer Menge von 0,5 bis 3 g/l und bevorzugt 1 bis 2 g/l verwendet.
  • Zur Herstellung von integrierten Schaltungen werden typischerweise niedrigere Gehalte an aufhellenden Agenzien in den vorliegenden Elektroplattierungsbädern eingesetzt. So haben z. B. solche Elektroplattierungszusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bevorzugt eine Konzentration an aufhellendem Agens von mindestens ungefähr 1,5 mg pro Liter Plattierungslösung (1,5 mg/l), verglichen mit typischen Aufhellerkonzentrationen im Bereich von ungefähr 0,05 bis 1,0 mg/l in Zusammensetzungen des Standes der Technik. Es ist besonders bevorzugt, dass in solchen Elektroplattierungsbädern für die Herstellung von integrierten Schaltungen die Aufhellerkonzentration mindestens ungefähr 1,75 mg/l und noch mehr bevorzugt mindestens ungefähr 2, 2,5, 3, 3,5 oder 4 mg/l beträgt.
  • Eine große Bandbreite von Aufhellern, einschließlich bekannter aufhellender Agenzien, kann in den vorliegenden Elektroplattierungszusammensetzungen, die in der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet werden, eingesetzt werden. Typische Aufheller in solchen Zusammensetzungen enthalten ein oder mehrere Schwefelatome und typischerweise keine Stickstoffatome und haben ein Molekulargewicht von ungefähr 1.000 oder weniger. Aufheller-Verbindungen, die Sulfid- und/oder Sulfonsäuregruppen aufweisen, sind im Allgemeinen bevorzugt, insbesondere Verbindungen, die eine Gruppe der Formel R'-S-R-SO3X umfassen, wo R ein optional substituiertes Alkyl (einschließlich Cycloalkyl), optional substituiertes Heteroalkyl, optional substituierte Arylgruppe oder optional substituierte heteroalizyklische Gruppe ist; X ein Gegenion wie z. B. Natrium oder Kalium ist; und R' Wasserstoff oder eine chemische Bindung (d. h. -S-R-SO3X oder ein Substituent einer größeren Verbindung) ist. Typischerweise werden Alkylgruppen 1 bis ungefähr 16 Kohlenstoffatome aufweisen, noch typischer 1 bis ungefähr 8 oder 12 Kohlenstoffatome. Heteroalkyl-Gruppen werden ein oder mehrere Heteroatome (N, O, oder S) in der Kette aufweisen und weisen bevorzugt 1 bis ungefähr 16 Kohlenstoffatome auf, noch typischer 1 bis ungefähr 8 oder 12 Kohlenstoffatome. Carbozyklische Arylgruppen sind typische Arylgruppen wie Phenyl und Naphthyl. Heteroaromatische Gruppen werden auch geeignete Arylgruppen sein und enthalten typischerweise ein bis ungefähr 3 N-, O- oder S-Atome und 1–3 separate oder fusionierte Ringe und schließen ein z. B. Coumarinyl, Chinolinyl, Pyridyl, Pyrazinyl, Pyrimidyl, Furyl, Pyrrolyl, Thienyl, Thiazolyl, Oxazolyl, Oxidizolyl, Triazol, Imidazolyl, Indolyl, Benzofuranyl, Benzothiazol, und dergleichen. Heteroalicyclische Gruppen werden typischerweise 1 bis 3 N-, O- oder S-Atome aufweisen und 1 bis 3 separate oder fusionierte Ringe und schließen ein z. B. Tetrahydrofuranyl, Thienyl, Tetrahydropyranyl, Piperdinyl, Morpholino, Pyrrolindinyl und dergleichen. Substituenten substituierter Alkyl-, Heteroalkyl-, Aryl- oder heteroalizyklischen Gruppen schließen ein z. B. C1-8-Alkoxy; C1-8-Alkyl; Halogen, insbesondere F, Cl und Br; Cyano; Nitro; und dergleichen.
  • Es ist bevorzugt, dass die Aufhellerkonzentration während des gesamten Elektroplattierungsprozesses oder zumindest über einen erheblichen Teil des Plattierungsprozesses, z. B. für mindestens ungefähr 50, 60, 70, 80 oder 90 % der Dauer des Plattierungsprozesses beibehalten wird. Wie oben diskutiert, wird die Aufheller-Komponente während des Plattierungsprozesses bevorzugt regelmäßig nachgefüllt, um eine gleichbleibende Aufhellerkonzentration beizubehalten, da die Aufhellergehalte mit fortschreitender Plattierung erschöpft werden.
  • Die Zinn-Elektrolytzusammensetzungen können darüber hinaus noch eine oder mehrere Suppressorverbindungen einschließen, wie, aber nicht beschränkt auf, Alkylenoxidverbindungen. Die eine oder mehreren Alkylenoxidverbindungen, die in der vorliegenden Erfindung nützlich sind, sind beliebige, die Beschichtungen ergeben, die gute Lötbarkeit, gute matte oder glänzende Oberflächenausführung mit befriedigender Kornverfeinerung aufweisen, in den sauren Elektroplattierungsbädern stabil sind, bei hohen Geschwindigkeiten elektroplattieren, im Wesentlichen geringe Schaumbildung aufweisen und einen Trübungspunkt des Bades über ungefähr 110° F (43° C bis 44° C) liefern. Es ist bevorzugt, dass die Alkylenoxidverbindungen nicht zur Schaumbildung des Bades während des Elektroplattierungsprozesses beitragen. Geeignete Alkylenoxidverbindungen schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Ehtylenoxid/Propylenoxid („EO/PO")-Copolymere, Alkylenoxid-Kondensationsprodukte einer organischen Verbindung, die mindestens eine Hydroxylgruppe und 20 Kohlenstoffatome oder weniger aufweist, Verbindungen, die durch Zugabe von Oxypropylen zu Polyoxyethylenglykol entstanden sind, und dergleichen. Typischerweise haben die EO/PO-Copolymere ein durchschnittliches Molekulargewicht im Bereich von ungefähr 500 bis ungefähr 10.000 und bevorzugt von ungefähr 1.000 bis ungefähr 5.000.
  • Es ist bevorzugt, dass die Alkylenoxidverbindung ein EO/PO-Copolymer ist.
  • Geeignete Alkylenoxidkondensationsprodukte einer organischen Verbindung mit wenigstens einer Hydroxylgruppe und 20 Kohlenstoffatomen oder weniger schließen solche ein, die einen aliphatischen Kohlenwasserstoff mit von eins bis sieben Kohlenstoffatomen aufweisen, eine unsubstituierte aromatische Verbindung oder eine alkylierte aromatische Verbindung, die ungefähr sechs Kohlenstoffatome oder weniger in der Alkylgruppe aufweist, wie solche, die in dem US-Patent Nr. 5,174,887 offenbart sind, auf das hier in dem Ausmaß Bezug genommen wird, wie es die Herstellung und die Verwendung dieser Verbindungen lehrt.
  • Die aliphatischen Alkohole können gesättigt oder ungesättigt sein. Geeignete aromatische Verbindungen sind solche, die bis zu zwei aromatische Ringe aufweisen. Die aromatischen Alkohole weisen typischerweise bis zu 20 Kohlenstoffatome vor der Derivatisierung mit Ethylenoxid („EO") auf. Solche aliphatischen und aromatischen Alkohole können weiter substituiert werden, wie durch Sulfat- oder Sulfonatgruppen. Solche geeigneten Alkylenoxidverbindungen schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf: ethyloxyliertes Polystyrenphenol mit 12 Mol an EO, ethyloxyliertes Butanol mit 5 Mol an EO, ethyloxyliertes Butanol mit 16 Mol an EO, ethyloxyliertes Butanol mit 8 Mol an EO, ethyloxyliertes Octanol mit 12 Mol an EO, ethyloxyliertes Beta-Naphthol mit 13 Mol an EO, ethyloxyliertes Bisphenol A mit 10 Mol an EO, ethyloxyliertes sulfatisiertes Bisphenol A mit 30 Mol an EO und ethyloxyliertes Bisphenol A mit 8 Mol an EO.
  • Typischerweise liegen die eine oder mehreren Alkylenoxidverbindungen in den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in einer Menge von 0,1 bis 15 g/l und bevorzugt 0,5 bis 10 g/l vor.
  • Zusätzlich oder alternativ können die vorliegenden Zusammensetzungen ein oder mehrere Polyalkylenglykole enthalten. Geeignete Polyalkylenglykole sind solche, die mit der Elektrolytzusammensetzung kompatibel sind, Beschichtungen mit guter Lötbarkeit, gute matte oder glänzende Oberflächenausführung mit befriedigender Kornverfeinerung ergeben, in sauren Elektroplattierungsbädern stabil sind, bei hohen Geschwindigkeiten elektroplattieren, im Wesentlichen geringe Schaumbildung aufweisen und einen Trübungspunkt des Bades über ungefähr 110° F (43° C bis 44° C) liefern. Geeignete Polyalkylenglykole schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Polyethylenglykol und Polypropylenglykol und bevorzugt Polyethylenglykol. Solche Polyalkylenglykole sind im Allgemeinen von verschiedenen Quellen kommerziell erhältlich und können ohne weitere Reinigung verwendet werden.
  • Typischerweise sind die in der vorliegenden Erfindung nützlichen Polyalkylenglykole solche mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht im Bereich von 200 bis ungefähr 100.000 und bevorzugt von ungefähr 900 bis ungefähr 20.000. Solche Polyalkylenglykole sind in den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in einer Menge von ungefähr 0,1 bis ungefähr 15 g/l, bevorzugt von ungefähr 0,25 bis ungefähr 10 g/l, und besonders bevorzugt von ungefähr 0,5 bis ungefähr 8 g/l anwesend.
  • Andere geeignete Suppressoren schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, Amine, wie ethyloxylierte Amine, Polyoxylalkylenamine und Alkanolamine; Amide, Alkylpolyethersulfonate; komplexfierende Tenside wie alkoxylierte Diamine, und komplexfierende Agenzien für Kupfer(II)- oder Kupfer(I)-Ionen, die Entprol, Zitronensäure, EDTA, Weinsäure, Kaliumnatriumtartrat, Acetonitril, Cuprein und Pyridin einschließen. Typischerweise werden solche anderen Suppressoren in den gleichen Mengen verwendet wie die oben beschriebenen.
  • Besonders geeignete Tenside für Plattierungszusammensetzungen der Erfindung sind kommerziell erhältliche Polyethylenglykol-Copolymere, einschließlich Polyethylenglykol-Copolymere. Solche Polymere sind z. B. von BASF erhältlich (von BASF vertrieben unter den Handelsnamen Tetronic und Pluronic), und Copolymere von Chemax. Besonders bevorzugt ist ein Butylalkoholethylenoxidpropylenoxid-Copolymer von Chemax mit einem Molekulargewicht (Mw) von ungefähr 1.800.
  • Für Fachleute ist es klar, dass carboxyaromatische Verbindungen oder andere Benetzungsmittel zu den Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung hinzugegeben werden können, um eine weitere Kornverfeinerung zu erzielen. Solche carboxyaromatischen Verbindungen dienen als Kornverfeinerer und können zu der Elektrolytzusammensetzung der vorliegenden Erfindung hinzugefügt werden, um das Erscheinungsbild der Beschichtung und den Bereich der Arbeitsspannungsdichte weiter zu verbessern. Den Fachleuten ist ein großes Spektrum solcher carboxyaromatischen Verbindungen wohlbekannt, wie Picolinsäure, Nikotinsäure, und Isonikotinsäure. Weitere geeignete Benetzungsmittel schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf: Alkoxylate wie die polyethoxylierten Amine JEFFAMINE T-403 oder TRITON RW, oder Sulfat-alkylethyloxylate, wie TRITON QS-15, und Gelatin oder Gelatinderivate. Die Mengen solcher Kornverfeinerer, die in der vorliegenden Erfindung nützlich sind, sind den Fachleuten wohlbekannt und sind typischerweise im Bereich von 0,01 bis 20 g/l, bevorzugt 0,5 bis 8 g/l und besonders bevorzugt 1 bis 5 g/l.
  • Die vorliegenden Metallelektroplattierungszusammensetzungen werden geeignetermaßen in ähnlicher Weise wie Metallelektroplattierungsbäder des Standes der Technik verwendet, mit der Abweichung, dass ein oder mehrere der vorliegenden Kornverfeinerer/Stabilisatorzusätze eingesetzt und bevorzugt bei der genannten Konzentration über einen Plattierungszyklus gehalten werden. Die Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind für jedes beliebige Plattierungsverfahren nützlich, wo eine Zinn- oder eine Zinnlegierungsschicht gewünscht ist. Geeignete Plattierungsverfahren schließen ein, aber sind nicht beschränkt auf, Plattierung von Zylindern, Plattierung von Platinengehäusen und Hochgeschwindigkeitsplattierung. Eine Zinn- oder Zinnlegierungsschicht kann auf ein Substrat plattiert werden durch die Schritte des Inkontaktbringens des Substrates mit der oben beschriebenen Elektrolytzusammensetzung und des Durchflusses eines Stroms durch den Elektrolyten, um das Zinn oder die Zinnlegierung auf das Substrat aufzubringen.
  • Die Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung und die hieraus hergestellten Plattierungsbäder sind typischerweise sauer, d. h. sie weisen einen pH von weniger als 7 auf, typischerweise weniger als 1. Wenn eine Zusammensetzung eines spezifischen pH-Werts gewünscht ist, wie im Bereich von 2,5 bis 4,5, dann ist eine entsprechende Einstellung des pH-Wertes notwendig. Eine solche Einstellung des pH-Wertes kann durch beliebige bekannte Methoden erfolgen, wie durch das Hinzufügen an Base oder durch Verwendung geringerer Mengen sauren Elektrolyts. Solche Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung mit einem pH-Wert im Bereich von 2,5 bis 4,5 sind insbesondere für den Gebrauch bei der Plattierung von Komponenten geeignet, die pH-sensitive Materialien enthalten wie z. B. Glas oder Keramikkondensatoren und Widerstände.
  • Plattierungsbäder der Erfindung werden bevorzugt bei Raumtemperatur oder höherer Temperatur gebraucht, beispielsweise bis zu 25° C und etwas darüber. Typische Temperaturen sind im Bereich von, aber nicht beschränkt auf: 60° bis 150°F (15° bis 66° C) oder höher und bevorzugt 70° bis 125° F (21° bis 52° C) und besonders bevorzugt 75° bis 120°F (23° bis 49° C). Dem Fachmann ist klar, dass niedrigere Plattierungstemperaturen typischerweise mit Niedriggeschwindigkeits- oder Nichthochgeschwindigkeits-Plattierungssystemen und/oder der Verwendung von Aufhellern eingesetzt werden. Dem Fachmann ist ebenfalls klar, dass höhere Temperaturen mit Hochgeschwindigkeits-Plattierungssystemen eingesetzt werden. Die Plattierungszusammensetzung wird bevorzugt während des Gebrauchs bewegt wie durch eine Luftsprenkelanlage (air sparger), Bewegung des Arbeitsstücks, Beregnung oder auf eine andere geeignete Weise. Das Plattieren erfolgt bevorzugt bei einem Strom von 1 bis 2.000 ASF (0,1 bis 200 ASD), je nach zu plattierendem Metall, dem speziellen Plattierungsverfahren und den Eigenschaften des Substrates. Wird ein Nichthochgeschwindigkeits-Elektroplattierungsprozess verwendet, so ist die Stromdichte typischerweise im Bereich von 1 bis 40 ASF und bevorzugt 1 bis 30 ASF. Wenn z. B. die Elektrolytzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, um Zinn auf Anschlusskontakte in einem Hochgeschwindigkeitsprozess aufzutragen, dann ist die zweckmäßige Stromdichte 10 bis 60 ASD, was in einer Zinnablagerung mit einer Dicke von typischerweise 1 bis 15 Mikrons resultiert. Die Plattierungszeit kann von ungefähr 5 Minuten bis 1 Stunde oder mehr reichen, abhängig von der Schwierigkeit des Werkstücks. Siehe im Allgemeinen die nachfolgenden Beispiele für exemplarische bevorzugte Verfahren.
  • Die vorliegende Erfindung ist insbesondere geeignet für das Auftragen einer verschweißbaren Oberflächenausführung auf ein elektronisches Vorrichtungssubstrat. Wie oben diskutiert, kann ein großes Spektrum von Substraten mit den Zusammensetzungen der Erfindung plattiert werden. Geeignete Substrate schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf, gedruckte Platinen, optoelektronische Vorrichtungen, Halbleiterpackungen, Mikrochip-Modul-Packungen, Komponenten, Kontakte, Chipkondensatoren, Chipwiderstände, Bleirahmen, Konnektoren oder integrierte Schaltungen. Siehe im Allgemeinen die nachfolgenden Beispiele für exemplarische gemäß der Erfindung plattierte Substrate.
  • Das folgende Beispiel soll der Erläuterung der Erfindung dienen und ist nicht in einschränkender Weise zu deuten.
  • Beispiel 1 (reines Zinn)
  • Eine Elektroplattierungszusammensetzung der Erfindung wurde durch die Beimengung der folgenden Komponenten hergestellt.
    Zinn (als Zinn(II)-methansulfonat) 40 g/l
    Methansulfonsäure 200 ml/l
    Polyalkoxylat 2 g/l
    Ethylmaltol 1 g/l
  • Ein Elektrolytbad wurde hergestellt durch Vereinigen der Elektroplattierungszusammensetzung mit Wasser, um das gewünschte Volumen zu erhalten. Eine gedruckte Platine als Substrat wurde plattiert, indem das Substrat in das Bad gegeben wurde und das Bad mit einer Stromdichte von 14,5 mA/cm2 behandelt wurde (Wellenform war DC; Temperatur des Plattierungsbades betrug 35° C). Nach dem Plattieren wurde das Substrat herausgenommen, und es wurde gefunden, dass es die gewünschte Zinnschicht aufwies. Es wurde beobachtet, dass die Elektroplattierungszusammensetzung wirksam plattiert hatte und ein halbhelles einheitliches Erscheinungsbild aufwies. Die Elektroplattierungszusammensetzung wies ebenfalls eine verbesserte Kornverfeinerung und Stabilität auf.
  • Beispiel 2 (Zinn-Silber; geringer CD-Bereich)
  • Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Abweichung, dass die Elektroplattierungszusammensetzung die nachfolgenden Komponenten enthielt. Ergebnisse von ähnlich hoher Qualität wurden beobachtet.
    Zinn (als Zinn(II)-methansulfonat) 20 g/l
    Silber (als Silbermethansulfonat) 0,5 g/l
    Thioharnstoff 3 g/l
    Methansulfonsäure 50 ml/l
    Polyalkoxylat 2 g/l
    Ethylmaltol 0,6 g/l
    Maltol 0,3 g/l
  • Beispiel 3 (Zinn-Silber; hoher CD-Bereich)
  • Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Abweichung, dass die Elektroplattierungszusammensetzung die nachfolgenden Komponenten enthielt. Ergebnisse von ähnlich hoher Qualität wurden beobachtet.
    Zinn (als Zinn(II)-methansulfonat) 50 g/l
    Silber (als Silbermethansulfonat) 1,5 g/l
    Thioharnstoff 6 g/l
    Methansulfonsäure 200 ml/l
    Polyalkoxylat 2 g/l
    Ethylmaltol 0,25 g/l
    3-Methyl-1,2-cyclopentandion 0,25 g/l
  • Beispiel 4 (Zinn-Kupfer)
  • Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Abweichung, dass die Elektroplattierungszusammensetzung die nachfolgenden Komponenten enthielt. Ergebnisse von ähnlich hoher Qualität wurden beobachtet.
    Zinn (als Zinn(II)-methansulfonat) 60 g/l
    Kupfer (als Kupfermethansulfonat) 2 g/l
    Methansulfonsäure 200 ml/l
    Polyalkoxylat 4,5 g/l
    Ethylmaltol 1 g/l

Claims (5)

  1. Elektroplattierungszusammensetzung umfassend: mindestens eine lösungslösliche Zinnverbindung, einen sauren Elektrolyten, einen Kornverfeinerer/Stabilisator-Zusatz, umfassend mindestens eine nicht-aromatische Verbindung mit π-Elektronen, die delokalisiert werden können, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-aromatische Verbindung ein hydroxyliertes gamma-Pyron ist.
  2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Zusammensetzung zusätzlich mindestens eine lösungslösliche Legierungsmetallverbindung umfasst.
  3. Zusammensetzung nach Anspruch 2, wobei die Metalllegierungsverbindung eine lösungslösliche Verbindung von Kupfer, Silber, Zink, Bismut, Indium, Antimon oder Gold ist.
  4. Zusammensetzung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das hydroxylierte gamma-Pyron Maltol, Ethylmaltol, Kojisäure, Mekonsäure oder Comensäure ist.
  5. Zusammensetzung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Kornverfeinerer/Stabilisator-Zusatz eine Konzentration von zwischen 50 mg und 2.000 mg pro Liter der Elektroplattierungszusammensetzung aufweist.
DE2001613333 2000-07-01 2001-06-29 Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden Expired - Fee Related DE60113333T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21566400P 2000-07-01 2000-07-01
US215664P 2000-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60113333D1 DE60113333D1 (de) 2005-10-20
DE60113333T2 true DE60113333T2 (de) 2006-07-06

Family

ID=22803874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2001613333 Expired - Fee Related DE60113333T2 (de) 2000-07-01 2001-06-29 Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6706418B2 (de)
EP (1) EP1167582B1 (de)
JP (1) JP2002121692A (de)
KR (1) KR20020003104A (de)
DE (1) DE60113333T2 (de)
TW (1) TWI225524B (de)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821323B1 (en) * 1999-11-12 2004-11-23 Enthone Inc. Process for the non-galvanic tin plating of copper or copper alloys
US6797146B2 (en) * 2000-11-02 2004-09-28 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair
US6730209B2 (en) * 2002-02-22 2004-05-04 Lucent Technologies Inc. Solder electroplating bath including brighteners having reduced volatility
EP1422320A1 (de) * 2002-11-21 2004-05-26 Shipley Company, L.L.C. Kupfer-Elektroplattierungsbad
JP4441726B2 (ja) * 2003-01-24 2010-03-31 石原薬品株式会社 スズ又はスズ合金の脂肪族スルホン酸メッキ浴の製造方法
JP4758614B2 (ja) * 2003-04-07 2011-08-31 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 電気めっき組成物および方法
DE102004003784B4 (de) * 2004-01-23 2011-01-13 Ormecon Gmbh Dispersion intrinsisch leitfähigen Polyanilins und deren Verwendung
JP2007529586A (ja) * 2004-03-18 2007-10-25 オルメコン・ゲーエムベーハー コロイド状導電性ポリマーおよび炭素を含む組成物
DE102004030388A1 (de) * 2004-06-23 2006-01-26 Ormecon Gmbh Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung
DE102004030930A1 (de) 2004-06-25 2006-02-23 Ormecon Gmbh Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung
US8349393B2 (en) 2004-07-29 2013-01-08 Enthone Inc. Silver plating in electronics manufacture
US20060096867A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 George Bokisa Tin alloy electroplating system
TW200632147A (de) * 2004-11-12 2006-09-16
DE102005006281B4 (de) 2005-02-10 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzleistungsbauteil mit Goldbeschichtungen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005010162B4 (de) * 2005-03-02 2007-06-14 Ormecon Gmbh Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie
DE102005016819B4 (de) * 2005-04-12 2009-10-01 Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG Elektrolyt, Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Wismut-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten
US7713859B2 (en) * 2005-08-15 2010-05-11 Enthone Inc. Tin-silver solder bumping in electronics manufacture
DE102005039608A1 (de) * 2005-08-19 2007-03-01 Ormecon Gmbh Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer
US7615255B2 (en) * 2005-09-07 2009-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metal duplex method
KR100944099B1 (ko) * 2005-10-28 2010-02-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층형 전자부품 및 그 제조방법
US20090288747A1 (en) 2005-12-01 2009-11-26 Sumitomo Rubber Industriesm, Ltd. Metal Cord, Rubber-Cord Complex and Pneumatic Tire Using the Same
EP1975309B1 (de) 2005-12-13 2012-01-11 Sumitomo Rubber Industries, Ltd. Gummi/kord-verbundgegenstand und damit erhaltener luftreifen
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
MY147793A (en) * 2006-09-13 2013-01-31 Enthone Article with a coating of electrically conductive polymer and precious/semiprecious metal and process for production thereof
JP5337352B2 (ja) * 2007-04-24 2013-11-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 錫または錫合金電気めっき液
TWI341554B (en) * 2007-08-02 2011-05-01 Enthone Copper metallization of through silicon via
US7905994B2 (en) * 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US20090188553A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Emat Technology, Llc Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures
ES2340973T3 (es) * 2008-02-29 2010-06-11 Atotech Deutschland Gmbh Baño basado en pirofosfato para la deposicion de capas de aleaciones de estaño.
US8388824B2 (en) 2008-11-26 2013-03-05 Enthone Inc. Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers
EP2221396A1 (de) * 2008-12-31 2010-08-25 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Bleifreie Elektroplattierungszusammensetzungen aus Blechlegierung und Verfahren
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
US9175400B2 (en) * 2009-10-28 2015-11-03 Enthone Inc. Immersion tin silver plating in electronics manufacture
TWI572750B (zh) 2010-05-24 2017-03-01 安頌股份有限公司 直通矽穿孔之銅充填
WO2012001132A1 (de) * 2010-06-30 2012-01-05 Schauenburg Ruhrkunststoff Gmbh Tribologisch belastbare edelmetall/metallschichten
WO2012001134A2 (de) 2010-06-30 2012-01-05 Schauenburg Ruhrkunststoff Gmbh Verfahren zur abscheidung einer nickel-metall-schicht
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
SG10201608038VA (en) * 2012-03-28 2016-11-29 Novellus Systems Inc Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
KR102092416B1 (ko) 2012-03-30 2020-03-24 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝
US9243339B2 (en) 2012-05-25 2016-01-26 Trevor Pearson Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content
US10072347B2 (en) 2012-07-31 2018-09-11 The Boeing Company Systems and methods for tin antimony plating
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US20140319681A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package including solder ball
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
CN105648483B (zh) * 2016-04-11 2018-09-18 济南德锡科技有限公司 一种高速镀锡溶液及其制备方法
DE102017125954A1 (de) * 2017-11-07 2019-05-09 RIAG Oberflächentechnik AG Außen stromloses Verfahren zur Erzeugung einer Nickellegierung und entsprechender Elektrolyt

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2109887A (en) 1935-09-28 1938-03-01 Hanson Van Winkle Munning Co Bright zinc plating
NL6505921A (de) 1965-05-11 1966-11-14
GB1304844A (de) 1969-04-24 1973-01-31
US3769179A (en) 1972-01-19 1973-10-30 Kewanee Oil Co Copper plating process for printed circuits
DE2510870A1 (de) 1974-03-14 1975-09-25 Toho Beslon Co Glanzzusatz fuer aus pb-sn-legierungen bestehende galvanische ueberzuege
JPS51123731A (en) 1975-04-22 1976-10-28 Nippon Kagaku Sangyo Kk Bright tin plating bath
US4075065A (en) 1975-07-07 1978-02-21 Handy & Harman Gold plating bath and process
SU768859A1 (ru) 1978-04-14 1980-10-07 Институт Химии И Химической Технологии Ан Литовской Сср Электролит лужени
US4242182A (en) 1978-07-21 1980-12-30 Francine Popescu Bright tin electroplating bath
JPS60245797A (ja) 1984-05-18 1985-12-05 Nippon Steel Corp 非水溶媒系電気メツキ液およびその製造法
US4830903A (en) 1986-08-29 1989-05-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Catalytic deposition of metals in solid matrices
JP2572792B2 (ja) 1987-12-11 1997-01-16 エヌ・イーケムキャット株式会社 酸化防止剤
US4849059A (en) 1988-09-13 1989-07-18 Macdermid, Incorporated Aqueous electroplating bath and method for electroplating tin and/or lead and a defoaming agent therefor
RU2113555C1 (ru) 1996-03-26 1998-06-20 Российский химико-технологический университет им.Д.И.Менделеева Кислый электролит для электроосаждения белстящих покрытий сплавом олово-свинец
US6267863B1 (en) * 1999-02-05 2001-07-31 Lucent Technologies Inc. Electroplating solution for electroplating lead and lead/tin alloys

Also Published As

Publication number Publication date
EP1167582B1 (de) 2005-09-14
US20040086697A1 (en) 2004-05-06
JP2002121692A (ja) 2002-04-26
DE60113333D1 (de) 2005-10-20
US20020153260A1 (en) 2002-10-24
KR20020003104A (ko) 2002-01-10
TWI225524B (en) 2004-12-21
EP1167582A1 (de) 2002-01-02
US6706418B2 (en) 2004-03-16
US6773568B2 (en) 2004-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60113333T2 (de) Metalllegierungszusammensetzungen und damit verbundene Plattierungsmethoden
DE60226196T2 (de) Zinn-Plattieren
DE102005011708B3 (de) Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages
DE69924807T2 (de) Zinn-Kupfer-Legierung Elektroplattierungsbad und Plattierungsverfahren mit diesem Bad
US4582576A (en) Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
KR101319863B1 (ko) 주석 전기도금액 및 주석 전기도금 방법
DE69720435T2 (de) Beschichtungslösung für Zinn-Silber-Legierungen und Verfahren zur Beschichtung mit dieser Lösung
DE19653681C2 (de) Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des Verfahrens
EP1285104B1 (de) Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-silber-legierungsschichten
US20060065538A1 (en) Alloy composition and plating method
DE3428345A1 (de) Waessriges bad zur galvanischen abscheidung von zink und zinklegierungen
WO1997019206A1 (de) Verfahren zur elektrolytischen abscheidung von metallschichten
EP1325175B1 (de) Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten
DE112005001074T5 (de) Galvanisierlösung für eutektische Gold-Zinn-Legierung
CN1662679B (zh) 含有锡-银-铜的电镀液、电镀覆膜及电镀方法
US4923576A (en) Additives for electroplating compositions and methods for their use
DE2630980C2 (de)
EP1091023A2 (de) Legierungszusammensetzung und Plattierungsverfahren
DE60111727T2 (de) Komplexes palladiumsalz und seine verwendung zur anpassung der palladiumkonzentration in elektrolytischen bädern bestimmt für die abscheidung von palladium oder einer seiner legierungen
JP2000328286A (ja) 錫−銀系合金電気めっき浴
DE4428966C2 (de) Verfahren zum Abscheiden eines weißen Palladiummetallüberzugs
DE102011114931B4 (de) Verfahren zur selektiveren, elektrolytischen Abscheidung von Gold oder einer Goldlegierung
DE102012004348B4 (de) Verwendung von organischen Thioharnstoffverbindungen zur Erhöhung der galvanischen Abscheiderate von Gold und Goldlegierungen
DE3228911A1 (de) Bad fuer die galvanische abscheidung einer zinn-blei-legierung
JP2009019226A (ja) 錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液及びこれを用いて形成された錫−銀−銅−ニッケル含有めっき被膜

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee